CN100477146C - 载置装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的顶板的平面度，并且能够抑制顶板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够缩短被处理体的升降温时间。本发明的晶片夹具(10A)包括顶板(11)、由与顶板(11)一体化的冷却套管(12)和面加热器(13)构成的温度调节体(14)、以及通过绝热环(15)与温度调节体(14)一体化的绝热板(16)，顶板(11)由陶瓷形成，顶板(11)、冷却套管(12)和面加热器(13)在除去各自的外周边部以外的部分，互相通过第三螺栓(18C)紧固，顶板(11)的外周边部未被紧固，冷却套管(12)与绝热环(15)通过第二螺栓(18B)紧固。
Description
技术领域
本发明涉及在对晶片等被处理体进行处理时、载置被处理体并将其调节至规定温度的载置装置，更详细地说，涉及能够提高温度调节功能和实现轻量化的载置装置。
背景技术
以往的载置装置，例如如图5所示，包括顶板1、由与该顶板一体化的冷却套管2和面加热器3构成的温度调节体4、和通过绝热环5与该温度调节体4一体化的绝热板6，用顶板1的上面吸附保持晶片(未图示)，利用温度调节体4将晶片调节至规定的温度，对晶片进行规定的处理。顶板1与冷却套管2和面加热器3，通过在绝热环5的内侧(除去中心)在圆周方向上空出规定间隔、呈同心圆状排列的多个螺栓7A紧固，一体化为温度调节体4。另外，冷却套管2和面加热器3的各自的中心，通过螺栓7B互相紧固。另外，绝热环5通过螺栓7C相对于顶板1和冷却套管2紧固，并且，通过螺栓7D与绝热板6紧固。此外，在图5中，8为绝缘片。
顶板1例如由铝、铜等热传导性好的金属形成。在顶板1的表面进行金、镍等的镀层，防止顶板1的氧化。另外，在冷却套管2的内部形成有制冷剂流通的流路2A，利用制冷剂将晶片冷却至规定的温度。面加热器3通过冷却套管2和顶板1，将晶片加热至规定的温度。另外，在温度调节体4和绝热板6之间，由绝热环5形成间隙，通过该间隙进行绝热。
载置装置被构成为：将晶片吸附保持在顶板1上，根据检查温度，在从-数10℃左右的低温区域直至+150℃左右的高温区域，对晶片进行温度调节。因此，要求载置装置作为整体难以热变形，而且热容量小、热传导性优异，并且还要求装置本身的轻量化。另外，为了使顶板1与晶片之间的密着性和热传导性良好，要求提高顶板1的平面度。
然而，在以往的载置装置的情况下，对顶板1进行表面加工，以得到载置面的平面度，但因为表面加工时内部应力在顶板1中蓄积，所以最多只能得到5μm左右的平面度。另外，因为顶板1由金属制成，容易变形，所以，当冷却套管2的平面度差时，由于冷却套管2的影响，顶板1的平面度会降低。另外，顶板1和冷却套管2的除了中心部以外的整个表面通过螺栓7A、7C互相紧固，而且由互相不同的金属形成，因此，各自的热膨胀率不同，顶板1在例如+25～+150℃的温度范围内热变形，判明其平面度从5μm降低至10μm左右。因此，为了减轻冷却套管2的影响，可考虑将顶板1加厚，但在这种情况下，热容量将增大与顶板1增厚的部分相应的大小，晶片的升降温时间变长，并且，顶板1本身变重。另外，顶板1在装配时与冷却套管2和绝热环5紧固固定，因此，判明装配后的顶板1由于冷却套管2和绝热环3的影响，平面度变差。
此外，在专利文献1中已提出利用使Si含浸在SiC中的陶瓷形成的晶片夹具(wafer chuck)，在专利文献2，3中，已提出使用与专利文献1同样的陶瓷的真空夹具。
[专利文献1]特开平05-036818
[专利文献2]特开2005-072039
[专利文献3]特开2005-066710
发明内容
本发明为了解决上述问题而做出，其目的是提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的表面板的平面度，并且能够抑制表面板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够提高热传导性、缩短被处理体的升降温时间，而且能够实现轻量化。
本发明的第一方面的载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由上述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于：上述表面板由陶瓷形成，上述表面板和上述温度调节体，在除去各自的外周边部以外的部分，互相通过紧固部件紧固，上述表面板的外周边部未被紧固，上述温度调节体的外周边部与上述绝热环通过另外的紧固部件紧固。
另外，本发明的第二方面的载置装置，其特征在于，在第一方面所述的发明中，上述紧固部件相对于上述表面板和上述温度调节体呈同心圆状排列有多个。
另外，本发明的第三方面的载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由上述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于：上述表面板由陶瓷形成，上述表面板和上述温度调节体在各自的中心部通过紧固部件紧固，上述温度调节体由上述表面板和上述绝热环夹持。
另外，本发明的第四方面的载置装置，其特征在于，在第三方面所述的发明中，上述表面板和上述绝热环，在圆周方向上隔开规定间隔的多个位置，利用另外的紧固部件，通过上述温度调节体而被紧固。
另外，本发明的第五方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第四方面中任一方面所述的发明中，上述表面板和上述绝热环在上述紧固部的各自的热膨胀实质上相同。
另外，本发明的第六方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第五方面中任一方面所述的发明中，在上述底板上安装有包围上述表面板、上述温度调节体和上述绝热环的保温用板环，在该保温用板环与上述表面板、上述温度调节体和上述绝热环的外周面之间形成有间隙。
另外，本发明的第七方面的载置装置，其特征在于，在第六方面所述的发明中，上述保温用板环的两面分别形成为镜面状。
另外，本发明的第八方面的载置装置，其特征在于，在第六方面或第七方面所述的发明中，上述保温用板环由热传导率为17W/(m·K)以下的材料形成。
另外，本发明的第九方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第八方面中任一方面所述的发明中，在上述表面板与上述温度调节体之间设置有绝缘片。
另外，本发明的第十方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第九方面中任一方面所述的发明中，上述温度调节体由冷却体和/或加热体构成。
另外，本发明的第十一方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第十方面中任一方面所述的发明中，上述陶瓷为碳化硅和硅的复合材料。
根据本发明，本发明为了解决上述问题而做出，能够提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的表面板的平面度，并且能够抑制表面板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够提高热传导性、缩短被处理体的升降温时间，而且能够实现轻量化。
附图说明
图1为表示应用本发明的载置装置的检查装置的内部的正视图。
图2为表示图1所示的载置装置的截面图。
图3为表示本发明的载置装置的另一个实施方式的截面图。
图4为表示本发明的载置装置的又一个实施方式的截面图。
图5为表示以往的载置装置的一个例子的截面图。
符号说明
10 载置装置
11 顶板(表面板)
12 冷却套管(冷却体)
13 面加热器(加热体)
14 温度调节体
15 绝热环
16 绝热板
18A 第一螺栓(紧固部件)
18B 第二螺栓(另外的紧固部件)
18C 第三螺栓(紧固部件)
19 保温用板环
具体实施方式
以下，根据图1～图4所示的实施方式，对本发明进行说明。图1为表示应用本发明的载置装置的检查装置的内部的正视图，图2为表示图1所示的载置装置的截面图，图3为表示本发明的载置装置的另一个实施方式的截面图，图4为表示本发明的载置装置的又一个实施方式的截面图。
第一实施方式
首先，对应用本实施方式的载置装置的检查装置进行说明。该检查装置，例如如图1所示，包括搬送晶片W的负载室L、对从负载室L搬送的晶片W进行电气特性检查的探针室P、和控制装置(未图示)，在控制装置的控制下，将晶片W从负载室L搬送至探针室P，在探针室P内进行晶片W的电气特性检查后，使晶片W返回至原位置。
如图1所示，探针室P包括：载置晶片W、并且能够对其进行温度调节的载置装置(晶片夹具)10；使晶片夹具(wafer chuck)10在X、Y方向上移动的XY工作台20；在通过该XY工作台20进行移动的晶片夹具10的上方配置的探针卡30；以及使探针卡30的多个探针30A与晶片夹具10上的晶片W的多个电极垫准确地定位的定位机构40。
另外，如图1所示，测试器(tester)的测试头(test head)T能够旋转地配设在探针室P的顶板50上，测试头T和探针卡30通过性能板(performance board)(未图示)电连接。对晶片夹具10上的晶片W，在例如从-50℃左右的低温区域至+150℃左右的高温区域之间设定晶片W的检查温度，从测试器通过测试头T和性能板向探针30A发送检查用信号，进行晶片W的电气特性检查。
如图2所示，本实施方式的晶片夹具10包括表面板(顶板)11、由与顶板11一体化的冷却体(冷却套管)12和加热体(面加热器)13构成的温度调节体14、以及通过绝热环15与温度调节体14一体化的由陶瓷等绝热材料构成的底板(绝热板)16，在控制装置的控制下，利用温度调节体14将顶板11上的晶片设定为规定的检查温度。在顶板11与冷却套管12之间例如设置有由均热性优异的硅橡胶构成的绝缘片17，通过温度调节体14，对顶板11的整个表面均匀地进行温度调节。
顶板11、绝缘片17和冷却套管12形成为实质上相同的外径，面加热器13形成为比它们小的直径。在面加热器13的外侧配置有绝热环15。在顶板11的中心形成有阴螺纹，在绝缘片17、冷却套管12和面加热器13各自的中心形成有贯通孔。顶板11、冷却套管12和面加热器13，在各自的中心部，由紧固部件(第一螺栓)18A紧固而一体化。第一螺栓18A从面加热器13侧，通过面加热器13、冷却套管12和绝缘片17各自的贯通孔，与顶板11的阴螺纹螺合，将顶板11与绝缘片17、冷却套管12和面加热器13紧固固定。
绝热环15的内径比面加热器13的外径大，其外径与顶板11、绝缘片17和冷却套管12的外径相同。另外，顶板11、绝缘片17、冷却套管12和绝热环15通过另外的紧固部件(第二螺栓)18B紧固。即，在绝热环15、冷却套管12和绝缘片17的各个上，在圆周方向上空出规定间隔而形成有多个互相对应的贯通孔，在顶板11上形成有与这些贯通孔对应的阴螺纹。第二螺栓18B从绝热环15侧，通过绝热环15、冷却套管12和绝缘片17的贯通孔，与顶板11的阴螺纹螺合，利用顶板11和绝热环15，夹持绝缘片17和冷却套管12。
如后所述，第二螺栓18B配置在顶板11和绝热环15的热膨胀相等的位置，顶板11和绝热环15一体地热膨胀、热收缩相同的量，不会使顶板11变形，即使在加热冷却时，也维持一定的平面度。另外，冷却套管12和面加热器13，由在圆周方向上空出规定间隔、呈同心圆状配置的多个第三螺栓18C紧固而一体化，但不与顶板11连结。因此，冷却套管12以第一螺栓18A为中心进行伸缩。冷却套管12外周边部的贯通孔形成为能够吸收顶板11和绝热环15的伸缩的形态。作为该贯通孔的形态，有使贯通孔的内径比第二螺栓18B的外径大的形态、或形成在冷却套管12的径方向上长的长孔的形态。
在绝热板16的外周边部，在圆周方向上空出规定间隔而形成有多个贯通孔，在绝热环15上形成有与绝热板16的贯通孔对应的多个阴螺纹。第四螺栓18D从绝热板16侧，通过绝热板16的贯通孔，与绝热环15的阴螺纹螺合，通过绝热环15，将绝热板16和温度调节体14一体化。在图2中，第四螺栓18D与第二螺栓18B重叠地图示，但实际上，其相对于第二螺栓18B在圆周方向上错开配置。
另外，顶板11例如由在SiC的烧结体中含浸有Si的陶瓷(例如，制品名PSS50、日本陶瓷技术株式会社制)形成。将该陶瓷调整至SiC与Si的体积比为SiC∶Si＝50∶50。该体积比不限于此，可以根据需要而适当改变。该陶瓷在表面加工时内部应力难以蓄积，因此，能够表面加工至2μm左右的平面度。而且，该陶瓷与形成以往的顶板的铜比较，比重小至1/3左右，热膨胀率小至铜的1/5左右，而且具有铜的2.3倍左右的高刚性。因此，由该陶瓷构成的顶板11比以往的顶板重量轻，因为其具有高刚性，所以难以受到来自冷却套管12的变形。另外，因为顶板11的表面不会氧化，所以不需要进行镀层等表面处理，能够无垢地使用。
冷却套管12例如与以往同样由铜形成，但形成得比以往薄，重量减轻了其变薄的量。此外，在图2中，12A为制冷剂的流通路径。
另外，绝热环15由陶瓷、例如云母形成。该绝热环15的热膨胀率比顶板11大，因此，第二螺栓18B位于11、15两者的热膨胀大致相同大小的部位，11、15两者一体地伸缩相同的量。即，在绝热环15中，有上下方向的温度分布，在离开冷却套管12的地方，有与顶板11热膨胀相同的部位。以该部位为基准，决定径方向的位置，配置第二螺栓18B。
绝热板16例如与以往同样由氧化铝等陶瓷形成。但是，该绝热板16与冷却套管12同样，形成得比以往薄。绝热环15形成为加厚冷却套管12和绝热板16变薄的量，作为晶片夹具10，形成为与以往相同的厚度。绝热环15变厚，温度调节体14和绝热板16之间的间隙比以往变大，因此，比以往能够抑制间隙中的热移动量。
接着，对动作进行说明。例如，在进行晶片W的高温检查的情况下，当将晶片W从负载室L载置在探针室P内的晶片夹具10上时，将晶片W吸附固定在顶板11上，晶片W与顶板11贴紧。在晶片夹具10中，温度调节体14的面加热器13工作，通过冷却套管12，将顶板11上的晶片W加热至规定的检查温度。
此时，顶板11、冷却套管12和绝热环15热膨胀。热膨胀率最大的冷却套管12，以第一螺栓18A为中心，在冷却套管12的外周边部的贯通孔的间隙尺寸的范围内，相对于顶板11和绝热环15，相对地向外侧热膨胀，绝热环15的由第二螺栓18B固定的部位，通过第二螺栓18B，与顶板11一体地向外侧热膨胀相同的量。因此，冷却套管12比顶板11和绝热环15的热膨胀率大，即使在冷却套管12和顶板11之间、或者在冷却套管12和绝热环15之间有热膨胀率差，也可维持顶板11的表面的平面度。因为顶板11和绝热环15的热膨胀相同，所以，能够维持顶板11的初始的平面度，几乎不使顶板11与晶片W的贴紧状态变化，能够在短时间内将晶片W升温至检查温度。
另外，因为冷却套管12比以往薄，所以，冷却套管12的热容量变小，能够在更短的时间内加热晶片W。而且，因为面加热器13与绝热板16的间隙比以往大，所以，能够抑制从面加热器13向绝热板16的热移动量，抑制从绝热板16的散热，结果，能够将面加热器13的发热量大多向顶板11侧分配。
因此，能够在比以往短的时间内将晶片W升温至检查温度，从而能够提高生产率。另外，在进行晶片W的低温检查的情况下，代替温度调节体14的面加热器13，使冷却套管12工作，将晶片W冷却至规定的检查温度。此时，顶板11和绝热环15收缩相同的量，冷却套管12与它们独立地进行收缩，因此，能够维持顶板11的平面度，能够在短时间内将晶片W降温至规定的低温检查温度。
如以上所述，根据本实施方式，顶板11由在SiC的烧结体中含浸有Si的陶瓷形成，因此，表面加工时的应力难以蓄积，能够提高表面(晶片的载置面)的平面度，而且，因为其为高刚性，所以能够防止由冷却套管12的影响而引起的变形。结果，顶板11与晶片的贴紧性提高，晶片的升降温时间缩短。另外，顶板11与以往的金属制的顶板比较，比重小，能够使晶片夹具10轻量化。另外，顶板11与冷却套管12和面加热器13在各自的中心部通过第一螺栓18A紧固，在第一螺栓18A的紧固部的外侧，冷却套管12由顶板11和绝热环15夹持，因此，冷却套管12即使与顶板11和绝热环15独立地以第一螺栓18A为中心进行伸缩，也能够在它们之间滑动，从而能够维持顶板11的平面度、抑制热变形。
另外，根据本实施方式，顶板11和绝热环15在圆周方向上空出规定间隔的多个位置，在夹持冷却套管12的状态下，由第二螺栓18B紧固，并且，在该紧固部，各自的热膨胀实质上相同，因此，即使顶板11从+25℃变化至+150℃，通过第二螺栓18B抑制冷却套管12的热膨胀、热收缩的影响，顶板11与绝热环15一体地伸缩相同的量，能够不变形地将晶片载置面的平面度维持为例如2.6μm左右，从而能够维持稳定的热传导性。
另外，根据本实施方式，在顶板11与温度调节体14之间设置有绝缘片17，因此，通过绝缘片17，能够将顶板11的整个表面均匀地冷却、加热。另外，顶板11由在SiC的烧结体中含浸有Si的陶瓷形成，冷却套管12和绝热板16形成得较薄，绝热环15形成为增厚冷却套管12和绝热板16变薄的量，因此，冷却套管12的热容量减小，能够利用顶板11使晶片在更短的时间内升降温，而且，温度调节体14与绝热板16之间的间隙变大，能够抑制间隙中的热移动，从而提高晶片的温度调节效率。另外，能够使晶片夹具10的重量减轻冷却套管12和绝热板16变薄的量。
第二实施方式
在第一实施方式中，能够提高顶板的平面度，提高热传导性，缩短被处理体的升降温时间，并且，能够实现轻量化。在第一实施方式的载置装置10的情况下，即使温度从+25℃变化至+150℃，也可将顶板的平面度维持为2.6μm左右，与以往的10μm比较，平面度显著提高，确认了对热变形的效果。
但是，通过以后的实验判明，在上述载置装置10的情况下，在装配时，顶板的平面度受到其下侧的部件，即冷却套管12、绝热环15和绝热板16的弯曲等的影响，在载置装置装配时，顶板的平面度降低。冷却套管12和绝热环15难以避免制造上的少许的弯曲等变形，它们的弯曲在装配载置装置10时对顶板11的平面度有影响。因此，本发明人对装配时的顶板的平面度进行了各种研究，结果表明，通过在冷却套管12、绝热环15和绝热板16的紧固方法上想办法，能够提高装配时的顶板的平面度。
即，本实施方式的载置装置10A，例如如图3所示，包括顶板11、由与顶板11一体化的冷却套管12和面加热器13构成的温度调节体14、以及通过绝热环15与温度调节体14安装在一起的绝热板16，除了紧固部件的紧固方法与第一实施方式的载置装置10不同以外，以第一实施方式为基准构成。此外，在本实施方式中，与第一实施方式相同或相当的部分，标注相同的符号，对本实施方式进行说明。
如图3所示，在本实施方式中，第一螺栓18A配置在面加热器13的中心，将冷却套管12和面加热器13紧固。即，在冷却套管12的中心，形成有与第一螺栓18A的阳螺纹螺合的阴螺纹，在面加热器13的中心，形成有第一螺栓18A贯通的贯通孔。冷却套管12和面加热器13通过第一螺栓18A紧固固定。在本实施方式中，第一螺栓18A将冷却套管12和面加热器13紧固，但也可以将顶板11、冷却套管12和面加热器13一并紧固固定。
如图3所示，第二螺栓18B在绝热环15上、在圆周方向上空出规定间隔配置有多个，将冷却套管12和绝热环15紧固。即，在冷却套管12的外周边部，形成有与第二螺栓18B的阳螺纹螺合的阴螺纹。另外，在绝热环15中，形成有收纳第二螺栓18B的凹陷部，在该凹陷部的中心，形成有第二螺栓18B贯通的贯通孔。于是，冷却套管12和绝热环15由从绝热环15侧插入的第二螺栓18B紧固固定。
第三螺栓18C在顶板11的中心与外周边部之间呈同心圆状排列有多个，将顶板11、冷却套管12和面加热器13一并紧固。即，在顶板11中形成有与第三螺栓18C的阳螺纹螺合的阴螺纹，在冷却套管12中形成有第三螺栓18C的轴部游嵌的贯通孔，另外，在面加热器13中形成有第三螺栓18C贯通的贯通孔。于是，顶板11、冷却套管12和面加热器13由从面加热器13侧插入的第三螺栓18C紧固固定。
第四螺栓18D在绝热板16的外周边部、在圆周方向上空出规定间隔排列有多个，将绝热环15和绝热板16紧固。在绝热环15中形成有与第四螺栓18D的阳螺纹螺合的阴螺纹，在绝热板16中形成有收纳第四螺栓18D的凹陷部，在该凹陷部的中心形成有第四螺栓18D贯通的贯通孔。绝热环15和绝热板16由从绝热板16侧插入的第四螺栓18D紧固固定。在图3中，第四螺栓18D与第二螺栓18B重叠地图示，但实际上，其相对于第二螺栓18B在圆周方向上错开配置。
因此，本实施方式，如上所述与第一实施方式的情况不同，顶板11的外周边部未被第二螺栓18B固定，因此，即使冷却套管12和绝热环15有弯曲，也不会受其影响，将维持顶板11本来的平面度，不会恶化。在第一实施方式中，顶板11单体的平面度为3.8μm，但作为载置装置10的装配后的平面度恶化至7.4μm。与此相对，在本实施方式的载置装置10A中，顶板11不受冷却套管12和绝热环15的影响，因此，装配后的顶板11的平面度改善至4.7μm。
另外，顶板11与冷却套管12的热膨胀差最大的外周边部没有固定在冷却套管12和绝热环15上，因此，由顶板11与冷却套管12的热膨胀差引起的热变形被抑制。结果，即使顶板11的温度从+25℃变化至+150℃，平面度仅变化1.3μm，与第一实施方式中的2.6μm相比，能够大幅地抑制变形。
如以上所述，根据本实施方式，未将顶板11的外周边部固定在冷却套管12和绝热环15上，因此，能够使载置装置10A装配后的顶板11的平面度显著提高，并且，即使温度从常温区域变化至150℃的高温区域，也能够抑制顶板11与冷却套管12的热膨胀差的影响，从而能够提高顶板11的平面度。
第三实施方式
不用说以往的载置装置，对第一、第二实施方式的载置装置10、10B的加热、冷却进行研究的结果表明，由于顶板等构成部件的外周面露出，即使改良顶板等的紧固方法，由于从顶板等构成部件的外周面的散热和从外部进入的热等扰动，顶板的外周边部的温度降低或上升等，对检查有影响。
因此，在本实施方式中，通过在载置装置的外周面上安装保温用板环，寻求抑制上述的温度变化的对策。以下，根据图4，对本实施方式的载置装置进行说明。
本实施方式的载置装置10B，例如如图4所示，包括顶板11、由冷却套管12和面加热器13构成的温度调节体14、绝热环15和绝热板16，除了在其外周面上安装有保温用板环19以外，以第二实施方式的载置装置10A为基准构成。此外，在本实施方式中，与第二实施方式相同或相当的部分，用相同的符号表示，来说明本实施方式。
即，在本实施方式中，顶板11、冷却套管12、面加热器13、绝热环15和绝热板16与第二实施方式同样地紧固而一体化。即，冷却套管12和面加热器13，如图4所示，在各自的中心通过第一螺栓18A紧固，冷却套管12和绝热环15通过在圆周方向上空出规定间隔配置的多个第二螺栓18B互相紧固。顶板11、冷却套管12和面加热器13，如该图所示，通过在以第一螺栓18A为中心的多个同心圆的各个上空出规定间隔配置的第三螺栓18C，一并紧固。绝热环15和绝热板16通过在各自的圆周方向上空出规定间隔配置的多个第四螺栓18D互相紧固。在绝热环15与绝热板16之间，夹持有后述的保温用板环19的安装部，通过第四螺栓18D，保温用板环19成为安装在绝热板16上的状态。
在本实施方式中，如图4所示，在绝热板16上安装有保温用板环19，保温用板环19包围顶板11、冷却套管12、绝热环15和绝热板16的外周面，在保温用板环19与这些外周面之间形成有间隙δ。该保温用板环19例如由不锈钢等热传导率为17W/(m·K)以下的金属形成。另外，该保温用板环19的两面形成为镜面状，容易反射来自顶板11和面加热器13等的放射热，并且抑制来自保温用板环19的外面的热放射量。
在此，进一步说明保温用板环19的安装结构。如图4所示，在顶板11的上端部形成有凸缘部11A，该凸缘部11A以外形成有直径比凸缘部11A缩小的缩径部11B。该凸缘部11A的外径形成为与第一、第二实施方式的顶板11的外径实质上相同的尺寸，而且，形成为与保温用板环19的外径实质上也相同的尺寸。另外，在绝热板16上，也与顶板11相同地形成有凸缘部16A和缩径部16B。
如图4所示，保温用板环19由本体部19A、和本体部19A的下端向中心伸出的安装部19B构成，通过安装部19B，安装在绝热板16的凸缘部16A上。优选：在保温用板环19的本体部19A与顶板11的缩径部11B之间形成有间隙δ，而且，本体部19A的上端与顶板11的凸缘部11A不接触，使得不会从顶板11传热。该保温用板环19由热传导率小的材料、例如不锈钢形成，另外，其两面形成为镜面状。因为保温用板环19由热传导率小的材料形成，所以能够延迟绝热板16的温度上升和温度降低。另外，因为保温用板环19的两面形成为镜面状，所以热容易被反射，并且热放射量小。
如图4所示，冷却套管12的直径形成为与顶板11的缩径部11B实质上相同。另外，绝热环15也与冷却套管12同样，直径形成为与顶板11的缩径部11B实质上相同。因此，在保温用板环19的本体部19A与冷却套管12和绝热环15的外周面之间形成有间隙δ。
另外，保温用板环19安装在陶瓷制的绝热环16上，与顶板11、冷却套管12和绝热环15不直接接触，在与这些部件之间存在有间隙δ，因此，不会从这些部件向保温用板环19直接传热。
因此，在高温检查时，即使顶板11被面加热器13加热，保温用板环19也不会被顶板11等部件直接加热，而且由于保温用板环19形成为镜面状，所以容易将来自顶板11等部件的放射热向内侧反射，能够有效地抑制向外部的散热，从而能够抑制顶板11的温度降低。另外，保温用板环19安装在位于距离作为热源的加热器13和冷却套管12最远的位置的绝热板16上，并且保温用板环19本身热传导率小，因此，保温用板环19本身的温度上升慢，能够更有效地抑制载置装置10的温度降低。利用这样的对策，例如在150℃的高温检查中，将顶板11表面的温度分布的偏差从1.3℃抑制为0.9℃，能够提高晶片检查的可靠性。
另外，在低温检查时，即使顶板11等部件被冷却套管12冷却，与保温用板环19之间的温度差变大，也不会从保温用板环19向顶板11等部件直接传热，能够抑制顶板11等的温度上升，能够有效地抑制顶板11等部件的温度上升，难以受到外部温度等扰动的影响。
如以上所述，根据本实施方式，在绝热板16上安装有包围顶板11、冷却套管12和绝热环15的保温用板环19，在该保温用板环19与顶板11、冷却套管12和绝热环15的外周面之间形成有间隙δ，因此，在高温检查时，能够有效地抑制顶板11的温度降低，在低温检查时，能够抑制顶板11的温度上升。另外，保温用板环的两面分别形成为镜面状，因此，在高温检查时，将来自顶板11、冷却套管12和绝热环15的散热向内部反射，并且抑制向外部散热，从而能够抑制顶板11的外周边部的温度降低，另外，在低温检查时，不会从保温用板环19向顶板11直接传热，因此能够抑制顶板11的外周边部的温度上升。
本发明不受上述各实施方式的任何限制，可以根据需要适当地改变各构成要素的设计。例如，在上述各实施方式中，对具有作为冷却体的冷却套管12和作为加热体的面加热器13的温度调节体14进行了说明，但温度调节体14只要具有冷却体和加热体中的至少任一个、能够调节作为顶板11的表面板的温度即可。另外，在上述各实施方式中，利用在SiC的烧结体中含浸有Si的陶瓷形成顶板11，但只要是具有同样性质的陶瓷，同样能够使用。另外，在上述各实施方式中，对在检查装置中使用的载置装置进行了说明，但也可以用作在对晶片等被处理体进行处理时，需要从低温区域至高温区域对被处理体进行温度调节的各种处理装置的载置装置。
产业上的可利用性
本发明能够适合用作对晶片等被处理体进行处理的各种处理装置的载置装置。
Claims (9)
1.一种载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由所述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于：
所述表面板由陶瓷形成，所述表面板和所述温度调节体，在除去各自的外周边部以外的部分，互相通过紧固部件紧固，所述表面板的外周边部未被紧固，所述温度调节体的外周边部与所述绝热环通过另外的紧固部件紧固。
2.如权利要求1所述的载置装置，其特征在于：
将所述表面板和所述温度调节体紧固的所述紧固部件相对于所述表面板和所述温度调节体呈同心圆状排列有多个。
3.一种载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由所述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于：
所述表面板由陶瓷形成，所述表面板和所述温度调节体在各自的中心部通过紧固部件紧固，所述温度调节体由所述表面板和所述绝热环夹持，
所述表面板和所述绝热环，在圆周方向上隔开规定间隔的多个位置，利用另外的紧固部件，通过所述温度调节体而被紧固，
所述表面板和所述绝热环在利用所述另外的紧固部件紧固的多个位置的各自的热膨胀相同。
4.如权利要求1～3中任一项所述的载置装置，其特征在于：
在所述底板上安装有包围所述表面板、所述温度调节体和所述绝热环的保温用板环，在该保温用板环与所述表面板、所述温度调节体和所述绝热环的外周面之间形成有间隙。
5.如权利要求4所述的载置装置，其特征在于：
所述保温用板环的两面分别形成为镜面状。
6.如权利要求4所述的载置装置，其特征在于：
所述保温用板环由热传导率为17W/(m·K)以下的材料形成。
7.如权利要求1～3中任一项所述的载置装置，其特征在于：
在所述表面板与所述温度调节体之间设置有绝缘片。
8.如权利要求1～3中任一项所述的载置装置，其特征在于：
所述温度调节体由冷却体和/或加热体构成。
9.如权利要求1～3中任一项所述的载置装置，其特征在于：
所述陶瓷为碳化硅和硅的复合材料。
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