CN100452112C - 带配线的基体形成用层积体、带配线的基体及它们的制造方法 - Google Patents

带配线的基体形成用层积体、带配线的基体及它们的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供导电保护层和层积在其上的阴极之间的接触电阻极低的带配线的基体形成用层积体，它是将银类材料用于导电层，通过导电保护层对其被覆并保护的带配线的基体形成用层积体。带配线的基体形成用层积体，它是具有基体、在所述基体上形成的含有银或银合金的导体层、在所述导体层上形成的含有铟锌氧化物的被覆该导体层的导电保护层的带配线的基体形成用层积体，所述导电保护层为通过在溅射气体中的氧化性气体含量小于等于1.5体积%的气氛下的溅镀形成的导电保护层。

Description

带配线的基体形成用层积体、带配线的基体及它们的制造方法
技术领域
本发明涉及带有用作有机场致发光(有机EL)元件显示器等平板显示器用电极配线的配线的基体及其制造方法，以及用于它的带配线的基体形成用层积体及其制造方法。带配线的基体形成用层积体是指用于形成带配线的基体的层积体。
背景技术
随着近年来的高度信息化，对平板显示器的需求不断增长。近年来，特别是自发光型、可低电压驱动的有机EL元件显示器作为未来的显示器备受瞩目。有机EL元件基本上具有如下结构：在掺锡氧化铟(ITO)的透明电极(阳极)和金属电极(阴极)之间自阳极侧形成空穴传输层、发光层、电子传输层等有机质层。
作为与该有机EL元件相关的技术，记载有使用特定的IZO(In和Zn的氧化物)溅射靶材(spatter target)，在氩气或(Ar+1％O2)混合气体气氛中形成IZO膜的方法(参看专利文献1)。
此外，记载有特征为在基体和由Ag类材料形成的Ag类膜之间介以所述Ag类材料的氧化膜的具有Ag类膜的层积体，记载了通过加热基板、在氩气和氧气的混合气体中的溅镀来进行Ag类膜的成膜(参看专利文献2)。
此外，记载有特征为在特定的Ag合金薄膜的表面再设置金属氧化物和导电性好的金属的润湿性改善涂层构成的密合层的Ag合金薄膜电极(参看专利文献3)。
此外，专利文献4中记载了显示元件用带透明导电膜的基板，它是在透明电极的一侧主表面上被覆了透明导电膜的带透明导电膜的基板，所述透明导电膜由自基板侧依次层积第1防反射层、金属层、第2防反射层而构成，所述金属层是以重量％表示含有大于等于0.2、3.0未满的钯的银为主要成分的层。如果钯含量少于0.2重量％，则银层的耐水性的提高作用显著变弱，如果大于等于3.0重量％，则银层的电阻率大大超过10μΩm(参看专利文献4)。
另外，近年来的有机EL元件的彩色化和高清晰化中，需要ITO层的进一步低电阻化，但ITO层的低电阻化已经接近极限。因此，大多通过将铝、铝合金等低电阻金属作为配线，与ITO层构成的电极组合，来在实质上实现元件电路的低电阻化。
但是，使用铝、铝合金等铝类材料的情况下，难以将电阻率降得比约4μΩm左右更低。此外，还存在容易与ITO产生电化学反应的问题。
为了解决上述问题，提出使用比铝类材料更低电阻的银类材料(参看专利文献5)。具体来说，专利文献5中记载了特征为由银或银合金导电层和被覆并层积所述银或银合金导电层的具有导电性的导电保护层构成的银或银合金配线。
有机EL元件的制造工序中，为了提高元件的发光效率而进行紫外线-臭氧(UV/O3)洗涤和氧气(O2)等离子处理，但是以往由于银类材料的耐氧化性低，所以因UV/O3洗涤和O2等离子处理而被氧化，电阻率显著上升，因此无法使用。
对于这一点，专利文献5所记载的银或银合金配线通过将银类材料用于导电层，由导电保护层被覆并对其进行保护，实现了难以实用化的银类材料的实用化。
专利文献1：国际公开第00/68456号小册子
专利文献2：日本专利特开2003-170524号公报
专利文献3：日本专利特开2003-55721号公报
专利文献4：日本专利特开平9-283866号公报
专利文献5：日本专利特开2003-36037号公报
发明的揭示
发明要解决的课题
本发明者着眼于专利文献5中所记载的银或银合金配线还有使导电保护层和层积在其上的阴极之间的接触电阻下降的余地。通过使用特定的导电保护层可以降低平板显示器的驱动所需的电压，进而可以防止平板显示器的升温和劣化。
因此，本发明的目的在于提供导电保护层和层积在其上的阴极之间的接触电阻极低的带配线的基体形成用层积体，它是将银类材料用于导电层，通过导电保护层对其被覆并保护的带配线的基体形成用层积体。
解决课题的方法
本发明者对专利文献5所记载的技术认真研究后，发现通过使用特定的导电保护层可以降低导电保护层和层积在其上的阴极之间的接触电阻，从而完成了本发明。
即，本发明提供以下的(1)～(6)。
(1)带配线的基体形成用层积体，它是具有基体、在所述基体上形成的含有银或银合金的导体层、在所述导体层上形成的含有铟锌氧化物的被覆该导体层的导电保护层的带配线的基体形成用层积体，
所述导电保护层为通过在溅射气体中的氧化性气体含量小于等于1.5体积％的气氛下的溅镀形成的导电保护层。
(2)上述(1)所述的带配线的基体形成用层积体，所述导体层含有银钯合金。
(3)上述(1)或(2)所述的带配线的基体形成用层积体，在所述基体和所述导体层之间具有含有选自铟锌氧化物、银氧化物、银合金氧化物、钼氧化物、钼合金氧化物、铜合金氧化物和镍合金氧化物的至少1种的密合层。
(4)在上述(1)～(3)中的任一项所述的带配线的基体形成用层积体上实施平面状布图而获得的带配线的基体。
(5)带配线的基体形成用层积体的制造方法，具备以下步骤：
在基体上通过溅镀形成含有银或银合金的导体层的步骤；
在所述导电体上，通过在氧化性气体含量小于等于1.5体积％的气氛下的溅镀形成含有铟锌氧化物的导电保护层来被覆该导体层，从而得到带配线的基体形成用层积体的步骤。
(6)带配线的基体的制造方法，在通过上述(5)所述的带配线的基体形成用层积体的制造方法得到的带配线的基体形成用层积体上，通过光刻法呈平面状地实施布图，得到带配线的基体。
发明的效果
采用本发明，则在使用含有银类材料的导体层和被覆其的导电保护层时，导电保护层和阴极之间的接触电阻变低。由此，可以降低平板显示器的驱动所需的电压，进而可以防止平板显示器的升温和劣化。
附图的简单说明
[图1]将本发明的层积体呈平面状地进行布图而得到的本发明的带配线的基板的例子的平面示意图。
[图2]沿图1中的II-II线的截面图。
[图3]沿图1中的III-III线的截面图。
[图4]实施例中的接触电阻的测定样本的平面图。
符号的说明
1   玻璃基板
2   配线(辅助电极)
2a  导体层
2b  导电保护层
3   ITO阳极
4   有机质层
5   Al阴极
6   密封外壳
10  测定样本
12、12’、16、16’扩大部
14、18长方形图案
20  交叉部分
实施发明的最佳方式
以下，对本发明进行详细说明。
本发明的带配线的基体形成用层积体(以下简称“本发明的层积体”)具有基体、在所述基体上形成的含有银或银合金的导体层、在所述导体层上形成的含有铟锌氧化物的被覆该导体层的导电保护层。
基体可以例举透明或不透明的玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板、金属基板等。基体的形状通常为平板状，也可以是具有曲面的板状或异型形状。
用于自基体侧发光的结构的有机EL元件的情况下，基体较好是透明的，从强度和耐热性的角度来看，玻璃基板是特别好的。玻璃基板可以例举例如无色透明的碱石灰玻璃基板、石英玻璃基板、硼硅酸玻璃基板、无碱玻璃基板。用于有机EL元件的情况下，从强度和透过率的角度来看，玻璃基板的厚度较好是0.2～1.5mm。
在上述基板上形成的导体层含有银或银合金。银合金是银与大于等于1种其它任意物质的合金。用于银合金的其它物质可以例举例如钯、铜、钌、金、镁、锌、铟、氧化锡等。它们的掺入量没有特别限定，由于一般掺入量越大导体层的电阻率越高，所以相对于银合金的总量较好是小于等于10质量％。
其中，导体层的材料较好是使用含有钯的银合金。钯起到提高导体层的耐蚀性的效果和提高与邻接导体层的基板等的粘附性的效果。含有钯的银合金可以例举例如银钯合金、银钯铜合金。其中，从电阻率较好这一方面来看，银钯合金比银钯铜合金更理想。含有钯的银合金中钯的含有率较好是0.5～2原子％。如果在上述范围内，耐蚀性和粘附性良好，而且电阻率也低，所以是理想的。钯的含有率特别好是0.7～1.5原子％。
具体可以优选地例举例如99Ag-1Pd(含有1原子％钯的银合金)、98.1Ag-0.9Pd-1Cu(含有0.9原子％钯和1原子％铜的银合金)。
导体层的厚度较好是250～500nm，如果在该范围内，则导电性高。导体层的厚度更好是250～400nm。此外，后述的导电保护层的厚度大于等于25nm的情况下，还有光刻法中的蚀刻处理不会产生镀层突沿(overhang)的优点。
对导体层的形成方法没有特别限定。可以使用例如溅射法、蒸镀法、CVD法。其中，较好是溅射法。
使用溅射法的情况下，具体较好是如下进行。即，将Ag合金靶材放置在直流磁控溅射装置的阴极，再将基体放置在基体固定器上。接着，将成膜室内排真空后，导入氩气作为溅射气体。溅射压力较好是0.1～2Pa。此外，背压较好是1×10-6～1×10-2Pa。基体温度较好是150～250℃。成膜时，通过加热基体，粘附性提高，而且电阻率变小。
上述导体层上形成的导电保护层含有铟锌氧化物(IZO)。导电保护层被覆导体层地形成，由于IZO耐氧化性优异，通过导电保护层导体层受到保护，不易被氧化，所以即使进行UV/O3洗涤和O2等离子处理，电阻率也不会增大。
此外，IZO具有导电性。因此，不仅是导体层，导电保护层也作为辅助电极发挥作用。
导电保护层中，IZO中ZnO的含量相对于In2O3和ZnO的总量较好是5～15质量％。
本发明中，导电保护层通过在溅射气体中的氧化性气体含量小于等于1.5体积％的气氛下的溅镀形成。
以往，在通过溅射法使用氧化物靶材形成氧化物膜的情况下，为了减小得到的氧化物膜的电阻率，在含有氧气等氧化性气体的气氛下进行溅射是有效的，这作为本领域技术人员的技术常识已知。因此，为了减小得到的氧化物膜的电阻率而使透过率上升，通过在含有氧化性气体的气氛下的溅镀进行氧化物膜的形成是常识。
不同的是，本发明者关注的不是电阻率，而是导电保护层和阴极之间的接触电阻。而且，本发明者吃惊地发现，与上述技术常识相反，如果使溅射的气氛(溅射气体)中氧化性气体的含量小于等于规定范围，则虽然得到的IZO的电阻率与使用含有氧化性气体的气氛的情况相比变大，但导电保护层和阴极之间的接触电阻变小，而且作为整体电阻变小，发现这是非常有用的，从而完成了本发明。
专利文献1中，记载了使用特定的IZO溅射靶材在氩气或(Ar+1％O2)混合气体气氛中形成IZO膜的方法。
然而，专利文献1中所记载的仅仅是Sn作为在IZO中添加的金属是良好的，即使添加Sn对成膜也没有影响，所以在氩气或Ar+1％O2混合气体气氛中成膜，对于为什么选择氩气或(Ar+1％O2)混合气体气氛，完全没有记载。此外，添加Sn的布图速度的方面，也有可能产生问题。
形成导电保护层时的溅射的气氛只要是氧化性气体的含量小于等于1.5体积％，没有特别限定。氧化性气体的含量较好是小于等于1.0体积％，更好是小于等于0.5体积％，实际上还要好是0。
氧化性气体可以例举例如氧气、臭氧气体、二氧化碳气体、它们的混合气体(例如氧和臭氧的混合气体)。
上述溅射的气氛所含的氧化性气体之外的气体可以例举惰性气体。惰性气体可以例举例如氦、氖、氩、氪、氙。其中，从经济性和容易放电的角度来看，较好是氩。它们可以单独或混合两种以上使用。
形成导电保护层时的溅射的其它条件没有特别限定，较好是使用IZO的靶材，以与导体层同样的溅射压力、背压和基体温度成膜。
导电保护层的厚度较好是大于等于25nm，此外，较好是小于等于70nm，更好是小于等于50nm。如果导电保护层的厚度过薄，则由于IZO碱溶解性高至一定程度，布图失败情况下的二次加工时等会溶解而失去保护功能。另一方面，如果导电保护层的厚度过厚，则布图性下降。此外，由于IZO的蚀刻速度慢(例如在导体层中使用银钯合金的情况下，IZO的蚀刻速度是其约1/10)，制造效率低下。
本发明中，优选的一种方式是在上述的基体和导体层之间，具有含有选自IZO、银氧化物、银合金氧化物、钼氧化物、钼合金氧化物、铜合金氧化物和镍合金氧化物的至少1种的密合层。从粘附性的角度来看，密合层特别好是含有镍和钼的合金氧化物的层。
如果本发明的层积体具有这样的密合层，则基体和导体层之间的粘附性提高。
密合层的厚度较好是5～40nm。如果密合层的厚度过薄，则无法得到足够的粘附性。此外，如果密合层的厚度过厚，则制造效率低下。
密合层较好是通过在含有氧化性气体的气氛下的溅镀形成。氧化性气体可以使用上述的气体。
对于形成密合层时的溅射的其它条件，较好是以与导体层同样的溅射气体、溅射压力、背压和基体温度成膜。
本发明的层积体可以在上述的基体和导体层(具有密合层的情况下，为密合层)之间具有二氧化硅层。二氧化硅层通常使用二氧化硅靶材通过溅射形成。在基体为玻璃基板的情况下，二氧化硅层防止玻璃基板中的碱性成分向导体层转移而使导体层劣化。膜厚较好是5～30nm。
本发明的层积体可以在上述的基体(具有二氧化硅层的情况下，为二氧化硅层)和导体层(具有密合层的情况下，为密合层)之间具有ITO层。ITO层可以用作透明电极。
ITO层可以通过例如在基体上使用电子束法、溅射法、离子镀膜法等成膜而形成。其中，较好是使用相对于In2O3和SnO2的总量含有3～15质量％SnO2的ITO靶材，通过溅射形成。溅射的气氛较好是氧气和氩气的混合气体，这种情况下氧气浓度较好是0.2～2体积％。
ITO层较好是膜厚为50～300nm，此外形成的膜的SnO2含量较好是与ITO靶材的SnO2含量相同程度。
本发明的层积体在导电层使用银类材料，将其通过导电保护层被覆、保护，而且导电保护层与层积在其上的阴极之间的接触电阻极低，所以可以降低平板显示器的驱动所需的电压，进而有希望可以防止平板显示器的升温和劣化。
这样得到的本发明的层积体通过平面状地进行布图制成本发明的带配线的基体。本发明的带配线的基体的制造方法没有特别限定，较好是通过光刻法进行蚀刻处理的方法。以下，具体地进行说明。
对本发明的层积体，在其最表面的导电保护层上涂布光致抗蚀剂，在平面上印刷配线图案，根据光致抗蚀剂的图案，用蚀刻液将导体层和导电保护层的不需要的部分去除，形成带配线的基体。蚀刻液较好是酸性水溶液。酸性水溶液可以使用例如磷酸、硝酸、醋酸、硫酸、盐酸或它们的混合物，硝酸铈铵、高氯酸或它们的混合物。其中，较好是磷酸、硝酸、醋酸、硫酸和水的混合溶液，或者磷酸、硝酸、醋酸和水的混合溶液。
本发明的层积体具有ITO层的情况下，可以通过蚀刻液将导体层及导电保护层和ITO层一起去除，也可以先去除导体层及导电保护层，另外去除ITO层，或者可以预先将ITO层进行布图，溅射导体层及导电保护层后，去除配线部分之外的导体层及导电保护层。
接着，对于使用本发明的层积体形成本发明的带配线的基体并制作有机EL元件显示器的优选例，使用附图进行说明。但是，本发明并不局限于这一例子。
图1是将本发明的层积体呈平面状地进行布图而得到的本发明的带配线的基板的例子的平面示意图，图2是沿图1中的II-II线的截面图，图3是沿图1中的III-III线的截面图。
首先，在玻璃基板1上形成ITO层。ITO层可以在玻璃基板1的整面形成，也可以在一部分形成。然后，将ITO层蚀刻成条状的图案，形成ITO阳极3。接着，通过溅射形成作为导体层的银钯层。再在银钯层上通过在氧化性气体含量小于等于1.5体积％的气氛下的溅镀形成作为导电保护层的IZO层，被覆银钯层，得到本发明的层积体。
再在本发明的层积体上涂布光致抗蚀剂，根据光致抗蚀剂的布图，对银钯层和IZO层的不需要的部分进行蚀刻，剥离抗蚀层，形成由导体层2a和导电保护层2b构成的配线2。然后，进行紫外线照射洗涤，对层积体整体进行UV/O3洗涤或O2等离子处理。紫外线照射洗涤通常是通过紫外线灯照射紫外线，去除有机物。
接着，在ITO阳极3上形成具有空穴传输层、发光层、电子传输层的有机质层4。设置阴极隔离层(separator)(隔壁)的情况下，进行有机质层4的真空蒸镀之前，通过光刻形成隔壁。然后，通过溅射形成作为阴极背面电极的Al阴极5，使其与ITO阳极3垂直。另外，将图中以虚线包围的部分用树脂密封成密封外壳6，得到有机EL元件显示器。
本发明的带配线的基体使用本发明的层积体，所以可以降低有机EL元件显示器等平板显示器的驱动所需的电压，进而有希望可以防止平板显示器的升温和劣化。
实施例
以下，例举实施例，对本发明进行具体说明。但是，本发明并不局限于这些实施例。
1-1.带配线的基体形成用层积体等的制作
(例1)
将厚0.7mm的碱石灰玻璃基板洗净后，放置于溅射装置中，在所述基板上使用二氧化硅靶材通过高频磁控溅射法形成厚20nm的二氧化硅层，得到带二氧化硅层的基板。
接着，在所述带二氧化硅层的基板上使用ITO靶材(相对于In2O3和SnO2的总量含有10质量％SnO2)通过直流磁控溅射法形成厚约160nm的ITO层，得到带ITO层的基板。ITO层的组成与ITO靶材大致相同。
然后，在所述带ITO层的基板上使用银钯合金靶材(99Ag-1Pd(原子％))通过直流磁控溅射法在氩气气氛下形成厚约300nm的99Ag-1Pd(原子％)合金层作为导体层，得到带导体层的基板。溅射的条件为背压5×10-4Pa、溅射压力0.5Pa、成膜温度(基板温度)200℃。
(例2～5)
在例1中得到的带导体层的基板上使用IZO靶材(相对于In2O3和ZnO的总量含有10.7质量％ZnO。)通过直流磁控溅射法在氩气气氛下形成表1所示的厚度的IZO层作为导电保护层，得到带配线的基体形成用层积体。溅射的条件为溅射压力0.6Pa、成膜温度(基板温度)200℃。IZO层的组成与IZO靶材大致相同。
1-2.带配线的基体形成用层积体等的耐UV/O3性的评价
对例1中得到的带导体层的基板和例2～5中得到的带配线的基体形成用层积体，通过光刻法进行布图，形成宽50μm的配线，得到带配线的基板。光刻法中的蚀刻时间如表1所示。
然后，如下对耐UV/O3性进行评价。
将带配线的基板用泷泽产业公司制的UV/O3洗净装置进行UV/O3处理10分钟，用显微镜观察处理后的配线，评价耐UV/O3性。具体来说，配线中没有发现腐蚀的评价为○，配线中发现腐蚀的评价为×。此外，将带配线的基板在3质量％氢氧化钠水溶液中浸渍10分钟，进行碱处理，用与上述同样的方法评价耐UV/O3性。未处理和碱处理后的耐UV/O3性如表1所示。
Figure C20048002797000131
由表1可知，具有导电保护层的情况下(例2～5)，耐UV/O3性良好。尤其，在导电保护层的厚度在30～50nm的情况下(例3～5)，碱处理后的耐UV/O3性也良好。这是由于在导电保护层的厚度为20nm的情况下(例2)，因为导电保护层所使用的IZO耐碱性不高，所以由于碱处理导电保护层溶解，导体层部分暴露，相反，在导电保护层的厚度在30～50nm的情况下(例3～5)，具有防止导体层暴露的足够的厚度。
2-1.带配线的基体形成用层积体的制作
(例6～8)
在例1中得到的带二氧化硅层的基板上使用银钯合金靶材(99Ag-1Pd(原子％))通过直流磁控溅射法在氩气气氛下形成厚约380nm的99Ag-1Pd(原子％)合金层作为导体层，得到带导体层的基板。溅射的条件为背压5×10-4Pa、溅射压力0.5Pa、成膜温度(基板温度)200℃。
在所述带导体层的基板上使用IZO靶材(相对于In2O3和ZnO的总量含有10.7质量％ZnO。)通过直流磁控溅射法形成厚约30nm的IZO层作为导电保护层，得到带配线的基体形成用层积体。溅射的条件为溅射压力0.6Pa、成膜温度(基板温度)200℃。此外，溅射气体使用氩气(例6)、含1.0体积％氧气的氩气(例7)和含2.0体积％氧气的氩气(例8)。IZO层的组成与IZO靶材大致相同。
2-2.带配线的基体形成用层积体的与阴极之间的接触电阻的评价
制成图4所示的测定样本10。首先，对例6～8中得到的带配线的基体形成用层积体进行湿法蚀刻(wet etching)，使不需要的部分的导体层和导电保护层溶解，从而形成在两端具有2mm的扩大部12和12’的宽100μm的长方形图案14。接着，使用将通过光蚀刻法形成的抗蚀层作为掩模的剥离(lift-off)法，通过真空蒸镀法形成由与上述长方形图案垂直的、在两端具有2mm的扩大部16和16’的宽100μm的长方形图案18构成的Al层。其中，在两个长方形图案14和18交叉的交叉部分20，于带二氧化硅层的基板上层积了导体层、导电保护层和Al层。
在上述中得到的测定样本中，将电极连接扩大部12和16并通电，通过将电极连接扩大部12’和16’测定它们之间的电压，由此测定测定样本的交叉部分20中的导电保护层和Al层之间的每个边长100μm正方形的接触电阻。
此外，对于除了湿法蚀刻后在300℃下进行热处理60分钟之外，通过与上述同样的方法得到的测定样本，通过与上述同样的方法测定导电保护层和Al层之间的接触电阻。
结果如表2所示。
表2
Figure C20048002797000151
由表2可知，用于形成导电保护层的溅射的溅射气体中氧化性气体的含量为0.0体积％和1.0体积％的情况下(例6和7)，接触电阻在未处理时和热处理后都小。相反，溅射气体中氧化性气体的含量为2.0体积％的情况下(例8)，接触电阻在未处理时和热处理后都大。热处理前后的接触电阻的上升小于等于20Ω/□、特别是小于等于10Ω/□在实用上是理想的。此外，接触电阻在热处理后小于等于30Ω/□、特别是小于等于20Ω/□在实用上是理想的。
3.带配线的基体形成用层积体的粘附性的评价
对例3中得到的带配线的基体形成用层积体，使用负荷变动型刮离试验机(トライギアHHS2000，新东科学公司制，针曲率0.2μm)，增加负荷的同时进行刮离试验，测定导体层和导电保护层剥离的负荷。测定进行5次，计算平均值。
结果如表3所示。可以说在上述刮离试验中剥离的负荷大于等于50gf时，则导体层的粘附性为实用上没有问题的水平。
表3
Figure C20048002797000152
由表3可知，本发明的层积体具有实用上没有问题的水平的粘附性。

Claims (7)

1.带配线的基体形成用层积体，它是具有基体、在所述基体上形成的含有银或银合金的导体层、在所述导体层上形成的含有铟锌氧化物的被覆该导体层的导电保护层的带配线的基体形成用层积体，其特征在于，所述导电保护层为通过在溅射气体中的氧化性气体含量小于等于1.5体积％的气氛下的溅镀形成的导电保护层，所述导电保护层的厚度为25至70nm。
2.如权利要求1所述的带配线的基体形成用层积体，其特征还在于，所述导体层含有银钯合金。
3.如权利要求1或2所述的带配线的基体形成用层积体，其特征还在于，在所述基体和所述导体层之间具有含有选自铟锌氧化物、银氧化物、银合金氧化物、钼氧化物、钼合金氧化物、铜合金氧化物和镍合金氧化物的至少1种的密合层，所述密合层的厚度为5至40nm。
4.带配线的基体，其特征在于，在权利要求1～3中的任一项所述的带配线的基体形成用层积体上实施平面状布图而获得。
5.有机EL元件显示器，其特征在于，使用权利要求4所述的带配线的基体。
6.带配线的基体形成用层积体的制造方法，其特征在于，具备以下步骤：
在基体上通过溅镀形成含有银或银合金的导体层的步骤；
在所述导体层上，通过在氧化性气体含量小于等于1.5体积％的气氛下的溅镀形成含有铟锌氧化物的导电保护层来被覆该导体层，得到带配线的基体形成用层积体的步骤。
7.带配线的基体的制造方法，其特征在于，在通过权利要求6所述的带配线的基体形成用层积体的制造方法得到的带配线的基体形成用层积体上，通过光刻法呈平面状地实施布图，得到带配线的基体。
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