JP2006039010A - 光反応装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】マイクロパターンの作製を安価且つ迅速に実現できる光反応装置を提供する。
【解決手段】光反応装置1は、入力画像を表示するLCDパネルに光を照射することによって画像を投写するLCDプロジェクタ3と、光反応性の試料を設置する試料設置ステージ16と、LCDプロジェクタ3からの投写光を縮小して試料上に結像させる縮小投写レンズ13と、試料に結像される画像の投写倍率を調整するためのズーム調整機構4とを備える。ズーム調整機構4は、LCDパネルと縮小投写レンズ13間の距離を調整するための第1調整ベース11と、縮小投写レンズ13と試料間の距離を調整するための第2調整ベース12とから構成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、モノマーやオリゴマーの光重合や、フォトレジストの露光によって、細胞のマイクロパターニングやマイクロ流路(以下、マイクロパターンで総称する。)等を作製するための光反応装置に関するものである。
近年細胞のマイクロパターニングは、細胞間のシグナル伝達等の基礎研究や細胞を利用したバイオセンサーの作製に供されている。また、複数種の細胞のマイクロパターンの組み合わせにより、再生医療への応用も期待されている。
このような細胞のマイクロパターニングの手法としては、従来より半導体製造技術であるフォトリソグラフィーが利用されてきた(例えば、特許文献1参照)。このフォトリソグラフィーとは、例えばガラス板にクロムのパターンを描写したフォトマスクを介し、紫外線等の光をレンズで縮小してシリコンウエハに投写し、回路パターンを焼き付ける方法である。
そして、細胞のマイクロパターニングでは、基材上に光反応性の試料を薄く塗布し、これにマイクロパターンを描写した前記フォトマスクを介し、光を縮小して投写することにより、重合させるものであった。
特表2002−510969号公報
しかしながら、係る従来の方法では高価な専用装置が必要となると共に、パターンの作製に金属やガラス製のフォトマスクが必要となるため、このフォトマスクの製造に非常な時間とコストを要すると云う問題があった。
本発明は、係る従来の技術的課題を解決するために成されたものであり、係るマイクロパターンの作製を安価且つ迅速に実現できる光反応装置を提供するものである。
本発明の光反応装置は、入力画像を表示するLCDパネルに光を照射することによって画像を投写するLCDプロジェクタと、光反応性の試料を設置する試料設置ステージと、LCDプロジェクタからの投写光を縮小して試料上に結像させる縮小投写レンズと、試料に結像される画像の投写倍率を調整するためのズーム調整機構とを備えていることを特徴とする。
請求項2の発明の光反応装置は、上記においてズーム調整機構は、LCDパネルと縮小投写レンズ間の距離を調整するための第1調整部と、縮小投写レンズと試料間の距離を調整するための第2調整部とから構成されていることを特徴とする。
請求項3の発明の光反応装置は、上記各発明においてLCDプロジェクタから試料までの投写経路への外部からの入射光を遮断するための暗幕を設けたことを特徴とする。
請求項4の発明の光反応装置は、上記各発明において試料上に結像される画像のフォーカスを確認するためのスコープを備えたことを特徴とする。
請求項5の発明の光反応装置は、上記各発明においてLCDプロジェクタに入力される動画に同期して試料を移動させる移動機構を設けたことを特徴とする。
本発明の光反応装置は、入力画像を表示するLCDパネルに光を照射することによって画像を投写するLCDプロジェクタと、光反応性の試料を設置する試料設置ステージと、LCDプロジェクタからの投写光を縮小して試料上に結像させる縮小投写レンズと、試料に結像される画像の投写倍率を調整するためのズーム調整機構とを備えているので、例えばパソコン等で作成した画像データをLCDプロジェクタに入力することにより、当該画像を縮小して試料上に結像させ、光反応により微細形状を作製することができるようになる。
これにより、従来の如きフォトマスクを使用すること無く、試料に直接画像を投写してマイクロパターン等を作製することが可能となり、作製作業の迅速化とコストの削減を図ることができるようになる。特に、汎用のLCDプロジェクタを利用して装置を構成できるので、装置自体の生産コストも著しく削減することができるようになる。
特に、ズーム調整機構により試料に結像される画像の投写倍率を調整できるので、用途に応じて微少形状の寸法調節を行えるようになり、汎用性に富んだものとなる。特に、この場合、請求項2の発明の如くズーム調整機構を、LCDパネルと縮小投写レンズ間の距離を調整するための第1調整部と、縮小投写レンズと試料間の距離を調整するための第2調整部とから構成することにより、試料上に結像される画像のズーム調整とフォーカス調整を円滑且つ確実に行えるようになるものである。
また、請求項3の発明の如く、LCDプロジェクタから試料までの投写経路へ外部から入射光が入るのを遮断するための暗幕を設ければ、作業性を担保しながら外部からの入射光による悪影響を排除することが可能となる。また、請求項4の発明の如く、試料上に結像される画像のフォーカスを確認するためのスコープを設ければ、試料上に結像される画像のフォーカスを容易に確認できるようになる。
更に、請求項5の発明の如く、LCDプロジェクタに入力される動画に同期して試料を移動させる移動機構を設ければ、例えば、LCDパネルの寸法より大きい画像を扱う場合には、左右若しくは上下に移動する画像(動画)としてパソコン上で作製し、当該画像(動画)をLCDパネルに表示させ、且つ、当該画像(動画)の移動に同期して試料を移動させることにより、全体寸法の大なる微細形状も作製することが可能となるものである。
次に、図面に基づき本発明の実施形態を詳述する。図1は本発明の一実施例の光反応装置1の前方斜視図、図2は光反応装置1の後方斜視図である。実施例の光反応装置1は、フレーム筐体2と、このフレーム筐体2上に設置されたLCD(液晶)プロジェクタ3及びズーム調整機構4等と、パソコン(パーソナルコンピュータ)PC等から構成されている。
前記フレーム筐体2には左右に渡る取付レール6、6が前後に構成されており、この取付レール6、6に渡り、フレーム筐体2の向かって左側にLCDプロジェクタ3が固定されている。このLCDプロジェクタ3は、図3に示すLCDパネル(液晶パネル)7と図示しないランプを備えた汎用のLCDプロジェクタであり、パソコンPCに接続されて当該パソコンPCから画像データが入力されるように構成されている。また、この場合のLCDパネル7は14〜36μm/pixel(実施例では18μm/pixel)の高精細なLCDパネルである。そして、LCDプロジェクタ3は、パソコンPCからの入力画像をLCDパネル7に表示すると共に、このLCDパネル7にランプから光を照射することによって入力画像をフレーム筐体2の向かって右方向に向けて投写するものである。
前記ズーム調整機構4は、ボルト8、8(実施例では六角ボルト)にてフレーム筐体2の後側の取付レール6の向かって右側に左右方向(即ち、取付レール6、6の長手方向)移動可能に取り付けられた第1調整ベース(第1調整部)11と、この第1調整ベース11にボルト9・・・(実施例では六角ボルト)にて左右方向(即ち、取付レール6、6の長手方向)に移動可能に取り付けられた第2調整ベース(第2調整部)12とから構成されている。
また、第1調整ベース11の向かって左端の部分には、前記LCDプロジェクタ3のLCDパネル7に対向する位置に縮小投写レンズ(実施例では0.5倍の結像レンズ)13が取り付けられている。そして、LCDプロジェクタ3には、前記LCDパネル7から縮小投写レンズ13まで渡る伸縮鏡筒14が設けられており、LCDプロジェクタ3からの投写光はこの伸縮鏡筒14内を経て縮小投写レンズ13に至る構造とされている。
また、第2調整ベース12の下部には試料設置ステージ16が取り付けられている。この試料設置ステージ16はステージ昇降摘み17を回転させることで、第2調整ベース12に対して昇降可能とされている。また、この試料設置ステージ16の上方に対応する位置の第2調整ベース12上部には、フォーカス確認用のスコープ18が取り付けられている。このスコープ18は上から覗くことにより、下方の試料設置ステージ16に設置された試料19(図3)上に結像される画像のフォーカスを確認するためのものであり、繰り出し調整リング18Aとフォーカス調整リング18Bを備えている。
更に、試料設置ステージ16とスコープ18の間の位置の第2調整ベース12には、前記縮小投写レンズ13に水平方向で対向する位置にビームスプリッタ21が取り付けられている。このビームスプリッタ21は、縮小投写レンズ13を経た投写光を前方と下方の試料設置ステージ16側とに分離するものであり、上側にはNDフィルタ22が設けられている。
そして、図1及び図2では示さないが、試料設置ステージ16、ビームスプリッタ21、スコープ18及び縮小投写レンズ13のビームスプリッタ21側の部分は図3に破線で示すように暗幕23にて覆われる。この暗幕23はLCDプロジェクタ3から試料19までの投写光の経路に外部から光が入射することを防止するものであり、試料19等を試料設置ステージ16上に設置する場合に容易に開閉できるように構成されている。
尚、実施例ではLCDプロジェクタ3から縮小投写レンズ13までの間に伸縮鏡筒14があるため、外部からの入射光は入らないが、係る伸縮鏡筒14が無い場合には、LCDプロジェクタ3の縮小投写レンズ13側も暗幕23にて覆うことになる。
以上の構成で、次に本発明の光反応装置1を使用したマイクロパターンの作製方法について説明する。尚、当初暗幕23は取り外されているものとする。先ず、ズーム調整機構4を用いて試料19への投写倍率の調整を行う。実施例では投写倍率を、投写画素サイズとして7〜13μm/pixelの範囲で調整可能とされている。今、投写画素サイズ(投写倍率)を9μm/pixelに調整する場合には、先ず、第1調整ベース11のボルト8、8を緩めて第1調整ベース11を左右方向に移動させ、当該第1調整ベース11に記載された矢印をフレーム筐体2に記載されている数字の9に合わせる。尚、フレーム筐体2には図4に示すように7〜13(上記投写画素サイズ)の数字が記載されている。
ここで、上記各投写画素サイズに好適なLCDパネル7と縮小投写レンズ13の間の距離は予め測定されており、第1調整ベース11の矢印をフレーム筐体2の数字に合わせることで、当該数字の投写画素サイズに合ったLCDパネル7と縮小投写レンズ13間の距離となるように構成されている。そして、ボルト8、8を再び締めて第1調整ベース11の位置を固定する。
次に、第2調整ベース12のボルト9・・・を緩めて第2調整ベース12を左右方向に移動させ、当該第2調整ベース12に記載された矢印を第1調整ベース11に記載されている数字の9に合わせる。尚、第1調整ベース11には図5に示すように7〜13(上記投写画素サイズ)の数字が記載されている。
ここで、上記の如き第1調整ベース11の位置において上記各投写画素サイズに好適な縮小投写レンズ13と試料19の間の距離は予め測定されており、第2調整ベース12の矢印を第1調整ベース11の数字に合わせることで、当該数字の投写画素サイズに合った縮小投写レンズ13と試料19間の距離となるように構成されている。そして、ボルト9・・・を再び締めて第2調整ベース12の位置を固定する。
これによって、投写画素サイズが9μm/pixelとなる投写倍率で、試料19上にジャストフォーカスで画像が結像されることになる。係るフォーカス状態は試料19に反射してビームスプリッタ21を通過し、上方に向かう光がスコープ18に入射することで確認できる。その場合は、先ずステージ昇降摘み17を用いて試料設置ステージ16を基準位置に移動し、ロックする。次に、試料設置ステージ16上に図示しないフォーカスチェック用の反射ミラーを設置する。
次に、LCDプロジェクタ3の電源を投入し、パソコンPCから所定の調整用パターン画像のデータを入力する。LCDプロジェクタ3はLCDパネル7に入力された調整用パターン画像を表示するので、反射ミラーには係る調整用パターンが前述の投写倍率にて投写される。次に、スコープ18の上から覗き込み、調整用パターン画像のフォーカス状態を確認する。このとき像がぼけているときにはフォーカス調整リング18Bを用いて像が鮮明に見えるように調整するとよい。
このようにして投写倍率(ズーム)とフォーカスの調整が終了したら、前述した反射ミラーを取り除き、変わりに試料19を試料設置ステージ16に設置する。この場合、反射ミラーと試料19の板厚差はステージ昇降摘み17で調整するか、試料昇降ステージ16上に差厚分のスペーサを置いて調整する。その後、暗幕23を取り付け、前述の如く試料設置ステージ16、ビームスプリッタ21、スコープ18及び縮小投写レンズ13のビームスプリッタ21側の部分を覆う。これによって、LCDプロジェクタ3から試料19までの投写光の経路に外部から光が入射することが防止される。
ここで、実施例の試料19は図6に示すようにシランカップリング剤をコーティングしたシラン化カバーガラスと未処理のカバーガラス間に可視光重合開始剤を含んだモノマー(単量体)溶液を挟み込んだものである。
次に、係る試料19に投写する例えば細胞のマイクロパターン画像をパソコンPCで作成し、或いは、他で作成されたものをパソコンPCに読み込んでLCDプロジェクタ3に入力する。LCDプロジェクタ3はLCDパネル7に係る入力画像を表示するので、縮小投写レンズ13で縮小された画像が前述した投写倍率で試料19上に投写されることになる。
このようにして試料19に光を照射してモノマーの架橋重合反応を生じせしめた後、未処理のカバーガラスを剥がすとシラン化カバーガラス表面にポリマーのマイクロパターンが作製される。図7はポリジメチルシロキサンのマイクロパターンを作製した場合を示している。この場合、図7の上左側にパソコンPCで描画された画像を示し、その右側に実際に作製されたマイクロパターンを示している。また、下側にはシラン化カバーガラスの断面を示しており、架橋した3次元構造が構成されていることが分かる。
このように本発明では従来の如きフォトマスクを作製すること無く試料19に直接画像を投写してマイクロパターンを作製することが可能となるので、作製作業の迅速化とコストの削減を図ることができるようになる。特に、汎用のLCDプロジェクタ3を利用して装置を構成できるので、装置自体の生産コストも著しく削減できる。特に、ズーム調整機構4により試料19に結像される画像の投写倍率を調整できるので、用途に応じて微少形状の寸法調節を行えるようになり、汎用性に富んだものとなる。この場合、ズーム調整機構4は、LCDパネル7と縮小投写レンズ13間の距離を調整するための第1調整ベース11と、縮小投写レンズ13と試料19間の距離を調整するための第2調整ベース12とから構成されているので、試料19上に結像される画像のズーム調整とフォーカス調整を円滑、且つ、確実に行えるようになる。
また、LCDプロジェクタ3から試料19までの投写経路へ外部から入射光が入るのを遮断するために暗幕23を設けているので、外部からの入射光による試料への悪影響を排除することが可能となる。また、暗幕23であるので開閉が容易であり、例えば試料19(反射ミラー)を設置・交換する等の作業も容易に行える。
そして、このようにして作製されたマイクロパターンを用いて細胞のパターン制御を行う。尚、マイクロパターンとしては係る細胞のマイクロパターンの他、微細な通路(マイクロ流路)などの作製も可能である。
ここで、LCDパネル7が一度に表示できる寸法よりも大きい寸法の画像を取り扱う場合には、それを例えば右から左に移動する動画として作成するとよい。また、その場合には試料設置ステージ16を右から左に移動させる図示しない移動機構を設ける。そして、係る移動機構により、画像の移動に同期して試料19を移動させれば、LCDパネル7のサイズよりも全体寸法の大なる微細形状も作製することが可能となる。
尚、実施例ではモノマーの可視光による架橋重合によってマイクロパターンの作製を行ったが、それに限らず、薄膜にして光を照射すると構造が変化する所謂フォトレジストを用いても本発明は有効である。
本発明の実施例の光反応装置の前方斜視図である。 図1の光反応装置の後方斜視図である。 図1の光反応装置の投写経路を示す図である。 図1の光反応装置のフレーム筐体と第1調整ベースを示す背面図である。 図1の光反応装置の第1調整ベースと第2調整ベースを示す平面図である。 試料の構造及び試料への光の照射を示す図である。 図1の光反応装置で作製したポリジメチルシロキサンのマイクロパターンを示す図である。
符号の説明
1 光反応装置
2 フレーム筐体
3 LCDプロジェクタ
4 ズーム調整機構
7 LCDパネル
11 第1調整ベース(第1調整部)
12 第2調整ベース(第2調整部)
13 縮小投写レンズ
16 試料設置ステージ
18 スコープ
19 試料
21 ビームスプリッタ
PC パソコン

Claims (5)

  1. 入力画像を表示するLCDパネルに光を照射することによって前記画像を投写するLCDプロジェクタと、
    光反応性の試料を設置する試料設置ステージと、
    前記LCDプロジェクタからの投写光を縮小して前記試料上に結像させる縮小投写レンズと、
    前記試料に結像される画像の投写倍率を調整するためのズーム調整機構とを備えたことを特徴とする光反応装置。
  2. 前記ズーム調整機構は、前記LCDパネルと前記縮小投写レンズ間の距離を調整するための第1調整部と、前記縮小投写レンズと前記試料間の距離を調整するための第2調整部とから構成されていることを特徴とする請求項1の光反応装置。
  3. 前記LCDプロジェクタから前記試料までの投写経路への外部からの入射光を遮断するための暗幕を設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2の光反応装置。
  4. 前記試料上に結像される画像のフォーカスを確認するためのスコープを備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項3の光反応装置。
  5. 前記LCDプロジェクタに入力される動画に同期して前記試料を移動させる移動機構を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項4の光反応装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013073707A1 (ja) 2011-11-20 2013-05-23 学校法人東京女子医科大学 細胞培養用基材及びその製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100919820B1 (ko) * 2007-11-26 2009-10-01 한국전자통신연구원 광화학 합성 장치
US8062864B2 (en) 2007-05-21 2011-11-22 Alderbio Holdings Llc Nucleic acids encoding antibodies to IL-6, and recombinant production of anti-IL-6 antibodies
US8743340B2 (en) 2008-12-31 2014-06-03 Rolls-Royce Corporation System and method for imaging apparatus calibration
CN111421814B (zh) * 2020-02-29 2022-05-06 湖南大学 一种多材料光固化3d打印设备
CN111421813B (zh) * 2020-02-29 2022-05-20 湖南大学 一种多材料光固化3d打印装置及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10210327A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Sony Corp カメラ装置
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JP2002510969A (ja) * 1997-05-14 2002-04-09 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレーション マイクロパターン化形態における細胞の共培養
WO2002039189A1 (fr) * 2000-11-10 2002-05-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes
JP2004501518A (ja) * 2000-06-21 2004-01-15 ラウノ サルミ 基盤を個別にマーキングするための方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3377814D1 (en) * 1982-06-05 1988-09-29 Olympus Optical Co An optical system focus-state detector
JPH0722101B2 (ja) * 1985-08-29 1995-03-08 株式会社ニコン 投影型露光装置用遮風装置
JPH03105911A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd 微細パターン転写方法およびその装置
JP3047983B2 (ja) * 1990-03-30 2000-06-05 株式会社日立製作所 微細パターン転写方法およびその装置
JPH0430416A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Dainippon Printing Co Ltd 微細パターンの加工方法
US6235438B1 (en) * 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP3427350B2 (ja) 1999-11-22 2003-07-14 関西ティー・エル・オー株式会社 光反応加工方法ならびに光反応加工装置
US20040158300A1 (en) * 2001-06-26 2004-08-12 Allan Gardiner Multiple wavelength illuminator having multiple clocked sources
JP4141674B2 (ja) * 2001-10-22 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出ヘッド、その拭取り方法およびこれを備えた電子機器
EP1467253A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JPH10210327A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Sony Corp カメラ装置
JP2002510969A (ja) * 1997-05-14 2002-04-09 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレーション マイクロパターン化形態における細胞の共培養
JP2004501518A (ja) * 2000-06-21 2004-01-15 ラウノ サルミ 基盤を個別にマーキングするための方法
WO2002039189A1 (fr) * 2000-11-10 2002-05-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013073707A1 (ja) 2011-11-20 2013-05-23 学校法人東京女子医科大学 細胞培養用基材及びその製造方法

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