JP2009009976A - ウェハプローバ用ウェハ保持体 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 68
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 チャックトップ導体層3を有するチャックトップ2と、高熱伝導材料の均熱板7と、チャックトップ2と均熱板7の間のクッション材8と、チャックトップ2を支持する支持体4と、加熱体6とからなるウェハ保持体1で、均熱板7はチャックトップ2の外径に対して95%以上の外径を有している。支持体4にはチャックトップ4の裏面外周部に当接する複数の突出部4aを残して切欠溝穴M1を設け、均熱板7とクッション材8には各突出部4aと接触しないよう複数の切欠溝穴M2を設けて、均熱板7とクッション材8を支持体4の切欠溝穴M1を埋めるように設置する。
【選択図】 図1
Description
本発明によるウェハプローバ用ウェハ保持体を以下のごとく作製した。即ち、純度99.5%、直径310mm、厚み15mmのアルミナ基板を用意した。このアルミナ基板のウェハ搭載面側に、ウェハを真空チャックするための同心円状の溝と貫通孔を形成し、更にニッケルメッキを施してチャックトップ導体層を形成した。その後、チャックトップ導体層を研磨加工して全体の反り量を10μmとし、表面粗さをRaで0.02μmに仕上げてウェハ載置面を形成することで、チャックトップとした。
チャックトップの材質をAl−SiCにした以外は、上記実施例1及び比較例1と同様にして、実施例2及び比較例2のウェハプローバ用ウェハ保持体を作製した。上記実施例1と同様に均熱性を評価したところ、ウェハ内の温度レンジは、実施例2のウェハ保持体で±0.5℃、比較例2のウェハ保持体では±1.0℃であった。
均熱板の外径が温度レンジに与える影響を評価するために、上記実施例1のウェハプローバ用ウェハ保持体に、直径280mm、厚み10mmの銅板からなるの冷却ユニットを搭載したウェハプローバ用ウェハ保持体を用意した。尚、この冷却ユニットは均熱板の下面に配置して、複数のネジで固定してチャックトップと一体化させた。
ウェハ保持体の均熱板の材質をアルミニウムとし、チャックトップの材質をアルミナまたはAl−SiCとした以外は上記実施例3と同様にして、均熱板/チャックトップ外径比及び各ウェハ保持体の均熱性を調べた。得られた結果について、チャックトップがアルミナの試料9〜12の場合を下記表3に、及びチャックトップがAl−SiCの試料13〜16の場合を下記表4に示した。
上記実施例1のウェハプローバ用ウェハ保持体において、直径310mm、厚み2mmの無酸素銅の均熱板に代えて、直径310mm、厚み2mmの無酸素銅の均熱板と、直径280mm、厚み10mmの銅板の冷却ユニットとを一体化した均熱冷却ユニットを搭載して、試料17のウェハ保持体を作製した。この試料17のウェハ保持体について、上記実施例1と同様にして均熱性を調べ、得られた結果を下記表5に示した。
上記実施例1のウェハプローバ用ウェハ保持体において、支持体の切欠溝穴M1の合計面積と、均熱板の切欠溝穴M2の合計面積との比、即ちM1/M2を、下記表6に示すように4600%から40%の間で変化させた7種類のウェハ保持体を作製した。
2 チャックトップ
2a 載置面
3 チャックトップ導体層
4 支持体
4a 突出部
5 空隙
6 加熱体
6a 抵抗発熱体
6b 絶縁体
7 均熱板
8 クッション材
9 支持棒
10 冷却ユニット
11 昇降手段
12 均熱冷却ユニット
Claims (5)
- 表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、チャックトップのウェハ載置面と反対の裏面側に設けた高熱伝導材料からなる均熱板と、チャックトップと均熱板の間に配置され且つ両部品より剛性の低いクッション材と、チャックトップを支持する有底円筒状の支持体と、均熱板の裏面側に支持体と接触しないように設けた加熱体とからなり、該均熱板は−55℃〜200℃の温度範囲において該チャックトップの外径に対して95%以上の外径を有し、該支持体には該チャックトップの裏面外周部に当接して支持する複数の突出部を残して切欠溝穴M1が設けられ、該均熱板と該クッション材には該支持体の各突出部と接触しないように複数の切欠溝穴M2が設けられると共に、該均熱板と該クッション材及び該加熱体が該支持体の切欠溝穴M1を埋めるように設置されていることを特徴とするウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の切欠溝穴M1の合計面積が、前記均熱板の切欠溝穴M2の合計面積の50%以上であることを特徴とする、請求項1に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記均熱板の裏面側に、冷却制御可能な冷却ユニットを備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記均熱板と冷却ユニットが一体化していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体を搭載したことを特徴とするウェハプローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167202A JP5061751B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | ウェハプローバ用ウェハ保持体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167202A JP5061751B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | ウェハプローバ用ウェハ保持体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009009976A true JP2009009976A (ja) | 2009-01-15 |
JP5061751B2 JP5061751B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007167202A Active JP5061751B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | ウェハプローバ用ウェハ保持体 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP5061751B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020080435A (ja) * | 2016-05-16 | 2020-05-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品実装システムにおける実装基板の製造方法および部品実装方法 |
CN115938995A (zh) * | 2023-02-24 | 2023-04-07 | 深圳市新凯来技术有限公司 | 晶圆加热装置以及半导体加工设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012637A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Orion Mach Co Ltd | 半導体ウェーハの温度試験装置 |
JP2003297535A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-17 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2005277074A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材とその製造方法 |
JP2006253630A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007042960A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007049108A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007149727A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ |
-
2007
- 2007-06-26 JP JP2007167202A patent/JP5061751B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012637A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Orion Mach Co Ltd | 半導体ウェーハの温度試験装置 |
JP2003297535A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-17 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2005277074A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材とその製造方法 |
JP2006253630A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007049108A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007042960A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ |
JP2007149727A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020080435A (ja) * | 2016-05-16 | 2020-05-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品実装システムにおける実装基板の製造方法および部品実装方法 |
CN115938995A (zh) * | 2023-02-24 | 2023-04-07 | 深圳市新凯来技术有限公司 | 晶圆加热装置以及半导体加工设备 |
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Publication number | Publication date |
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