JP2003055721A - Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲット - Google Patents
Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲットInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 密着性に優れたＡｇ合金薄膜からなる電
極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲ
ット、及びこの薄膜を用いた有機ＥＬ素子の提供。 【解決手段】 Ａｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから
選択された少なくとも１つの金属とを添加してなるＡｇ
合金から形成された薄膜であって、０．１〜４．０ａｔ
％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％
のＴｉ、及び０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有する薄膜か
らなる。この薄膜と同じ合金組成を有するスパッタリン
グ用ターゲット。この薄膜からなる電極を用いた有機Ｅ
Ｌ素子。
極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲ
ット、及びこの薄膜を用いた有機ＥＬ素子の提供。 【解決手段】 Ａｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから
選択された少なくとも１つの金属とを添加してなるＡｇ
合金から形成された薄膜であって、０．１〜４．０ａｔ
％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％
のＴｉ、及び０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有する薄膜か
らなる。この薄膜と同じ合金組成を有するスパッタリン
グ用ターゲット。この薄膜からなる電極を用いた有機Ｅ
Ｌ素子。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】この発明は、液晶、有機ＥＬ
（ＯＬＥＤ）等の表示素子用その他の（透明）薄膜配
線、電極等に用いられるＡｇ（銀）合金薄膜に関するも
のである。特に、この薄膜からなるＡｇ合金薄膜電極、
この薄膜電極を用いた有機ＥＬ素子及びこの薄膜電極を
形成するためのスパッタリング用ターゲットに関するも
のである。
（ＯＬＥＤ）等の表示素子用その他の（透明）薄膜配
線、電極等に用いられるＡｇ（銀）合金薄膜に関するも
のである。特に、この薄膜からなるＡｇ合金薄膜電極、
この薄膜電極を用いた有機ＥＬ素子及びこの薄膜電極を
形成するためのスパッタリング用ターゲットに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
Ａｇ合金薄膜（例えば、特開2000-109943号公報、特開2
000-285517号公報に記載されるＡｇＰｄＣｕ合金）は、
下地もしくはその上に積層される膜との密着性があまり
良くなかった。例えば、ガラス基板上に直接Ａｇ合金薄
膜を形成したり、あるいはアモルファス状ＩＴＯ（本明
細書中では、ａ−ＩＴＯと略す。）膜／Ａｇ合金膜／ａ
−ＩＴＯ膜を順次スパッタリングにて積層した後、これ
をフォト工程を経てウエットエッチングしてパターニン
グすると、ガラス基板とａ−ＩＴＯ膜との界面及びａ−
ＩＴＯ膜とＡｇ合金膜との界面で膜はがれが生じ易いと
いう問題があった。この膜はがれは、特に、超音波やブ
ラシ洗浄による仕上げ時に顕著である。そのため適当な
密着層を必要としていた。この発明の課題は、密着性に
優れたＡｇ合金薄膜を見出し、この薄膜からなる電極、
この薄膜を用いた有機ＥＬ素子、及びこの薄膜の合金組
成と同じ組成を有するスパッタリング用ターゲットを提
供することにある。
Ａｇ合金薄膜（例えば、特開2000-109943号公報、特開2
000-285517号公報に記載されるＡｇＰｄＣｕ合金）は、
下地もしくはその上に積層される膜との密着性があまり
良くなかった。例えば、ガラス基板上に直接Ａｇ合金薄
膜を形成したり、あるいはアモルファス状ＩＴＯ（本明
細書中では、ａ−ＩＴＯと略す。）膜／Ａｇ合金膜／ａ
−ＩＴＯ膜を順次スパッタリングにて積層した後、これ
をフォト工程を経てウエットエッチングしてパターニン
グすると、ガラス基板とａ−ＩＴＯ膜との界面及びａ−
ＩＴＯ膜とＡｇ合金膜との界面で膜はがれが生じ易いと
いう問題があった。この膜はがれは、特に、超音波やブ
ラシ洗浄による仕上げ時に顕著である。そのため適当な
密着層を必要としていた。この発明の課題は、密着性に
優れたＡｇ合金薄膜を見出し、この薄膜からなる電極、
この薄膜を用いた有機ＥＬ素子、及びこの薄膜の合金組
成と同じ組成を有するスパッタリング用ターゲットを提
供することにある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ａｇに、
Ａｕと共にＣｕ、Ｔｉ、Ｓｎのうちの少なくとも１つの
金属を添加することにより、低い抵抗、良好な耐食性を
保ったままで、従来のものよりも良好な密着性を有する
薄膜が得られることを知見し、その知見に基づいて本発
明を完成するに至った。この発明のＡｇ合金薄膜電極
は、Ａｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから選択された
少なくとも１つの金属とを添加してなるＡｇ合金から形
成された薄膜からなるものであり、０．１〜４．０ａｔ
％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％
のＴｉ、及び０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有している。
この添加金属が１．１〜２．１ａｔ％のＡｕ及び０〜
５．０ａｔ％のＣｕであること、１．１〜２．１ａｔ％
のＡｕ及び０．１〜１．０ａｔ％のＴｉであること、又
は１．１〜２．１ａｔ％のＡｕ及び０．１〜１．０ａｔ
％のＳｎであることが、より良好な密着性を得るために
は望ましい。
Ａｕと共にＣｕ、Ｔｉ、Ｓｎのうちの少なくとも１つの
金属を添加することにより、低い抵抗、良好な耐食性を
保ったままで、従来のものよりも良好な密着性を有する
薄膜が得られることを知見し、その知見に基づいて本発
明を完成するに至った。この発明のＡｇ合金薄膜電極
は、Ａｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから選択された
少なくとも１つの金属とを添加してなるＡｇ合金から形
成された薄膜からなるものであり、０．１〜４．０ａｔ
％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％
のＴｉ、及び０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有している。
この添加金属が１．１〜２．１ａｔ％のＡｕ及び０〜
５．０ａｔ％のＣｕであること、１．１〜２．１ａｔ％
のＡｕ及び０．１〜１．０ａｔ％のＴｉであること、又
は１．１〜２．１ａｔ％のＡｕ及び０．１〜１．０ａｔ
％のＳｎであることが、より良好な密着性を得るために
は望ましい。
【０００４】前記Ａｇ合金薄膜の合金組成が膜厚方向に
変化していてもよい。この薄膜は、ガラスやプラスチッ
ク等の板状やフィルム状の基板に、金属酸化物や導電性
の良い金属、ぬれ性改善コーティング（いわゆる「トッ
プコート」）等の密着層を介して形成されてもよく、ま
た、このように形成された薄膜の表面に、更に金属酸化
物や導電性の良い金属、ぬれ性改善コーティング等の密
着層を設けてもよい。金属酸化物からなる密着層は、高
透過率又は高反射率の点から、ａ−ＩＴＯ、ＩＺＯ等か
らなる透明導電膜であることが望ましく、これらは結
晶、微結晶でもよい。導電性の良い金属としては、例え
ば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ等の金属を使
用できる。
変化していてもよい。この薄膜は、ガラスやプラスチッ
ク等の板状やフィルム状の基板に、金属酸化物や導電性
の良い金属、ぬれ性改善コーティング（いわゆる「トッ
プコート」）等の密着層を介して形成されてもよく、ま
た、このように形成された薄膜の表面に、更に金属酸化
物や導電性の良い金属、ぬれ性改善コーティング等の密
着層を設けてもよい。金属酸化物からなる密着層は、高
透過率又は高反射率の点から、ａ−ＩＴＯ、ＩＺＯ等か
らなる透明導電膜であることが望ましく、これらは結
晶、微結晶でもよい。導電性の良い金属としては、例え
ば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ等の金属を使
用できる。
【０００５】前記密着層が一層の場合はその層が、ま
た、二層の場合はそのいずれか又は両方の層が、Ｈ２０
又はＨ２添加雰囲気の低電圧スパッタ法により形成され
たａ−ＩＴＯからなる透明導電膜であることが望まし
い。この透明導電膜のうち片方又は両方がアニール処理
により低抵抗化したものであってもよい。この場合のア
ニール法は、通常の大気又は雰囲気制御もしくは真空の
オーブンの他、レーザーやランプ集光を用いたり、誘導
電流加熱を用いたアニールでもよい。また、Ａｇ合金薄
膜電極は、前記薄膜のうち少なくとも２つ以上の膜を積
層した積層タイプであってもよい。上記したような合金
組成を有するＡｇ合金薄膜は、これと同じ合金組成を有
するスパッタリング用ターゲットを用いて通常のプロセ
スにより形成され、得られた薄膜の密着性は良好であ
る。上記したＡｇ合金薄膜電極を用いて有機ＥＬ素子を
はじめとする各種電子素子や光学素子等を作成すること
ができる。
た、二層の場合はそのいずれか又は両方の層が、Ｈ２０
又はＨ２添加雰囲気の低電圧スパッタ法により形成され
たａ−ＩＴＯからなる透明導電膜であることが望まし
い。この透明導電膜のうち片方又は両方がアニール処理
により低抵抗化したものであってもよい。この場合のア
ニール法は、通常の大気又は雰囲気制御もしくは真空の
オーブンの他、レーザーやランプ集光を用いたり、誘導
電流加熱を用いたアニールでもよい。また、Ａｇ合金薄
膜電極は、前記薄膜のうち少なくとも２つ以上の膜を積
層した積層タイプであってもよい。上記したような合金
組成を有するＡｇ合金薄膜は、これと同じ合金組成を有
するスパッタリング用ターゲットを用いて通常のプロセ
スにより形成され、得られた薄膜の密着性は良好であ
る。上記したＡｇ合金薄膜電極を用いて有機ＥＬ素子を
はじめとする各種電子素子や光学素子等を作成すること
ができる。
【０００６】
【実施例】本発明をさらに詳細に説明するために、公知
のインターバック式通過成膜スパッタ装置（以下、「ス
パッタ成膜装置」と称す。）により、種々の組成を有す
るＡｇ合金ターゲットを使用して、公知のプロセス条件
の下で、該ターゲットの組成に応じたＡｇ合金薄膜をガ
ラス基板上に形成した。形成された薄膜の電気抵抗（比
抵抗）、密着性、耐食性、反射率等を評価し、この発明
によるＡｇ合金薄膜を従来品のＡｇＰｄＣｕ合金薄膜と
比較した。 （実施例１）上記スパッタ装置により、以下の表１に示
す種々の膜組成と同じ組成を有するＡｇ合金ターゲット
を用い、各種組成のＡｇ合金薄膜（膜厚：１０００Å）
を形成した。基板として、素ガラス（コーニング＃７０
５９）及びこの素ガラスにａ−ＩＴＯを厚さ３００〜１
０００Åでスパッタ成膜したものを用いた。成膜を室温
及び１５０℃で行ったが、結果は同様であったので、以
下、室温で行った場合について述べる。
のインターバック式通過成膜スパッタ装置（以下、「ス
パッタ成膜装置」と称す。）により、種々の組成を有す
るＡｇ合金ターゲットを使用して、公知のプロセス条件
の下で、該ターゲットの組成に応じたＡｇ合金薄膜をガ
ラス基板上に形成した。形成された薄膜の電気抵抗（比
抵抗）、密着性、耐食性、反射率等を評価し、この発明
によるＡｇ合金薄膜を従来品のＡｇＰｄＣｕ合金薄膜と
比較した。 （実施例１）上記スパッタ装置により、以下の表１に示
す種々の膜組成と同じ組成を有するＡｇ合金ターゲット
を用い、各種組成のＡｇ合金薄膜（膜厚：１０００Å）
を形成した。基板として、素ガラス（コーニング＃７０
５９）及びこの素ガラスにａ−ＩＴＯを厚さ３００〜１
０００Åでスパッタ成膜したものを用いた。成膜を室温
及び１５０℃で行ったが、結果は同様であったので、以
下、室温で行った場合について述べる。
【０００７】得られた合金薄膜の評価は、比抵抗につい
てはガラス基板上の合金薄膜を四端子測定により行い、
密着性については、各基板に形成した合金薄膜をナイフ
で５ｍｍ角の碁盤目状に５Ｘ５＝２５個に区切り、セロ
ハンテープ及びそれより強力な粘着力を有するスコッチ
テープを用いるピールテストにより行った。ピールテス
トの場合、２５個の碁盤目のうちの残った数を密着性の
指針とした。ナイフによるキズ部（溝部）が若干はがれ
たものは０．５減じた。また、耐食性については、塩水
テストにより評価した。Ａｇ合金薄膜の形成された各基
板を５ｗｔ％ＮａＣｌ水溶液中に９６時間浸漬し、目視
により腐食の有無を判定した。
てはガラス基板上の合金薄膜を四端子測定により行い、
密着性については、各基板に形成した合金薄膜をナイフ
で５ｍｍ角の碁盤目状に５Ｘ５＝２５個に区切り、セロ
ハンテープ及びそれより強力な粘着力を有するスコッチ
テープを用いるピールテストにより行った。ピールテス
トの場合、２５個の碁盤目のうちの残った数を密着性の
指針とした。ナイフによるキズ部（溝部）が若干はがれ
たものは０．５減じた。また、耐食性については、塩水
テストにより評価した。Ａｇ合金薄膜の形成された各基
板を５ｗｔ％ＮａＣｌ水溶液中に９６時間浸漬し、目視
により腐食の有無を判定した。
【０００８】表１に、ＡｇにＡｕ、Ｃｕを添加して得た
Ａｇ合金から形成した薄膜の膜組成を示すと共に、比抵
抗、密着性テスト及び塩水テストの結果を示す。表１
中、密着性において、／ガラスの欄は、素ガラス上に
Ａｇ合金膜を形成したものについて、セロファンテープ
により剥離せずに残った数を示し、／ガラスの欄は、
素ガラス上にＡｇ合金膜を形成したものについて、スコ
ッチテープにより剥離せずに残った数を示し、／ＩＴ
Ｏの欄は、ａ−ＩＴＯ膜を約３００〜１０００Å成膜済
のガラスのａ−ＩＴＯ上にＡｇ合金を形成したものにつ
いて、スコッチテープにより剥離せずに残った数を示
す。塩水テストにおいて、○は腐食なし、Ｘは腐食あり
を示す。
Ａｇ合金から形成した薄膜の膜組成を示すと共に、比抵
抗、密着性テスト及び塩水テストの結果を示す。表１
中、密着性において、／ガラスの欄は、素ガラス上に
Ａｇ合金膜を形成したものについて、セロファンテープ
により剥離せずに残った数を示し、／ガラスの欄は、
素ガラス上にＡｇ合金膜を形成したものについて、スコ
ッチテープにより剥離せずに残った数を示し、／ＩＴ
Ｏの欄は、ａ−ＩＴＯ膜を約３００〜１０００Å成膜済
のガラスのａ−ＩＴＯ上にＡｇ合金を形成したものにつ
いて、スコッチテープにより剥離せずに残った数を示
す。塩水テストにおいて、○は腐食なし、Ｘは腐食あり
を示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１から明らかなように、Ａｕの組成が
０．８〜３．２ａｔ％の場合において、従来のＡｇ金
属、ＡｇＰｄＣｕ合金の場合よりも密着性の改善が見ら
れた。特に、素ガラス上に直接Ａｇ合金膜を形成した場
合において、Ａｕが約０．８〜１．６ａｔ％付近で密着
性効果が良い。比抵抗も約５μΩｃｍ以下であり、配線
に用いることのできる実用的な値である。塩水テストに
よる耐食性も問題なかった。 （実施例２）Ａｇ合金ターゲットとして、ＡｇにＡｕを
添加したものに、さらにＴｉ又はＳｎを添加したものを
用いた以外は、実施例１と同様にして行った。ただし、
Ａｕの添加量は実施例１で効果の良かった約１．６ａｔ
％として、Ｔｉ及びＳｎの添加量を種々変えて効果を調
べた。得られた結果を表２に示す。Ｔｉ、Ｓｎ共に添加
量に対する比抵抗の上昇は著しいものの、それぞれ約
１．０ａｔ％以下であれば、実用上配線として使用でき
る約５μΩｃｍ以下であり、密着性も従来のＡｇ金属、
ＡｇＰｄＣｕ合金（表１記載）と同等以上であり、耐食
性も十分であった。
０．８〜３．２ａｔ％の場合において、従来のＡｇ金
属、ＡｇＰｄＣｕ合金の場合よりも密着性の改善が見ら
れた。特に、素ガラス上に直接Ａｇ合金膜を形成した場
合において、Ａｕが約０．８〜１．６ａｔ％付近で密着
性効果が良い。比抵抗も約５μΩｃｍ以下であり、配線
に用いることのできる実用的な値である。塩水テストに
よる耐食性も問題なかった。 （実施例２）Ａｇ合金ターゲットとして、ＡｇにＡｕを
添加したものに、さらにＴｉ又はＳｎを添加したものを
用いた以外は、実施例１と同様にして行った。ただし、
Ａｕの添加量は実施例１で効果の良かった約１．６ａｔ
％として、Ｔｉ及びＳｎの添加量を種々変えて効果を調
べた。得られた結果を表２に示す。Ｔｉ、Ｓｎ共に添加
量に対する比抵抗の上昇は著しいものの、それぞれ約
１．０ａｔ％以下であれば、実用上配線として使用でき
る約５μΩｃｍ以下であり、密着性も従来のＡｇ金属、
ＡｇＰｄＣｕ合金（表１記載）と同等以上であり、耐食
性も十分であった。
【００１１】
【表２】
【００１２】（実施例３）Ａｇ合金ターゲットとして、
ＡｇにＡｕとＣｕを添加したものに、さらにＴｉ又はＳ
ｎを添加したものを用いた以外は、実施例１と同様にし
て行った。ただし、ＡｕとＣｕの添加量は実施例１で効
果の良かったＡｕ約１．６ａｔ％、Ｃｕ１．４〜３．６
ａｔ％とし、Ｔｉ及びＳｎの添加量を種々変えて効果を
調べた。結果を表３に示す。Ｔｉ、Ｓｎ共に１．０ａｔ
％以下でＣｕの添加量が少なければ、比抵抗約５μΩｃ
ｍ以下であり、実用配線として使用できる。密着性も向
上しており、耐食性も良好であった。
ＡｇにＡｕとＣｕを添加したものに、さらにＴｉ又はＳ
ｎを添加したものを用いた以外は、実施例１と同様にし
て行った。ただし、ＡｕとＣｕの添加量は実施例１で効
果の良かったＡｕ約１．６ａｔ％、Ｃｕ１．４〜３．６
ａｔ％とし、Ｔｉ及びＳｎの添加量を種々変えて効果を
調べた。結果を表３に示す。Ｔｉ、Ｓｎ共に１．０ａｔ
％以下でＣｕの添加量が少なければ、比抵抗約５μΩｃ
ｍ以下であり、実用配線として使用できる。密着性も向
上しており、耐食性も良好であった。
【００１３】
【表３】
【００１４】（実施例４）実施例１と同じスパッタ成膜
装置を使用し、ガラス基板上にＨ２０添加雰囲気中での
低電圧スパッタ法（電圧：約２５０〜３００Ｖ）により
ａ−ＩＴＯ膜を約３００Åの膜厚で形成し、その上に
１．６ａｔ％のＡｕ、１．４ａｔ％のＣｕを含有するＡ
ｇ合金薄膜又は１．５ａｔ％のＡｕ、１．４ａｔ％のＣ
ｕ、０．２ａｔ％のＳｎを含有するＡｇ合金薄膜をＡｒ
等の不活性ガス雰囲気中で約３００Åの膜厚で形成した
後に、さらにＨ２Ｏ雰囲気中で前記ａ−ＩＴＯ膜を約３
００Åの膜厚で形成し、これをフォト工程によりエッチ
ング・パターニングして配線を形成した。前記したよう
に、Ａｇ合金薄膜とａ−ＩＴＯ膜との密着性が良好なの
で、エッチング後もＡｇ合金薄膜の剥離を生じることは
無かった。これらはいずれの工程も室温で成膜した結果
であり、下地のａ−ＩＴＯ膜へのＡｇ合金薄膜の成膜は
真空中で連続して行った。また、いずれの工程も加熱成
膜（１５０℃）により行った場合も、室温の場合と同様
の結果が得られた。さらにまた、ａ−ＩＴＯ成膜後に基
板を一旦大気中へ取出した後でＡｇ合金薄膜を成膜して
も同様の結果が得られた。
装置を使用し、ガラス基板上にＨ２０添加雰囲気中での
低電圧スパッタ法（電圧：約２５０〜３００Ｖ）により
ａ−ＩＴＯ膜を約３００Åの膜厚で形成し、その上に
１．６ａｔ％のＡｕ、１．４ａｔ％のＣｕを含有するＡ
ｇ合金薄膜又は１．５ａｔ％のＡｕ、１．４ａｔ％のＣ
ｕ、０．２ａｔ％のＳｎを含有するＡｇ合金薄膜をＡｒ
等の不活性ガス雰囲気中で約３００Åの膜厚で形成した
後に、さらにＨ２Ｏ雰囲気中で前記ａ−ＩＴＯ膜を約３
００Åの膜厚で形成し、これをフォト工程によりエッチ
ング・パターニングして配線を形成した。前記したよう
に、Ａｇ合金薄膜とａ−ＩＴＯ膜との密着性が良好なの
で、エッチング後もＡｇ合金薄膜の剥離を生じることは
無かった。これらはいずれの工程も室温で成膜した結果
であり、下地のａ−ＩＴＯ膜へのＡｇ合金薄膜の成膜は
真空中で連続して行った。また、いずれの工程も加熱成
膜（１５０℃）により行った場合も、室温の場合と同様
の結果が得られた。さらにまた、ａ−ＩＴＯ成膜後に基
板を一旦大気中へ取出した後でＡｇ合金薄膜を成膜して
も同様の結果が得られた。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、ＡｇにＡｕと共にＣ
ｕ、Ｔｉ、Ｓｎのうちいずれか１つの金属を適宜添加し
たＡｇ合金から薄膜を形成することにより、従来技術よ
りも密着性が向上し、パターニングのためのフォト工程
を経ても、この合金薄膜が剥離すること無く、実用に耐
える低抵抗、高耐食性、高反射率を有するＡｇ合金薄膜
が得られる。従って、この発明によれば、所望のＡｇ合
金薄膜電極、この薄膜電極を形成するためのスパッタリ
ング用ターゲット、及びこの薄膜電極を用いた有機ＥＬ
素子を提供できる。
ｕ、Ｔｉ、Ｓｎのうちいずれか１つの金属を適宜添加し
たＡｇ合金から薄膜を形成することにより、従来技術よ
りも密着性が向上し、パターニングのためのフォト工程
を経ても、この合金薄膜が剥離すること無く、実用に耐
える低抵抗、高耐食性、高反射率を有するＡｇ合金薄膜
が得られる。従って、この発明によれば、所望のＡｇ合
金薄膜電極、この薄膜電極を形成するためのスパッタリ
ング用ターゲット、及びこの薄膜電極を用いた有機ＥＬ
素子を提供できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10
33/14 33/14 Ａ
33/26 33/26 Ｚ
// Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ
(72)発明者 石橋 暁
千葉県山武郡山武町横田523 株式会社ア
ルバック千葉超材料研究所内
(72)発明者 清田 淳也
千葉県山武郡山武町横田523 株式会社ア
ルバック千葉超材料研究所内
(72)発明者 杉浦 功
千葉県山武郡山武町横田523 株式会社ア
ルバック千葉超材料研究所内
(72)発明者 新井 真
千葉県山武郡山武町横田523 株式会社ア
ルバック千葉超材料研究所内
(72)発明者 中村 肇
千葉県山武郡山武町横田523 株式会社ア
ルバック千葉超材料研究所内
(72)発明者 柴 衛平
千葉県成田市加良部１丁目１−７−１
(72)発明者 金 豊
東京都文京区湯島３−18−10
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB15 AB18 CC00 DA01
DB03 EB00 FA01
4K029 AA09 BA04 BA05 BA08 BA15
BA22 BA50 BB02 CA05 DC04
5G301 AA01 AA02 AA08 AA20 AA21
AB20 AD10
5G307 FB02 FC05
Claims (13)
- 【請求項１】 Ａｇに、ＡｕとＣｕ、Ｔｉ及びＳｎから
選択された少なくとも１つの金属とを添加してなるＡｇ
合金から形成された薄膜であって、０．１〜４．０ａｔ
％のＡｕ、０〜５．０ａｔ％のＣｕ、０〜１．０ａｔ％
のＴｉ、及び０〜１．０ａｔ％のＳｎを含有するＡｇ合
金薄膜からなることを特徴とするＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項２】 前記添加金属が、１．１〜２．１ａｔ％
のＡｕ及び０〜５．０ａｔ％のＣｕであることを特徴と
する請求項1記載のＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項３】 前記添加金属が、１．１〜２．１ａｔ％
のＡｕ及び０．１〜１．０ａｔ％のＴｉであることを特
徴とする請求項1記載のＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項４】 前記添加金属が、１．１〜２．１ａｔ％
のＡｕ及び０．１〜１．０ａｔ％のＳｎであることを特
徴とする請求項1記載のＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項５】 前記薄膜の合金組成が、膜厚方向に変化
することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
のＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項６】 請求項１乃至５記載の薄膜のうち少なく
とも２つの膜を積層した積層薄膜からなることを特徴と
するＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載のＡｇ
合金薄膜であって、ガラスやプラスチックの板状やフィ
ルム状の基板に、金属酸化物や導電性の良い金属、ぬれ
性改善コーティングの密着層を介して形成されたことを
特徴とするＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項８】 請求項７記載のＡｇ合金薄膜の表面に、
更に金属酸化物や導電性の良い金属、ぬれ性改善コーテ
ィングの密着層を設けたことを特徴とするＡｇ合金薄膜
電極。 - 【請求項９】 前記密着層が、ａ−ＩＴＯ、ＩＺＯから
選ばれた金属酸化物の透明導電膜であることを特徴とす
る請求項７又は８記載のＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項１０】 前記密着層の何れか又は両方が、Ｈ２
０又はＨ２添加雰囲気の低電圧スパッタ法により形成さ
れたａ−ＩＴＯの透明導電膜であることを特徴とする請
求項７又は８記載のＡｇ合金薄膜電極。 - 【請求項１１】 前記透明導電膜のうち基板側に設けら
れた透明導電膜は、アニール処理により低抵抗化したも
のであることを特徴とする請求項９記載のＡｇ合金薄膜
電極。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれかに記載の
Ａｇ合金薄膜電極を用いた有機ＥＬ素子。 - 【請求項１３】 請求項１乃至４のいずれかに記載のＡ
ｇ合金薄膜と同じＡｇ合金組成を有するスパッタリング
用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242174A JP4812980B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242174A JP4812980B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003055721A true JP2003055721A (ja) | 2003-02-26 |
| JP4812980B2 JP4812980B2 (ja) | 2011-11-09 |
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ID=19072494
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001242174A Expired - Lifetime JP4812980B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲット |
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|---|---|
| JP (1) | JP4812980B2 (ja) |
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-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001242174A patent/JP4812980B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4812980B2 (ja) | 2011-11-09 |
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