CN115276564B - 一种用于优化线性度的压控振荡电路、压控振荡方法及芯片 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种用于优化线性度的压控振荡电路、压控振荡方法及芯片，属于电子电路技术领域，其包括谐振模块，所述谐振模块包括N个容性支路以及感性器件，N个所述容性支路均并联至感性器件的两端；压控模块，包括电源输入端以及N个控制电压输出端，所述电源输入端连接于输入电压VC，每个所述控制电压输出端对应连接一个容性支路，所述压控模块用于逐个增加导通的容性支路的数量；调节模块，连接于容性支路以及压控模块的控制电压输出端，接收所述控制电压输出端输出的控制电压，并根据控制电压调节对应容性支路的等效电容值。本申请具提高频率牵引率与控制电压之间线性度的效果。

Description

一种用于优化线性度的压控振荡电路、压控振荡方法及芯片

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其是涉及一种用于优化线性度的压控振荡电路、压控振荡方法及芯片。

背景技术

压控振荡器指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路，在石英晶体压控的振荡器中，晶体压控振荡器的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容，是指晶振要正常震荡所需要的电容；通常衡量晶体压控振荡器的性能参数包括线性度、频率稳定度、频率牵引误差等。

相关技术中，压控振荡器采用变容二极管,通过变容二极管对电压进行控制,进而影响压控振荡器的变化。压控振荡器主要由晶体振荡器、变容二极管和振荡电路组成，其工作原理是通过输入电压来改变变容二极管的电容,从而牵引石英谐振器的频率。

针对上述中的相关技术，发明人发现普通的CMOS工艺中，变容二极管不能片上集成，可集成使用的MOS变容管或可变电容器电路，在用作晶体压控振荡器的负载电容时，易导致晶体压控振荡器频率牵引率与输入电压之间的线性度不够理想的问题。

发明内容

为了提高频率牵引率与输入电压之间线性度，本申请提供了一种用于优化线性度的压控振荡电路、压控振荡方法及芯片。

第一方面，本申请提供的一种用于优化线性度的压控振荡电路，采用如下的技术方案：

一种用于优化线性度的压控振荡电路，包括：

谐振模块，所述谐振模块包括N个容性支路以及感性器件，N个所述容性支路均并联至感性器件的两端；

压控模块，包括电源输入端以及N个控制电压输出端，所述电源输入端连接于输入电压VC，每个所述控制电压输出端对应连接一个容性支路，所述压控模块用于逐个增加导通的容性支路的数量；

调节模块，连接于容性支路以及压控模块的控制电压输出端，接收所述控制电压输出端输出的控制电压，并根据控制电压调节对应容性支路的等效电容值。

通过采用上述技术方案，N个容性支路以及感应器件组成振荡电路，压控模块逐个增加导通容性支路的数量，实现了对感性器件两端的负载电容的多级控制，调节模块根据压控模块输出的控制电压控制对应的容性支路的等效电容值，进一步精确调整了对应容性支路的等效电容值，即在控制电压导通一定数量的容性支路时，便于对负载电容进行进一步调整，以调整振荡的频率牵引率，从而便于提高输入电压VC与频率牵引率之间的线性度。

可选的，所述容性支路包括至少两个MOS变容管C1，所述MOS变容管C1之间均为串接。

通过采用上述技术方案，容性支路采用MOS变容管C1便于控制电压对MOS变容管C1的电容值进行控制，即便于控制每个容性支路上的等效电容值。

可选的，所述调节模块包括第一调节电路和/或第二调节电路；所述容性支路包括第一待调整容性支路以及第二待调整容性支路。

所述第一调节电路，连接于第一待调整容性支路以及压控模块对应的控制电压输出端，接收该控制电压输出端输出的控制电压，并控制第一待调整容性支路的等效电容值增加；

所述第二调节电路，连接于第二待调整容性支路以及压控模块对应的控制电压输出端，接收该控制电压输出端输出的控制电压，并控制第二待调整容性支路的等效电容值减小。

通过采用上述技术方案，第一调节电路接收并响应于压控模块的控制电压输出端输出的控制信号，并根据该控制信号控制第一待调整容性支路的等效电容值增长；第二调节电路接收并响应于压控模块的控制电压输出端输出的控制信号，并根据该控制信号控制第二待调整容性支路的等效电容值减小，从而便于补偿频率牵引率的线性度。

可选的，所述第一调节电路包括第一MOS管Q1、可变电容器C2以及第一调节信号输出子电路；

第一MOS管Q1和可变电容器C2均设置有至少两个；

所述第一MOS管Q1，一端连接于MOS变容管C1的一端，另一端连接于可变电容器C2的一端，控制端连接于第一调节信号输出子电路的第一调节信号输出端；所述可变电容器C2的另一端连接于MOS变容管C1的另一端；所述第一调节信号输出子电路的第一控制信号输入端连接于压控模块的控制电压输出端。

通过采用上述技术方案，第一调节信号输出子电路接收控制电压输出端输出的控制电压，并根据该控制电压输出第一调节信号，第一MOS管Q1根据第一调节信号进行导通，且第一调节信号使第一MOS管Q1工作在线性区，即第一MOS管Q1的导通电阻随第一调节信号的变化而变化，第一MOS管Q1导通后与可变电容器C2串联，可变电容器C2与MOS变容管C1并联，此时并联的可变电容器C2和MOS变容管C1使得第一待调整容性支路上的等效电容值增加。

可选的，所述第二调节单元包括第二MOS管Q2以及第二调节信号输出子电路；所述第二MOS管Q2，一端连接于MOS变容管C1的一端，另一端连接于感性器件的一端，控制端连接于第二调节信号输出子电路的第二调节信号输出端，所述第二调节信号输出子电路的第二控制信号输入端连接于压控模块的控制电压输出端。

通过采用上述技术方案，第二调节信号输出子电路接收控制电压输出端输出的控制电压，并根据该控制电压输出第二调节信号，第二调节信号使第二MOS管Q2工作在线性区，即第二MOS管Q2的导通阻抗随第二调节信号的变化而变化，第二MOS管Q2导通后与MOS变容管C1串联，从而减小了第二待调整容性支路的等效电容值。

可选的，所述感性器件包括石英晶体。

通过采用上述技术方案，利用石英晶体的压电效应，能够与容性支路结合产生振荡。

第二方面，本申请提供一种压控振荡方法，采用如下技术方案：

一种压控振荡方法，应用于第一方面中任一项所述的一种用于优化线性度的压控振荡电路，所述方法包括：

根据压控模块的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，并输出控制电压；

根据控制电压，调节模块调整容性支路的等效电容值；

基于各个导通的容性支路的等效电容值和感性器件的谐振，得到振荡信号。

通过采用上述技术方案，根据压控模块的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，实现了对感性器件负载电容值的多级调整，再通过控制电压调整容性支路的等效电容值，便于对感性器件的负载电容值进行较为精确的控制，以补偿输入电压VC与频率牵引率的线性度。

可选的，所述根据压控模块的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，并输出控制电压包括，

根据所述输入电压VC，压控模块输出与容性支路数量一致的N路控制电压；

N路控制电压依次导通对应的容性支路。

通过采用上述技术方案，压控模块根据输入电压VC输出与容性支路数量一致的N路控制电压， N路控制电压分别控制对应的容性支路导通，从而便于实现逐渐增加容性支路的导通数量。

可选的，所述根据控制电压，调节模块调节容性支路的等效电容值包括，

根据第一控制电压，第一调节电路控制第一待调整容性支路的等效电容值增加；

根据第二控制电压，第二调节电路控制第二待调整容性支路的等效电容值减小。

通过采用上述技术方案，通过第一控制电压控制第一待调整容性支路的等效电容值增加，通过第一控制电压控制第二待调整容性支路的等效电容值减小，能够较为灵活的调整容性支路等效电容值，便于根据实际情况进行调整。

第三方面，本申请提供一种芯片，采用如下技术方案：

一种芯片，包括如第一方面任一项所述的一种用于优化线性度的压控振荡电路。

附图说明

图1是本申请实施例的结构框图。

图2是本申请其中一个实施例的电路结构示意图。

图3是本申请其中一个实施例输入电压VC与频率牵引率的曲线图。

图4是本申请其中一个实施例的第一调节信号输出子电路连接结构示意图。

图5是本申请其中一个实施例控制电压与第一调节信号的曲线图。

图6是本申请其中一个实施例的第二调节信号输出子电路连接结构示意图。

图7是本申请其中一个实施例控制电压与第二调节信号的曲线图。

图8是本申请其中一个实施例压控振荡方法的流程示意图。

附图标记说明：1、谐振模块；2、压控模块；3、调节模块；31、第一调节电路；311、第一调节信号输出子电路；32、第二调节电路；321、第二调节信号输出子电路。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1-8及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例公开一种用于优化线性度的压控振荡电路。

参照图1，一种用于优化线性度的压控振荡电路包括：

谐振模块1，谐振模块1包括N个容性支路以及感性器件11，N个容性支路均并联至感性器件11的两端；

压控模块2，包括电源输入端以及N个控制电压输出端，电源输入端连接于输入电压VC，每个控制电压输出端对应连接一个容性支路，压控模块2用于逐个增加导通的容性支路的数量；

其中，压控模块2的控制电压输出端与容性支路一一对应，使得压控模块2输出的控制电压与容性支路一一对应，即第一路控制电压输出端连接于第一容性支路，第二路控制电压输出端连接于第二容性支路，以此类推。

另外，压控模块2的具体电路结构可参见申请公布号为CN112953396A的中国专利公开的一种变容压控振荡器及集成电路中附图5的电路结构。

调节模块3，连接于容性支路以及压控模块2的控制电压输出端，接收控制电压输出端输出的控制电压，并根据控制电压调节对应容性支路的等效电容值。

其中，容性支路上的等效电容值指该容性支路上全部有效电容所得到的总电容值。

上述实施方式中，N个容性支路以及感应器件组成振荡电路，压控模块2逐个增加导通容性支路的数量，实现了对感性器件11两端的负载电容的多级控制，调节模块3根据压控模块2的输出的控制电压控制对应的容性支路的等效电容值，进一步精确调整了对应容性支路的等效电容值，即在控制电压导通一定数量的容性支路时，便于对每个容性支路的等效电容进行调整，从而对负载电容进行调整，进而调整了谐振模块1的频率牵引率，实现了便于提高输入电压VC与频率牵引率之间的线性度的效果，并且增大了频率牵引范围。

参照图2，作为感性器件11的一种实施方式，感性器件11包括石英晶体。

参照图2，作为容性支路的一种实施方式，容性支路包括至少两个MOS变容管C1，MOS变容管C1之间均为串接。

在本实施例中，MOS变容管C1的数量为两个，压控模块2的控制电压输出端与两个MOS变容管C1之间的串接点连接。

需要说明的是，每个容性支路的MOS变容管C1的数量可以相同，也可以不同，根据实际情况设置每个容性支路上MOS变容管C1的数量即可。

参照图2，作为调节模块3的一种实施方式，调节模块3包括第一调节电路31和/或第二调节电路32；容性支路包括第一待调整容性支路以及第二待调整容性支路；

第一调节电路31，连接于第一待调整容性支路以及压控模块2对应的控制电压输出端，接收该控制电压输出端输出的控制电压，并控制第一待调整容性支路的等效电容值增加；

其中，第一待调整容性电路为N个容性支路中的任意一个或多个，由技术人员根据频率牵引度和历史经验将第一调节电路31设置在合适的容性支路上；

其中，压控模块2对应的控制电压输出端即为第一调节电路31所设置的容性支路对应的控制电压输出端。

第二调节电路32，连接于第二待调整容性支路以及压控模块2对应的控制电压输出端，接收该控制电压输出端输出的控制电压，并控制第二待调整容性支路的等效电容值减小。

其中，第二待调整容性电路为N个容性支路中的任意一个或多个，由技术人员根据频率牵引度和历史经验将第二调节电路32设置在合适的容性支路上；

其中，压控模块2对应的控制电压输出端即为第二调节电路32所设置的容性支路对应的控制电压输出端。

上述实施方式中，第一调节电路31接收并响应于对应压控模块2的控制电压输出端输出的控制信号，并根据该控制信号控制第一待调整容性支路的等效电容值增长；第二调节电路32接收并响应于压控模块2的控制电压输出端输出的控制信号，并根据该控制信号控制第二待调整容性支路的等效电容值减小，从而便于补偿频率牵引率的线性度。

参照图2，作为第一调节电路31的一种实施方式，第一调节电路31包括第一MOS管Q1、可变电容器C2以及第一调节信号输出子电路311；

第一MOS管Q1和可变电容器C2均设置有至少两个；

其中，第一MOS管Q1和可变电容器C2的数量与对应容性支路上MOS变容管C1的数量一致。

第一MOS管Q1，一端连接于MOS变容管C1的一端，另一端连接于可变电容器C2的一端，控制端连接于第一调节信号输出子电路311的第一调节信号输出端；可变电容器C2的另一端连接于MOS变容管C1的另一端；第一调节信号输出子电路311的第一控制信号输入端连接于压控模块2的控制电压输出端。

参照图2，作为第二调节单元的一种实施方式，第二调节单元包括第二MOS管Q2以及第二调节信号输出子电路321；第二MOS管Q2，一端连接于MOS变容管C1的一端，另一端连接于感性器件11的一端，控制端连接于第二调节信号输出子电路321的第二调节信号输出端，第二调节信号输出子电路321的第二控制信号输入端连接于压控模块2的控制电压输出端。

其中，第二MOS管Q2的数量与对应容性支路上的MOS变容管C1的数量一致。

在本实施例中，第一MOS管以及第二MOS管均采用NMOS管。

上述实施方式中，第一调节信号输出子电路311接收控制电压输出端输出的控制电压，并根据该控制电压输出第一调节信号，第一MOS管Q1根据第一调节信号进行导通，且第一调节信号使第一MOS管Q1工作在线性区，即第一MOS管Q1的导通电阻随第一调节信号的变化而变化，第一MOS管Q1导通后与可变电容器C2串联，可变电容器C2与MOS变容管C1并联，此时并联的可变电容器C2和MOS变容管C1使得第一待调整容性支路上的等效电容值增加。第二调节信号输出子电路321接收控制电压输出端输出的控制电压，并根据该控制电压输出第二调节信号，第二调节信号使第二MOS管Q2工作在线性区，即第二MOS管Q2的导通阻抗随第二调节信号的变化而变化，第二MOS管Q2导通后与MOS变容管C1串联，从而使得第二待调整容性支路的等效电容值减小。

参照图3，例如，在输入电压VC和频率牵引率的关系曲线中，在曲线的两端线性度不够理想，可参见下述方法提高频率牵引率的线性度。

参照图4，作为第一调节信号输出子电路311的一种实施方式，第一调节信号输出子电路311包括第一运算放大器、第一电阻R1以及第二电阻R2，第一运算放大器的反向输入端通过串接第一电阻R1与压控模块2的第一路控制电压输出端连接，正向输入端连接于第一基准电压VD1，输出端连接于第一调节信号输出子电路311的第一调节信号输出端，第二电阻R2的一端连接于第一运算放大器的反向输入端，另一端连接于第一运算放大器的输出端。

其中，第一基准电压VD1可根据实际情况和技术人员的历史经验而选择。

上述实施方式中，针对输入电压VC=0V附近的线性度不理想的问题，由于输入电压VC=0时首先导通第一容性支路，所以将第一调节电路31设置在第一容性支路上，以调节输入电压VC=0V处的频率牵引度；第一运算放大器的输出电压VSTART随着第一路控制电压VC1的变化而变化，第一运算放大器的输出电压VSTART与第一路控制电压VC1的关系曲线图如图5所示，从而在VC1=0V时，第一运算放大器的输出电压VSTART使第一MOS管Q1导通，且随着VC1的增大，第一MOS管Q1导通的导通内阻逐渐增大，以调整可变电容器C2的电容值，从而调整了可变电容器C2与MOS变容管C1并联后的电容值，进而调整了第一容性支路的等效电容值，即能够将输入电压VC=0V附近的频率牵引率调整至接近理想牵引率，并且增大了在VC=0处的牵引范围。

参照图5、6，作为第二调节信号输出子电路321的一种实施方式，第二调节信号输出子电路321包括第二运算放大器、第三电阻R3以及第四电阻R4，第二运算放大器的正向输入端通过串接第三电阻R3与压控模块2的第N路控制电压输出端连接，反向输入端连接于第二基准电压VD2，输出端连接于第二调节信号输出子电路321的第二调节信号输出端，第四电阻R4的一端连接于第二运算放大器的正向输入端，另一端连接于第二运算放大器的输出端。

其中，第二基准电压VD2可根据实际情况和技术人员的历史经验而选择。

上述实施方式中，针对输入电压VC=3.3V附近的线性度不理想的问题，由于在输入电压VC=3.3V时所有容性支路都导通，所以将第二调节电路32设置在第N容性支路上，以调整VC=3.3V处的频率牵引率；第二运算放大器的输出电压VS随着第N路控制电压VCN的变化而变化，第二运算放大器的输出电压VS与第N路控制电压VCN的关系曲线图如图7所示，在VCN=0V时，第二运算放大器的输出电压VS使第二MOS管Q2截止，且随着VCN的增大，第二MOS管Q2导通且导通内阻逐渐减小，以调整第N容性支路上MOS变容管C1的电容值，从而调整了第N容性支路的等效电容值，即能够将VC=3.3V附近的频率牵引率调整至接近理想牵引率，并且增大了在VC=3.3V处的牵引范围。

需要说明的是，本申请中提供的第一调节信号输出子电路311以及第二调节信号输出子电路321仅仅是示例性的，图5和图7提供的电压关系曲线图也仅仅是示例性的，实际应用中，技术人员可根据所需要调整的频率牵引度的不同而设定不同的第一调节信号输出子电路311以及第二调节信号输出子电路321。

本申请实施例一种用于优化线性度的压控振荡电路的实施原理为：将第一调节电路31设置在需要调整电容值的容性支路上，第一调节电路31使得该容性支路上的等效电容值增加，同理设置第二调节电路32使对应的容性支路上的等效电容值减小，即实现了较为灵活的对各个容性支路的等效电容值进行调整，便于根据实际的频率牵引率调整对应的容性支路的等效电容值，从而实现了便于提高频率牵引率与输入电压VC之间线性度的效果。

本申请实施例还公开一种压控振荡方法。

参照图8，一种压控振荡方法，应用于如上述一种用于优化线性度的压控振荡电路，振荡方法包括：

根据压控模块2的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，并输出控制电压；

根据控制电压，调节模块3调整容性支路的等效电容值；

其中，调节模块3对一个或多个容性支路的等效电容值进行调整。

基于各个导通的容性支路的等效电容值和感性器件11的谐振，得到振荡信号。

上述实施方式中，根据压控模块2的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，实现了对感性器件11负载电容值的多级调整，再通过控制电压调整容性支路的等效电容值，便于对感性器件11的负载电容值进行较为精确的控制，以补偿输入电压VC与频率牵引率的线性度。

作为压控振荡方法的进一步实施方式，根据压控模块2的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，并输出控制电压包括，

根据输入电压VC，压控模块2输出与容性支路数量一致的N路控制电压；

N路控制电压依次导通对应的容性支路。

其中，导通后的容性支路保持导通状态。

作为压控振荡方法的进一步实施方式，根据控制电压，调节模块3调节容性支路的等效电容值包括，

根据第一控制电压，第一调节电路31控制第一待调整容性支路的等效电容值增加；

根据第二控制电压，第二调节电路32控制第二待调整容性支路的等效电容值减小。

其中，第一待调整容性支路以及第二待调整容性支路为N路容性支路中的任意一个或多个。第一控制电压为第一待调整容性电路对应的控制电压，第二控制电压为第二待调整容性电路对应的控制电压，并不指代第一路控制电压和第二路控制电压。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所提供的方法和系统，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的；例如，某个模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。

本申请实施例公开一种芯片。

一种芯片包括上述的一种用于优化线性度的压控振荡电路。

本发明实施例的一种芯片以及一种压控振荡方法能够实现上述压控振荡电路的所有功能，且一种芯片以及一种压控振荡方法的具体工作过程可参考上述电路实施例中的对应过程。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

Claims (7)

1.一种用于优化线性度的压控振荡电路，其特征在于，包括，

谐振模块(1)，所述谐振模块(1)包括N个容性支路以及感性器件(11)，N个所述容性支路均并联至所述感性器件(11)的两端，所述容性支路包括至少两个MOS变容管C1；

压控模块(2)，包括电源输入端以及N个控制电压输出端，所述电源输入端连接于输入电压VC，每个所述控制电压输出端对应连接一个所述容性支路，所述压控模块(2)用于逐个增加导通的所述容性支路的数量；

调节模块(3)，连接于所述容性支路以及所述压控模块(2)的控制电压输出端，接收所述控制电压输出端输出的控制电压，并根据控制电压调节对应所述容性支路的等效电容值；

所述调节模块(3)包括第一调节电路(31)和/或第二调节电路(32)；所述容性支路包括第一待调整容性支路以及第二待调整容性支路；所述第一调节电路(31)，连接于所述第一待调整容性支路以及所述压控模块(2)对应的所述控制电压输出端，接收该所述控制电压输出端输出的控制电压，并控制所述第一待调整容性支路的等效电容值增加；所述第二调节电路(32)，连接于所述第二待调整容性支路以及所述压控模块(2)对应的所述控制电压输出端，接收该所述控制电压输出端输出的控制电压，并控制所述第二待调整容性支路的等效电容值减小；

所述第一调节电路(31)包括第一MOS管Q1、可变电容器C2以及第一调节信号输出子电路(311)；第一MOS管Q1和可变电容器C2均设置有至少两个；所述第一MOS管Q1，一端连接于所述MOS变容管C1的一端，另一端连接于所述可变电容器C2的一端，控制端连接于所述第一调节信号输出子电路(311)的第一调节信号输出端；所述可变电容器C2的另一端连接于所述MOS变容管C1的另一端；所述第一调节信号输出子电路(311)的第一控制信号输入端连接于所述压控模块(2)的控制电压输出端；

所述第二调节电路(32)包括第二MOS管Q2以及第二调节信号输出子电路(321)；所述第二MOS管Q2，一端连接于所述MOS变容管C1的一端，另一端连接于所述感性器件(11)的一端，控制端连接于所述第二调节信号输出子电路(321)的第二调节信号输出端，所述第二调节信号输出子电路(321)的第二控制信号输入端连接于所述压控模块(2)的控制电压输出端。

2.根据权利要求1所述的一种用于优化线性度的压控振荡电路，其特征在于：所述MOS变容管C1之间均为串接。

3.根据权利要求1所述的一种用于优化线性度的压控振荡电路，其特征在于：所述感性器件(11)包括石英晶体。

4.一种压控振荡方法，其特征在于：应用于如权利要求1-3中任一项所述的一种用于优化线性度的压控振荡电路，所述方法包括，

根据压控模块(2)的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，并输出控制电压；

根据所述控制电压，调节模块(3)调整所述容性支路的等效电容值；

基于各个导通的所述容性支路的等效电容值和感性器件(11)的谐振，得到振荡信号。

5.根据权利要求4所述的一种压控振荡方法，其特征在于：所述根据压控模块(2)的输入电压VC，逐个增加导通的容性支路的数量，并输出控制电压包括，

根据所述输入电压VC，所述压控模块(2)输出与所述容性支路数量一致的N路所述控制电压；

N路所述控制电压依次导通对应的所述容性支路。

6.根据权利要求5所述的一种压控振荡方法，其特征在于：所述根据控制电压，调节模块(3)调节容性支路的等效电容值包括，

根据第一控制电压，第一调节电路(31)控制第一待调整容性支路的等效电容值增加；

根据第二控制电压，第二调节电路(32)控制第二待调整容性支路的等效电容值减小。

7.一种芯片，其特征在于：包括如权利要求1到3中任一项所述的一种用于优化线性度的压控振荡电路。

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