CN100460361C - 叠层陶瓷基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种由多个玻璃陶瓷层构成的叠层陶瓷基板。各陶瓷层包含非晶态玻璃及氧化铝(Al2O3)，在各玻璃陶瓷层的表面上形成有由银制成的配线图案。非晶态玻璃是，由例如富硅高岭石(CaAl2Si2O8)构成。在叠层陶瓷基板中，以使结晶度小于12%的方式设定烧成温度的上限。另外，将烧成温度的下限设定为满足以下条件，即，相对于结晶度为25%的场合下的叠层陶瓷基板的烧成后的密度具有95%以上的烧结密度。由此，能够提高成品率从而减少成本，且可靠性高的叠层陶瓷基板及其制造方法。

Description

叠层陶瓷基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及对陶瓷基板进行叠层的叠层陶瓷基板及其制造方法。
背景技术
因为对携带电话等移动通信设备或便携式通信终端的小型化要求越来越高，故对作为内部结构要素使用的高频电路基板也要求小型高性能化。
因此，对这个高频电路基板正趋向于不在印刷电路配线基板上安装作为表面安装部件的电容器或感应器，而是使用在作为陶瓷基板的基体的生片上形成配线图案从而形成电容或感应器的要素的叠层陶瓷基板(例如，参照特开2000—185978号公报)。
例如，在将氧化铝(Al2O3)为主体的多个生片上形成配线图案，并叠层那些多个生片并在900℃左右的温度下一同烧成而一体化，由此来制造叠层陶瓷基板。
图14(a)、(b)是表示现有叠层陶瓷基板的制造方法的示意性立体图。
如图14(a)所示，首先，在由氧化铝制成的生片31A～31D上通过网板印刷分别形成规定的配线图案32A～32D。其次，如图14(b)所示，叠层生片31A～31D并在900℃左右的温度下一同烧成，形成叠层陶瓷基板30。这里所谓生片，是混合或混炼有机粘合剂及陶瓷原料粉末等，并加工成薄板状后干燥之物。
在叠层陶瓷基板30中，通过在由氧化铝制成的生片31A～31D上通过网板印刷形成规定的配线图案32A～32D，能够使叠层陶瓷基板内部获得电容或电感。从而，能够减少作为表面安装部件的电容器或感应器的数量，能够小型化高频电路部件。
形成上述配线图案31A～32D时，主要使用导电率高，且可在大气环境中烧成的银。然而，银相比其他导体材料容易扩散，并容易引起迁移。
图15是将迁移现象以示意性表示的图。
如图15所示，在叠层陶瓷基板中，在玻璃陶瓷层31C、31D之间形成由银构成的配线图案32C，在玻璃陶瓷层31D、31E之间形成有由银构成的配线图案32D。
在这种情况下，由于银的迁移现象，夹住玻璃陶瓷层31D且正对的配线图案32C、32D之间产生短路35，并发生玻璃陶瓷层的绝缘不良的现象，故叠层陶瓷基板的可靠性及成品率下降。
抑制所述的迁移现象的发生，对叠层陶瓷基板的制造极其重要。因此，进行过为抑制金属的迁移现象的研究或提案(特开2003—46033号公报)，但是，不仅未能充分地阐明迁移现象发生的机制，而且远未达到抑制迁移现象的程度。
发明内容
本发明的目的在于提供提高成品率从而减少成本，且可靠性高的叠层陶瓷基板及其制造方法。
以往，将形成叠层陶瓷基板时的烧成温度设定为880℃以上高温是技术常识，但是，本发明人在进行种种实验及探讨之后，发现通过逆常规而行地降低设定烧成的温度而降低叠层陶瓷基板的结晶化，能够抑制迁移现象，故设计出以下的发明。
根据本发明的一个方面的叠层陶瓷基板，其特征是，具有：叠层的多个玻璃陶瓷层；设置在所述多个玻璃陶瓷层的至少一面上，且由金属材料制成的配线图案；而且，所述多个玻璃陶瓷层包含非晶态玻璃以及氧化铝，用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比，来表示的结晶度为12％以下。
在其叠层陶瓷基板中，由金属材料制成的配线图案设置在多个玻璃陶瓷层的至少一个面上，而且，其多个玻璃陶瓷层叠层。
在这种情况下，由于用对氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度小于12％，故认为金属材料即使离子化也不会在玻璃陶瓷层中移动。由此，就能够防止迁移现象引起的电短路。结果，能够提高叠层陶瓷基板的成品率来降低产品的成本的同时，能够提高叠层陶瓷基板的可靠性。
更优选的方式是，多个玻璃陶瓷层，具有相对于在所述结晶度为25％的场合下的玻璃陶瓷层的密度，为95％以上的密度。在这种情况下，能够使玻璃陶瓷层获得充分的强度及密度。
更优选的方式是，非晶态玻璃含有硅酸。在这种情况下，容易地将结晶度降低到12％以下。
更优选的方式是，非晶态玻璃含有富硅高岭石。在这种情况下，能更容易地将结晶度降低到12％以下。
金属材料，也可包含银。即使在通过容易生成迁移现象的银来形成配线图案的场合，也可以通过将结晶度降低到12％以下来充分抑制电短路。
更优选的方式是，所述配线图案具有正对的部分，且在所述正对的部分之间的玻璃陶瓷层的区域内的银的浓度为4％以下。在这种情况下，能够充分抑制电短路。
更优选的方式是，在多个玻璃陶瓷层中的非晶态玻璃的含有量a为33重量％以上，59重量％以下，氧化铝的含有量b为55重量％以下，35重量％以上，且a+b<100重量％。
在这种情况下，更容易地将结晶度降低到12％以下。
根据本发明的一个方面的叠层陶瓷基板的制造方法，具有：形成包含非晶态玻璃以及氧化铝的多个玻璃陶瓷层的工序；在所述多个玻璃陶瓷层的至少一个面上设置由金属制成的配线图案的工序；以及，叠层所述多个玻璃陶瓷层，并在满足以下条件的烧成温度下烧成所述多个玻璃陶瓷层的工序，即，该烧成温度满足，用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度为12％以下。
在该叠层陶瓷基板的制造方法中，形成包含非晶态玻璃及氧化铝的多个玻璃陶瓷层。其次，在多个玻璃陶瓷层的至少一个面上设置由金属制成的配线图案。进而，叠层多个玻璃陶瓷层来烧成多个玻璃陶瓷玻璃层。
在这种情况下，通过以使相对氧化铝X射线衍射的峰值强度的非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度小于12％的方式设定了烧成温度，故认为金属材料即使离子化也不会在玻璃陶瓷层中移动。由此，就能够防止迁移现象引起的电短路。结果，能够提高叠层陶瓷基板的成品率来降低产品的成本的同时，能够提高叠层陶瓷基板的可靠性。
更优选的方式是，在烧成多个玻璃陶瓷层的工序中，以使烧成的多个玻璃陶瓷层的密度相对于在所述结晶度为25％的场合下的玻璃陶瓷层的密度成为95％以上的方式，设定烧成温度。在这种情况下，能够使玻璃陶瓷层获得充分的强度及密度。
在所述烧成多个玻璃陶瓷层的工序中的烧成温度与所述结晶度为25％的场合下的烧成温度之差为—80℃以上，小于—55℃。
在这种情况下，通过将烧成温度的差设定为大于—80℃来使玻璃陶瓷层获得充分的强度及烧成密度。另外，通过设定烧成温度的差小于—55℃来可使结晶度小于12％，因此，能够防止由迁移现象引起的电短路。
更优选的方式是，非晶态玻璃含有硅酸。在这种情况下，容易地将结晶度降低到12％以下。
更优选的方式是，非晶态玻璃含有富硅高岭石。在这种情况下，能更容易地将结晶度降低到12％以下。
金属材料，也可包含银。即使在通过容易生成迁移现象的银来形成配线图案的场合，也可以通过将结晶度降低到12％以下来充分抑制电短路。
更优选的方式是，所述配线图案具有正对的部分，且在所述正对的部分之间的玻璃陶瓷层的区域内的银的浓度为4％以下。在这种情况下，能够充分抑制电短路。
更优选的方式是，在多个玻璃陶瓷层中的非晶态玻璃的含有量a为33重量％以上，59重量％以下，氧化铝的含有量b为55重量％以下，35重量％以上，且a+b<100重量％。
在这种情况下，更容易地将结晶度降低到12％以下。
烧成多个玻璃陶瓷层的工序包含将烧成温度设定为820℃以上，860℃以下的操作。
在这种情况下，能够使玻璃陶瓷层获得充分的强度及烧结密度的同时，能够防止由迁移现象引起的电短路。
如上所述，根据本发明，能够通过提高成品率来降低产品的成本，从而，能够提供可靠性高的叠层陶瓷基板。
附图说明
图1是以示意性表示本发明的一实施方式中的叠层陶瓷基板的立体图。
图2是以示意性表示如图1所示的叠层陶瓷基板的制造方法的立体图。
图3是表示烧成温度在880℃下的叠层陶瓷基板的X射线衍射(XRD)的光谱的一个例子的图。
图4是表示实施例中的烧成温度与烧结密度及结晶度之间的关系的图。
图5是表示在实施例中烧成温度与烧成收缩率的关系的图。
图6表示在实施例中烧成温度与烧成后的机械性质的关系的图。
图7表示在实施例中烧成温度与烧成后的介电常数之间的关系的图。
图8是表示本实施方式中的烧成温度与短路不良发生率的关系的图。
图9是表示结晶度与短路不良发生率的关系的简略图。
图10是表示结晶度与短路不良发生率的具体测定结果的图。
图11是表示实施例的烧成温度差与烧结密度及结晶度之间的关系的图。
图12是以示意性表示如图1所示的叠层陶瓷基板的一部分的断面图。
图13是表示在区域内的银浓度的测定结果与短路不良发生率之间的关系的图。
图14是表示现有叠层陶瓷基板的制造方法的示意性立体图。
图15是以示意性表示迁移现象的图。
具体实施方式
(优选的实施方式的说明)
以下，对相关本发明的实施方式的叠层陶瓷基板及其制造方法，基于附图进行说明。
图1是以示意性表示本发明的一个实施方式中的叠层陶瓷基板的立体图。
如图1所示，叠层陶瓷基板10，由多个玻璃陶瓷层11A～11D组成。各玻璃陶瓷层11A～11D包含非晶态玻璃及氧化铝(Al2O3)，在玻璃陶瓷层11A～11D的表面上形成有由银制成的配线图案12A～12D(一部分未图示)。这将在后面详细记述。非结晶玻璃是诸如富硅高岭石(CaAl2Si2O8)之类。
其次，对如图1所示的叠层陶瓷基板10的制造方法进行说明。图2是以示意性表示如图1所示的叠层陶瓷基板10的制造方法的立体图。
如图2所示，首先，在由非晶态玻璃及氧化铝制成的生片11a～11d上通过网板印刷分别形成规定的配线图案12A～12D。还有，所谓生片，是混合或混炼有机粘合剂及陶瓷原料粉末等，并加工成薄板状后干燥之物。
通过叠层这些生片11a～11d一同烧成来形成如图1所示的玻璃陶瓷层11A～11D。形成所述叠层陶瓷基板10时的烧成温度是大约820℃～大约860℃。
另外，相关本实施方式的叠层陶瓷基板10的组成如表1所示。
      表1
Figure C200510056517D00091
如表1所示，本实施方式中的叠层陶瓷基板10，包含33重量％～59重量％的非晶态玻璃，包含55重量％～35重量％的氧化铝(Al2O3)。另外，所谓如表1所示的X射线衍射强度比(以下，称为结晶度)，是将随着生片的烧成而进展的非晶态玻璃的结晶化状态与氧化铝(多晶体：Al2O3)进行比较而表示的，并使用X射线衍射的测定结果在其次的式中表示。
结晶度(％)＝I(glass)/I(Al2O3)×100     ...(1)
在这里，所谓I(glass)，表示非晶态玻璃(主要成分为SiO2)的X射线衍射的峰值强度，所谓I(Al2O3)，表示氧化铝X射线衍射的峰值强度。
在本上述方式中的叠层陶瓷基板10中，将烧成温度的上限设定为使结晶度在12％以下。
另外，将烧成温度的下限设定为满足以下条件，即，相对于结晶度为25％的场合下的玻璃陶瓷层10烧成后的密度(以下，称为烧结密度)具有95％以上的烧结密度。
在相关本实施方式的叠层陶瓷基板10中，由于结晶度为12％以下，故认为形成配线图案12A～12D的银即使离子化也不会在各玻璃陶瓷层11A～11D中移动。由此，就能够防止迁移现象引起的电短路。结果，能够提高叠层陶瓷基板10的成品率来降低产品的成本的同时，能够提高叠层陶瓷基板10的可靠性。
另外，相对于结晶度为25％的场合下的玻璃陶瓷基板10的烧结密度，具有大于95％的烧结密度，因此能够使叠层陶瓷基板10获得充分的强度及烧结密度。而且，配线图案12A～12D由银构成，所以，导电率高，并且在大气中也能烧成生片11a～11d。
还有，上述实施方式中，将玻璃陶瓷层11A～11D的叠层数取为4层，但不仅限于此叠层数。
(实施例)
以下，在实施例中，基于上述实施方式制作了叠层陶瓷件10，并进行了评价。
(实施例)
(烧成温度的实验)
本实施例中，作为生片11a～11d，使用低温烧成陶瓷(LTCC：日本电气真空硝子株式会社GCS71)。
另外，表2表示本实施例中使用的低温烧成陶瓷的组成。本实施例中使用的低温烧成陶瓷由富硅高岭石构成。
    表2
如表2所示，在本实施例中的低温烧成陶瓷中，包含的氧化硅(SiO2)为33重量％～40重量％，氧化铝(Al2O3)为44重量％～52重量％，氧化钙(CaO)为8.0重量％～13.0重量％，氧化钾为1.0重量％～3.0重量％。
(评价)
图3是表示叠层陶瓷基板10的X射线衍射(XRD)的光谱的一个例子的图。图3中纵轴表示强度，横轴表示衍射角度2θ(deg)。
如图3所示，在衍射角度2θ＝28.0～28.1deg内出现了对应富硅高岭石(CaAl2Si2O8)的峰值A，在衍射角度2θ＝31.0～31.2deg内出现了对应氧化铝(Al2O3)的峰值B。
如上述的方程式(1)所示，结晶度是从峰值A及峰值B的强度计算得出。
(对随烧成温度变化的各种参数的变化的验证)
其次，本实施例中，使用上述低温烧成陶瓷将烧成温度变化到800℃、820℃、840℃、860℃、880℃以及900℃来进行了烧成。
图4是表示实施例中的烧成温度与烧结密度及结晶度之间的关系的图。图5是表示在实施例中烧成温度与烧成收缩率之间的关系的图。图4的左纵轴表示烧结密度，右纵轴表示结晶度，横轴表示烧成温度。图5中的纵轴表示烧成收缩率，横轴表示烧成温度。
图5中的X—Y方向代表与生片的表面平行的方向，Z方向代表与生片的表面垂直的方向。
如图4及图5所示，在实施例中的叠层陶瓷基板10中，在烧成温度约大于820℃，小于900℃的场合下，烧结密度及烧成收缩率表示大致一定的值，在烧成温度大约小于820℃的场合下，烧结密度及烧成收缩率下降。另外，在烧成温度大约大于820℃，小于900℃的场合下，结晶度随烧成温度的增加而直线性增加。在烧成温度大约小于820℃的场合下，结晶度为0％。
另外，图6是表示实施例中烧成温度与烧成后的机械性质的关系的图。图7是表示实施例中烧成温度与烧成后的介电常数的关系的图。图6中的左纵轴表示抗弯强度，右纵轴表示维氏硬度，横轴表示烧成温度。图7中的纵轴表示介电常数，横轴表示烧成温度。
如图6及图7所示，在实施例中的叠层陶瓷基板10中，在烧成温度大约大于800℃，小于900℃的场合下，抗弯强度没有很大变化。而且，在烧成温度大约大于800℃，小于900℃的场合下，维氏硬度显示大致一定的值。但是，在烧成温度大约小于820℃的场合下，维氏硬度下降。另外，在烧成温度小于大致820℃的场合下，显示了介电常数也有下降的倾向。
由以上的结果可知，在烧成温度大约大于820℃的场合下，因为充分烧成生片11a～11d，能够使叠层陶瓷基板10具有充分的机械特性及电特性。
(烧成温度与短路不良发生率之间的关系)
其次，为了验证烧成温度与短路不良发生率之间的关系，在试验用的炉中变化烧成温度来制造了由叠层陶瓷基板(大小6.7mmx5.0mm)构成的720个天线转换开关模块。
图8是表示本实施例中的烧成温度与短路不良发生率之间的关系的图。图8中的纵轴表示短路不良发生率，横轴表示烧成温度。
如图8所示，在烧成温度大约小于840℃时，短路发生率大致为0％，不发生不良情况。但是，当温度上升到850℃、860℃及880℃时，短路不良发生率徐徐增加到2％、8％、15％。从此结果可知，温度上升时，容易出现迁移现象，容易增加短路不良发生率。
(结晶度和短路不良发生率之间的关系)
其次，为了验证结晶度与短路不良发生率之间的关系，测定了变化上述烧成温度来制作的天线转换开关模块的结晶度。
图9是表示结晶度与短路不良发生率之间的关系的简略图。图10是表示结晶度与短路不良发生率的具体测定结果的详细图。图9及图10的纵轴表示短路不良发生率，横轴表示结晶度。
如图9所示的结晶度25％是在推荐烧成温度900℃下烧成生片的场合下的结晶度。此场合下的短路不良发生率是15％。另外，由如图10所示测定结果可知，在结晶度小于12％的场合，能够抑制短路不良率在1％以下。
(烧成温度与烧结密度及结晶度之间的关系)
其次，验证了烧成温度与表示叠层陶瓷基板的烧结状态的烧结密度及结晶度之间的关系。
图11是表示本实施例的烧成温度差与烧结密度及结晶度之间的关系的图。图11中的左纵轴表示烧结密度，右纵轴表示结晶度，横轴表示烧成温度差。
图11中的烧成温度差ΔT，将在结晶度为25％的场合下的烧成温度规定为0。另外，烧结密度ΔD是在变化烧成温度的场合下的各密度D2相对于在烧成温度差ΔT为0的场合(结晶度为25％的情况)下的密度D1的比(D2/D1)。
如图11所示，在烧成温度差ΔT大约大于—55℃，小于+20℃的场合下，结晶度随烧成温度的增加而增加。另外，烧成温度差ΔT约小于—55℃的场合下，结晶度大致为0％。
可知，烧成温度差ΔT大于—60℃，小于+20℃的场合下，烧成密度ΔD保持一定的值。在烧成温度差ΔT约小于—60℃的场合下，烧成密度ΔD具有降低的倾向。
另外，根据图11可知，即使在结晶度为0％的场合下，烧成密度ΔD也在某个一定的温度范围保持大致一定的值，并对叠层陶瓷基板10进行了充分的烧结。另外，在形成叠层陶瓷基板10时，在基于机械特性及电特性所允许的烧结密度相对于结晶度为25％时的烧结密度为95％以上的场合下，烧成温度差ΔT最小可以到—80℃。
从以上可知，在形成叠层陶瓷基板10时，设定烧成温度的下限，优选的是，使烧成温度差ΔT在—80℃以内。此时，能够使玻璃陶瓷层获得充分的强度及烧结密度。
(关于银浓度与短路不良率之间的关系)
其次，对结晶度小于12％的叠层陶瓷基板10内的银浓度与短路不良率之间的关系进行了验证。
图12是以示意性表示如图1所示的叠层陶瓷基板10的一部分的断面图。
如图12所示，在玻璃陶瓷层11C上印刷有配线图案12C，并在玻璃陶瓷层11D上印刷有配线图案12D。
将与2个配线图案12C之间的部分及配线图案12C配线图案12D相互正对的部分作为区域17。对此区域17，进行了基于X射线微量分析仪(EPMA)的银浓度的测定。表3表示根据X射线微量分析仪(EPMA)的银浓度的测定结果。
     表3
Figure C200510056517D00141
如表3所示，在区域17内包含的非晶态玻璃为33重量％～59重量％，包含的氧化铝(Al2O3)为55重量％～35重量％。
另外，由X射线微量分析仪的测定结果可知，区域17的银浓度小于4％。
图13是表示在区域17内的银浓度的测定结果与短路不良发生率之间的关系的图。图13中的纵轴表示短路不良发生率，横轴表示银(Ag)浓度。
根据图13可知，在配线图案12A～12D相互正对的玻璃陶瓷层11A～11D的区域17内的银浓度小于4％的场合下，短路不良发生率大致小于1％。
由以上可知，通过以使结晶度小于12％的方式设定烧成温度，能够充分防止叠层陶瓷基板10的电短路。
其理由考虑如下，即：由于结晶度小于12％，所以银即使被离子化也不能在玻璃陶瓷层11A～11D中移动。
而且，在位于由银制成的配线图案12A～12D相互正对的部分的区域内的银的浓度小于4％的场合下，能够充分防止电短路。

Claims (12)

1.一种叠层陶瓷基板，其特征在于，
具有：所述叠层的多个玻璃陶瓷层；设置在所述多个玻璃陶瓷层的至少一面上，且由金属材料制成的配线图案；
而且，所述多个玻璃陶瓷层包含非晶态玻璃以及氧化铝，
用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比，来表示的结晶度为12％以下，
所述叠层陶瓷基板是在820℃以上860℃以下的温度下通过对所述多个玻璃陶瓷层进行烧成而制成的，
所述多个玻璃陶瓷层的密度是，用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度为25％的玻璃陶瓷层的密度的95％以上。
2.根据权利要求1所述的叠层陶瓷基板，其特征在于，
所述非晶态玻璃包含硅酸。
3.根据权利要求1所述的叠层陶瓷基板，其特征在于，
所述非晶态玻璃包含富硅高岭石。
4.根据权利要求1所述的叠层陶瓷基板，其特征在于，
所述金属材料包含银。
5.根据权利要求1所述的叠层陶瓷基板，其特征在于，
所述配线图案具有正对的部分，且在所述正对的部分之间的玻璃陶瓷层的区域内的银的浓度为4％以下。
6.根据权利要求1所述的叠层陶瓷基板，其特征在于，
在所述多个玻璃陶瓷层中的非晶态玻璃的含有量a为33重量％以上，59重量％以下，氧化铝的含有量b为55重量％以下，35重量％以上，且a+b<100重量％。
7.一种叠层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，
具有：
形成包含非晶态玻璃以及氧化铝的多个玻璃陶瓷层的工序；
在所述多个玻璃陶瓷层的至少一个面上设置由金属制成的配线图案的工序；
以及，叠层所述多个玻璃陶瓷层，并在满足以下条件的烧成温度下烧成所述多个玻璃陶瓷层的工序，即，该烧成温度满足，用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度为12％以下，
其中，所述烧成多个玻璃陶瓷层的工序包含将烧成温度设定为820℃以上，860℃以下的操作，
在所述烧成多个玻璃陶瓷层的工序中，以使烧成的多个玻璃陶瓷层的密度成为用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度为25％的玻璃陶瓷层的密度的95％以上的方式，设定烧成温度。
8.根据权利要求7所述的叠层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，
在所述烧成多个玻璃陶瓷层的工序中的烧成温度与用相对于所述氧化铝的X射线衍射的峰值强度的、所述非晶态玻璃的X射线衍射的峰值强度的比来表示的结晶度为25％的场合下的烧成温度之差为—80℃以上，小于—55℃。
9.根据权利要求7所述的叠层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述非晶态玻璃包含硅酸。
10.根据权利要求7所述的叠层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述非晶态玻璃包含富硅高岭石。
11.根据权利要求7所述的叠层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述金属材料包含银。
12.根据权利要求7所述的叠层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，在所述多个玻璃陶瓷层中的非晶态玻璃的含有量a为33重量％以上，59重量％以下，氧化铝的含有量b为55重量％以下，35重量％以上，且a+b<100重量％。
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