CN100498539C - 光反应装置 - Google Patents
光反应装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100498539C CN100498539C CNB2005100765042A CN200510076504A CN100498539C CN 100498539 C CN100498539 C CN 100498539C CN B2005100765042 A CNB2005100765042 A CN B2005100765042A CN 200510076504 A CN200510076504 A CN 200510076504A CN 100498539 C CN100498539 C CN 100498539C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sample
- projection lens
- image
- lcd projector
- photoreaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000037361 pathway Effects 0.000 claims description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 51
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002444 silanisation Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2057—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C67/00—Shaping techniques not covered by groups B29C39/00 - B29C65/00, B29C70/00 or B29C73/00
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
本发明提供一种光反应装置(1)，具有：LCD投影器(3)，通过向显示输入图像的LCD面板照射光，投影图像；试样设置台(16)，用于设置光反应性的试样；缩小投影透镜(13)，缩小来自LCD投影器(3)的投影光，使其成像在试样上；缩放调整机构(4)，用于调整成像在试样上的图像的投影倍率。缩放调整机构(4)，由用于调整LCD面板和缩小投影透镜(13)间的距离的第1调整基座(11)，和用于调整缩小投影透镜(13)和试样间的距离的第2调整基座(12)构成。由此，能够提供廉价且迅速地实现微型图案的制作的光反应装置。
Description
技术领域
本发明涉及用于通过单体或聚合物的光聚合，或光抗蚀剂的曝光，制作细胞的微型图案或微型流路(以下，统称为微型图案。)等的光反应装置。
背景技术
近年来，细胞的微型图案，被用于细胞间的信号传递等的基础研究或利用细胞的生物传感器的制作。此外，也期待着通过多种细胞的微型图案的组合，在再生医疗中的应用。
作为如此的细胞的微型图案的方法，以往利用半导体制造技术的光蚀刻法(例如，参照专利文献1)。所谓的光蚀刻法，是例如借助在玻璃板上描写铬的图形的光掩模，用透镜缩小紫外线等光，投影在硅晶片上，烧结电路图形的方法。
另外，在细胞的微型图案中，在基材上薄薄地涂布光反应性的试样，通过借助将微型图案描写在其上的光掩模，缩小光并投影，使之重合。
专利文献1：特表2002-510969号公报
但是，在上述以往的方法中，由于需要高价的专用装置，同时图形的制作需要金属或玻璃制的光掩模，因此存在该光掩模的制造费工费时的问题。
发明内容
本发明是为解决上述以往的问题而提出的，其目的在于提供一种能够廉价且迅速地实现所述微型图案的制作的光反应装置。
本发明的光反应装置，其特征是，具有：框架筐体，设置通用的LCD投影器，该LCD投影器通过向显示输入图像的LCD面板照射光，投影所述图像；试样设置台，用于设置光反应性的试样；缩小投影透镜，缩小来自所述LCD投影器的投影光，使其成像在所述试样上；缩放调整机构，记载用于调整投影尺寸的数字，由安装所述缩小投影透镜且可移动地安装在所述框架筐体上用于调整所述LCD面板和所述缩小投影透镜间的距离的第1调整部，和安装试样设置台且可移动地安装在所述第1调整部上用于调整所述缩小投影透镜和所述试样间的距离的第2调整部构成；伸缩镜筒，设置成从所述LCD投影器过渡到所述缩小投影透镜。
本发明之2的发明的光反应装置，如上述发明，其特征是：设置暗幕，以遮断从外部射向从所述LCD投影器到所述试样的投影经路的入射光。
本发明之3的发明的光反应装置，如上述各发明，其特征是：具有观测器，用于确认成像在所述试样上的图像的聚焦。
本发明之4的发明的光反应装置，如上述各发明，其特征是：设置移动机构，其将所述试样与输入在所述LCD投影器中的动画同步地移动。
本发明的光反应装置具有：LCD投影器，通过向显示输入图像的LCD面板照射光，投影所述图像；试样设置台，用于设置光反应性的试样；缩小投影透镜，缩小来自所述LCD投影器的投影光，使其成像在所述试样上；缩放调整机构，用于调整成像在试样上的图像的投影倍率。因此，通过向LCD投影器输入用例如电脑等制作的图像数据，能够缩小该图像，使其成像在试样上，利用光反应制作微细形状。
由此，不用像以往那样使用光掩模，能够直接在试样上投影图像，制作微型图案等，能够谋求制作作业的迅速化和削减成本。尤其，由于能够利用广泛使用的LCD投影器构成装置，所以也能够显著削减装置本体的生产成本。
尤其，由于利用缩放调整机构调整成像在试样上的图像的投影倍率，因此通过根据用途进行微小形状的尺寸调节，富于通用性。尤其，在此种情况下，通过由用于调整LCD面板和缩小投影透镜间的距离的第1调整部，和用于调整缩小投影透镜和试样间的距离的第2调整部，构成如本发明的缩放调整机构，能够顺利且可靠地进行成像在试样上的图像的缩放调整和聚焦调整。
此外，如本发明之2的发明，如果设置暗幕，以遮断从外部射向从LCD投影器到试样的投影经路的入射光，能够保证作业性，能够排除来自外部的入射光造成的不良影响。此外，如本发明之3的发明，如果设置观测器，确认成像在试样上的图像的聚焦，则就能够容易确认成像在试样上的图像的聚焦。
此外，如本发明之4的发明，如果设置移动机构，使试样与输入在LCD投影器中的动画同步地移动，则例如在处理比LCD面板的尺寸大的图像的情况下，能够作为左右或上下移动的图像(动画)在电脑上制作，使该图像显示在LCD面板上，并且，通过与该图像(动画)的移动同步地使试样移动，还能够制作整体尺寸大的微细形状。
附图说明
图1是本发明的实施例的光反应装置的前方立体图。
图2是图1的光反应装置的后方立体图。
图3是图1的光反应装置的投影经路的图示。
图4是表示图1的光反应装置的框架筐体和第1调整基座的后视图。
图5是表示图1的光反应装置的第1调整基座和第2调整基座的平面图。
图6是试样的结构及向试样照射光的图示。
图7是利用图1的光反应装置制作的聚二甲基硅氧烷的微型图案的图示。
图中：1—光反应装置，2—框架筐体，3—LCD投影器，4—缩放调整机构，7—LCD面板，11—第1调整基座(第1调整部)，12—第2调整基座(第2调整部)，13—缩小投影透镜，16—试样设置台，18—观测器，19—试样，21—分束器，PC—电脑。
具体实施方式
下面，基于附图详细说明本发明的实施方式。图1是本发明的一实施例的光反应装置的前方立体图，图2是光反应装置的后方立体图。实施例的光反应装置1，由框架筐体2、设在该框架筐体2上的LCD(液晶)投影器3及缩放调整机构4等、电脑(个人电脑)PC等构成。
在所述框架筐体2上，前后构成左右贯通的安装轨6、6，经过该安装轨6、6，朝向框架筐体2，靠左侧固定LCD投影器3。该LCD投影器3，是具有图3所示的LCD面板(液晶面板)7和未图示的灯的通用的LCD投影器，且以能连接在电脑PC上并从该电脑PC输入图像数据的方式构成。此外，此种情况下的LCD面板7，是14～36μm/pixel(在实施例中，为18μm/pixel)的高精细的LCD面板。另外，LCD投影器3，通过在LCD面板7上显示从电脑PC输入的图像，同时向该LCD面板7照射来自灯的光，朝框架筐体2的右侧方向投影输入的图像。
所述缩放调整机构4，由第1调整基座(第1调整部)11和第2调整基座(第2调整部)12构成。第1调整基座11，用螺栓8、8(在实施例中，用六角螺栓)，左右方向(即，安装轨6、6的长度方向)可移动地安装在朝框架筐体2的后侧的安装轨6的右侧；第2调整基座12，用螺栓9…(在实施例中，用六角螺栓)左右方向(即，安装轨6、6的长度方向)可移动地安装在该第1调整基座11上。
此外，在朝第1调整基座11的左端的部分，在与所述LCD投影器3的LCD面板7相对的位置上，安装缩小投影透镜(在本实施例中，为0.5倍的成像透镜)13。另外，在LCD投影器3上，设置从所述LCD面板7过渡到缩小投影透镜13的伸缩镜筒14，形成来自LCD投影器3的投影光，使其经过该伸缩镜筒14内，到达缩小投影透镜13的结构。
此外，在第2调整基座12的下部，安装试样设置台16。该试样设置台16，通过转动设置台升降旋钮17，可相对于第2调整基座12升降。此外，在位于与该试样设置台16的上方对应的部位上的第2调整基座12的上部，安装聚焦确认用的观测器18。该观测器18，用于通过从上方观察确认成像在设于下方的试样设置台16上的试样19(图3)上的图像的聚焦，具有重复调整环18A和聚焦调整环18B。
另外，在位于试样设置台16和观测器18之间的第2调整基座12上，在与所述缩小投影透镜13水平方向相对的位置上，安装分束器21。该分束器21，将经过缩小投影透镜13的投影光，分离为前方方向以及下方的试样设置台16侧方向，且在其上侧设置有ND滤光器22。
另外，在图1及图2中未图示，但如图3中虚线所示，用暗幕23覆盖试样设置台16、观测器18及缩小投影透镜13的分束器21侧的部分。该暗幕23，用于防止光从外部入射到从LCD投影器3到试样19的投影光的经路上，并且，以在将试样19等设置在试样设置台16上的情况下能够容易开关的方式构成。
另外，在实施例中，由于在从LCD投影器3到缩小投影透镜13的之间具有伸缩镜筒14，所以外部的入射光不进入，但在无伸缩镜筒14的情况下，LCD投影器3的缩小投影透镜13侧，也要用暗幕23覆盖。
下面，按以上的构成，说明使用本发明的光反应装置1的微型图案的制作方法。另外，最初是处于卸下暗幕23的状态。首先，采用缩放调整机构4，进行对试样19的投影倍率的调整。在实施例中，作为投影像素尺寸，能以7～13μm/pixel的范围调整投影倍率。现在，在将投影像素尺寸(投影倍率)调整到9μm/pixel的情况下，首先，松动第1调整基座11的螺栓8、8，使第1调整基座11向左右方向移动，使记载在该第1调整基座11上的箭头与记载在框架筐体2上的数字9一致。另外，如图4所示，在框架筐体2上，记载7～13(上述投影像素尺寸)的数字。
此处，预先测定适合上述各投影像素尺寸的LCD面板7和缩小投影透镜13之间的距离，通过使第1调整基座11上的箭头与框架筐体2上的数字一致，达到与该数字的投影像素尺寸一致的LCD面板7和缩小投影透镜13之间的距离，形成如此的构成。然后，再拧紧螺栓8、8，固定第1调整基座11的位置。
接着，松动第2调整基座12的螺栓9…，使第2调整基座12向左右方向移动，使记载在该第2调整基座12上的箭头与记载在第1调整基座11上的数字9一致。另外，如图5所示，在第1调整基座11上记载7～13(上述投影像素尺寸)的数字。
此处，如上述，在第1调整基座11的位置上，预先测定适合上述各投影像素尺寸的缩小投影透镜13和试样19之间的距离，通过使第2调整基座12上的箭头与第1调整基座11上的数字一致，达到与该数字的投影像素尺寸一致的缩小投影透镜13和试样19之间的距离，形成如此的构成。然后，再拧紧螺栓9…，固定第2调整基座12的位置。
由此，按投影像素尺寸为9μm/pixel的投影倍率，在试样19上，以正确聚焦成像图像。所述聚焦状态，能够通过反射在试样19上，经过分束器21，将朝上方的光入射到观测器18，得到确认。此时，首先采用设置台升降旋钮17，将试样设置台16移动到基准位置，锁定。然后，在试样设置台16上设置未图示的聚焦检测用的反射镜。
然后，接通LCD投影器3的电源，从电脑PC输入规定的调整用图形图像的数据。由于LCD投影器3在LCD面板7显示输入的调整用图形图像，因此能够按所述的投影倍率，向反射镜投影所述调整用图形。接着，从观测器18的上方观察，确认调整用图形图像的聚焦状态。此时，在图像模糊时，可采用聚焦调整环18B调整，以能够清洗看清图像。
如此，如果结束投影倍率(变焦)和聚焦的调整，则取掉所述的反光镜，将试样19代替地设置在试样设置台16上。在此种情况下，反射镜和试样的板厚差，用设置台升降旋钮17调整，或通过与试样设置台16相隔相当于厚度差部分的空间进行调整。然后，安上暗幕23，如上所述，覆盖试样设置台16、分束器21、观测器18、及缩小投影透镜13的分束器21侧的部分。由此，防止光外部的光入射在从LCD投影器3到试样19的投影光的经路。
此处，实施例的试样19，如图6所示，是在涂敷有硅烷耦合剂的硅烷化罩玻璃和未处理的罩玻璃之间，夹持含有可见光聚合引发剂的单体溶液的试样。
接着，用电脑PC制作投影在该试样19上的、例如细胞的微型图案图像，或者，在电脑PC中读入用其它手段制作的图像，输入到LCD投影器3。由于LCD投影器3在LCD面板7显示该输入图像，因此能够将被缩小投影透镜13缩小的图像，按所述的投影倍率投影在试样19上。
如此，在向试样19照射光，产生单体的交联聚合反应后，如果剥离未处理的罩玻璃，则能够在硅烷化罩玻璃表面上制作聚合物的微型图案。图7表示制作聚二甲基硅氧烷的微型图案时的情况。在此种情况下，得知，在图7的上左侧显示用电脑PC描绘的图像，在其右侧显示实际制作的微型图案。此外，在下侧显示硅烷化罩玻璃的断面，构成交联的3维结构。
如此，在本发明中，由于不用像以往那样使用光掩模，能够直接在试样19上投影图像，制作微型图案，因此能够谋求制作作业的迅速化和削减成本。尤其，由于能够利用通用的LCD投影器3构成装置，所以也能够显著削减装置本体的生产成本。尤其，由于能够利用缩放调整机构4调整成像在试样19上的图像的投影倍率，因此通过根据用途进行微小形状的尺寸调节，富于通用性。在此种情况下，由于缩放调整机构4，由用于调整LCD面板7和所述缩小投影透镜13间的距离的第1调整部11，和用于调整缩小投影透镜13和试样19间的距离的第2调整部12构成，所以能够顺利且可靠地进行成像在试样19上的图像的缩放调整和聚焦调整。
此外，由于设置暗幕23，以遮断从外部射向从LCD投影器3到试样19的投影经路的入射光，因此能够排除来自外部的入射光造成的不良影响。此外，由于是暗幕23，因此容易开关，例如也容易进行设置·交换试样19(反射镜)等的作业。
另外，采用如此制作的微型图案，进行细胞的图形控制。另外，作为微型图案，除所述细胞的微型图案外，也能够制作微细的通路(微型流路)等。
此处，在处理尺寸大于LCD面板7能够一次显示的尺寸的图像的情况下，也可以作为左右移动的动画制作图像。此外，在此种情况下，设置沿试样设置台16从右至左移动的未图示的移动机构。另外，如果利用所述移动机构，与图像的移动同步地移动试样19，则还能够制作整体尺寸大于LCD面板7的尺寸的微细形状。
另外，在实施例中，通过利用单体的可见光的交联聚合，进行微型图案的制作，但也不局限于此，本发明对于即使采用如果对薄膜照射光则结构就产生变化的所谓光抗蚀剂的情况，也是有效的。
Claims (5)
1.一种光反应装置，其特征是，具有：
框架筐体，设置通用的LCD投影器，该LCD投影器通过向显示输入图像的LCD面板照射光，投影所述图像；
试样设置台，用于设置光反应性的试样；
缩小投影透镜，缩小来自所述LCD投影器的投影光，使其成像在所述试样上；
缩放调整机构，记载用于调整投影尺寸的数字，由安装所述缩小投影透镜的第1调整部和安装所述试样设置台的所述第2调整部构成，所述第1调整部可移动地安装在所述框架筐体上用于调整所述LCD面板和所述缩小投影透镜间的距离，所述第2调整部可移动地安装在所述第1调整部上用于调整所述缩小投影透镜和所述试样之间的距离；
伸缩镜筒，设置成从所述LCD投影器过渡到所述缩小投影透镜。
2.如权利要求1所述的光反应装置，其特征是：设置有暗幕，以遮断从外部射向从所述LCD投影器到所述试样之间的投影经路的入射光。
3.如权利要求1或2所述的光反应装置，其特征是：具有观测器，用于确认成像在所述试样上的图像的聚焦。
4.如权利要求1或2所述的光反应装置，其特征是：设置移动机构，其将所述试样与输入到所述LCD投影器中的动画同步地移动。
5.如权利要求3所述的光反应装置，其特征是：设置移动机构，其将所述试样与输入到所述LCD投影器中的动画同步地移动。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004215552 | 2004-07-23 | ||
| JP2004215552A JP4565916B2 (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 光反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1725108A CN1725108A (zh) | 2006-01-25 |
| CN100498539C true CN100498539C (zh) | 2009-06-10 |
Family
ID=35656843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100765042A Expired - Fee Related CN100498539C (zh) | 2004-07-23 | 2005-06-06 | 光反应装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060018004A1 (zh) |
| JP (1) | JP4565916B2 (zh) |
| KR (1) | KR100680092B1 (zh) |
| CN (1) | CN100498539C (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100919820B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2009-10-01 | 한국전자통신연구원 | 광화학 합성 장치 |
| US8062864B2 (en) | 2007-05-21 | 2011-11-22 | Alderbio Holdings Llc | Nucleic acids encoding antibodies to IL-6, and recombinant production of anti-IL-6 antibodies |
| US8743340B2 (en) | 2008-12-31 | 2014-06-03 | Rolls-Royce Corporation | System and method for imaging apparatus calibration |
| JP6202621B2 (ja) | 2011-11-20 | 2017-09-27 | 学校法人東京女子医科大学 | 細胞培養用基材及びその製造方法 |
| CN111421813B (zh) * | 2020-02-29 | 2022-05-20 | 湖南大学 | 一种多材料光固化3d打印装置及方法 |
| CN111421814B (zh) * | 2020-02-29 | 2022-05-06 | 湖南大学 | 一种多材料光固化3d打印设备 |
| CN115503232A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-23 | 上海交通大学 | 一种六自由度光固化3d打印装置及3d打印方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3377814D1 (en) * | 1982-06-05 | 1988-09-29 | Olympus Optical Co | An optical system focus-state detector |
| JPH0722101B2 (ja) * | 1985-08-29 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置用遮風装置 |
| JPH03105911A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 微細パターン転写方法およびその装置 |
| JP3047983B2 (ja) * | 1990-03-30 | 2000-06-05 | 株式会社日立製作所 | 微細パターン転写方法およびその装置 |
| JPH0430416A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細パターンの加工方法 |
| US6312134B1 (en) * | 1996-07-25 | 2001-11-06 | Anvik Corporation | Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator |
| JPH10210327A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Sony Corp | カメラ装置 |
| JP2002510969A (ja) * | 1997-05-14 | 2002-04-09 | ザ ジェネラル ホスピタル コーポレーション | マイクロパターン化形態における細胞の共培養 |
| US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| JP3427350B2 (ja) | 1999-11-22 | 2003-07-14 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 光反応加工方法ならびに光反応加工装置 |
| FI109054B (fi) * | 2000-06-21 | 2002-05-15 | Rauno Salmi | Menetelmä yksilöivän merkinnän tekemiseksi piirilevyyn |
| WO2002039189A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes |
| US20040158300A1 (en) * | 2001-06-26 | 2004-08-12 | Allan Gardiner | Multiple wavelength illuminator having multiple clocked sources |
| JP4141674B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出ヘッド、その拭取り方法およびこれを備えた電子機器 |
| EP1467253A1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2004215552A patent/JP4565916B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-03 KR KR1020050036998A patent/KR100680092B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-06-06 CN CNB2005100765042A patent/CN100498539C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-14 US US11/181,022 patent/US20060018004A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060018004A1 (en) | 2006-01-26 |
| CN1725108A (zh) | 2006-01-25 |
| KR20060045886A (ko) | 2006-05-17 |
| KR100680092B1 (ko) | 2007-02-09 |
| JP4565916B2 (ja) | 2010-10-20 |
| JP2006039010A (ja) | 2006-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100498539C (zh) | 光反应装置 | |
| US11001006B2 (en) | Additive manufacturing apparatus | |
| CN102236265B (zh) | 光刻设备和制造物品的方法 | |
| CN103048885B (zh) | 无掩膜曝光系统及方法 | |
| CN106363908B (zh) | 一种光固化3d打印机的光学成像系统 | |
| CN103168275B (zh) | 曝光装置 | |
| US7354160B2 (en) | Projector with adjustable image offset | |
| CN1238767C (zh) | 光学记录器及其记录方法 | |
| CN112567297B (zh) | 预备空间光调制器区段以解决场不均匀性 | |
| JP7337877B2 (ja) | 非ブレーズドｄｍｄを伴う解像度強化型のデジタルリソグラフィ | |
| Chen et al. | Edge smoothness enhancement in DMD scanning lithography system based on a wobulation technique | |
| JP2011049296A (ja) | マスクレス露光方法 | |
| US20120314197A1 (en) | Maskless processing apparatus | |
| Kessels et al. | Versatile stepper based maskless microlithography using a liquid crystal display for direct write of binary and multilevel microstructures | |
| CN106773538A (zh) | 主动对焦机构、光路系统及激光直写光刻机 | |
| TWI249652B (en) | Scanning exposure apparatus and method | |
| JP2009237321A (ja) | 画像露光装置 | |
| TW201248337A (en) | Light exposure device and light shield board | |
| CN206563865U (zh) | 受抑立方体形组件 | |
| US8211627B2 (en) | Method and apparatus for structuring a radiation-sensitive material | |
| JP2004093624A (ja) | ビーム成形光学素子およびそれを備えたパターン描画装置 | |
| KR20070078243A (ko) | 마이크로 미러 어레이를 이용하여 바코드 및 텍스트 등을마킹하는 장치 및 그 마킹 방법 | |
| JP2008009217A (ja) | 光源装置 | |
| KR0163091B1 (ko) | 노광장치 | |
| Barbucha et al. | Multi-diode laser system for UV exposure of the photoresists |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: PANASONIC HEALTHCARE + MEDICAL EQUIPMENT CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SANYO ELECTRIC CO., LTD. Effective date: 20120911 Free format text: FORMER OWNER: SANYO ELECTRIC BIOMEDICAL CO., LTD. Effective date: 20120911 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20120911 Address after: Japan Ehime Prefecture Patentee after: PANASONIC Corp. Address before: Japan Osaka Patentee before: Sanyo Electric Co.,Ltd. Effective date of registration: 20120911 Address after: Japan Osaka Patentee after: Sanyo Electric Co.,Ltd. Address before: Japan Osaka Patentee before: Sanyo Electric Co.,Ltd. Patentee before: Sanyo Electric Biomed Co.,Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: PANASONIC HEALTHCARE HOLDINGS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: PANASONIC HEALTHCARE + MEDICAL EQUIPMENT CO., LTD. Effective date: 20150407 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150407 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: PANASONIC HEALTHCARE HOLDINGS CO.,LTD. Address before: Japan Ehime Prefecture Patentee before: PANASONIC Corp. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090610 Termination date: 20160606 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |