CN100445920C - 一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特点是包括：一产生主偏置电流的偏置电路；两与偏置电路连接的且能产生具有负温度系数电流的负温度系数电路I和II；一正温度系数电路I，它与负温度系数电路I和II连接且能对负温度系数电路I和II所产生的电流进行相减的从而产生具有正温度系数电流；一与负温度系数电路II和偏置电路相连的负温度系数电路III，以产生用于输出的负温度系数电流；一与正温度隙系数电路I和负温度系数电路III相连的基准电压输出电路。本发明使得偏置电流与工艺的相关程度降低，输出基准电压的绝对值和温度特性与电阻的绝对值和温度特性的相关性降低；基准电压输出的一致性和温度特性有很大的提高。

Description

一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源

技术领域

本发明涉及一种基准参考电压源的电源技术，尤其涉及温度稳定性高且被广泛地应用在模拟系统中作为测量标准的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源。

背景技术

在模拟、数模混合、甚至纯数字电路中都需要参考电压源，参考电压源的稳定性直接决定了电路的性能。描写参考电压源稳定性的指标主要有：电源抑制比、温度系数等。为了满足电路在恶劣的外界温度环境下正常工作的要求，参考电压源必须具有非常小的温度系数。

能隙参考电压源是目前具有最小温度系数的参考电压源，能隙参考电压源的原理如下所述：

PN结的正向导通电压具有负温度特性，而两个PN结的正向导通电压差正比于温度(称为PTAT电压)，具有正的温度特性，能隙基准电压源正是利用PN结的这种特性，把具有负温度特性的PN结的正向导通电压和具有正温度特性的两个PN结的正向导通电压差相互补偿，取得了良好的温度特性。

下面我们简单地叙述现有技术能隙基准电压源的工作原理。

请参见图1所示，图1给出了现有技术基本能隙基准电压源的电原理图。由于电流镜的作用，M1和M2中流过的电流相等，所以N1和N2点的电压相等，N2点的电压就是T1的正向导通电压，T1和T2的正向导通电压差ΔVbe具有正的温度系数，它在R1上产生具有正的温度系数的电流IPTAT，该电流通过电流镜的复制流过R2，在该电阻上产生具有正的温度系数的电压VPTAT＝nΔVbe，其中n是比例因子。VPTAT和T3、T4的正向导通电压相叠加就得到了能隙基准电压输出。

V_out＝V_be3+V_be4+(R₃/R₄)ΔV_be         (1)

式(1)中的Vbe3和Vbe4可以表示成Vbe＝(KT/q)ln(I/Is)，其中I是流过PN结的正向电流，可以表示成I＝ΔVbe/R1，所以可以将式(1)表示成式(2)：

$V_{\mathrm{out}}=2\frac{\mathrm{KT}}{q}\ln \left(\frac{I}{I_s}\right)+\frac{R_3}{R_4}{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{be}}=2\frac{\mathrm{KT}}{q}\ln \left(\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{be}}}{I_s{R}_1}\right)+\frac{R_3}{R_4}{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{be}}$

$=2\frac{\mathrm{KT}}{q}(\ln \left({\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{be}}\right)-\ln \left(I_s\right)-\ln \left(R_1\right))+\frac{R_3}{R_4}{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{be}}---\left(2\right)$

式(2)表明能隙基准电压输出不仅和电阻的比值有关，而且和电阻绝对值及温度系数有关。

在集成电路工艺中，电阻的绝对值和温度系数随工艺波动较大，难于用一个统一的模型来描述，导致最后实际结果和仿真结果不能很好地吻合，产品的一致性差，工艺波动大，成品率低。同时由于Vbe和电阻的温度系数有关，导致最后的能隙基准电压输出的温度系数较大。如果电阻的绝对值变化±20％，那么Vbe的最大变化量为(KT/q)ln40％≈23.8mV，引起Vbe的温度系数变化约为：K/qln40％≈80ppm/oC。图2给出了现有技术基本能隙基准电压源中输出电压和电阻绝对值的关系的曲线示意图；图3给出了现有技术基本能隙基准电压源中输出电压和电阻的温度系数的关系的曲线示意图。由此可见，在现有技术能隙基准电压源中，电阻的绝对值和电阻的温度系数直接影响电压源的输出电压。

发明内容

本发明的目的在于提供一种与电阻绝对值和温度系数非相关的能隙基准电压源，它能降低能隙基准电压源对电阻的绝对值和温度特性的依赖，减小基准电压输出和电阻工艺的相关性，从而提高产品的成品率和温度特性。

本发明的目的是这样实现的：

一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于包括：

一产生主偏置电流的偏置电路；

两与偏置电路连接的且能产生具有负温度系数电流的负温度系数电路I和负温度系数电路II；

一正温度系数电路I，该正温度系数电路I与负温度系数电路I和II连接且能对负温度系数电路I和II所产生的电流进行相减的从而产生具有正温度系数电流；

一与负温度系数电路II和偏置电路相连的负温度系数电路III，用来产生用于输出的负温度系数电流；

一与正温度隙系数电路I和负温度系数电路III相连的基准电压输出电路。

在上述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中，其中，所述的偏置电路1由六个MOS管和两个PNP三极管连接组成，其中，MOS管M15和M16的源极与直流电源相连，MOS管M15和M16的漏极分别与MOS管M13和M14的源极连接，MOS管M15和M16的栅极共接于MOS管M15的漏极和MOS管M13的源极；MOS管M13和M14的栅极共接于MOS管M13和M11的漏极，MOS管M14的漏极与MOS管M12的漏极、MOS管M11和M12的栅极共接，MOS管M11的源极和PNP管Q1的集电极相连，MOS管M12的源极和PNP管Q2的集电极相连；PNP管Q1、Q2的基极和发射极相连，连接到公共地端。

在上述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中，其中，所述的负温度系数电路I由九个MOS管、一个PNP三极管和一个电阻连接组成和两个电流源组成；其中，MOS管M25和M29的源极与直流电源相连；MOS管M25和M29的漏极分别与MOS管M24和M28的源极连接，MOS管M24和M28的栅极与MOS管M24和M23的漏极和MOS管M23栅极共接；MOS管M25和M29的栅极与MOS管M27的漏极共接，M27接收电流源1的Ibias的电流，MOS管M26和M27的栅极和MOS管M26的漏极共接，M26接收电流源2的Ibias的电流，MOS管M26和M27的源极分别与MOS管M21和M22的漏极连接；MOS管M21的源极与PNP管Q3的集电极相连；PNP管Q3的基极和发射极在公共地端相连；在MOS管M22、M23的源极和公共地之间设置一电阻R1；MOS管M28的漏极输出VBE1/R1-Ibias电流。

在上述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中，其中，所述的负温度系数电路II由九个MOS管连接组成、一个PNP三极管和一个电阻连接组成和三个电流源组成；其中，MOS管M35和M39的源极与直流电源相连；MOS管M35和M39的漏极分别与MOS管M34和M38的源极连接，MOS管M34和M38的栅极与MOS管M34和M33的漏极和MOS管M33栅极共接；MOS管M35和M39的栅极与MOS管M37的漏极共接，M37接收电流源3的Ibias的电流，MOS管M36和M37的栅极和MOS管M36的漏极共接，M36接收电流源4的Ibias的电流，MOS管M36和M37的源极分别与MOS管M31和M32的漏极连接；在MOS管M32和M33的源极设置一电阻R1_1，M31的源极和PNP管Q4的集电极相连；PNP管Q4的基极和发射极相连至公共地端；电流源5的输出端输出KIbias的电流并接至Q4的集电极；MOS管M38的漏极输出VBE2/R1_1-Ibias电流。

在上述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中，其中，所述的正温度系数电路I由12个MOS管和两个电流源连接组成，MOS管M412和M413的栅极相连，M412的漏极和由M28和M29组成的电流源的负端相连，M411的漏极和M43的漏极相连，它的源极分别和M49和M410的漏极相连；M49和M410的栅极相连并连接至M49的漏极；MOS管M43和M44的栅极与MOS管M43的漏极、M411的漏极、由M39和M38组成的电流源的负端相连；MOS管M43和M44的源极分别与MOS管M41和M42的漏极连接；MOS管M45和M46的栅极和M45的漏极相连，并连接至M44的漏端；M47和M48源极接至电源端，栅极相连后与M47的漏极相连，并与M45的源极相连；M48的漏极接至M46得源极；M48和49作为输出端的电流源，输出具有正温度特性的电流。

在上述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中，其中，所述的负温度系数电路III由八个MOS管和两个电流源组成。两个电流源8、9的电流分别为VBE2/R1_1-Ibias和Ibias；它们的正端接直流电源，负端接M53的漏极；M53和M54的栅极和M53的漏极相连，它们的源极分别和M51和M52的漏极相连；M51和M52的栅极和M51的漏极相连，它们的源极和电源地相连；M55和M56的栅极和M55的漏极相连，它们的源极分别和M57和M58的漏极相连，M55的漏极和M54的漏极相连；M57和M58的栅极相连并和M57的漏极相连，它们的源极和直流电源相连。M58和M56作为输出端电路的电流源，输出具有负温度特性的电流。

在上述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中，其中，所述的基准电压输出电路(6)由电阻R2和电流源10，11构成，电流源10由M48和M46构成，流过的电流为nVBE1/R1；电流源11由M58和M56构成，流过的电流为mΔVBE1/R1，电阻R2接这两个电流源的负端。

本发明，一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有明显的优点和积极效果。本发明由于采用了有别于传统的能隙基准电压源的电流偏置的办法，使得偏置电流与工艺的相关程度大大地降低，输出基准电压的绝对值和温度特性与电阻的绝对值和温度特性的相关性也大大地降低，基准电压输出的一致性和温度特性都有很大的提高。

附图说明

通过以下对本发明一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

图1是现有技术基本能隙基准电压源的电原理图；

图2是现有技术基本能隙基准电压源的输出电压和电阻绝对值的关系的曲线示意图；

图3是现有技术基本能隙基准电压源的输出电压和电阻的温度系数的关系的曲线示意图；

图4是本发明一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源的电原理图；

图5是图4中偏置电路的电原理图；

图6是图4中负温度系数电路的电原理图；

图7是图4中正温度系数电路的电原理图；

图8是图4中基准电压输出电路的电原理图；

图9是本发明一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中电阻的绝对值变化±20％对能隙基准电压输出的影响的曲线示意图；

图10是本发明一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源中电阻的温度系数变化对能隙基准电压输出的影响的曲线示意图。

具体实施方式

在现有技术基本能隙基准电压源中电阻的绝对值和温度系数对能隙基准电压源的影响主要是通过偏置电流影响PN结的正向结电压实现的。因此本发明的中心任务是产生一个和电阻无关的偏置电流，用该电流偏置所有PN结，使能隙基准电压的输出与电阻的温度系数和绝对值无关。

请参见图4所示，这是本发明一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源的电原理图。本发明包括：一能产生主偏置电流的偏置电路1；与偏置电路1连接的标号为2和3的负温度系数电路I和负温度系数电路II，该负温度系数电路I和II用以产生具有负温度系数的电流；一标号为4的正温度系数电路I，该正温度系数电路I由负温度系数电路I通过由M412、M411、M49、和M410组成的电流镜和负温度系数电路II连接，能对负温度系数电路I和II所产生的电流进行相减，从而在M43和M41上产生具有正温度系数的电流，该电流通过由M41、M43、M42和M44组成的电流镜复制到M45和M46中，再通过由M45、M46、M47和M48组成的电流镜按照一定的比例复制到M46和M48中；负温度系数电路III和负温度系数电路II、主偏置电路I相连，将由负温度系数电路II产生的电流和偏置电路产生的电流复制后相加，产生具有负温度特性的电流，然后按照一定的比例在它的输出端输出具有负温度特性的电流；基准电压输出电路，和正温度系数电路III的输出端，及负温度系数电路III的输出端相连，产生基准输出电压。

请结合图4参见图5所示，图5是图4中偏置电路的电原理图。所述的偏置电路1由六个MOS管和两个PNP三极管连接组成，其中，MOS管M15和M16的源极与直流电源相连，MOS管M15和M16的漏极分别与MOS管M13和M14的源极连接，MOS管M15和M16的栅极共接于MOS管M15的漏极和MOS管M13的源极；MOS管M13和M14的栅极共接于MOS管M13和M11的漏极，MOS管M14的漏极与MOS管M12的漏极、MOS管M11和M12的栅极共接，MOS管M11的源极和PNP管Q1的集电极相连，MOS管M12的源极和PNP管Q2的集电极相连；PNP管Q1、Q2的基极和发射极相连，连接到公共地端。

在该偏置电路1中，将两个正向偏置的PN结的电压差作为工作在饱和区的M11管的Vdsat，产生偏置电流，该偏置电流取决于两个PN结的正向电压差，该电压差的工艺相关性非常小，因此得到的偏置电流的工艺相关性也非常小。

本发明的另外一个内容是产生具有负温度系数的电压VNT和正温度系数的电压VPTAT进行补偿得到温度系数小的能隙基准电压输出。为此设计了图6所示的负温度系数电路和图7所示的正温度系数电路。

请结合图4参见图6所示，图6是图4中负温度系数电路的电原理图。所述的负温度系数电路I 2由九个MOS管、一个PNP三极管和一个电阻连接组成。其中，MOS管M25和M29的源极与直流电源相连；MOS管M25和M29的漏极分别与MOS管M24和M28的源极连接，MOS管M24和M28的栅极与MOS管M24和M23的漏极和MOS管M23栅极共接；MOS管M25和M29的栅极与MOSM27的漏极共接且接收Ibias的信号，MOS管M26和M27的栅极和MOS管M26的漏极共接且接收Ibias的信号，MOS管M26和M27的源极分别与MOS管M21和M22的漏极连接；MOS管M21的源极与PNP管Q3的集电极相连；PNP管Q3的基极和发射极在公共地端相连；在MOS管M22、M23的源极和公共地之间设置一电阻R1；MOS管M28的漏极输出VBE1/R1-Ibia电流。

在图6所示的负温度系数电路中，将正向偏置的PNP管Q3的电压降作用到电阻R1上，产生了具有负温度系数的电流，该电流流过另外一个电阻(见图8的电阻R2)就可以在该电阻的两端得到了具有负温度系数的电压VNT。

如果将图6中的PNP管的面积或流过的电流增加，就可以产生另外一个具有负温度系数的电流，这两个电流的差就是一个具有正温度系数的电流，请结合图4参见图7所示，图7是图4中正温度系数电路的电原理图。电流VBE2/R1_1-Ibias与电流VBE1/R1-Ibias差为ΔVBE2/R1，流过M43和M44，然后在M44和M42上产生正温度特性的输出电流ΔVBE2/R1；该温度特性的电流通过图(4)中的由M45、M46、M47和M48组成的电流镜，在M47和M48上得到了按照一定比例放大的电流nΔVBE2/R1。

将该正温度特性的电流流过具有一定值的电阻就可以在该电阻的两端产生就有正温度系数的电压VPTAT。将VNT和VPTAT相叠加，就得到了具有很小温度系数的能隙基准电压输出。

请结合图4参见图5和图6所示，为了对本发明的偏置电流产生方式和能系电压温度补偿的原理有更进一步的了解，详细叙述偏置电流的产生和能系电压的温度补偿。

在图5偏置电路1中，MOS管M12管的W2/L2远大于MOS管M11管的W/L，所以对MOS管M12管满足Vgs2≈Vth2，由该偏置电路1产生的偏置电流可以表示成式(3)：

$I_{\mathrm{bias}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\β}}_1{(V_{\mathrm{BE}2}-V_{\mathrm{BE}1}+V_{\mathrm{gs}2}-V_{\mathrm{th}1})}^2\≈\frac{1}{2}{\mathrm{\β}}_1{\left({\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{BE}1}\right)}^2---\left(3\right)$

其中 ${\mathrm{\β}}_1=\frac{{\mathrm{\μ}}_n{C}_{\mathrm{ox}}W}{L},$ μn是电子迁移率，Cox是NMOS的单位面积电容，W是M1的沟道宽度，L是M1的沟道长度。

在图6负温度系数电路2的电路用来产生Vbe/R，MOS管M21和M22中流过的是偏置电流Ibias，MOS管M23中流过的是VBE1/R1-Ibias(电流)，MOS管M25的栅连接到N4上，用来实现反馈，控制N2电压和N1电压相等，MOS管M23的作用是抬高MOS管M24的栅压，有利于将电流VBE1/R1-Ibias正确的复制出来。

请结合图4参见图6所示，由另外一块和图6相似的标号为3电路，即负温度系数电路II，该负温度系数电路II 3由九个MOS管连接组成、一个PNP三极管和一个电阻连接组成。其中，MOS管M35和M39的源极与直流电源相连；MOS管M35和M39的漏极分别与MOS管M34和M38的源极连接，MOS管M34和M38)的栅极与MOS管M34和M33的漏极和MOS管M33栅极共接；MOS管M35和M39的栅极与MOS管M37的漏极共接且接收I bias的信号，MOS管M36和M37的栅极和MOS管M36的漏极共接且接收I bias的信号，MOS管M36和M37的源极分别与MOS管M31和M32的漏极连接；在MOS管M32和M33的源极设置一电阻R1_1，M31的源极和PNP管Q4的集电极相连；PNP管Q4的基极和发射极相连至公共地端；MOS管M38的漏极输出VBE2/R1_1-Ibia电流。

通过图7的电路相减，产生了电流ΔVBE2/R1，由此可见，该ΔV BE2的偏置电流是与电阻无关的，因此它不同于图1的基本能隙基准源中的ΔVBE。

将电流VBE2/R1_1-Ibia通过由M38、M66组成的电流镜复制到M66中，将电流Ibias通过由M1、M68组成的电流镜复制到M68中，然后将这两个电流相加，得到VBE2/R2的电流，将该电流流过M70、M71，通过由M70，M71、M72和M73组成的电流镜将该电流按照一定的比例复制到M72、M73中；然后将该电流通过由M74、M75、M76和M77组成的电流镜复制到M76和M77中，该电流和由M49，M50中流出的正温度系数的电流相加然后通过电阻R2，在电阻R2上产生基准电压输出。

请结合图4参见图8所示，图8是图4中基准电压输出电路的电原理图。所述的基准电压输出电路6由电阻R2构成，该电阻R2的一端与nVBE1/R1、mΔVBE1/R1连接，另一端接地。

将ΔVBE2/R1乘以一个系数n，加上VBE1/R1乘以一个系数m最后得到了输出电压。将该电流流过电阻R2得到输出电压可以表示成式(4)

$V_{\mathrm{out}}=({\mathrm{mV}}_{\mathrm{BE}1}+n{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{BE}2})\frac{R_2}{R_1}---\left(4\right)$

式(4)中的VBE可以表示成式(5)：

$V_{\mathrm{BE}}=\frac{\mathrm{KT}}{q}\ln \left(\frac{I_{\mathrm{bias}}}{I_s}\right)=\frac{\mathrm{KT}}{q}\ln \left(\frac{{\mathrm{\β}}_1{\left({\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{BE}1}\right)}^2}{{2I}_s}\right)---\left(5\right)$

由此可见，VBE是一个与电阻无关的量，因此式(4)括号中的项与电阻无关，而括号外的项与电阻的比值有关，所以由式(4)决定的能隙基准电压源的输出电压与电阻的绝对值和温度系数无关。

请参见图9和图10所示，图9和图10给出了电阻的绝对值变化和电阻的温度系数变化对基准电压输出的影响，对比图2可以发现电阻的绝对值和温度系数对基准电压输出的影响大大地减小了。

综上所述，本发明，一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，由于采用了有别于传统的能隙基准电压源的电流偏置的办法，使得偏置电流与工艺的相关程度降低，同时降低了能隙基准电压源对电阻的绝对值和温度特性的依赖，并且基准电压输出的一致性和温度特性都有很大的提高，因此极为实用。

Claims (7)

1.一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于包括：

一产生主偏置电流的偏置电路(1)；

两与偏置电路(1)连接的且能产生具有负温度系数电流的负温度系数电路I(2)和负温度系数电路II(3)；

一正温度系数电路I(4)，该正温度系数电路I(4)与负温度系数电路I和II连接且能对负温度系数电路I和II(2、3)所产生的电流进行相减的从而产生具有正温度系数电流；

一与负温度系数电路II(3)和偏置电路(1)相连的负温度系数电路III(5)，用来产生用于输出的负温度系数电流；

一与正温度隙系数电路I(4)和负温度系数电路III(5)相连的基准电压输出电路(6)。

2.如权利要求1所述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于：所述的偏置电路1由六个MOS管和两个PNP三极管连接组成，其中，MOS管M15和M16的源极与直流电源相连，MOS管M15和M16的漏极分别与MOS管M13和M14的源极连接，MOS管M15和M16的栅极共接于MOS管M15的漏极和MOS管M13的源极；MOS管M13和M14的栅极共接于MOS管M13和M11的漏极，MOS管M14的漏极与MOS管M12的漏极、MOS管M11和M12的栅极共接，MOS管M11的源极和PNP管Q1的集电极相连，MOS管M12的源极和PNP管Q2的集电极相连；PNP管Q1、Q2的基极和发射极相连，连接到公共地端。

3.如权利要求1所述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于：所述的负温度系数电路I(2)由九个MOS管、一个PNP三极管和一个电阻连接组成和两个电流源组成；其中，MOS管M25和M29的源极与直流电源相连；MOS管M25和M29的漏极分别与MOS管M24和M28的源极连接，MOS管M24和M28的栅极与MOS管M24和M23的漏极和MOS管M23栅极共接；MOS管M25和M29的栅极与MOS管M27的漏极共接，M27接收电流源1的Ibias的电流，MOS管M26和M27的栅极和MOS管M26的漏极共接，M26接收电流源2的Ibias的电流，MOS管M26和M27的源极分别与MOS管M21和M22的漏极连接；MOS管M21的源极与PNP管Q3的集电极相连；PNP管Q3的基极和发射极在公共地端相连；在MOS管M22、M23的源极和公共地之间设置一电阻R1；MOS管M28的漏极输出VBE1/R1-Ibias电流。

4.如权利要求1所述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于：所述的负温度系数电路II(3)由九个MOS管连接组成、一个PNP三极管和一个电阻连接组成和三个电流源组成；其中，MOS管M35和M39的源极与直流电源相连；MOS管M35和M39的漏极分别与MOS管M34和M38的源极连接，MOS管M34和M38的栅极与MOS管M34和M33的漏极和MOS管M33栅极共接；MOS管M35和M39的栅极与MOS管M37的漏极共接，M37接收电流源3的Ibias的电流，MOS管M36和M37的栅极和MOS管M36的漏极共接，M36接收电流源4的Ibias的电流，MOS管M36和M37的源极分别与MOS管M31和M32的漏极连接；在MOS管M32和M33的源极设置一电阻R1_1，M31的源极和PNP管Q4的集电极相连；PNP管Q4的基极和发射极相连至公共地端；电流源5的输出端输出KIbias的电流并接至Q4的集电极；MOS管M38的漏极输出VBE2/R1_1-Ibias电流。

5.如权利要求1所述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于：所述的正温度系数电路I(4)由12个MOS管和两个电流源连接组成，MOS管M412和M413的栅极相连，M412的漏极和由M28和M29组成的电流源的负端相连，M411的漏极和M43的漏极相连，它的源极分别和M49和M410的漏极相连；M49和M410的栅极相连并连接至M49的漏极；MOS管M43和M44的栅极与MOS管M43的漏极、M411的漏极、由M39和M38组成的电流源的负端相连；MOS管M43和M44的源极分别与MOS管M41和M42的漏极连接；MOS管M45和M46的栅极和M45的漏极相连，并连接至M44的漏端；M47和M48源极接至电源端，栅极相连后与M47的漏极相连，并与M45的源极相连；M48的漏极接至M46得源极；M48和49作为输出端的电流源，输出具有正温度特性的电流。

6.如权力要求1所述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于：所述的负温度系数电路III(5)由八个MOS管和两个电流源组成。两个电流源8、9的电流分别为VBE2/R1_1-Ibias和Ibias；它们的正端接直流电源，负端接M53的漏极；M53和M54的栅极和M53的漏极相连，它们的源极分别和M51和M52的漏极相连；M51和M52的栅极和M51的漏极相连，它们的源极和电源地相连；M55和M56的栅极和M55的漏极相连，它们的源极分别和M57和M58的漏极相连，M55的漏极和M54的漏极相连；M57和M58的栅极相连并和M57的漏极相连，它们的源极和直流电源相连。M58和M56作为输出端电路的电流源，输出具有负温度特性的电流。

7.如权利要求1所述的一种与电阻绝对值非相关的能隙基准电压源，其特征在于：所述的基准电压输出电路(6)由电阻R2和电流源10，11构成，电流源10由M48和M46构成，流过的电流为nVBE1/R1；电流源11由M58和M56构成，流过的电流为mΔVBE1/R1，电阻R2接这两个电流源的负端。

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