CN100502077C - 三次元磁性方位传感器以及磁阻抗传感器元件 - Google Patents
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Abstract
本发明的三次元磁性方位传感器(10a)包含由磁阻抗传感器元件构成的第1传感器(101)、第2传感器(102)和第3传感器(103)，上述各传感器分别具有电极线路基板(1)、感磁体(2)、绝缘体(4)、电磁线圈(3)，上述电磁线圈(3)具有与上述延伸沟的沟方向交叉、且配设该延伸沟的內周面、且同时在上述电极线路基板表面上延伸了两端部的第1导电线路和，横跨上述延伸沟、且配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路，电磁线圈由第 1导电线路所组成的一部分线圈和，与第1导电线路端部电性连接的第2导电线路所组成的另一部分线圈组合而成，上述各传感器配置为各个感磁体(2)的磁场感应度为最大的方向相互正交。
Description
技术领域
本发明涉及一种可应用于电子罗盘的三次元磁性方位传感器及磁阻抗传感器元件(MISensor)。
背景技术
以往，有将固定有作为感磁体的非结晶合金磁性线的单片元件插入由检出线圈和负反馈线圈绕成的管状圆筒中的磁性传感器(参考专利文献1)。上述单片元件，例如，在基板较长方向两端的电极之间设置非结晶合金磁性线，并用凝胶状物质将其整体覆盖。
并且，也有将2组或者3组上述结构的磁性传感器组成的磁性方位传感器。在这样的磁性方位传感器中，在各非结晶合金磁性线的轴线大约相互直交的方向配置各磁性传感器(参考专利文献2)。
[专利文献1]特开2001-296127号公报
[专利文献2]特开平11-64473号公报
发明课题
但是，上述的磁性传感器具有下述的问题。即是，上述的磁性传感器，有将基板上配置有非结晶合金磁性线的单片元件，内插配置于管状圆筒中的结构。因此，零部件数多，制造工序繁多、制造和组装复杂，不适合于传感器的小型化也很难降低制造成本。
此外，配置使用了上述原有构成的3组磁性传感器的磁性方位传感器，也有下述问题。即，使用了3组上述难于实现小型化和制造成本高的磁性传感器的磁性方位传感器，其体积不断增大的同时，又增加了制造成本。
课题的解决手段
本专利的第一发明包括由磁阻抗传感器元件(MI Sensor)构成的第1传感器、第2传感器和第3传感器，所述第1传感器、第2传感器和第3传感器分别具有：设置有凹沟状的延伸沟的电极线路基板；能随着外部磁场的变化而产生特性变化的感磁体和；在使作为上述感磁体的非结晶合金磁性线贯通的状态下收容在所述延伸沟内的绝缘体；邻接配设于绝缘体外表面上的之箔状导电线路而形成的电磁线圈，上述电磁线圈具有：与上述延伸沟的沟方向交叉、且配设该延伸沟的内周面、且同时在上述电极线路基板表面上延伸了两端部的第1导电线路和，横跨上述延伸沟、且配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路，上述电磁线圈的组合方式具有以下特征：由所述第1导电线路所组成的一部分线圈和，与所述第1导电线路端部电性连接的所述第2导电线路所组成的另一部分线圈组合而成，所述第1传感器、第2传感器和第3传感器的配置具有以下特征：各个感磁体的磁场感应度为最大的方向相互正交。
上述第1发明的三次元磁性方位传感器，是利用了由能随着外部磁场的变化而产生特性变化的感磁体和、使该感磁体贯通于其中而形成的绝缘体、邻接配设于绝缘体外表面上的箔状导电线路而形成的电磁线圈组成的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)的第1传感器、第2传感器和第3传感器而构成的。并且，该三次元磁性方位传感器中，使各感磁体的磁场感应灵敏度最大方向处于相互直交的状态的情况下配置形成。
上述各传感器中的电磁线圈是由箔片状导电线路而构成。由箔片状导电线路而构成的电磁线圈，可以使用金属蒸镀法、将金属薄膜有选择的腐蚀除去法、涂上导电性墨水等方法高效率的形成，同时也实现了小型化。并且，象上述的由箔片状导电线路而构成的电磁线圈，可以提高形成精度和性能的稳定性，从而得到高精度的传感器。
上述三次元磁性方位传感器，使其各感磁体在磁场感应灵敏度最大方向处于相互直交的状态而配置形成。因此，由高质量的上述各传感器所构成的上述三次元磁性方位传感器，既实现了小型化，而且还是低成本，高精度的优良产品。
綜上所述，上述第1发明所阐述的三次元磁性方位传感器，在制造和组装变得容易的同时，还实现了小型化。并且，该三次元磁性方位传感器，与其所处姿勢无关，均可以实现高精度的方位检出。
本发明的第2发明是，在由能随着外部磁场的变化而产生特性变化的感磁体的外周面旋绕电磁线圈而构成的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)。
它包含有传感器基板，其作为保持上述感磁体的传感器基板，设置有凹沟状延伸沟；在使作为上述感磁体的非结晶合金磁性线贯通于其中的状态下收容在上述延伸沟内的绝缘体；以及由邻接于该绝缘体外表面的箔片状导电线路形成的电磁线圈，上述电磁线圈具有：与上述延伸沟的沟方向大致正交、且配设该延伸沟的内周面、且同时两端部在上述电极线路基板表面上延伸的第1导电线路和，横跨上述延伸沟、且配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路，上述电磁线圈的组合方式具有以下特征：由所述第1导电线路所组成的一部分线圈和，与所述第1导电线路端部电性连接的所述第2导电线路所组成的另一部分线圈组合而成，上述传感器基板在与感磁体的轴方向呈大致正交的面上，设置有从电磁线圈、以及上述感磁体延伸设置的电极。
上述第2发明所阐述的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)中的上述基板表面上，在与上述感磁体的轴方向呈直交的面上，设置有从电磁线圈、以及上述感磁体延伸出来的电极。因此，假如把上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)实际装入电子回路基板的时候，非常适宜于沿着电子回路基板等的厚度方向设定上述感磁体的轴方向。即是，使上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)中的电极配置面与上述电子回路基板的实际装配表面处于相同的方向，便于实施用导线等的连接作业。
并且，该磁阻抗传感器元件(MI Sensor)可以在二次元环境下制作。因此，不需要高成本的三次元制作环境，可以降低生产成本。
同时，上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，具有由箔片状导电线路而构成的电磁线圈。而该箔片状导电线路配置在将感磁体贯通于其中而形成的绝缘体的外表面之上。构成该电磁线圈的箔片状导电线路，可以使用金属蒸镀法、金属薄膜选择腐蚀除去法、涂导电性墨水等方法来形成，实现了高效率、小型化、并得到高精度。因此，上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)是既实现了小型化，同时也是低成本，高精度的。
綜上所述，上述第2发明所阐述的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，实现了小型化、高精度和低成本。并且，在实际装入磁阻抗传感器元件的电子回路基板等的厚度方向进行磁性能测试，非常适用于对此有要求的仪器设备。
图面的简单说明
[图1]所示为本发明实施例1的MI的正视图(概念图)。
[图2]所示为本发明实施例1的MI的图1中A-A的截面图(概念图)。
[图3]所示为本发明实施例1的三次元磁性方位传感器的斜视图。
[图4]所示为本发明实施例1的延伸沟内的电磁线圈的配置形态的部分斜视图。
[图5A]所示为本发明实施例1的第1导电线路的配置形态的部分平面图。
[图5B]所示为本发明实施例1的第2导电线路的配置形态的部分平面图。
[图6]所示为本发明实施例1的延伸沟内的电磁线圈的配置形态的部分平面图。
[图7]所示为本发明实施例1的第1传感器以及第2传感器的斜视图。
[图8]所示为本发明实施例1的第3传感器的斜视图。
[图9]所示为本发明实施例1的第3传感器电极形成的部分斜视图。
[图10]所示为本发明实施例1的三次元磁性方位传感器的电子回路图。
[图11]所示为本发明实施例1的三次元磁性方位传感器检出的X轴、Y轴的特性图。
[图12]所示为本发明实施例1的三次元磁性方位传感器检出的X轴、Z轴的特性图。
[图13]所示为本发明实施例1的三次元磁性方位传感器检出的Y轴、Z轴的特性图。
[图14A]所示为本发明实施例1的其他的三次元磁性方位传感器构成的平面图。
[图14B]所示为本发明实施例1的其他的三次元磁性方位传感器构成的平面图。
[图14C]所示为本发明实施例1的其他的三次元磁性方位传感器构成的平面图。
[图14D]所示为本发明实施例1的其他的三次元磁性方位传感器构成的平面图。
[图15]所示为本发明实施例2的作用于使用了MI传感器的磁性传感器的外部磁场与输出电压的关系图。
[图16]所示为本发明实施例2中比较用的绕线管型传感器的MI传感器的正面图。
[图17]所示为本发明实施例4的贯通于非结晶合金磁性线的绝缘体的斜视图。
[图18]所示为本发明实施例4的环状地除去了两端附近的金属薄膜的绝缘体的斜视图。
[图19]所示为本发明实施例4的MI传感器的斜视图。
[图20]所示为本发明实施例4的三次元磁性方位传感器的斜视图。
[图21]所示为本发明实施例4的说明第3传感器的制造工序的组合图。
[图22]所示为本发明实施例5的三次元磁性方位传感器之一的整体构成的斜视图。
[图23]所示为本发明实施例5的三次元磁性方位传感器之二的整体构成的斜视图。
符号的简单说明
1： 电极配线基板
11： 延伸沟
100： IC
101： 第1传感器
102：第2传感器
103：第3传感器
2： 感磁体
3： 电磁线圈
31： 第1导电线路
32： 第2导电线路
发明的最佳实施形态
上述的第1发明以及第2发明中所述的三次元磁性方位传感器和磁阻抗传感器元件(MISensor)的上述感磁体，可使用直径50μm以下的非结晶合金磁性线。因此，可以减小电磁线圈的断面积，可以构成小型的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)。并且甚至可以使用直径30μm以下的非结晶合金磁性线。作为感磁体的材料，可以采用FeCoSiB、NiFe等。
上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，通过向感磁体通电，根据电流的变化在电磁线圈上产生感应电压，即利用了所谓的MI现象来实现磁性能测试。这个MI现象是具有相对于供给电流方向，沿磁性材料的感磁体的圆周方向上排列电子矢量来产生。如果使感磁体的通电电流急剧变化，其圆周方向的磁场也产生急剧的变化，此磁场的变化引起会随着周围磁场而发生电子矢量方向的变化。所以，由感磁体的内部磁化及阻抗的变化而引起的现象就是上述的MI现象。
所以，上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，利用了相对于供给电流方向，沿磁性材料的圆周方向上排列自旋电子的感磁体。当使感磁体的通电电流急剧变化时，其圆周方向的磁场也产生急剧的变化，此磁场的变化引起会随着周围磁场而发生自旋电子方向的变化。所以，由感磁体的内部磁化及阻抗的变化而产生的电压或电流通过感磁体外周设置电磁线圈两端变换发生的电压或电流而实现的。
上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，具有下述理想的构成。即，当通过上述感磁体的通电电流在10纳秒以内上升或下降时，通过测量上述电磁线圈的两端所产生的感应电压的大小来达到测量磁场强度的目的。
在此情况下，根据上述急剧的通电电流的变化，上述感磁体可以产生与接近自旋电子变化的传播速度的磁场变化速度，从而更能充分体现MI现象。
10纳秒以内的电流的上升或下降，相当于含有0.1GHz高频率成分的变化电流作用于上述感磁体。并且，如果计测上述电磁线圈两端所产生的感应电压，就可以测出周围磁场随着感磁体内部磁场的变化而感应出上述感应电压的大小，因此，可以高精度地测量周围磁场的强度。在此，通电电流的上升或下降是向上述阻抗元件通以电流值10％以下(90％以上)到90％以上(10％以下)的变化电流。
此外，上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，设置了向上述感磁体通以下降电流的时候，测量上述电磁线圈两端产生的感应电压的理想结构。
与上升电流相比，通电电流变化下降的时候，对磁场强度来说，上述磁性检出头的测量信号的直线性(线性特性)比较好。
上述第1发明的三次元磁性方位传感器中的上述第1传感器、上述第2传感器以及上述第3传感器包括了，设置有凹沟状的延伸沟的电极线路基板；与上述延伸沟的沟方向交叉且配设该延伸沟的内周面，同时在上述电极线路基板表面上延伸出了两端部的第1导电线路；和在延伸沟内，使上述感磁体的非结晶合金磁性线贯通其中的绝缘体；和横跨上述延伸沟、配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路。
上述电磁线圈是由上述第1导电线路组成的一部分线圈、和与上述第1导电线路端部电性连接的上述第2导电线路组成的另一部分线圈而构成。
在这种情况下，由配设于延伸沟内周面的第1导电线路所组成的一部分线圈和，配设于绝缘体外表面的第2导电线路所组成的另一部分线圈相组合，可以形成极小型的上述电磁线圈。因此，上述各传感器都具有小型化的特点。用它们组成的三次元磁性方位传感器也实现了小型化，并具有很优越的装载性。
在上述延伸沟内表面和绝缘体外表面配设的导电线路，可以用金属蒸镀法、金属薄膜选择腐蚀除去法、涂导电性墨水等高效率的方法，高精度地形成，所以，上述三次元磁性方位传感器可以高效率地生产制造，而且可以保证高精度、高质量。
上述三次元磁性方位传感器为具有4个侧壁面的矩形形状、其内部有形成电子回路的IC。上述第1传感器、上述第2传感器以及上述第3传感器配设在IC之上。
上述第3传感器可以在使延伸沟的沟方向与上述IC的厚方向保持大约一致的情况下，在任意上述侧壁面上配置。
在使延伸沟的沟方向与上述IC的厚方向保持大约一致的情况下，在任意上述侧壁面上配置上述第3传感器的时候，可以高效率地配置计测上述厚方向的磁场分量的第3传感器。另一方面，上述第1以及上述第2传感器，可以分别配置在上述IC的表面或上述侧壁面等位置。由于上述第1以及上述第2传感器在沿着IC的表面有延伸沟，所以，在IC上配置时的自由度比上述第3传感器大。
上述第1传感器以及上述第2传感器，分别配置在上述IC上相互直交的2个上述侧壁面的时候，上述各传感器的上述延伸沟的沟方向，最为理想的是与配置另一个上述传感器的上述侧壁面处于直交状态。
对于相互直交的2个上述侧壁面，在分别配置了延伸沟的沟方向和对方侧壁面直交的第1传感器以及上述第2传感器的情况下，可以检出与IC大约平行的平面内的相互直交2方向的磁场分量。并且，如果第1传感器以及上述第2传感器使用同一类型的传感器，还可以减少零部件的种类。
上述第3传感器，在面向上述IC表面一侧的表面形成电极，并且，该电极，具有通过导线与上述IC表面配设的电极进行相互电性连接的理想结构。
这时，由于第3传感器中的电极配设面和上述IC表面上设置电极的表面大约朝着同一方向，使连接上述导线的作业容易实施。
上述第3传感器，在面向上述IC表面一侧的表面形成电极。并且，该电极，通过导线与在上述IC表面配设的电极相电性连接。
上述第1传感器及上述第2传感器，也在面向上述IC表面一侧的表面形成电极。并且，该电极，也具有通过导线与上述IC表面配设的电极进行相互电性连接的理想结构。
根据上述的情况，由于上述的第1～在第3传感器的电极配设表面，与上述IC表面上设置电极的表面大约朝着同一方向，使连接上述导线的作业容易实施。
上述三次元磁性方位传感器，可以实现纵向在3mm以内、横向在3mm以内、高度在1.5mm以内的小体积。
因此，上述小型构成的三次元磁性方位传感器，非常适用于作为手机和PDA等的携带终端机的三次元磁性方位传感器来使用。并且，上述三次元磁性方位传感器，其还可以实现纵向在2.5mm以内、横向在2.5mm以内、高度在1mm以内的更小体积，更能适用装载于携带终端机。
并且，上述小型构成的三次元磁性方位传感器具有形成电子回路的IC和安装IC的共通基板。上述第1传感器，上述第2传感器及上述第3传感器配置在上述共通基板上。
上述第3传感器，具有使其上述延伸沟的沟方向和上述共通基板的厚方向大约一致的最佳配置。
此时，利用上述共通基板，可以实现上述IC和上述各传感器的同时高效配置。
上述第1传感器、上述第2传感器、以及上述第3传感器具有下述理想的构成。即是，在作为感磁体的非结晶合金磁性线或者磁性各向异性薄膜的外周面上形成上述绝缘体；用设置在上述绝缘体的外周面上的导电线路形成电磁线圈。
此时，由于在贯通并包容上述感磁身体的上述绝缘体外周面上形成上述导电线路，可以得到高效率、高精度的电磁线圈。并且，使用上述绝缘体外周面的导电线路组成的电磁线圈，可以使上述传感器做的非常巧小。所以，由非常巧小构成的各传感器组成的三次元磁性方位传感器不但实现了小型化、高精度，而且是生产效率高，生产成本低的优良产品。
上述三次元磁性方位传感器具有以下的理想构成。即是，上述三次元磁性方位传感器包括了具有4个侧壁面的矩形形状、且在此内部形成有电子回路的IC，并且在该IC上配置了上述第1传感器，上述第2传感器及上述第3传感器。
上述第3传感器安装在与上述IC表面大约直交的任意上述侧壁面上配置的子基板(daughter board)表面上，这样，可以得到使上述感磁体中的磁场感应灵敏度的最大方向和上述IC的厚度方向大约一致的最佳效果。
使用磁场感应灵敏度的方向和上述IC的厚度方向大约一致而设置的上述第3传感器，可以计测上述厚度方向的磁场分量。在一般的情况下，上述各传感器中的上述感磁体的较长方向就是上述磁场感应灵敏度的最大方向。并且，上述子基板，也可以树立在IC的表面上。
此外，上述第1传感器和上述第2传感器，也可以设置在IC的表面上。
如果在IC的表面上设置上述第1传感器和上述第2传感器，可以使上述三次元磁性方位传感器的体积更加小型化。
上述第3传感器具有面向于上述子基板实际安装表面的电极。并且，在实际安装时，该电极与上述子基板的电极处于电性接触的状态。
在这种情况下，可以确保上述子基板与上述第3传感器的电性接触。
上述第3传感器具有与上述子基板的实际安装表面对相得电极，并且，在实际安装时，该电极与上述子基板的电极处于电性接触的状态。
同样，上述第1传感器和上述第2传感器，也具有与上述IC的表面相对向的电极，并且，在实际配置时，该电极与上述IC的电性极处于电性接触的状态。
因此，在上述IC上，高效率、紧凑地配置了上述各传感器，可以得到小型的上述三次元磁性方位传感器。
上述三次元磁性方位传感器，其体积尺寸大小可以做在纵向3mm以内，横向3mm以内，高度1.5mm以内的范围内。
因此，上述小型构成的三次元磁性方位传感器，非常适用于作为手机和PDA等的携带终端机的三次元磁性方位传感器来使用。并且，上述三次元磁性方位传感器，其体积尺寸大小还可以做在纵向2.5mm以内，横向2.5mm以内，高度1mm以内的范围内，更能适用装载于携带终端机器。
上述三次元磁性方位传感器具有形成电子回路的IC和安装IC的共通基板，上述第1传感器、上述第2传感器、以及上述第3传感器配置在上述共通基板上。
上述第3传感器，具有使其上述感磁体中的磁场感应灵敏度最大的方向与上述共通基板的厚方向大约一致的最佳配置。
此时，利用上述共通基板，可以实现上述IC和上述各传感器的同时高效配置。
本专利的第2发明是上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)。该上述磁阻抗传感器元件具有作为设置有凹沟状的延伸沟的上述传感器基板的电极配线基板；与上述延伸沟的沟方向大约垂直，配设于该延伸沟的内周面、并且在上述电极配线基板表面延伸出了两端的第1导电线路；和在延伸沟内，使上述感磁体的非结晶合金磁性线贯通其中的绝缘体；以及横跨上述延伸沟、配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路。
上述电磁线圈，由上述第1导电线路组成的一部分线圈和，与上述第1导电线路端部电性连接的上述第2导电线路组成的另一部分线圈而构成。
在这种情况下，由配设于延伸沟内周面的第1导电线路所组成的一部分线圈和，配设于绝缘体外表面的第2导电线路所组成的另一部分线圈相组合，可以形成非常小型的上述电磁线圈。因此，本发明的上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，具有小型化、装载性很优越的特点。
并且，上述延伸沟的内周面，和上述绝缘体外表面的上述导电线路，可以使用金属蒸镀法、金属薄膜选择腐蚀除去法等方法来高效率，高精度地形成。因此，上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)是既可以高效率生产制造，又是高精度和高性能的稳定性的优质元件。
此外，上述磁阻抗传感器元件(MI Sensor)，还由覆盖于作为感磁体的非结晶合金磁性线或者磁性各向异性薄膜的外周面的绝缘体、用设置在上述绝缘体的外周面上的导电线路构成电磁线圈、以及配设作为做收容上述感磁体的上述绝缘体的上述传感器基板的子基板所构成。
在这种情况下，因为上述导电线路是在覆盖于上述感磁体外周上的上述绝缘体的外周面上所形成的，所以，可以高效率、高精度地形成高磁特性的电磁线圈。并且，由于是在上述绝缘体的外周面上配设导电线路而所形成的电磁线圈，可以得到非常小型化的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)。
构成电磁线圈的上述导电线路在上述绝缘体外周面上的形成方法有金属蒸镀法、金属薄膜腐蚀选择除去法、涂导电性墨水等方法。并且，上述绝缘体可以使用环氧树脂、硅酮等。
发明的实施例
(实施例1)
本实施例是关于利用了具有电磁线圈的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)10的三次元磁性方位传感器10a例子。它的内容由图1用图1～图14来说明。
本实施例的的三次元磁方位传感器10a，如图1～图3所示，包含有能随着外部磁场的变化而产生特性变化的感磁体2和、使感磁体2贯通于其中而形成的绝缘体4、邻接配设于绝缘体4外表面的箔状导电线路31、32形成的电磁线圈3所构成的磁阻抗传感器元件10所之第1传感器101、第2传感器102、第3传感器103。
在此，第1传感器101、第2传感器102、第3传感器103的配置方向是使各感磁体2的磁场感应度为最大的方向上相互直交而配置。
以下，詳細说明其内容。
如图1及图2所示，构成第1传感器101、第2传感器102、第3传感器103的磁阻抗传感器元件(MI Sensor)10具有，延设了凹沟状的延伸沟11的电极配线基板1；与上述延伸沟11的沟方向大约垂直，配设于该延伸沟的内周面11，且在上述电极配线基板1的表面延伸出了两端的第1导电线路31；作为上述感磁体2的非结晶合金磁性线(以下，简称为非结晶合金磁性线2)，贯通并且被收纳在延伸沟11内的绝缘体4；横跨延伸沟11，并且配置于绝缘体4外表面的第2导电线路32。
本实施例的电磁线圈3，由第1导电线路31组成的一部分线圈和，与第1导电线路31端部电性连接的第2导电线路32组成的另一部分线圈而构成。
如图3所示，本实施例的三次元磁性方位传感器10a，使非结晶合金磁性线2沿着IC100的X方向配设第1传感器101，使非结晶合金磁性线2沿着IC100的Y方向配设第2传感器102，使非结晶合金磁性线2沿着IC100的Z方向配设第3传感器103。
首先，说明构成上述各传感器101～103的具有电子线圈的磁阻抗传感器元件(MISensor)10(以下，简称为MI传感器10)。
如图1及图2所示，该MI传感器10，具有设置了延伸沟11的电极配线基板1；根据作用磁场使之特性产生变化的非结晶合金磁性线2；通过绝缘体4环绕在非结晶合金磁性线2的外周的电磁线圈3；以及从非结晶合金磁性线2和电磁线圈3延伸出来的电极52、51。
上述非结晶合金磁性线2是直径为20μm、具有导电性的磁性线。如图1及图2所示，本实施例的MI传感器10是将非结晶合金磁性线2收容在电极配线基板1上形成的深50μm、宽70μm的延伸沟11直内，并使非结晶合金磁性线2沿着延伸沟11的沟方向。然后，向收容了非结晶合金磁性线2的延伸沟11里面，填充环氧树脂等形成绝缘体4。
上述电磁线圈3，如上面所述的那样，由配置在延伸沟11内周面111上的第1导电线路31组成的一部分线圈和，顺着电极配线基板1的表面横跨上述延伸沟11，配置于绝缘体4外表面的第2导电线路32的另一部分线圈而构成。并且，如图4～图6所示，本实施例中，导电线路31形成于与延伸沟11的沟方向略为垂直的方向。而导电线路32形成于与延伸沟11的宽度方向相倾斜的方向，并与邻接的导电线路31的端部相电性连接。另外，也可以将导电线路32配设于延伸沟11的宽度方向，而将导电线路31成于与延伸沟11的宽度方向相倾斜的方向。
在此，关于在延伸沟11内周面111上配置第1导电线路31的形成方法，用如图4～图6来进行说明。本实施例，首先，将在电极配线基板1的较长方向形成的延伸沟11的内周面111的全部、以及电极线路基板1表面的延伸沟11近旁领域蒸镀上金属薄膜。然后，使用金属薄膜腐蚀选择除去法，腐蚀除去一部分金属薄膜，由垂直线路311和水平线路312形成上述导电线路31。在延伸沟11的沟侧面113上形成上下方向垂直的垂直线路311的同时，延伸沟11的沟底面110，形成与垂直线路311相互对面连接的水平线路312。
其次，在延伸沟11的上部面112，即是在绝缘体4的上部面41(请参考图2)上形成导电线路32的过程中，首先，将在延伸沟11上填充了绝缘体4的电极配线基板1的表面、延伸沟11的上部面112、以及它们近旁领域蒸镀上金属薄膜。然后，如图4～图6所示，使用金属薄膜腐蚀选择除去法，腐蚀除去不需要部分金属薄膜，从而形成与邻接于导电线路31的端部相连接的导电线路32。
图6中所示的垂直线路311以及水平线路312的沟方向的幅度，沟方向的幅度，可设定为50μm、10μm等，上述间隙部的幅度，可以分别设定为上述沟方向的幅度的一半，即25μm，5μm等。
本实施例MI传感器10，在非结晶合金磁性线2和电磁线圈3之间配置了绝缘体4。该绝缘体4在固定了非结晶合金磁性线2和电磁线圈3的同时，确保了非结晶合金磁性线2和电磁线圈3之间的电性缘体。特别是，本实施例是在贯通非结晶合金磁性线2的绝缘体4的外周面，直接形成电磁线圈3。
本实施例的MI传感器10，因为采用了上述的结构，可以使电子线圈的内径做在非常小的200μm以内。实现了MI传感器10整体的小型化。并且，如果使用直径1～150μm的非结晶合金磁性线2，还可以进一步实现电子线圈3的小径化。
所以，本实施例甚至可以得到非常小的内径，比如66μm的相当内径(与高度和宽度形成的沟截面面积相当的圆的直径)的电磁线圈3。
如图4～图6所示，第1传感器101、第2传感器102、第3传感器103，分别在上表面1011或上表面1021或侧壁面1032上形成延伸沟11，沿着延伸沟11的沟方向形成电子线圈3。在形成的电子线圈3的断面空间(略为矩形状)收容绝缘体4。在绝缘体4的大约中心部分，沿着沟方向贯通配置作为感磁体2的非结晶合金磁性线。
构成上述各传感器101～103的本实施例的MI传感器10，其电极配线基板1的大小为0.5mm×0.4mm×1.0mm。非结晶合金磁性线2使用CoFeSiB系列合金，其直径为20μm，长度为1mm。此外，延伸沟11形成在其电极配线基板1的较长方向上。
因此，采用了上述的结构，本实施例的第1传感器101～第3传感器102，分别实现了0.5mm×0.4mm×1.0mm的小型化。
并且，如相同的图所示，各传感器101、102、103，在电极配线基板1的上表面1011、1021、1031上形成了电极5。该电极5，包括了从电磁线圈3延伸出的电极51、从非结晶合金磁性线2延伸出的电极52的4个电极。
如图7所示，第1传感器101与第2传感器102的上表面1011、1021配设了从非结晶合金磁性线2延伸出的电极52和从电磁线圈3两端延伸出的电极51。本实施例中，在各传感器101、102的两端附近设置电极52，在一对电极52之间配设电极51。所以，电极51、52，分别通过的线6，实现了与IC100上没有被图示出来的电极接口的电性连接(请参考图3)。
如图8所示，第3传感器103，在通过较长方向的棱线的与邻接侧壁面1032的表面1031上，配设了从非结晶合金磁性线2延伸出的电极52和从电磁线圈3两端延伸出的电极51。各电极51、52，经由配设于侧壁面1032上的导电线路，实现了从非结晶合金磁性线2或电磁线圈3的电性延伸。因此，第3传感器103的电极51、52，分别通过导线6，实现了与IC100上没有被图示出来的电极接口的电性连接(请参考图3)。
在此，用图9来说明第3传感器103的上表面1031上的电极51、52的形成方法。在构成第3传感器103的电极配线基板1的较长方向的两端形成指定幅度的沟部1034(图9中只是所示了具有代表性的一端)。第3传感器103中，从电磁线圈3或者非结晶合金磁性线2延伸到沟部1034的内壁面，即在第3传感器103的端面形成电极51、52。第3传感器103是在沟部1034中切断分割出来的。
此外，在第3传感器103中，用蚀刻法等方法，在侧面1032上制作延伸沟11的同时，也制作结合用的接口。再者，本实施例中是利用光解刻印工藝(半导体技术)制造第3传感器103。
此外，第3传感器103和IC100结合的过程中，将第3传感器103侧面1032的接口部与IC100侧壁面1003对接结合。
如图3所示，本实施例阐述的三次元磁性方位传感器10a，是由上述MI传感器10构成的略为长方体的各传感器101～103安装在上述IC100而形成的。第1传感器101的作用是计侧测量沿X方向的磁场分量；第2传感器102的作用是计侧沿Y方向的磁场分量；第3传感器103的作用是计侧沿Z方向(IC100的厚度方向)的磁场分量。
如图3所示，上述IC100是具有4个直交侧壁面的矩形板形状。本实施例中，在上述IC100的两个相邻的侧壁面1001、1002上，分别安装第1传感器101和第2传感器102。另外，在IC100的侧壁面中，与侧壁面1002大约平行的侧壁面1003(也可以是与侧壁面1001大约平行的侧壁面)上，安装第3传感器103。
第1传感器101，在沿着较长方向的上表面1011上，设置有顺着较长方向的延伸沟11。并且，该第1传感器101，通过较长方向的棱线和上表面1011邻接的侧壁面1012，与上述IC100侧壁面1001处于对接安装的状态。
第2传感器102，在沿着较长方向的上表面1021上，设置有顺着较长方向的延伸沟11。并且，该第2传感器102，通过较长方向的棱线和上表面1021邻接的侧壁面1022，与上述IC100侧壁面1002处于对接安装的状态。
第3传感器103，在沿着较长方向的上表面1032上，设置有与较长方向大约垂直的延伸沟11。并且，该第3传感器103，其设置延伸沟11的侧壁面1032与上述IC100侧壁面1003处于对接安装的状态。
此外，本实施例的IC100的侧壁面中，沿着侧壁面1001规定为X方向；沿着侧壁面1002规定为Y方向；与X方向及Y方向直交而规定为Z方向。
即是，如图3所示，使第1传感器101的延伸沟11中沿着X的方向配设第1传感器101；使第2传感器102的延伸沟11中沿着Y的方向配设第2传感器102；使第3传感器103的延伸沟11中沿着Z的方向配设第3传感器103。
上述的第1传感器101～第3传感器103，其体积大小为0.5mm×0.4mm×1.0mm。因此，使用了由上述具有小型结构的MI传感器构成的各传感器101～103的三次元磁性方位传感器10a，其体积大小仅为2.0mm×1.8mm×1.0mm，非常小型化，实现了装载性很优越的尺寸。
在本实施例的三次元磁性方位传感器10a中的第1传感器101及第2传感器102，其上表面1011、1012上的电极51、52，通过导线6，与IC100实现电性连接。第3传感器103，其上表面1031上的电极51、52，通过导线6，与IC100实现电性连接。即，上述三次元磁性方位传感器10a，利用各传感器101、102、103的上表面1011、1012、1013的电极51、52，确保了与IC100侧面的高效电性连接。
因此，各传感器101、102、103，在向其非结晶合金磁性线2外加高频率或者脉冲电流的时候，可以检测电磁线圈上产生的电压，从而检出向感磁体作用的外部磁场。
本实施例的三次元磁性方位传感器10a，具有如图10所示的一体化的电子回路。用此电子回路，可以向非结晶合金磁性线2施加变化电流，这时，通过计测电磁线圈所产生的感应电压，从而检出磁场强度。
该电子回路由信号发生器6、各传感器101～103和信号处理回路7构成。信号发生器6、主要是产生包含200MHz的170mA的强度、信号间隔1μsec的脉冲信号。电子回路是将产生的脉冲信号输入非结晶合金磁性线2。在此时，各传感器101～103利用了作用于非结晶合金磁性线2的外部磁场在电磁线圈3上产生感应电压的现象。电磁线圈3上的感应电压在脉冲信号上升或下降时产生。
信号处理回路7是处理电磁线圈3上的感应电压的构成回路。该信号处理回路7通过与上述脉冲信号联动开关的同步检波器71，将上述电磁线圈3上的感应电压取出，由放大器72按所定的放大率放大。通过放大器72放大的信号，作为电子回路的输出信号。本实施例的脉冲电流，从固定值的90％下降到10％的切断时间仅为4纳秒。
以上，就本实施例的三次元磁性方位传感器10a，用在IC100的所定位置配置3个MI传感器10(第1传感器101、第2传感器102、第3传感器103)检出X轴、Y轴、Z轴各方向的磁场分量。并且，在该三次元磁性方位传感器10a中，如图11～图13所示，由各传感器101～103得到的不相同相位的X轴输出信号、Y轴输出信号、Z轴输出信号，通过构成在IC100内部、如图10所示的信号处理回路7输出。
在此，图11表示了三次元磁性方位传感器10a绕Z轴方向，即是第3传感器103的延伸沟11的铅垂方向转360度的时候，第1传感器101及第2传感器102检测出的地磁场水平分量的输出信号的变化。图12表示了三次元磁性方位传感器10a绕Y轴方向，即是第2传感器102的延伸沟11的铅垂方向转动的时候，第1传感器101及第3传感器103的输出信号的变化。图13表示了三次元磁性方位传感器10a绕X轴方向，即是第1传感器101的延伸沟11的铅垂方向转动的时候，第2传感器102及第3传感器103的输出信号的变化。
象这样的三次元磁性方位传感器10a，小型且是高精度，同时检测X、Y、Z三个方向的磁场感应，对以前的技术来讲是非常困难的。本发明的上述三次元磁性方位传感器10a，与其所处姿勢无关，均能高精度的检测出所作用的外部磁场。
特别是，本实施例的三次元磁性方位传感器10a使用了在二次元环境下制作第3传感器103，使其处于直立的状态与IC100的侧面结合。因此，不需要高成本的三次元制作环境，可以降低生产成本。
并且，上述MI传感器是利用了形成在电极配线基板1上的延伸沟11而构成的。所以，与在电极配线基板1上配置的电磁线圈绕线管等元件相比，实现了小型化的同时，还可以防止电磁线圈与外部接触，可以提高机械稳定性。
作为本实施例的感磁体，使用了非结晶合金磁性线2。由于使用了感磁性能优越的非结晶合金磁性线2，更能增加电磁线圈3每一卷的输出电压，这样可以减少电磁线圈的圈数。所以，在这此情况下，MI传感器10的长度可以做得更短。例如，本实施例的MI传感器10，其电磁线圈3的单位长度的卷线间隔，实现了100μm/卷以下，甚至可达到50μm/卷。
使电磁线圈3每匝(单位长度)的间隔减小，也就是说，在一定长度的情况下可增加电磁线圈的匝数，这样可以增大输出电压。本实施例的电磁线圈3的每匝间隔设定在100μm/卷以下，可以得到上述的增大输出电压的效果。另外，对于一定的输出电压，可以相对缩短MI传感器的长度。
上述三次元磁性方位传感器10a，利用在具有4个侧壁面、略成矩形形状的IC100的邻接的侧壁面1001、1002上配设第1传感器101及第2传感器102。利用剩余的2个侧壁面之1的侧壁面1003上配设第3传感器103。
因此，本实施例的三次元磁性方位传感器10a，如上所述，配备了高效率的的各传感器101～103。并且，由于上述第1传感器101和第2传感器102可以采用了同一类型的传感器，可以减少抑制构成三次元磁性方位传感器10a的零部件数，可以降低生产成本。
作为本实施例的第3传感器103，使用了与第1传感器101和上述第2传感器102具有不同的形状与尺寸参数的传感器。实际上，作为上述的另一种形式，第1～第3传感器101～103，也能采用同样的形状、尺寸及性能参数的传感器。
并且，本实施例的中，在IC100的两邻接的侧壁方面1001、1002上配置了第1及第2传感器101、102分配设的同时，在IC100剩余的2个侧壁面之1的侧壁面上配设了第3传感器103。不过，也可以变化配置，如图14A所示的那样，可以将第3传感器103和第1传感器101同时配设在侧壁面1001上。同样，如图14B所示的那样，也可以将第3传感器103和第2传感器102同时配设在侧壁面1002上。此外，还可以如图14C所示的那样，将第1～第3传感器101～103配设于同一侧壁面和，如图14D所示的那样，将第1～第3传感器101～103配设于IC100的上表面或下表面上。
(实施例2)
本实施例是评价构成实施例1所阐述构成三次元磁性方位传感器的各传感器101～103(请参考图3，以下简称新构造传感器)的特性。其内容用图15及图16来说明。
本实施例，是使用与实施例1同样的电子回路来对新构造传感器进行评价。
为了比较本实施例的新构造传感器，将图16所示的由绕线管型MI传感器的绕线管元件9组成的原来的传感器作为比较对象。该绕线管元件9，通过非结晶合金磁性线92和电磁线圈93之间的具有绝缘性的绕线卷框(筒管状)94来确保电性的绝缘。同时，感磁体使用CoFeSiB系列合金材料，直径为30μm的非结晶合金磁性线92。
电磁线圈93的内径是1.5mm。在绕线卷框94中，形成有从电磁线圈93延伸的2个电极95和从非结晶合金磁性线92延伸的2个电极95。该绕线管元件9的尺寸是3mm×2mm×4mm。也就是说，原来的绕线管元件9具有大的体积。因此，作为比较对象的原来的绕线管型传感器采用了上述绕线管元件9的，对于设置于空间有限的携带机器等是比较困难的。
图15所示了，上述绕线管元件9(非结晶合金磁性线的长度为2.5mm，电磁线圈的内径为1.5mm，40匝)构成的上述原来传感器和，新构造传感器(非结晶合金磁性线直径为20μm、长度为1.0mm，电磁线圈(相当圆)内径为66μm，18匝)的磁性检出特性的比较结果。图中横轴表示的是外部磁场，纵轴表示的是从信号处理回路输出的输出电压。
从图15可以清楚地看到，原来传感器和新构造传感器的线性范围大体相同，为±3G，与原来传感器相比，新构造传感器的输出电压为原来传感器的大约80％。即，本实施例的新构造传感器，因为小型薄型化，而抑制了输出电压。但是，本实施例的新构造传感器的MI传感器，每匝的电压比上述绕线管元件9优秀。相对于绕线管元件9的28mV/匝，本实施例的新构造传感器的MI传感器为其大约2倍，达53mV/匝。
即是，本实施例的新构造传感器，与由绕线管元件9构成的原来的传感器相比，不但实现了五十分之一的超小型化，而且，如图15所示，在±3G的磁场领域，保持了卓越的线性特性。
其他的构成以及作用效果，与实施例1一样。
(实施例3)
本实施例是关于评价实施例1所阐述的三次元磁性方位传感器的各传感器101～103的地磁性的检出特性的例子。其内容用图3、图7～图9及表1～表4来说明。
图3及图7中的D5是第1传感器101的幅(宽)度，D4是第1传感器101的较长方向的长度，D6是第1传感器101的高度。
图3及图7中的D7是第2传感器102的幅(宽)度，D8是第2传感器102的较长方向的长度，D9是第2传感器102的高度。
并且，图3及图8中的D1是第3传感器103的幅(宽)度，D2是第3传感器103的较长方向的长度，D3是第2传感器103的高度。
关于图3中的各部分的尺寸D1～D9的设计值，传感器的实测值，允许值(尺寸允许范围)，被分别表示于表1中，表1中的单位是mm。
表1
| 设计值 | 实测值 | 允许值 | 单位 | |
| D1 | 0.6 | 0.4～0.9 | 0.2～1.2 | mm |
| D2 | 1.2 | 0.5～1.5 | 0.3～2.0 | mm |
| D3 | 1.0 | 0.8～1.2 | 0.3～2.5 | mm |
| D4 | 1.0 | 0.6～1.6 | 0.2～2.5 | mm |
| D5 | 0.5 | 0.2～1.0 | 0.2～2.0 | mm |
| D6 | 0.4 | 0.2～0.6 | 0.2～2.5 | mm |
| D7 | 0.5 | 0.3～1.1 | 0.2～2.0 | mm |
| D8 | 1.0 | 0.8～1.5 | 0.2～2.5 | mm |
| D9 | 0.4 | 0.2～0.8 | 0.2～2.5 | mm |
并且，图8中的W34，是第3传感器103中在电极线路基板1的较长方向上所形成的延伸沟11内周面111上形成的导电线路31的幅(宽)度。W35是邻接的导电线路31的间距。
关于图8中的各部分的尺寸D1～D3、W34及W35的设计值，传感器的实测值，允许值(尺寸允许范围)，被分别表示于表2中，表2中的单位是mm。
表2
| 设计值 | 实测值 | 允许值 | 单位 | |
| D1 | 0.6 | 0.2～0.8 | 0.2～1.2 | mm |
| D2 | 1.2 | 0.6～1.6 | 0.3～2.0 | mm |
| D3 | 1.0 | 0.5～1.4 | 0.3～2.5 | mm |
| W34 | 0.025 | 0.010～0.050 | 0.005～0.100 | mm |
| W35 | 0.025 | 0.015～0.040 | 0.005～0.100 | mm |
图7中，D6(D9)是第1传感器101(第2传感器102)的高度，的D5(D7)是第1传感器101(第2传感器102)的幅度，D4(D8)是第1传感器101(第2传感器102)的较长方向的长度。
图7中的W14(W24)，是第1传感器101(第2传感器102)中在电极线路基板1的较长方向上所形成的延伸沟11内周面111上形成的导电线路31的幅度。W15(W25)是邻接的导电线路31的间距。
关于图7中的各部分的尺寸D4～D6、W14及W15(D7～D9、W24及W25)的设计值，传感器的实测值，允许值(尺寸允许范围)，被分别表示于表3中，表3中的单位是mm。
表3
| 设计值 | 实测值 | 允许值 | 单位 | |
| D4(D7) | 0.5 | 0.2～0.8 | 0.2～1.0 | mm |
| D5(D8) | 0.5 | 0.3～1.0 | 0.2～2.0 | mm |
| D6(D9) | 1.5 | 0.9～2.1 | 0.3～2.5 | mm |
| W14(W24) | 0.025 | 0.015～0.055 | 0.005～0.100 | mm |
| W15(W25) | 0.025 | 0.015～0.060 | 0.005～0.100 | mm |
图9中的M1是制造第3传感器103过程中设置的沟1034的幅度，M2是沟1034的高度，W53是从前述沟部1034延伸出来的电极51、52的的幅度。如上所述，在后续工序，通过沟1034的分割而得到第3传感器103。
关于图9中的各部分的尺寸M1、M2以及W53的设计值，传感器的实测值，允许值(尺寸允许范围)，被分别表示于表4中，表4中的单位是mm。
表4
| 设计值 | 实测值 | 允许值 | 单位 | |
| M1 | 0.15 | 0.08～0.6 | 0.05～1.2 | mm |
| M2 | 0.15 | 0.10～0.3 | 0.03～2.0 | mm |
| W53 | 0.1 | 0.07～0.3 | 0.03～2.5 | mm |
关于其他的构成以及作用效果，与实施例1一样。
(实施例4)
本实施例是基于实施例1而改变了MI传感器构成的例子。其内容用图17～图21来说明。
如图17所示，本实施例的MI传感器10，是由配设于非结晶合金磁性线2外周的绝缘体4的外周面形成电磁线圈3而形成的。该电磁线圈3由配设于绝缘体4的外周面的导电线路33而形成。
如图18所示，本实施例，通过模型成形，在非结晶合金磁性线2外周形成了由树脂构成的绝缘体4。该绝缘体4是呈断面形状为矩形的棒状形状，其两端方面露出了非结晶合金磁性线2的端部。
本实施例，根据以下的程序来形成上述电磁线圈3。
首先，使呈棒状的绝缘体4的全部外周面上蒸镀含有铜的金属材料而形成金属薄膜。
然后，用选择蚀刻法来形成电磁线圈3。并且，本实施例在形成电磁线圈3的同时，也形成了由非结晶合金磁性线2两端延伸出来的电极52，以及从电磁线圈3两端延伸出来的电极51。
如图19所示，首先，在以绝缘体两端为基准而所定的WD1距离，环状除去金属薄膜，把金属薄膜分为3部分。
然后，对中间部分的金属薄膜30a实施选择蚀刻法处理，形成作为电磁线圈3的导电线路33，并在其两端形成延伸出来的电极51。
再者，使两端部的金属薄膜30b，与贯通于绝缘体4的非结晶合金磁性线2的端部实施电性连接，作为非结晶合金磁性线2的电极52。
如图20所示，本实施例所阐述的三次元磁性方位传感器10a，是将3个的MI传感器10直接或间接地配设在IC100表面上而构成的。为了检测IC100表面上的2直交方向的X方向、Y方向的磁场强度，而在其上配置作为第1传感器101、第2传感器102的MI传感器10。检测IC100厚方向，即Z方向的磁场强度的第3传感器103，先将其MI传感器10安装在子基板100d上，再利用子基板100d里面形成的接口部与IC100的侧壁面连接在一起。
在此，用图21说明将MI传感器10安装在子基板100d而形成第3传感器103的形成方法。子基板100d形成有具有与MI传感器10的电极51、52相对应的电极。即在侧壁面上配设了由各电极延伸出来的电极51d、52d，这些的电极51d、52d，与实施例1一样，通过导线可以与IC100的电极(在此，省略图示)实现电性连接。
关于本实施例的其他构成以及作用效果，与实施例1一样。
并且，代替本实施例的非结晶合金磁性线2，也可以采用呈薄膜状的磁性各向异性薄膜。在这个情况下，用绝缘体4覆盖磁性各向异性薄膜，形成断面形状呈为矩形的棒状体。此后，用与上述同样的程序，形成电磁线圈3以及电极51、52。
(实施例5)
本实施例是基于实施例1和实施例4中所阐述的三次元磁性方位传感器，而变更各传感器101～103的配置方法的例子。其内容用图22及图23来说明。
本实施例的三次元磁性方位传感器10a，具有配设IC100以及各传感器101～103的共通基板109。
图22所示的三次元磁性方位传感器10a，以实施例1为基础，在共通基板109的表面上实装IC100的同时，在其侧壁面上分别配置第1传感器101、第2传感器102、第3传感器103。
并且，图22所示的三次元磁性方位传感器10a，以实施例4为基础，将IC100与第1传感器101、第2传感器102同时配置在共通基板109的表面上，在其侧壁面上配置第3传感器103。
关于本实施例的其他构成以及作用效果，与实施例1和实施例4一样。
Claims (16)
1.一种三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：包括由磁阻抗传感器元件构成的第1传感器、第2传感器和第3传感器，
所述第1传感器、第2传感器和第3传感器分别具有：设置有凹沟状的延伸沟的电极线路基板；能随着外部磁场的变化而产生特性变化的感磁体；在使作为上述感磁体的非结晶合金磁性线贯通的状态下收容在所述延伸沟内的绝缘体；邻接配设于绝缘体外表面上的箔状导电线路而形成的电磁线圈，
上述电磁线圈具有：与上述延伸沟的沟方向交叉、且配设该延伸沟的内周面、且同时在上述电极线路基板表面上延伸了两端部的第1导电线路和，横跨上述延伸沟、且配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路，
上述电磁线圈的组合方式具有以下特征：由所述第1导电线路所组成的一部分线圈和，与所述第1导电线路端部电性连接的所述第2导电线路所组成的另一部分线圈组合而成，
上述第1传感器、第2传感器和第3传感器的配置具有以下特征：各个感磁体的磁场感应度为最大的方向相互直交。
2.如权利要求1所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器具有，设了有4个侧壁面的矩形形状、在此内部设置有形成电子回路的IC；以及上述第1传感器、上述第2传感器以及上述第3传感器配置在上述IC之上，
并且，使上述第3传感器的上述延伸沟的沟方向与上述IC的厚度方向保持大约一致的情況下，在任意上述侧壁面上配置上述第3传感器。
3.如权利要求2所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述第1传感器、上述第2传感器被分别配置在IC的2个相互直交的上述侧壁面上，上述各传感器的上述延伸沟的沟方向，分别与配设了另一方的上述传感器的上述侧壁面大约直交。
4.如权利要求2所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述第3传感器形成有面向上述IC表面一侧的电极，并且，该电极，通过导线与上述IC表面上配设的电极相电性连接。
5.如权利要求3所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述第3传感器形成有面向上述IC表面一侧的电极，并且，该电极，通过导线与上述IC表面上配设的电极相电性连接，
同样，上述第1传感器、上述第2传感器也形成有面向上述IC表面一侧的电极，并且，该电极，通过导线与上述IC表面上配设的电极相电性连接。
6.如权利要求5所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器，其长度在3mm以内，宽度在3mm以内，高度在1.5mm以内。
7.如权利要求1所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器，具有形成电子回路的IC和实际安装IC的共通基板，上述第1传感器、上述第2传感器和上述第3传感器均配设在上述共通基板上，
使上述第3传感器的上述延伸沟的沟方向处于与上述共通基板的厚度方向大约一致方向。
8.如权利要求1所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述第1传感器、上述第2传感器和上述第3传感器，在作为感磁体的非结晶合金磁性线或者磁性各向异性薄膜的外周面上形成上述绝缘体，用设置在上述绝缘体的外周面上的上述导电线路构成上述电磁线圈。
9.如权利要求8所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器具有4个侧壁面的呈矩形形状、在此内部设置有形成电子回路的IC，上述第1传感器、上述第2传感器以及上述第3传感器配设在IC之上，
上述第3传感器安装于，处于与上述IC表面大约直交的状态而配置与任意上述侧壁面上的子基板的表面上，并且，上述感磁体中的磁场感应灵敏度最大方向和上述IC的厚度方向大约一致。
10.如权利要求9所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器，其上述第1传感器、上述第2传感器配置在上述IC的表面上。
11.如权利要求9所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器中的上述第3传感器具有面向于上述子基板实际安装表面的电极，并且，该电极，与上述子基板的电极处于电性接触的状态。
12.如权利要求10所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器中的上述第3传感器具有面向于上述子基板实际安装表面的电极，并且，该电极，与上述子基板的电极处于电性接触的状态，
同样，上述第1传感器、上述第2传感器也具有面向上述IC表面的的电极，并且，该电极，与上述IC的电极处于电性接触的状态。
13.如权利要求12所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器，其长度在3mm以内，宽度在3mm以内，高度在1.5mm以内。
14.如权利要求8所述的三次元磁性方位传感器，具有以下的构成和特征：
上述三次元磁性方位传感器，具有形成电子回路的IC和实际安装IC的上述共通基板，第1传感器、上述第2传感器以及上述第3传感器都配置在上述共通基板上，
上述第3传感器中的上述感磁体中的磁场感应灵敏度最大方向配置与上述IC的厚度方向大约一致的方向。
15.一种磁阻抗传感器元件，其特征为：
所述磁阻抗传感器元件是在感磁体外周旋绕电磁线圈而形成的，所述感磁体随着外界磁场变化而发生特性变化，
所述磁阻抗传感器元件包括：电极配线基板，其作为保持上述感磁体的传感器基板，设置有凹沟状延伸沟；在使作为上述感磁体的非结晶合金磁性线贯通于其中的状态下收容在上述延伸沟内的绝缘体；和设置于邻接在绝缘体外表面的箔片状导电线路组成的电磁线圈，
上述电磁线圈具有：与上述延伸沟的沟方向大致正交、且配设该延伸沟的内周面、且同时两端部在上述电极线路基板表面上延伸的第1导电线路和，横跨上述延伸沟、且配置于上述绝缘体外表面的第2导电线路，
上述电磁线圈的组合方式具有以下特征：由所述第1导电线路所组成的一部分线圈和，与所述第1导电线路端部电性连接的所述第2导电线路所组成的另一部分线圈组合而成
上述传感器基板，其外表面中与上述感磁体的轴向大致正交的面上，具有分别从上述电磁线圈以及上述感磁体延伸设置的电极。
16.如权利要求15所述的磁阻抗传感器元件，具有以下的构成和特征：
覆盖作为感磁体的非结晶合金磁性线或者磁性各向异性薄膜的外周面的上述绝缘体；由设置在该绝缘体外周面的上述导电线路组成的上述电磁线圈；收容了上述感磁体的绝缘体的上述传感器基板的子基板。
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