CN100479092C - 升降式基板处理装置及具有该装置的基板处理系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，其具有从处理线其中一处朝另一处传送基板的功能，且可在传送中有效地处理基板。基板处理装置(10)由外壳体(11)、处理机构(20)和升降机构(40)构成。外壳体(11)具有在上下处并设的基板投入口(11a)和基板排出口(11b)，呈框体状。处理机构(20)内置于外壳体(11)内，包括：容纳并支持从基板投入口(11a)送入的基板、从基板排出口(11b)排出基板的传送-支持机构；支持传送-支持机构的支持架台(21)；使传送-支持机构支持的基板倾斜的基板倾斜机构；设于传送-支持机构上方、将处理流体喷到由基板倾斜机构倾斜的基板上的处理流体喷出机构。升降机构(40)支持处理机构(20)并使其沿上下方向升降，使处理机构(20)经过基板投入口(11a)和基板排出口(11b)。

Description

升降式基板处理装置及具有该装置的基板处理系统

技术领域

本发明涉及一种对于半导体(硅)晶片、液晶玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等各种基板、在一边使其移动(一边传送)一边进行规定处理的处理装置及连接多个处理装置所构成的基板处理系统。

背景技术

比如，在液晶玻璃基板的制造工序中，进行显影液的涂敷、蚀刻液的涂敷、用于剥离抗蚀膜的剥离液的涂敷的湿式工艺处理，在各湿式工艺处理期间，进行洗净处理和干燥处理。

另外，作为用于上述各处理的处理装置，在目前，人们知道有按照下述方式构成的处理装置，该方式为：将基板放置于传送辊上，通过上述传送辊，一边将基板沿水平方向传送一边对其进行处理。此外，人们知道有图15所示的基板处理系统，为了连续地进行上述各处理，该系统按照将各处理装置连接的方式构成。

图15是表示现有例的基板处理系统的基本构成的平面图，如该图15所示，该基板处理系统200由基板投入/排出部201、基板处理部205和基板传送部210构成。上述基板投入/排出部201由载置台202和转移装置204构成，该载置台202载置容纳多个基板的盒203，该转移装置204从载置于载置台202上的盒203的内部，逐张地取出基板，将其投入到基板处理部205，从基板处理部205取出已结束处理的基板，将其存储于盒203内。另外，上述转移装置204通常由机械手(robot)构成，该机械手可沿载置台202的纵向移动。

上述基板处理部205由相互平行地并设的第1处理部206和第2处理部207这2条处理线构成，该第1处理部206和第2处理部207如图16所示，具有分别沿箭头方向传送基板的多个传送辊208，可通过该传送辊208，一边传送基板一边对其进行规定的处理。比如，第1处理部206是对基板进行蚀刻处理的处理部，在传送中的基板上，涂敷蚀刻液。此外，第2处理部207由水洗处理部207a和干燥处理部207b构成，在水洗处理部207a中，将洗净水供给于基板，在干燥处理部207b中，向基板供给干燥用气体。

上述基板传送部210是将由第1处理部206处理的基板传送至第2处理部207的机构，其由下述部分构成，该下述部分包括：方向切换装置211，该方向切换装置211切换从第1处理部206排出的基板的传送方向，并对其进行传送；多个传送辊212，该多个传送辊212沿上述排出方向传送从方向切换装置211排出的基板；方向切换装置213，该方向切换装置213切换通过传送辊212传送的基板的传送方向并将该基板传送到第2处理部207。

如图17所示，上述方向切换装置211由下述部分构成，该下述部分包括：多个第1传送辊214，该多个第1传送辊214在与构成第1处理部206的传送辊208的传送面相同的水平面内，沿相同的传送方向传送基板K；升降器215，该升降器215设置于第1传送辊214之间，从第1传送辊214的传送面，沿上下方向突出退回；多组第2传送辊216，该多组第2传送辊216相互对置地设置于第1传送辊214的上方，具有与第1传送辊214的中心轴相垂直的中心轴，将基板K传送到上述传送辊212侧。另外，相互对置的第2传送辊216可沿相互接近/离开的方向移动。另外，在图中，标号217表示制止基板K移动的止动件。

根据该方向切换装置211，通过第1传送辊214将从第1处理部206排出的基板K沿上述排出方向传送，直至与止动件217接触。此时，升降器215从第1传送辊214的传送面朝向下方退回。接着，升降器215从第1传送辊214的传送面朝向上方突出，由此，使基板K上升到图17中的双点划线所示的位置。此时，第2传送辊216位于相互离开的位置。接着，第2传送辊216移动到相互接近的位置，然后，升降器215下降。由此，基板K处于被第2传送辊216支持的状态，然后，通过该第2传送辊216，沿与第1传送辊214的传送方向相垂直的方向、即朝向传送辊212侧传送，排出基板。这样，切换了基板K的传送方向。

特别是，上述方向切换装置213也具备与上述方向切换装置211基本相同的构成，切换由传送辊212传送的基板K的传送方向，将其传送至第2处理部207，虽然这一点在图中未示出。

如图15所示，在该基板处理系统200中，第1处理部206、基板传送部210和第2处理部207从平面看呈C字形设置，由转移装置204从盒203取出的基板K，首先投入到第1处理部206。接着，一边沿箭头方向在第1处理部206内传送基板K，一边对该基板进行规定的处理(蚀刻处理)，然后，在基板传送部210中，切换其传送方向，并将该基板投入至第2处理部207。而且，一边沿箭头方向在第2处理部207内传送基板K，一边对该基板进行规定的处理(水洗处理和干燥处理)，然后，由转移装置204再次将其存储于盒203内。

但是，在第1处理部206和第2处理部207中，如果在传送中，基板K的姿势发生变化，比如若相对于传送方向朝与其相垂直的方向倾斜时，则不能够进行精度良好的处理。于是，在目前，如图16所示，在上述传送辊208的两端部的辊上形成凸缘部208a，可通过该凸缘部208a对传送中的基板K的姿势进行控制。该情况对于上述第1传送辊214和第2传送辊216来说，也是相同的。但是，如果设置这样的凸缘部208a，则该凸缘部208a造成妨碍，不能在传送辊208的传送面内，切换基板K的传送方向。于是，在上述的方向切换装置211、213中，将基板K上抬到凸缘部208a的上端上方，方可切换其传送方向。

另外，由于上述原因，在以使基板K升降的方式构成的基板传送部210中，不能在该部进行基板K的处理，因此，只进行基板K的传送。即，比如在该部进行基板的洗净时，如果使基板K升降，则产生使从喷嘴喷射的洗净液较强的部位及不那么强的部位，洗净效果产生差异。

因此，在目前的基板处理系统200中，如上所述，在基板传送部210中不对基板K进行处理，但另一方面，由于该情况却产生下面描述的问题。

即，比如，如图15所示的例那样，在第1处理部206，对基板K进行蚀刻处理后，若未洗净就对其进行传送，则由于送至第2处理部207的传送时间的差异，蚀刻进行的程度不同，不能够高精度地对蚀刻进行控制。由于基板传送部210具有下述复杂的动作机构，该动作机构由使基板K升降的机构及使第2传送辊216移动的机构构成，故很难高精度地对传送时间进行控制。

另外，比如，在第1处理部206的最终工序为洗净工序的情况下，如果不进行干燥地传送基板K，则在表面上产生干燥斑迹，或产生污斑，基板K成为不良件。

而且，在上述现有的基板处理系统200中，一边沿水平方向传送水平支持状态的基板K，一边将蚀刻液、洗净水这样的各种处理液供给至该基板K，但存在下述问题，即，在这样将处理液供给至水平姿势的基板K的情况下，难以在基板K的表面上产生处理液的液流，最初供给的处理液滞留于基板K的表面上，故难以更换连续供给的新的处理液，处理花费时间，无法进行均匀的处理。

另一方面，如果向基板K供给大量的处理液，虽然可改善处理液的更换性，但使用大量的处理液，效率是较差的，另外，导致贮存该处理液的容器大型化、装置大型化。

另外，在上述现有的基板处理系统200中，由于平行地并设第1处理部206和第2处理部207这两条处理线，故还存在装置的设置效率差的问题。

发明内容

本发明是针对上述实际情况而开发出的，本发明的目的在于提供一种具有从其中一条处理线向另一条处理线传送基板的功能、并且能有效地对传送中的基板进行处理的基板处理装置及具有该装置的基板处理系统。

用于实现上述目的的本发明涉及一种升降式基板处理装置，其特征在于该升降式基板处理装置包括：

外壳体，呈框体状，该外壳体具有在其一侧面上下并设的基板投入口和基板排出口；

处理机构，该处理机构内置于上述外壳体内，该处理机构包括：传送-支持机构，该传送-支持机构容纳并支持从上述基板投入口送入的基板，另一方面，从上述基板排出口排出上述基板；支持架台，该支持架台支持上述传送-支持机构；基板倾斜机构，该基板倾斜机构使由上述传送-支持机构支持的基板倾斜；处理流体喷出机构，该处理流体喷出机构设置于上述传送-支持机构的上方，将处理流体喷出到由上述基板倾斜机构倾斜的基板上；

升降机构，该升降机构内置于所述外壳体内，支持上述处理机构，并使该处理机构沿上下方向升降，使上述处理机构经过上述基板投入口和基板排出口。

根据上述升降式基板处理装置，通过升降机构，使处理机构沿上下方向升降，经过基板投入口和基板排出口。而且，当处理机构经过基板投入口时，从上述基板投入口，容纳从前一工序的处理部排出的基板，对其进行支持，按照移动到基板排出口之前的规定时间，从处理流体喷出机构，将处理流体喷出到基板上。由此，对基板进行规定的处理，在处理后，将其从上述基板排出口排出并传送到下一工序的处理部。另外，在喷出处理流体、进行规定的处理的期间，通过基板倾斜机构，使基板相对水平面倾斜规定角度。

这样，根据该升降式基板处理装置，由于可使由支持基板的传送-支持机构及将处理流体喷出到该支持的基板上的处理流体喷出机构构成的处理机构的整体升降，故在传送基板时，基板与处理流体喷出机构之间的位置关系不变化，因此，比如，在对基板进行洗净的情况下，可将从处理流体喷出机构喷出的洗净液近乎均匀地供给到基板上的各部分，可进行没有斑点的洗净。

另外，由于能以由升降机构使处理机构升降的这种单一的动作传送基板，故其速度控制容易，因此，即使在进行蚀刻等处理的情况下，仍可高精度地对其进行控制。

而且，由于可向已倾斜的基板喷出处理流体，故供给到基板表面上的处理流体因基板的倾斜而产生向下流动的液流，通过该液流，基板表面上的处理流体依次由连续供给的新的处理流体更换。这样，通过该处理流体的更换作用，可以少量的处理流体，在较短时间内，均匀地对基板表面进行处理。

还有，近年来，伴随基板的大型化，存在用于对其进行处理的处理流体的使用量、处理时间增加的倾向，但如上所述，通过使基板倾斜，对其进行处理，可减小处理流体的使用量，达到装置小型化的目的，可降低处理成本。

在本发明中，在上述处理流体中，包括显影液、蚀刻液、用于剥离抗蚀膜的剥离液、洗净用的洗净水、干燥用的气体等这些对基板进行处理用的各种流体，可将上述各种处理流体供给到基板上，对其进行处理。

但是，就基板的倾斜角度来说，控制液流在基板表面上流落的速度，换言之，控制处理液在基板表面上滞留的时间，在该速度适当时，可获得所需的处理效果。

按照该含义，在上述处理液喷出机构是以喷出作为处理流体的蚀刻液的方式构成的情况下，由上述基板倾斜机构倾斜的基板，相对于水平面的倾斜角度优选在1°以上7.5°以下的范围内(更优选在2°以上5°以下的范围内)。采用该范围的原因在于：如果上述倾斜角度超过7.5°，则液流的速度过快，即，基板表面上的蚀刻液的滞留时间过短，反之，在倾斜角度不足1°的情况下，液流的速度过慢，即，基板表面的蚀刻液滞留较长时间，在任何一种情况下，均无法充分地进行处理，蚀刻液的使用量增大。

还有，在上述基板的倾斜角度在1°以上7.5°以下的范围内的情况下，如果将其换算为在该基板表面上流落的蚀刻液的加速度，则该加速度是在重力加速度的0.08倍以上0.13倍以下的范围内，在特别是优选的2°以上5°以下的范围内的情况下，上述蚀刻液的加速度是在重力加速度的0.03倍以上0.09倍以下的范围内。

另外，在上述处理流体喷出机构是以可喷出作为处理流体的洗净液或剥离液的方式构成的情况下，由上述基板倾斜机构倾斜的基板，相对于水平面的倾斜角度优选在45°以上75°以下的范围内(更优选在55°以70°以下的范围内)。采用该范围的原因在于：如果上述倾斜角度超过75°，则液流的速度过快，即，基板表面上的洗净液或剥离液的滞留时间过短，反之，在倾斜角度不足45°的情况下，液流的速度过慢，即，基板表面的蚀刻液滞留较长时间，在任何一种情况下，均无法充分地进行处理，洗净液、剥离液的使用量增大。

另外，在上述基板的倾斜角度在45°～75°的范围内的情况下，如果将其换算为洗净液、剥离液在该基板表面上流落的加速度，则该加速度是在重力加速度的0.7倍以上0.97倍以下的范围内，在特别优选的55°以上70°以下的范围内的情况下，上述洗净液、剥离液的加速度是在重力加速度的0.82倍以上0.94倍以下的范围内。

此外，上述处理机构也可以具备摆动机构，该摆动机构使由上述处理流体喷出机构喷出的处理流体的喷出方向，在与上述基板的倾斜方向平行、且与该基板相垂直的平面内摆动，即，在基板的倾斜的向上方向和向下方向之间摆动。

如果这样，当使处理流体的喷出方向朝向基板的倾斜向上方向摆动时，通过上述摆动，处理流体滞留于基板表面上的作用增大，另一方面，当使处理流体的喷出方向朝向基板的倾斜向下方向摆动时，通过该摆动，在基板表面上流落的处理流体的速度增大，处理液的滞留和流落在整个基板表面反复地产生。这样，通过该作用，可在较短时间内，通过更少量的处理流体，均匀地对整个基板表面进行处理。

另外，上述传送-支持机构能够以在容纳上述基板后、使已容纳的基板沿上述基板的送入方向和排出方向反复前后运动的方式构成。

如上所述那样，在升降式基板处理装置中，可将从处理流体喷出机构喷出的处理流体近乎均匀地供给到基板上的各部分上，但另一方面，存在象在处理流体本身中有比如压力较高的部位和较低的部位这样产生不均匀的情况，但是在这样的情况下，不能够对基板进行严格意义上的均质处理。

于是，如上所述，如果按照沿该送入方向和排出方向反复地使容纳、支持于传送-支持机构上的基板前后运动的方式构成，则通过基板的前后运动，对碰到基板的处理流体的压力不均匀进行平均化处理，可对基板进行均质的处理。此外，该处理流体的压力不均匀的平均化处理也可通过上述处理流体的喷出方向的摆动而进行。

另外，上述升降式基板处理装置的结构可以是：利用分隔部件，沿上述基板的排出方向，将上述外壳体分隔为驱动室和处理室这样两个室，并在具有上述基板投入口和基板排出口的上述处理室中设置上述处理机构，另一方面，在上述驱动室中设置上述升降机构；

在上述分隔部件上，沿上下方向，形成将上述处理室和驱动室连通的开口部；

形成于上述分隔部件上的开口部的沿上下方向的两缘部分别呈筒状，并且在该一对各筒状部的相互对置的面上形成沿上下方向的缺口槽；

上述处理机构的上述支持架台，利用设置于上述分隔部件的开口部内的连接件，与上述升降机构连结；

在上述连接件上，连接有带状的片体，该片体设置于上述一对筒状部之间，并且以朝向上述连接件的上方和下方延伸的方式设置，其两侧缘部分别从上述缺口槽插入至上述筒状部内；

上述驱动室和处理室由上述分隔部件、连接件及片体分隔所成。

处理流体中包含的显影液、蚀刻液、剥离液等的腐蚀性较高，如果其附着于升降机构上，则存在该升降机构受到损伤、其功能受到损害的危险。于是，如上所述那样，如果设置有升降机构的驱动室和设置有处理机构的处理室通过分隔部件、连接件和片体分隔，则可防止处理室所使用的处理流体侵入到驱动室，可防止因处理流体造成的升降机构损伤的情况。特别是，由于采用下述的所谓迷宫结构，其中，将沿着设置于分隔部件上的开口部的上下方向的缘部形成为筒状，并且以朝向连接件的上方和下方延伸的方式设置的片体的两侧缘部，从形成于上述筒状部的缺口槽中插入至该筒状部内，故可使驱动室和处理室这两者的气密性提高。

而且，也可设置有多组上述开口部、连接件和片体。另外，如果设置将上述筒状部内的气体排出的排气机构，由于对于从上述片体与缺口槽之间的间隙侵入筒状部内的处理流体，可通过上述排气机构进行排气，故可更加确实地防止处理流体侵入到驱动室。

另外，上述片体可呈无端头状、环状。另外，也可象这样构成，即，在上述片体的上部侧和下部侧，分别设置对上述片体进行卷绕和排送的卷绕-排送机构，随着通过上述升降机构而升降的片体的运动，由上述卷绕-排送机构进行上述片体的卷绕和排送，还可象这样构成，即，卷绕-排送机构由卷绕片体的卷绕轴和使该卷绕轴旋转的驱动机构构成，而且，上述驱动机构的结构是：在上述卷绕轴沿排送方向旋转时，仅使制动力作用于卷绕轴，另一方面，在使上述卷绕轴沿卷绕方向旋转时，通过摩擦离合器，将动力传递给上述卷绕轴。根据该卷绕-排送机构，片体不产生松弛，可将其卷绕、排送。

再有，上述驱动机构可由下述部件构成，该下述部件包括：从动齿轮，该从动齿轮与上述卷绕轴连接；驱动齿轮，该驱动齿轮与上述从动齿轮啮合；摩擦离合器，该摩擦离合器与上述驱动齿轮连结；旋转轴，该旋转轴与上述摩擦离合器连结；两个单向离合器，该两个单向离合器分别与旋转轴的两端部连结，允许旋转轴仅沿一个方向旋转；滑轮，该滑轮通过其中一个上述单向离合器，与上述旋转轴连结；传动皮带，该传动皮带卷绕于上述滑轮上；支持部件，该支持部件支持另一个上述单向离合器；上述两个单向离合器的结构可以是：允许上述旋转轴朝着使上述卷绕轴沿卷绕方向旋转的方向的旋转，另一方面，限制上述旋转轴朝着使上述卷绕轴沿排送方向旋转的方向的旋转；并且上述传动皮带以通过上述升降机构实现旋转的方式构成。

而且，根据上述结构的升降式基板处理装置，可形成下述基板处理系统，该基板处理系统的结构是：在上下处并设有一边以水平状态或倾斜状态移动基板一边对该基板进行处理的第1基板处理装置和第2基板处理装置；将上述第1基板处理装置的基板排出部和上述升降式基板处理装置的基板投入口相连接；另一方面，将上述第2基板处理装置的基板投入部和上述升降式基板处理装置的基板排出口相连接；使基板依次经过第1基板处理装置、升降式基板处理装置、第2基板处理装置。其与在同一水平平面内并设第1基板处理装置和第2基板处理装置的现有的处理系统相比较，设置空间可较小。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理系统的基本构成的主视图。

图2是表示本实施方式的基板处理系统的基本构成的平面图。

图3是表示本实施方式的升降式基板处理装置的基本构成的正剖视图。

图4是表示本实施方式的蚀刻装置的基本构成的正剖视图。

图5是表示本实施方式的蚀刻装置的基本构成的侧剖视图。

图6是沿图5中的CC-CC方向的平剖视图。

图7是沿图3中的AA-AA方向的平剖视图。

图8是沿图3中的BB-BB方向的平剖视图。

图9是沿图6中的GG-GG方向的侧剖视图。

图10是本实施方式的卷绕/排送机构的平剖视图。

图11是表示本发明的其它实施方式的升降机构的基本构成的正剖视图。

图12是沿图11中的EE-EE方向的平面剖视图。

图13是表示本发明的其它实施方式的基板处理系统的基本构成的平面图。

图14是沿图13中的FF方向的侧视图。

图15是表示现有例的基板处理系统的基本构成的平面图。

图16是表示现有例的传送辊的主视图。

图17是表示现有例的方向切换装置的基本构成的示意图。

符号说明：1基板处理系统，2基板投入/排出部，5盒，6第1基板处理装置，7第2基板处理装置，10升降式基板处理装置，11a、14、16分隔部件，13筒状部件，15筒状部，20处理机构，21支持架台，22蚀刻装置，26传送辊，29、30喷嘴，33基台，37驱动缸，40升降机构，41圆头螺栓，42螺母，43伺服马达，65、66片体，70卷绕/排送机构，72、76卷绕轴，80滑轮，82传动皮带，85、80齿轮，87、88单向离合器，86转矩保持器，110摇动装置，114移动轴，117第2连杆，118第2驱动轴，119接合部件。

具体实施方式

下面根据附图，对本发明的具体实施方式进行描述。图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理系统的基本构成的主视图，图2是其平面图。另外，图3是表示本实施方式的升降式基板处理装置的基本构成的正剖视图，图4是表示本实施方式的洗净装置的基本构成的正剖视图，图5是其侧剖视图。另外，图6是沿图5中的CC-CC方向的平剖视图，图7是沿图3中的AA-AA方向的平剖视图，图8是沿图3中的BB-BB方向的平剖视图。此外，图3也是沿图7中的DD-DD方向的剖视图。

首先，对本例的基板处理系统1的构成进行描述。

如图1和图2所示，本例的基板处理系统1由基板投入/排出部2、在上下处并设的第1基板处理装置6和第2基板处理装置7和升降式基板处理装置10构成。基板投入/排出部2由载置台4和转移装置3构成，该载置台4上放置着容纳多个基板的盒5，该转移装置3逐张地从放置于载置台4上的盒5内取出基板，将其投入第1基板处理装置6，另一方面，从第2基板处理装置7取出已处理完成的基板，将其存放于盒5中。另外，转移装置3由可沿载置台4的纵向(箭头所示方向)移动的机械手构成。另外，盒5通过图中未示出的AGV等的传送装置运送。

上述第1基板处理装置6在其基板投入侧具有使基板相对于水平状态倾斜1°以上7.5°以下角度(在本例中为7°)的基板倾斜机构部，并且还具有以连续倾斜状态沿箭头所示方向传送倾斜的基板的倾斜传送部。另一方面，第2基板处理装置7沿箭头所示方向依次具有：接受从升降式基板处理装置10排出的基板、再使该基板大幅度倾斜为45°以上75°以下的角度(在本例中为70°)的基板倾斜机构部；以连续倾斜状态沿箭头所示方向传送倾斜的基板的倾斜传送部；将倾斜的基板返回至水平状态的倾斜返回机构部。而且在本例中，第1基板处理装置以一边传送基板一边对基板进行蚀刻的方式构成，第2基板处理装置7以一边传送该基板一边对该基板进行洗净及干燥的方式构成。

如图3、图7及图8所示，上述升降式基板处理装置10由呈框体状的外壳体11、设置于该外壳体11内的处理机构20及升降机构40等构成。另外，在该外壳体11中，形成有开口部11a和开口部11b，该开口部11a与第1基板处理装置6的内部连通，该开口部11b与第2基板处理装置7的内部连通。另外，外壳体11由支柱12支持，将外壳体11的内部，分隔为处理室A和驱动室B，在该处理室A中设置有处理机构20，在驱动室B中设置有升降机构40。

上述处理机构20由蚀刻装置22和支持该蚀刻装置22的支持架台21构成。该蚀刻装置22如图4～图6所示，由下述部分等构成，该下述部分包括：外壳23，在该外壳23的一侧面设置有送入/排出基板K的开口部23a，该外壳23呈框体状；多个传送辊26，该多个传送辊26设置于上述外壳23的内部；多个喷嘴29，该多个配置29设置于上述传送辊26的上方；多个喷嘴30，该多个喷嘴30设置于传送辊26的下方，与多个喷嘴29相同。

在最接近上述开口部23a的传送辊26上，设置有夹持辊27，该夹持辊27与该传送辊26的上部接触，夹持基板K，通过这些传送辊26和夹持辊27的正反向旋转，将基板K从上述开口部23a送入，从该开口部23a排出。

另外，传送辊26的旋转轴26a的两端部以可旋转的方式支持于基台33上，在该基台33上，设置有导向辊34，该导向辊34在与基板K的传送方向相垂直的方向上限制基板K的移动。该基台33，以可沿与基板K的传送方向相垂直的方向倾斜的方式，其中央部借助连接部件36，可摆动地支持于支持部件35上，并且其一个端部借助接合部件38，与驱动缸37的活塞杆37a接合。

上述驱动缸37由油压缸或气压缸构成，通过使其活塞杆37a升降，以上述连接部件36的支持位置为支点，使基台33沿与基板K的传送方向相垂直的方向倾斜，由此，同样地使传送辊26上的基板K倾斜。另外，该基台33相对于水平面的倾斜角优选在1°～7.5°的范围内，在本例中，设定为7°。

设置于传送辊26的上方的各喷嘴29分别固定于与图中未示出的蚀刻液供给源连接的多个供给管28上，将从上述蚀刻液供给源(图中未示出)供给至各供给管28的蚀刻液朝向基板K的上面(表面)喷射。上述供给管28以其轴线沿基板K的传送方向的方式，两个供给管间隔规定间距排列成一排，并且该供给管28列在以与上述基台33的上述倾斜角相同的角度倾斜的平面内并设为多列，形成于其两端部的支持部28a通过支持部件100并借助轴承101，分别以可旋转的方式支持。而且，各供给管28列可通过摆动装置110，绕其轴中心正反向旋转。这样，通过该供给管28的正反向旋转，各喷嘴29在与基板K的传送方向相垂直的平面内摆动，从各喷嘴29喷射的蚀刻液的喷射方向，在基板K的倾斜向上方向和向下方向之间摆动。

如图6和图9所示，上述摆动装置110由下述部件等构成，该下述部件包括：驱动马达111；旋转板112，该旋转板112设置于驱动马达111的输出轴111a上；第1杆113，该第1杆113以可绕轴中心旋转的方式立设于与旋转轴112的中心位置离开的位置；第1驱动轴114，该第1驱动轴114的一端设置于外壳23内，另一端设置于外壳23之外；第2杆115，该第2杆115以可绕轴中心旋转的方式立设于第1旋转轴114的另一端侧外周部；第1连杆116，该第1连杆116将第1杆113和第2杆115连接在一起；两个第2驱动轴118，该两个第2驱动轴118以规定间距间隔开，按照与上述支持部件100平行的方式设置于构成上述各列的供给管28、28之间的下方位置；多个第2连杆117，在该多个第2连杆117的一端，形成有接合孔117a，该接合孔117a分别与上述各供给管28的支持部28a接合，在该多个第2连杆117的另一端，突设有接合轴117b，该接合轴117b以嵌合方式插入形成于上述第2驱动轴118上的接合孔118a中；接合部件119，该接合部件119具有接合轴119a，该接合轴119a与形成于上述各第2驱动轴118中的缺口部118b接合；支持部件120，该支持部件120固定于上述第1驱动轴114的上述一个端部，并且支持上述接合部件119。另外，图9是沿图6的GG-GG方向的侧剖视图。

这样，如果驱动马达111旋转，则其旋转驱动力通过输出轴111a，传递给旋转板112，其旋转，伴随该旋转板112的旋转，通过第1杆113、第1连杆116和第2杆115，使第1驱动轴114沿其轴线方向前后运动(往复运动)。而且，如果第1驱动轴114沿其轴线方向前后运动，则其动力通过支持部件120、接合部件119，传递给第2驱动轴118，使第2驱动轴118前后驱动。而且，伴随第2驱动轴118的前后运动，通过第2连杆117，与第2驱动轴118连接的各供给管28如上述那样，沿正反向绕其轴中心旋转，使固定于其上的各喷嘴29在与基板K的传送方向相垂直的平面内摆动。

设置于传送辊26的下方的上述各喷嘴30固定于连接于上述蚀刻液供给源(图中未示出)上的多个供给管31上，通过这些各供给管31，将从上述蚀刻液供给源(图中未示出)供给的蚀刻液朝向基板K的下面喷射。另外，各供给管31沿基板K传送方向并设，借助固定部件102通过固定于基台33上的支持部件103支持。另外，在上述支持部件103上，设置有检测基板K的有无的传感器32。

此外，在上述外壳23的下端部，设置有集液槽24，该集液槽24通过开口部23b相互连通，从各喷嘴29、30喷射的蚀刻液回收于该集液槽24，通过排出管25，适当地排出。

在上述驱动室B内，立设有支架17，该支架17由方管形成，呈纵向格子状，在该支架17上，设置有上述升降机构40。另外，支架17通过托架18，安装于支柱12上。

上述升降机构40由下述部件等构成，该下述部件包括：升降台44，该升降台44通过连接件55、56及57、58，与支持架台21连接；一对导轨45，该一对导轨45并设于构成上述支架17的纵架的上述处理室A侧的面上；滑动部件46，该滑动部件46按照可沿各导轨45移动的方式分别与各导轨45接合，并且固定于升降台44上；圆头螺栓41，该圆头螺栓41按照可旋转且与导轨45保持平行的方式支持于支架17上；螺母42，该螺母42按照与该圆头螺栓41螺合的方式，固定于升降台44上；伺服马达43，该伺服马达43固定于支架17上，旋转、驱动圆头螺栓41。

如果通过上述伺服马达43使圆头螺栓41旋转，则与其螺合的螺母42沿该圆头螺栓41移动(升降)，与该螺母42连接的升降台44、通过连接件55、56及57、58连接于该升降台44上的支持架台21和支持于其上的蚀刻装置22与螺母42一起升降。

驱动室B和处理室A通过分隔部件11a、14、16分隔。在分隔部件11a、14之间，及分隔部件14、16之间，分别形成开口部，以位于各开口部内的方式，分别设置有连接件55、56及57、58。另外，形成各开口部的分隔部件14的两侧缘部15沿其延伸而呈筒状，在与其相对向的分隔部件11a、16的各缘部，沿该缘部，分别设置有筒状部件13。另外，在分隔部件14的两侧缘的筒状部15的筒状部件13的各相对向面上，分别形成沿上下方向的缺口槽。

此外，在上述分隔部件14的两侧缘的筒状部15和上述筒状部件13之间，沿该间隙，分别设置有带状的片体65、66。该片体65、66的两侧缘分别从上述缺口槽，插入筒状部15、筒状部件13内，以通过连接件55、56及57、58从内外面夹持的方式固定于它们上。而且，片体65、66的各上端部和下端部分别卷绕于后述的卷绕/排送机构70上。另外，筒状部15和筒状部件13可通过图中未示出的适合排气机构，将其内部的气体排出。另外，在本例中，上述片体65、66采用耐磨性和耐腐蚀性优良的特氟隆(注册商标)制的片。但是，并不限于此，可采用比如不锈钢制的片体。

这样，上述驱动室B和处理室A实质上通过分隔部件11a、14、16、筒状部件13、13、连接件55、56、57、58、片体65、66分隔。

还有，如图7所示，在升降台44上安装驱动马达60，并且连接平衡块50。驱动马达60通过托架62，固定于升降台44上，通过传动皮带61，驱动蚀刻装置22的传送辊26。另一方面，平衡块50由导向杆51和主体52构成，该导向杆51以与导轨45相平行的方式固定于支架17上，该主体52以可沿上述导向杆51移动的方式，与上述导向杆51接合，并且与上述升降台44接合。

上述卷绕/排送机构70如图3所示，设置于支架17的上部和下部这两个部分上，具体来说，如图8所示，由卷绕轴72、76、与该卷绕轴72、76这两者连接的驱动轴71、驱动驱动轴71的齿轮85等构成。

上述卷绕轴72、76分别通过托架75、79可旋转地被支持。而且，片体66依次经由以可旋转的方式支持于托架75上的导向辊73、74，其端部卷绕于卷绕轴72上，片体65依次经由以可旋转的方式支持于上述托架79上的导向辊77、78，其端部卷绕于卷绕轴76上。

上述齿轮85如图10所示，固定于转矩保持器(torque keeper)86上。旋转轴81穿过转矩保持器86，旋转轴81由固定于托架84上的轴承90和单向离合器87支持。另外，在旋转轴81的端部，通过单向离合器88，固定有滑轮80。此外，齿轮85与固定于驱动轴71上的齿轮89啮合。此外，上述单向离合器87、88具有限制上述旋转轴81的旋转方向的功能。在本例中，在设置于上部的卷绕/排送机构70的情况下，对旋转轴81沿箭头E方向的旋转进行限制，另一方面，允许该旋转轴81沿箭头F方向的旋转，在设置于下部的卷绕/排送机构70的情况下，对旋转轴81沿箭头F方向的旋转进行限制，另一方面，允许该旋转轴81沿箭头E方向的旋转。此外，转矩保持器86是所谓的摩擦离合器，其对旋转轴81施加规定的制动力。

另外，如图3所示，呈无端头状的传动皮带82绕过于上下设置的上述滑轮80、80，传动皮带82由固定于上述螺母42上的保持件83保持。

下面对具有上述构成的基板处理系统1的动作进行描述。另外，升降式基板处理装置10处于图3中的以实线所示的状态。

首先，通过转移装置3，从盒5中，依次取出基板K，将其投入第1基板处理装置6。将已投入的基板K在第1基板处理装置6内，通过基板倾斜机构部，使之相对于水平状态倾斜规定角度(在本例中为7°)，一边在倾斜状态由倾斜传送部沿箭头所示方向传送，一边对其进行规定的处理(蚀刻处理)，然后，依次将其从第1基板处理装置6排出。

接着，已排出的基板K依次通过升降式基板处理装置10的开口部11a、开口部23a，进入蚀刻装置22内，在传送辊26的作用下，送入到内部。

再者，蚀刻装置22内的基台33，通过上述驱动缸37，预先相对于水平面倾斜7°，以倾斜状态从第1基板处理装置6排出的基板K，在维持该倾斜状态的状态下被送入至蚀刻装置22内。此时，基板K的两侧由导向辊34引导，基板K不会沿倾斜方向滑落。而且，若基板K的送入结束，则同时进行蚀刻处理和蚀刻装置22的降下。

即，从蚀刻液供给源(图中未示出)分别向供给管28、31供给蚀刻液，从设置于供给管28上的喷嘴29和设置于供给管31上的喷嘴30，分别喷射蚀刻液，对基板K的表面进行蚀刻。另外，朝向基板K的背面喷射蚀刻液的原因在于，在不这样的情况下，蚀刻液部分地从基板K的表面蔓延，在该背面上形成污斑，通过对整个背面吹拂蚀刻液，可防止形成污斑。而且，在蚀刻中，通过摆动装置110，使各供给管28绕其轴中心正反向旋转，使从各喷嘴29喷射的蚀刻液的喷射方向在基板K的倾斜向上方向和向下方向之间摆动。

而且，如果进行规定时间的蚀刻，则停止从蚀刻液供给源(图中未示出)供给蚀刻液，并停止因摆动装置110产生的喷嘴29的摆动。而且，该蚀刻处理在蚀刻装置22下降完成之前的期间结束。

另一方面，蚀刻装置22的下降是通过升降机构40的伺服马达43驱动而进行的。即，如果通过伺服马达43，使圆头螺栓41沿下降方向旋转，则与其螺合的螺母42沿圆头螺栓41下降，与螺母42连接的升降台44、借助连接件55、56及57、58与该升降台44连接的支持架台21及支持于该支持架台21上的蚀刻装置22与螺母42一起下降。

如果螺母42下降，则通过保持件83，与螺母42连接的传动皮带82沿箭头C的方向旋转。另外，如果连接件55、56及57、58下降，固定于其上的片体65、66一起朝向下方移动，伴随该移动，从设置于上部的卷绕/排送机构70，排送片体65、66，将片体65、66卷绕于设置于下部的卷绕/排送机构70上。

下面，使用图10对该卷绕/排送机构70的卷绕/排送动作进行更加具体的描述。图10是设置于上部和下部的卷绕/排送机构70的平剖视图。另外，虽然根据图示，对连接件57、58和片体66进行了描述，但是，对于连接件55、56和片体65来说，也是相同的。

首先，对设置于上部的卷绕/排送机构70进行描述。在设置于上部的卷绕/排送机构70中，如果连接件57、58下降，则在片体66上产生张力，对卷绕轴72沿箭头H所示的方向施加旋转动力。该旋转动力依次通过与卷绕轴72连接的驱动轴71、固定于其上的齿轮88、与该齿轮88啮合的齿轮85、安装有齿轮85的转矩保持器86，传递给旋转轴81。但是，由于通过单向离合器87，对旋转轴81的沿箭头E所示的方向的旋转进行限制，故阻止相同方向的旋转。由此，作用于片体66上的张力逐渐增大，传递给转矩保持器86的转矩增大。

如果作用于齿轮85的转矩大于规定的值，则转矩保持器86允许齿轮85沿转矩作用方向旋转。由此，齿轮85沿箭头E所示的方向旋转，齿轮88、驱动轴71和卷绕轴72分别沿箭头H所示的方向旋转，从卷绕轴72排送片体66。这样，由于在产生规定的张力的状态下排送片体66，故在排送时，不产生松弛。

另一方面，如果伴随螺母42的下降，传动皮带82沿图3所示的箭头C方向旋转，则滑轮80受到箭头E方向的旋转动力，但是通过介于滑轮80和旋转轴81之间的单向离合器88的作用，滑轮80相对旋转轴81，沿箭头E所示方向自由旋转。滑轮80在没有妨碍的情况下，伴随传动皮带82，沿箭头E所示的方向旋转。单向离合器88限制旋转轴81沿箭头E所示方向的旋转，但是，允许其沿箭头F所示方向的旋转。因此，单向离合器88可相对旋转轴81，沿箭头E所示的方向自由旋转。

下面，对设置于下部的卷绕/排送机构70进行描述。在设置于下部的卷绕/排送机构70中，如果螺母42下降，传动皮带82沿上述箭头C所示方向旋转，则滑轮82受到箭头E所示方向的旋转动力。如上所述，在设置于下部的卷绕/排送机构70的情况下，单向离合器87、88限制旋转轴81朝箭头F所示方向的旋转，另一方面，允许其朝箭头E所示方向的旋转。因此，如果滑轮82受到箭头E所示方向的旋转动力，则旋转轴81沿相同方向旋转。如果旋转轴81沿箭头E所示方向旋转，则其旋转动力通过转矩保持器86、齿轮85和齿轮88，传递给驱动轴71和卷绕轴72，使它们沿箭头H所示方向旋转，将片体66卷绕于卷绕轴66上。

在本例中，按照卷绕轴72的卷绕速度大于片体66和传动皮带82的移动速度的方式，设定卷绕轴72的轴径、滑轮80的直径及齿轮85和齿轮88之间的齿轮传动比。如果卷绕轴72的卷绕速度大于片体66的移动速度，则作用于片体66的张力逐渐增大，传递给转矩保持器86的转矩增大。如上所述，如果作用于齿轮85的转矩大于规定的值，则转矩保持器86允许齿轮85沿转矩作用方向旋转。由此，齿轮85与旋转轴81处于滑移状态，旋转轴81在没有妨碍的情况下，伴随滑轮80而沿箭头E所示方向旋转。这样，由于片体66在产生规定的张力的状态下卷绕，故在卷绕时不产生松弛。

如上面具体描述的那样，如果采用本卷绕/排送机构70，伴随蚀刻装置22的下降，可在没有松弛的情况下，卷绕和排送片体65、66。

另外，如上所述，如果蚀刻装置22下降到下降端，则使传送辊26沿排出方向旋转，将基板K从开口部23a排出，从外壳体11的开口部11b，将该基板K传送到第2基板处理装置7中。另外，图3中的双点划线表示蚀刻装置22达到下降端的状态。

如果基板K的排出完成，则升降机构40的伺服马达43进行驱动，使蚀刻装置22上升。此时，通过与上述相反的驱动，将片体65、66卷绕于设置于下部的卷绕/排送机构70上，从设置于下部的卷绕/排送机构70，排送片体65、66。

而且，如果蚀刻装置22到达上升端，则反复进行上述基板K的送入以后的动作。另外，在蚀刻装置22升降时，可利用平衡块50减轻作用于伺服马达43上的负载。

另一方面，在第2基板处理装置7中，通过基板倾斜机构部使从升降式基板处理装置10排出的基板K更大地倾斜为70°的角度，一边在该倾斜状态下沿箭头方向传送基板K，一边对其进行规定的处理(水洗处理和干燥处理)，处理后，通过倾斜返回机构部返回到水平状态，然后，从该第2基板处理装置7排出，通过转移装置3再次存储于盒5内。这样，在本例的基板处理系统1中，存储于盒5内的基板K依次经由第1基板处理装置6、升降式基板处理装置10和第2基板处理装置7，由此，对其进行规定的处理，再次将其存储于盒5的内部。

如上面具体描述的那样，由于本例的基板处理系统1的结构是，第1基板处理装置6和第2基板处理装置7并设于上下处，通过升降式基板处理装置10将它们连接，所以与第1基板处理装置6和第2基板处理装置7并设在同一水平平面内的上述现有的处理系统200相比较，其设置空间可变小，可以效率良好地设置该系统。

另外，在本例的升降式基板处理装置10中，由于可使由传送、支持基板K的传送辊26和向基板K喷射蚀刻液的喷嘴29、30构成的蚀刻装置22的整体升降，故在传送基板K时，基板K与喷嘴29、30的位置关系不变化，因此，可近乎均匀地将从喷嘴29、30喷射的蚀刻液供给基板K的各部分，由此，可进行没有污斑的蚀刻处理。

此外，由于以通过升降机构40使蚀刻装置22升降的这种单一动作来传送基板K，另外，通过由伺服马达43、圆头螺栓41和螺母42形成的可进行高精度地控制的机构，使该基板K升降，所以可高精度地对其速度进行控制。

还有，由于可相对已倾斜的基板K，喷射蚀刻液，故供给基板K表面的蚀刻液，产生因基板K的倾斜而朝向下方流动的液流，通过该液流，基板K表面的蚀刻液由连续供给的新的蚀刻液依次更换，通过该蚀刻液的更换作用，以少量的蚀刻液，可在较短时间内，均匀地对基板K的表面进行蚀刻处理。

再有，由于使各喷嘴29摆动，可使从这些喷嘴喷射的蚀刻液的喷射方向在基板的倾斜向上方向和向下方向之间摆动，故当使蚀刻液的喷射方向朝向基板的倾斜向上方向摆动时，通过该摆动，使蚀刻液滞留于基板K的表面上的作用增大，另一方面，当使蚀刻液的喷射方向朝向基板K的倾斜向下方向摆动时，通过该摆动，在基板K的表面上流落的蚀刻液的速度增大，蚀刻液的滞留与流落在基板K的整个表面的范围内反复地进行，通过该作用，可在较短时间内，以更少量的蚀刻液，均匀地对基板K的整个表面进行蚀刻处理。

另外，近年来，伴随基板大型化，存在着用于对其进行蚀刻的蚀刻液的使用量、蚀刻时间增加的倾向，但是，通过如上述那样使基板K倾斜、对其进行蚀刻，可减小其使用量，使装置小型化，可减低处理成本。

上述喷嘴29的摆动角度，优选在90度以上120度以下的范围内，而且，摆动速度优选为1次摆动动作的时间为2秒以上10秒以下。

还有，如果蚀刻液的腐蚀性极高，其从蚀刻装置22流出，附着于升降机构40上，则存在损伤该升降机构40并使其功能受到损害的危险。根据本例的升降式基板处理装置10，由于通过分隔部件11a、14、16、筒状部件13、13、连接件55、56、57、58、片体65、66分隔设置有升降机构40的驱动室B和设置有蚀刻装置22的处理室A，故可防止从蚀刻装置22流出的蚀刻液侵入到驱动室B中，可防止蚀刻液对升降机构40造成损伤的情况。

特别是由于采用下述的所谓迷宫结构，而且由排气机构对筒状部15和筒状部件13的内部进行排气，可确实防止蚀刻液侵入到驱动室B的内部。该迷宫结构是，在形成于分隔部件11a、14、16之间的开口部的上下方向的缘部，分别设置有筒状部15和筒状部件13，并且将固定于连接件55、56及57、58上的片体65、66的两侧缘部从形成于筒状部15和筒状部件13上的缺口槽插入到内部。

以上对本发明的一个实施方式进行了描述，但本发明可采用的具体形式不限定于此。

比如，在上述例中，对应于蚀刻装置22的升降，通过卷绕/排送机构70卷绕、排送片体65、66，但也可按照下述方式形成，该方式为：使片体65、66呈无端头状、环状，对应于蚀刻装置22的升降，它们实现旋转。

另外，在上述例中，以在升降式基板处理装置10中进行蚀刻处理的方式构成，但也可不限定于此，进行洗净、剥离处理等其它的处理。在该情况中，第1基板处理装置6和第2基板处理7也是同样的。

此外，在进行洗净、剥离处理的情况下，通过上述驱动缸37而倾斜的基板K的倾斜角度，优选在45°以上75°以下的范围内(更优选为55°以上70°以下)。这样做的原因在于：如果倾斜角度超过75°，则液流的速度过快，即，基板K表面的洗净液、剥离液的滞留时间过短，反之，如果倾斜角度不足45°，则液流的速度过慢，即，洗净液、剥离液长时间地滞留于基板K上，在上述任一种情况下，均无法充分地进行处理，洗净液、剥离液的使用量增大。

还有，也可以下述方式构成，该方式为：在基板K的蚀刻处理中，正反向连续地切换传送辊26的旋转，使得基板K沿送入/排出方向以规定距离前后运动。如果采用该方式，即使在从各喷嘴29、30喷出的蚀刻液的喷射量、喷射压力不均匀的情况下，通过使基板K前后运动，可使基板K上面的上述不均匀平均化，可对基板K进行均匀的蚀刻处理。

再有，在上述处理机构20内实施的处理，如上所述，不适用蚀刻后的后续工序，在没有因蚀刻液的附着造成的问题的情况下，也可不将上述外壳体11内分隔为上述处理室A和驱动室B，将上述升降机构40换作图11和图12所示那样的升降机构130。

即，该升降机构130包括：驱动马达131；2根下侧旋转轴133，该2根下侧旋转轴133相互平行地设置，在其两端部安装有链轮132；2根上侧旋转轴135，该2根上侧旋转轴135分别设置于下侧旋转轴133的上方，在相同的两端部上安装有链轮134；传动轴136，该传动轴136分别通过伞形齿轮将驱动马达131的旋转动力传递给各下侧旋转轴133；支持架台139，该支持架台139支持蚀刻装置22；4个导向板137，该4个导向板137分别固定于上述支柱12上；多个辊138，该多个辊138以可旋转的方式支持于上述支持架台139上，与上述各导向板137接触，沿该导向板137分别对多个辊138进行导向；4根链条140，该4根链条140挂绕于上述上侧及下侧的链轮132、134上，一端固定于支持架台139的上部，另一端固定于支持架台139的下部。

根据该升降机构130，在驱动马达131进行正反向旋转时，其旋转动力通过传动轴136，传递给各下侧旋转轴133，分别使各下侧旋转轴133绕轴中心旋转，伴随上述旋转轴133的旋转，通过链轮132，使链条140旋转，支持蚀刻装置22的支持架台139由各导向板137及各辊138导向，朝上方或下方移动，即使其实现升降。

这样，根据该升降机构130，与上例的升降机构40相比较，可简化结构，可减低其制造成本。

另外，作为采用本发明的升降式基板处理装置的基板处理系统的另一形式，可例举图13和图14所示的类型。如该图13所示，该基板处理系统150由基板投入/排出装置151、干式处理装置160、蚀刻-洗净装置170构成。

基板投入/排出装置151由放置容纳有多个基板的盒181的载置台152、和传送基板的转移装置153构成，转移装置153由以可在轨道154上沿长方向移动的方式设置的转移机械手155构成。该转移机械手155具备可移动到3维空间内的任意位置的手(hand)，在将基板载置于该手上的状态下，进行下述处理，即，从载置台152上的盒181内，逐张地取出基板，将其投入到干式处理装置160、蚀刻-洗净装置170中，将从干式处理装置160、蚀刻-洗净装置170排出的基板再次存储于盒181内，并在干式处理装置160和蚀刻-洗净装置170之间进行移送基板的处理。

上述干式处理装置160针对基板进行抛光(ashing)处理、成膜处理等干式处理。另外，盒181通过自动传送车180，送入到载置台152上，并从该载置台152上送出。

蚀刻-洗净装置170如图14所示，具有框体状的外壳体，在其内部具有划分形成为由基板收入部171、基板下降传送部172、蚀刻部173、基板上升传送部174、基板干燥部175及基板推出部176等构成的多个区域，通过上述转移机械手155将基板送入到基板收入部171，从基板推出部176将基板排出。

上述基板收入部171、基板下降传送部172、蚀刻部173、基板上升传送部174、基板干燥部175及基板推出部176分别如图16所示，具有多个传送辊208，送入到基板收入部171的基板通过传送辊208沿箭头所示方向传送，依次经由基板下降传送部172、蚀刻部173、基板上升传送部174、基板干燥部175，传送给基板推出部176。

上述基板下降传送部172及基板上升传送部174具有与上述的升降式基板处理装置10近乎相同的结构。而且，在该蚀刻-洗净装置170中，在基板下降传送部172及蚀刻部173中进行蚀刻处理，在基板上升传送部174中进行洗净处理，在基板干燥部175中进行干燥处理。

Claims (15)

1.一种升降式基板处理装置，其特征在于：包括：

外壳体，呈框体状，该外壳体具有在其一侧面上下并设的基板投入口和基板排出口；

处理机构，该处理机构内置于所述外壳体内，该处理机构包括：传送-支持机构，该传送-支持机构容纳并支持从所述基板投入口送入的基板，另一方面，从所述基板排出口排出所述基板；支持架台，该支持架台支持所述传送-支持机构；基板倾斜机构，该基板倾斜机构使由所述传送-支持机构支持的基板倾斜；处理流体喷出机构，该处理流体喷出机构设置于所述传送-支持机构的上方，将处理流体喷出到由所述基板倾斜机构倾斜的基板上；

升降机构，该升降机构内置于所述外壳体内，支持所述处理机构，并使该处理机构沿上下方向升降，使所述处理机构经过所述基板投入口和基板排出口。

2.根据权利要求1所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述处理流体喷出机构以喷出作为处理流体的蚀刻液的方式构成；

所述基板倾斜机构以使所述基板相对于水平面倾斜为1°以上7.5°以下的角度的方式构成。

3.根据权利要求1所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述处理流体喷出机构以喷出作为处理流体的蚀刻液的方式构成；

所述基板倾斜机构以使所述基板倾斜的方式构成，使得沿所述基板的倾斜方向流动的处理流体的加速度在重力加速度的0.02倍以上0.13倍以下的范围内。

4.根据权利要求1所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述处理流体喷出机构以喷出作为处理流体的洗净液或剥离液的方式构成；

所述基板倾斜机构以使所述基板相对于水平面倾斜为45°以上75°以下的角度的方式构成。

5.根据权利要求1所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述处理流体喷出机构以喷出作为处理流体的洗净液或剥离液的方式构成；

所述基板倾斜机构以使所述基板倾斜的方式构成，使得沿所述基板的倾斜方向流动的处理流体的加速度在重力加速度的0.7倍以上0.97倍以下的范围内。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述处理机构具备摆动机构，该摆动机构使由所述处理流体喷出机构喷出的处理流体的喷出方向，在与所述基板的倾斜方向平行、且与该基板相垂直的平面内摆动。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的升降式基板处理装置，其特征在于：所述传送-支持机构以在容纳所述基板后、使已容纳的基板沿所述基板的送入方向和排出方向反复前后运动的方式构成。

8.根据权利要求1所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

利用分隔部件，沿所述基板的排出方向，将所述外壳体分隔为驱动室和处理室这样两个室，并在具有所述基板投入口和基板排出口的所述处理室中设置所述处理机构，另一方面，在所述驱动室中设置所述升降机构；

在所述分隔部件上，沿上下方向，形成将所述处理室和驱动室连通的开口部；

形成于所述分隔部件上的开口部的沿上下方向的两缘部分别呈筒状，并且在该一对各筒状部的相互对置的面上形成沿上下方向的缺口槽；

所述处理机构的所述支持架台，利用设置于所述分隔部件的开口部内的连接件，与所述升降机构连结；

在所述连接件上，连接有带状的片体，该片体设置于所述一对筒状部之间，并且以朝向所述连接件的上方和下方延伸的方式设置，其两侧缘部分别从所述缺口槽插入至所述筒状部内；

所述驱动室和处理室由所述分隔部件、连接件及片体分隔所成。

9.根据权利要求8所述的升降式基板处理装置，其特征在于：设置多组所述开口部、连接件及片体所成。

10.根据权利要求8所述的升降式基板处理装置，其特征在于：具有排出所述筒状部内的气体的排气机构。

11.根据权利要求8所述的升降式基板处理装置，其特征在于：所述片体形成为无端头状、环状。

12.根据权利要求8所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

其结构为：分别在所述片体的上部侧和下部侧，设置对所述片体进行卷绕和排送的卷绕-排送机构，随着由所述升降机构进行升降的片体的运动，由所述卷绕-排送机构对所述片体进行卷绕和排送。

13.根据权利要求12所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述卷绕-排送机构由卷绕所述片体的卷绕轴和使该卷绕轴旋转的驱动机构构成；

所述驱动机构的结构是：在所述卷绕轴沿排送方向旋转时，仅使制动力作用于卷绕轴，另一方面，在使所述卷绕轴沿卷绕方向旋转时，通过摩擦离合器，将动力传递给所述卷绕轴。

14.根据权利要求13所述的升降式基板处理装置，其特征在于：

所述驱动机构由下述部件构成，该下述部件包括：从动齿轮，该从动齿轮与所述卷绕轴连接；驱动齿轮，该驱动齿轮与所述从动齿轮啮合；摩擦离合器，该摩擦离合器与所述驱动齿轮连结；旋转轴，该旋转轴与所述摩擦离合器连结；两个单向离合器，该两个单向离合器分别与旋转轴的两端部连结，允许旋转轴仅沿一个方向旋转；滑轮，该滑轮通过其中一个所述单向离合器，与所述旋转轴连结；传动皮带，该传动皮带卷绕于所述滑轮上；支持部件，该支持部件支持另一个所述单向离合器；

所述两个单向离合器的结构是：允许所述旋转轴朝着使所述卷绕轴沿卷绕方向旋转的方向的旋转，另一方面，限制所述旋转轴朝着使所述卷绕轴沿排送方向旋转的方向的旋转；

并且所述传动皮带以通过所述升降机构实现旋转的方式构成。

15.一种基板处理系统，其特征在于：该基板处理系统的结构是：

在具备权利要求1～14中任一项所述的升降式基板处理装置的同时；

在上下处并设有一边以水平状态或倾斜状态移动基板一边对该基板进行处理的第1基板处理装置和第2基板处理装置；

将所述第1基板处理装置的基板排出部和所述升降式基板处理装置的基板投入口相连接；

将所述第2基板处理装置的基板投入部和所述升降式基板处理装置的基板排出口相连接；

使基板依次经过第1基板处理装置、升降式基板处理装置、第2基板处理装置。

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