CN100428353C - 信息记录介质,信息再现设备,信息再现方法以及信息记录方法 - Google Patents

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Abstract

一种信息记录介质包括有用户信息存储区，用于存储用户信息；可扩展的测试写入区，用于信息的测试写入；可扩展的备用区，能够另外地存储用户信息；以及记录位置管理信息区，包括表示上述在测试写入区以及上述备用区中可记录范围的可记录范围信息。提供了信息记录介质，信息再现设备，信息再现方法以及信息记录方法，它们能够很容易地正确地记录和再现信息。

Description

信息记录介质，信息再现设备，信息再现方法以及信息记录方法
本发明的交叉引用
该申请基于并要求2004年3月26日提出的在先日本专利申请No.2004-092864的优先权，该申请的全部内容通过引用在这里作为参考。
技术领域
本发明涉及一种信息记录介质，信息再现设备，信息再现方法以及信息记录方法。
背景技术
光盘被用作信息记录介质，用于记录和再现信息。
公开了一种测试写入区(测试区)总数的增加与光盘容量的增加成比例的技术(参见专利文献1：日本专利公布申请No.2001-273637)。即，测试写入区被排列在内周位置，并且离散的设置其扩展比例因子。接着，检测ATIP摆动信号的SYNC(同步)模式来确定盘的种类，并确定测试区(测试写入区)的总数。
公开了一种光盘能够将可扩展备用区设置到外周侧的技术(参见专利文献2：日本专利No.3090316)。在第二备用区的文件入口区中的第二备用区的位置信息中说明了该可扩展备用区的位置信息。
发明内容
在专利文献1公开的技术中，无法随意设置测试写入区(测试区)的大小，并且有可能导致显著的容量降低。
在专利文献2公开的技术中，无法在“可记录信息存储介质”中重新写入可扩展备用区的位置信息，并且无法采用关于备用区位置信息的数据结构。
鉴于上述描述，本发明的目的就是提供一种很容易记录并正确再现信息的信息记录介质，信息再现设备，信息再现方法以及信息记录方法。
根据本发明的信息记录介质包括用户信息存储区，用于存储用户信息，可扩展的测试写入区，用于信息的测试写入，可扩展的备用区，能够作为选择地存储用户信息，以及记录位置管理信息区，包括表示在上述测试写入区和上述备用区中可记录范围的可记录范围信息。
根据本发明的信息再现设备包括信息再现装置，用于从包括用于存储用户信息的用户信息存储区的信息记录介质中再现信息，可扩展的测试写入区，用于信息的测试写入，可扩展的备用区，能够作为选择的存储用户信息，以及记录位置管理信息区，包括表示在上述测试写入区和上述备用区中可记录范围的可记录范围信息。
根据本发明的信息再现方法包括从包括用于存储用户信息的用户信息存储区的信息记录介质中再现信息，可扩展的测试写入区，用于信息的测试写入，可扩展的备用区，能够作为选择的存储用户信息，以及记录位置管理信息区，包括表示在上述测试写入区和上述备用区中可记录范围的可记录范围信息。
根据本发明的信息记录方法包括在包括用于存储用户信息的用户信息存储区的信息记介质中再现信息，可扩展的测试写入区，用于信息的测试写入，可扩展的备用区，能够作为选择的存储用户信息，以及记录位置管理信息区，包括表示在上述测试写入区和上述备用区中可记录范围的可记录范围信息。
附图说明
图1为显示一个实施例的点列表(1)的图。
图2为显示该实施例的点列表(2)的图。
图3为显示该实施例的点列表(3)的图。
图4为显示该实施例的点列表(4)的图。
图5为信息记录和再现设备的实施例中结构的说明图。
图6为在该实施例中同步码位置检测单元外围部分的详细结构的说明图。
图7为使用限制电平检测方法的信号处理电路的一个例子的说明图。
图8为显示限制电路的详细说明图。
图9为使用PRML检测方法的信号处理电路的一个例子的说明图。
图10为在维特比译码器中的结构的说明图。
图11为PR(1，2，2，2，1)类的状态转换图。
图12为通过覆盖写处理生成表示下一边框的制造者的方法的说明图。
图13为显示信息存储介质的结构和尺寸的一个例子的说明图。
图14为信息再现设备或信息记录设备中处理步骤的说明图。
图15为显示可记录信息存储介质或单层只再现信息存储介质的物理扇区号设置方法的图。
图16A和16B为显示具有双层结构的只再现信息存储介质的物理扇区号设置方法的图。
图17为显示可重写信息存储介质中物理扇区号设置方法的图。
图18为只再现信息存储介质中通用参数设置例子的图。
图19为可记录信息存储介质中通用参数设置例子的图。
图20为可重写信息存储介质中通用参数设置例子的图。
图21为系统导入区和数据导入区中的数据结构比较的说明图。
图22为记录位置管理区中的数据结构的说明图。
图23为数据区和数据导出区中的数据结构比较的说明图。
图24为记录脉冲的波形(写入策略)的说明图。
图25为记录脉冲形状的定义的说明图。
图26为关于可记录信息存储介质中边框区的结构说明图。
图27为控制数据区和R物理信息区中的数据结构说明图。
图28为物理格式信息和R物理格式信息中的信息内容比较说明图。
图29为数据区DTA的排列位置信息中的信息内容比较说明图。
图30为记录位置管理数据中的数据结构说明图(1)。
图31为记录位置管理数据中的数据结构说明图(2)(连续的)。
图32为记录位置管理数据中的数据结构说明图(3)(连续的)。
图33为设置测试写入区和测试写入的处理步骤的说明图。
图34A至34C为直到形成物理扇区结构的转换步骤说明图。
图35为数据帧中的结构说明图。
图36A为在加扰之后生成帧时被给予移位寄存器的初始值的说明图。
图36B为用于生成加扰位的反馈移位寄存器电路结构的说明图。
图37为ECC块结构的说明图。
图38为加扰之后的帧排列说明图。
图39为PO插入法的说明图。
图40为物理扇区中的结构说明图。
图41为同步码结构内容的说明图。
图42为显示调制块结构的图。
图43为显示用于码字的连接规则的图。
图44为显示码字与同步码的连接的图。
图45为显示再现码字的分离规则的图。
图46为显示在调制方法中转换表的图。
图47为显示在调制方法中转换表的图。
图48为显示调在制方法中转换表的图。
图49为显示在调制方法中转换表的图。
图50为显示在调制方法中转换表的图。
图51为显示在调制方法中转换表的图。
图52为显示解调表的图。
图53为显示解调表的图。
图54为显示解调表的图。
图55为显示解调表的图。
图56为显示解调表的图。
图57为显示解调表的图。
图58为显示解调表的图。
图59为显示解调表的图。
图60为显示解调表的图。
图61为显示解调表的图。
图62为参考码模式的说明图。
图63为该实施例的信息存储介质上记录的数据的数据单元说明图。
图64为该实施例中各种信息存储介质的数据记录类型的比较说明图。
图65A为对该实施例的信息存储记录介质中的数据结构与现有记录例子进行比较的说明图。
图65B为对该实施例的信息存储记录介质中的数据结构与现有记录例子进行比较的说明图。
图65C为对该实施例的信息存储记录介质中的数据结构与现有记录例子进行比较的说明图。
图66为摆动调制以及NRZ方法中180度相位调制的说明图。
图67为摆动形状与地址位区中的地址位之间关系的说明图。
图68为该实施例的可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中的摆动位置与记录位置的比较表。
图69为该实施例的可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中的摆动位置与记录位置的比较说明图。
图70A和70B为该实施例的可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中地址定义方法的说明图。
图71为该实施例的可记录信息存储介质上摆动地址格式说明图。
图72为格雷码例子的说明图。
图73为格雷码转换算法的说明图。
图74为显示在凹槽区中形成不定位区的例子的说明图。
图75为该实施例的可记录信息存储介质上调制区排列位置的说明图。
图76为关于调制区的初级排列位置以及次级排列位置的摆动数据单元中的排列说明图。
图77为摆动同步模式和摆动数据单元中排列关系的比较说明图。
图78为可记录信息存储介质上物理段中调制区的排列位置说明图。
图79为根据该实施例的可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质中摆动地址信息中的数据结构的比较说明图。
图80为物理段的摆动同步模式及类型识别信息与调制区的排列模式的组合方法的关系说明图。
图81为记录簇中的布局说明图。
图82为可重写信息存储介质上记录的可重写数据的数据记录方法说明图。
图83为可重写信息存储介质上记录的可重写数据的数据随机移位说明图。
图84为可记录信息存储介质上记录的可记录数据的记录方法的说明图。
图85为关于“H→L”记录薄膜以及“L→H”记录薄膜中不可记录部分的反射率的说明图。
具体实施方式
信息存储介质例如光盘具有在RMD区0中的更新数据区分配区，并且在该区中，数据可记录区的更新外部界限以及可记录范围内的信息被写入。
可以在信息记录介质的外周部分中设置可扩展测试写入区(测试区)以及另外可扩展区(备用区)，并且从整个记录区获得的上述可扩展测试写入区(测试区)以及可扩展候选区(备用区)结果的区域对应于数据可记录区的更新外部界限的以及可记录范围中的信息的可记录范围。
在图1至4中概要描述了关于本发明一个实施例的点。在图1至4的行中示出了当单独的点组合时产生的效果，并且标记☆(星)被给予对于每个效果具有最高贡献比率的部分，而按照更高贡献比例的顺序给出标记◎(双圈)，○(单圈)，和△(三角)。在组合各个点时产生的效果的轮廓如下。
1.确定最佳记录条件
在平稳地检测BCA之后，确定推荐的记录条件信息是否能够与在限制(slice)电平检测中稳定读出的边缘强度值一块使用。当确定结果为NG(NoGood)时，需要在驱动测试区中仔细地确定记录条件，并且因此测试区的扩展及其位置控制变得是必须的。
2.再现电路设置方法
在平稳地检测BCA之后，高速读出从限制电平检测中平稳读出的识别信息H→L或L→H，并且通过利用参考码进行对应于PR(1，2，2，2，1)的最佳电路调整。
3.在再现用户记录信息的同时确保高可靠性
在平稳地检测BCA之后，通过限制电平检测来再现系统导入信息，之后，通过使用PRML再现用户记录信息。通过交替地处理有缺陷的位置来确保记录信息的稳定性。伺服系统的稳定性在再现的时候也是很重要的。
4.缩短对于记录(重写或记录)位置的访问时间
通过缺陷管理信息来确认记录(重写或写入)位置。
5.记录稳定以及高精度的记录标记
稳定地跟踪以及记录位置确认是很重要的。根据记录速度信息以最佳速度进行记录。
6.处理“H→L记录薄膜”以及“L→H记录薄膜”，实现电路的通用性以及实现控制的简化。
下面，将对详细的实施例进行说明。
在下面的实施例说明中，将部分地包括对应于图1至图4中所示的各个点的说明。相应的括号内点代码被给予了对应于图1至图4中所示的各个点的说明部分。
图5中示出了该信息记录和再现设备的一个实施例的结构说明图。在图5中，控制单元143的上面主要示出了用于信息存储介质的信息记录控制系统。除了前面提到的信息记录控制系统之外，信息再现设备的实施例对应于图5中所示的结构。在图5中，粗实线箭头表示代表再现信号或记录信号的主信息流，细实线表示信息流，短划线箭头表示参考时钟线，并且细虚线箭头表示命令指令方向。
图5中所示的信息记录及再现单元141中配置有未示出的光学头。在该实施例中，使用了PRML(部分响应最大似然)来再现信息，并且加强了信息存储介质的密度(图1[A])。
作为各种实验的结果，如使用的PR类，采用PR(1，2，2，2，1)能够加强行密度并加强再现信号的可靠性(在出现伺服修正误差例如模糊现象以及轨道偏离时的解调可靠性)。因此，在该实施例中，采用了PR(1，2，2，2，1)(图1中的(A1))。
在该实施例中，根据(d，k；m，n)调制规则(表示m/n调制的RLL(d，k))将调制后的信道位串记录在信息存储介质中。作为具体调制方法，采用了将8位数据转换为12信道位(m＝8，n＝12)的ETM(八至十二调制)，并且由于限制RLL限制的游程长度(用于限制调制后信道位串中的“0”连续)，因此强加上了RLL(1，1θ)条件，其中“0”连续的最小值被设置为d＝0并且最大值被设置为k＝10。
针对信息存储介质的致密化，该实施例缩短了接近于极限的信道位间隔。结果，当在信息存储介质中记录了例如模式“101010101010101010101010”，其中重复d＝1的模式，并且在信息记录及再现单元141中再现数据时，该密度接近于再现光学系统MTF特征的截止频率。因此，再现信号的信号幅度处于几乎被噪音淹没的状态。因此，由于利用加强了的接近于MTF特征极限(截止频率)的密度再现记录标记或凹坑的方法，所以采用了PRML(部分响应最大似然)技术。
即，从信息记录及再现单元141再现的信号受到PR均衡电路130的再现波形修正。对通过了PR均衡电路130的信号进行采样，并在AD转换器169中根据从参考时钟生成电路160中发出的参考时钟198的时序将其转换为数字量，并对它在维特比译码器156中进行维特比译码处理。维特比译码处理之后的数据能够完全按照与常规限制电平的二进制数据相同的方式进行处理。
当采用了PRML技术时，如果在AD转换器169中采样时序发生偏移，则维特比译码之后数据的误差率就会增加。因此，为了加强采样时序的精确度，该实施例的信息再现设备或信息记录及再现设备分别具有采样时序提取电路(施密特触发器二进制电路155以及PLL电路174的组合)。
该施密特触发器电路155的特性在于：为限制参考电平给定了特定范围(实际上是二极管的正向电压值)，以进行二进制，并且只有当超过了特定范围时才进行二进制。因此，例如，当如上所述输入了模式“101010101010101010101010”时，信号幅度小到使得不会发生二进制切换，但是例如当输入了比上面更稀疏的模式“1001001001001001001001”或类似时，再现信号的振幅就会变大，并且因此，根据该施密特触发器二进制电路155中的“1”时序就会出现二进制信号的极性切换。
在该实施例中采用了NRZI(不归零翻转)方法，并且上述模式中“1”的位置以及凹坑的记录标记或边缘部分(边界部分)彼此一致。
在PLL电路174中，检测该施密特触发器二进制电路155输出的二进制信号与从参考时钟生成电路160发出的参考时钟198的信号之间的频率和相位偏移，并且改变PLL电路174输出时钟的频率和相位。在参考时钟生成电路160中，通过使用PLL电路174的输出信号以及维特比解码器156的解码特征信息(没有具体示出的维特比解码器156中传送量度(metric)存储器中的收敛长度(收敛距离)信息)来反馈参考时钟198(的频率和相位)，使得维特比解码之后的出错率变低。在该参考时钟生成电路160中生成的参考时钟198被用作处理再现信号时的参考时序。
同步代码位置提取单元145检测混合在维特比解码器156的输出数据串中的同步代码(同步码)的存在位置，并具有提取出上述输出数据的开始位置的功能。以这个开始位置为基准，在解调电路152中进行解调处理，用于临时将数据存储在移位寄存器电路170中。在该实施例中，参照记录在解调转换表记录单元154中的转换表为每个12信道位将数据转换为原始位串。之后，由ECC解码电路162进行纠错处理，并由解扰电路159进行解码。在该记录类型(重写或记录)信息存储介质中，通过摆动调制事先对地址信息进行记录。由摆动信号检测单元135再现该地址信息(即，区分摆动信号的内容)，并将用于访问所希望位置所需的信息提供给控制单元143。
下面将对存在于控制单元143上面的信息记录控制系统进行说明。根据信息存储介质上的记录位置从数据ID生成单元165中生成数据ID信息，并且当在CPR_MAI数据生成单元167中生成复制控制信息时，各种数据ID、IED、CPR_MAI以及EDC信息都被加入到将由数据ID、IED、CPR_MAI以及EDC加入单元168记录的信息中。之后，在解扰电路157对信息进行解扰，在这之后，在ECC编码电路161中构建该ECC块。在其被转换为调制电路151中的信道位串之后，在同步码生成/增加单元146中增加同步码，并将数据记录在信息记录/再现单元141的信息存储介质中。在调制的同时，在DSV(数字和值)值计算单元148中连续地计算调制后的DSV值，并在调制的同时将其反馈给代码转换。
图6中示出了包括如图5中所示的同步码位置检测单元145的外围部分的详细结构。该同步码由具有固定模式以及可变代码部分的同步位置检测代码部分构成。由同步位置检测代码检测单元182从自维特比解码器156输出的信道位串中检测具有上述固定模式的同步位置检测代码部分的位置，并且可变代码传输单元183和184提取出存在于其之前以及之后的可变代码数据，并确定由识别单元185检测的同步码位于将在下面描述的扇区的哪个同步帧中，其中该同步码就是同步帧位置识别代码内容。记录在信息存储介质上的用户信息按照移位寄存器电路170，解调电路152中的解调处理单元188，以及ECC解码电路162的顺序被顺序地发送给移位寄存器电路170，解调电路152中的解调处理单元188，以及ECC解码电路162。
在本发明的实施例中，通过使用用于在如图1的[A]中所示的数据区、数据导入区以及数据导出区中进行再现的PRML实现了信息存储介质的致密(线性密度被特别的加强)，并通过使用用于在图1的[B]中所示的系统导入区以及系统导出区中进行再现的限制电平检测方法来确保当前DVD的兼容性以及再现的稳定性。
图7中示出了使用限制电平检测方法的信号再现电路的一个例子，该方法在系统导入区以及系统导出区中进行再现时被使用。图7中的象限光检测器被固定在存在于图5的信息记录及再现单元141中的光学头中。这里，从象限光学检测器的各个光学检测单元中得到能够被获得的检测信号总数的信号被称为引导信道1信号。图7中的前置放大器至限幅器(slicer)表示图5中限制电平检测电路132的详细结构。从信息存储介质中获得的再现信号通过高通滤波器，该滤波器截断比再现信号频带更低的频率分量，之后受到预均衡器的波形均衡处理。根据实验发现，对于该预均衡器，通过使用7抽头均衡器，能够以最小的电路规模和高准确率来检测再现信号，因此，该实施例中也使用了7抽头均衡器。图7中的VFO电路以及PLL部分对应于图5中的PLL电路，并且图7中的解调电路以及ECC解码电路对应于图5中的解调电路152以及ECC解码电路162。
图8中示出了图7的限幅器电路中的详细结构。通过使用比较器来生成限幅后的二进制信号。在该实施例中，在通过使用功能反馈方法对二进制数据的反转信号进行二进制化时，将低通滤波器输出信号设置为限制电平。在该实施例中低通滤波器的截止频率被设置为5kHz。如果截止频率高了，则限制电平就会早变化，因此就会很容易地出现噪声的影响，另一方面如果截止频率低了，限制电平的响应就会晚，因此就会很容易地出现信息存储介质上的灰尘以及缺陷的影响。考虑到上面提到的RLL(1，10)以及信道位参考频率之间的关系，截止频率被设置为5kHz。
图9中示出了使用PRML检测方法的信号处理电路，该方法用于在数据区，数据导入区以及输出导出区中再现信号。图9中的象限光检测器被固定在存在于图5的信息记录及再现单元141中的光头中。这里，得到从象限光学检测器的各个光学检测单元中获得的检测信号总数的信号被称为引导信道1信号。
图5中的PR均衡电路130中的详细结构由图9中的从前置放大器电路到抽头控制器，均衡器，以及偏移消除器构成。图9中的PLL电路为图5中PR均衡电路130内部的一部分，并表示与图5中的施密特触发器二进制电路155的不同东西。
图9中旁路滤波器电路的基本截止频率被设置为1kHz。与图7一样，该预均衡器电路使用了7抽头均衡器(使用7抽头能够以最小的电路规模和高准确率来检测再现信号)。
A/D转换器电路的采样时钟频率为72MHz，并且数字被设置为8位输出。如果在PRML检测方法中施加了整个再现信号的电平变化的影响(DC偏移)，则在维特比解调中就会很容易出现错误。为了去除该影响，该结构被设计为通过使用从均衡器的输出中获得的信号，由偏移消除器来修正偏移。在图9中所示的例子中，在PR均衡电路130中进行自适应均衡处理。因此，使用了通过利用维特比解码器156的输出信号来自动修正均衡器中每个抽头系数的抽头控制器。
图10中示出了图5或图9中所示的维特比解码器156中的结构。在该分支量度(metric)计算部分中计算所有分支的分支量度，其中对输入信号该分支能够被估计，并且该值被发送给ACS。该ACS是Add Compare Select(增加比较选择)的略语名，其计算通道量度，所述量度能够通过增加对应于每个能够在ACS中被估计的通道的分支量度来获得，并将计算后的结果传输给通道(pass)量度存储器。这时，参照ACS中通道量度存储器中的信息进行计算处理。每个能够被估计的通道(转换)情况以及在对应于每个通道的ACS中计算的通道量度值被临时存储在通道存储器中。在输出切换部分中比较对应于每个通道的通道量度，并选择通道量度值最小的通道。
图11中示出了本发明实施例的PR(1，2，2，2，1)类中的状态转换。对于能够发生在PR(1，2，2，2，1)类中的状态转换，只有图11中所示的转换才是可能的，并且根据维特比解码器156中图11的转换图确定能够在解码的同时存在(被估计)的通道。
图13示出了本发明实施例中信息存储介质的结构和大小。例如，可以列举下面三种信息存储介质。
●“只再现信息存储介质”，仅仅用于再现而不能记录
●“可记录信息存储介质”，只能够记录一次
●“可重写信息存储介质”，能够重新写入任意多次。
如图13所示，在上述的三种信息存储介质中，大部分结构和大小都是一样的。在三种信息存储介质的任意一种中，在内周侧中配置有脉冲串刻录区(burstcutting area)BCA，系统导入区SYLDI，连接区CNA，数据导入区DTLDI，以及数据区DTA。
在除了OPT型只再现介质以外的所有介质中，数据导出区DTLDO被配置在外周部分。中间区MDA被配置在OPT型的外围部分。
信息被记录在系统导入区SYLDI中的压纹形状(预坑，prepit)中，并且在任意可记录以及可重写的类型中，该区仅用于再现(不可记录)。在只再现信息存储介质中，信息也被记录在系统导入区DTLDI中的压纹形状(prepit)中。另一方面，在可记录以及可重写信息存储介质中，数据导入区DTLDI变成可记录(可重写类型中的可重写)由记录标记形成的新信息的区。
如后面所述，在可记录以及可重写信息存储介质中，在数据导出区DTLDO中，可以混合地存在可记录(可重写类型中的可重写)新信息的区以及在压纹形状(prepit)中记录信息的只再现区。
如上所述，在如图13所示的数据区DTA，数据导入区DTLDI，数据导出区DTLDO，以及中间区MDA中，通过使用用于再现记录在其中(图1中的[A])信号的PRML来实现了信息存储介质的致密(行密度被尤其加强)，并且在系统导入区SYLDI以及系统导出区SYLDO中，通过使用用于再现记录在其中(图1中的[B])信号的限制电平检测法来保证当前DVD的兼容性以及再现稳定性。
与当前的DVD标准不同，在图13所示的实施例中，脉冲串刻录区BCA以及系统导入区SYLDI不会相互重叠，而是在位置上相互分离(图1中的(B2))。通过在物理上将它们分开，可以防止在信息再现时记录在系统导入区SYLDI中的信息与记录在脉冲串刻录区BCA中的信息之间的相互干扰，因此可以保证高精度的信息再现。
作为关于如上述图1的(B2)中所示实施例的另一实施例，如图1中的(B3)所示，存在一种当使用“L→H”型记录薄膜时，在脉冲串刻录区BCA的排列位置中事先形成隐藏式微细凹凸形状。在本发明的实施例中，在后面对关于图28中第192字节存在的记录标记的极性信息(辨别H→L或L→H)进行说明的部分还将说明，不光传统的H→L型记录薄膜还有L→H型记录薄膜都包括在该标准中，并且记录薄膜的选择范围也被扩大了，以能够进行高速记录并提供低价的介质(图1中的(G2))。如下面所述，在本发明的实施例中，也会考虑使用“L→H”型记录薄膜的情况。
通过局部地将记录薄膜暴露在激光下来记录将要被记录在脉冲串刻录区BCA中的数据(条形码数据)。如图21所示，在压纹凹坑区211中形成系统导入区SYLDI，并且因此，与来自镜面21的光反射电平相比，来自系统导入区SYLDI的再现信号倾向于降低光反射量。如果脉冲串刻录区BCA进入类似于镜面210的镜面状态，并且使用L→H型记录薄膜，来自记录在脉冲串刻录区BCA中数据的再现信号倾向于增加比来自镜面210(不可记录状态)的光反射电平更多光反射量。结果，来自形成于脉冲串刻录区BCA中数据的再现信号的最大电平以及最小电平(振幅电平)的位置以及来自系统导入区SYLDI的再现信号的最大电平以及最小电平(振幅电平)的位置之间就会出现很大的不同。
如下面的图21所述(以及图1中的(B4))，该信息再现设备或信息记录和再现设备进行下面按照(1)至(5)顺序地处理。该处理内容将在图14中示出。
“(1)在脉冲串刻录区BCA中再现信息”
→“(2)在系统导入区SYLDI中信息数据区CDZ中再现信息”
→“(3)在数据导入区DTLDI中再现信息(在可记录或可重写类型的情况下)”
→“(4)在参考码记录区RCZ中再调整(最优化)再现电路常数”
→“(5)再现记录在数据区DTA中的记录的信息或记录新信息”
因此，如果来自形成于脉冲串刻录区BCA中数据的再现信号的振幅电平与来自系统导入区SYLDI的再现信号的振幅电平之间存在很大的不同，就会出现降低信息再现可靠性的问题。为了解决该问题，该实施例的特征在于：当使用“L→H”型记录薄膜用于记录薄膜时(图1中的(B3))，在脉冲串刻录区BCA中事先形成微细凹凸形状。
通过事先形成微细凹凸形状，由于在由本地激光曝光记录数据(条形码数据)阶段之前的光干涉影响，该光反射电平变得低于来自镜面210的光反射电平，并且来自形成于脉冲串刻录区BCA中数据的再现信号的振幅电平(检测电平)与来自系统导入区SYLDI的再现信号的振幅电平(检测电平)之间的差极大地减小范围。结果，信息再现的可靠性得到了加强，并且当从上述的(1)切换至(2)时处理的效果变得很容易。
在使用“L→H”型记录薄膜的情况下，存在一种采用系统导入区SYLDI中的压纹凹坑区211作为在脉冲串刻录区BCA中事先形成的微细凹凸形状的具体内容的方法。作为另一个例子，存在一种采用数据导入区DTLDI以及数据区DTA中的凹槽区214，或平台(land)区和凹槽区213的方法。
如实施例中所述(图1中的(B2))，其中系统导入区SYLDI以及脉冲串刻录区BCA分开排列，如果脉冲串刻录区BCA以及压纹凹坑区211的内部彼此重叠，则由不需要的干涉所引起的来自形成于脉冲串刻录区BCA中数据的再现信号的噪音部分就会增加。
作为脉冲串刻录区BCA中微细凹凸形状的一个例子，可以考虑在凹槽区214，或平台区和凹槽区213中而不是在压纹凹坑区211形成微细凹凸形状。结果，由不需要的干涉所引起的来自形成于脉冲串刻录区BCA中数据的再现信号的噪音部分就会降低，并且再现信号的质量得到了加强。
如果在脉冲串刻录区BCA中形成的凹槽区214，或平台区和凹槽区213的道间距与系统导入区SYLDI的道间距一致，则信息存储介质的可制造性就得到了加强。即，在生产信息存储介质的母盘(master)时，通过使得母盘记录设备的校准器部分的进给马达速度保持恒定来产生系统导入区中的压纹凹坑。这时，在脉冲串刻录区BCA中形成的凹槽区214，或平台区和凹槽区213的道间距与系统导入区SYLDI中压纹凹坑的道间距一致，并且因此，可以在脉冲串刻录区BCA和系统导入区SYLDI中连续地保持马达速度恒定。因此，不需要在中间过程中改变进给马达的速度，并且因此，间距几乎不会发生变化，从而加强了信息存储介质的可制造性。
在所有的上述三种信息存储介质中，将被记录在信息存储介质中的信息的最小管理单元就是2048字节的扇区单元。上述2048字节扇区单元的物理地址被定义为物理扇区号(number)。图15中示出了在具有单层结构的可记录信息存储介质以及只再现信息存储介质中设置物理扇区号的方法。该物理扇区号不会给到脉冲串刻录区BCA以及连接区CNA的内部，而是按照从内圆周开始的上升顺序为系统导入区SYLDI，数据区DTA以及数据导出区DTLDO设置物理扇区号。设置该物理扇区号使得系统导入区STLDI的最终物理扇区号变成“026AFFh”，并且位于数据区DTA开始位置的物理扇区号变成“030000h”。
有两种只再现信息存储介质的物理扇区号设置方法，其中该只再现信息存储介质具有如图16A至16B所示的双层结构。其一为如图16A所示的平行排列(平行轨道路径)PTP，其结构为：如图15所示的物理数设置方法被应用于两层。另一种方法为如图16B所示的逆向排列(反向轨道路径)OPT，其中在前面的层(层0)中按照从内圆周到外圆周的升序顺序设置物理扇区号，另一方面，在背面(层1)中按照从外圆周到内圆周的升序顺序设置物理扇区号。在OPT排列的情况下，排列有中间区MDA，数据导出区DTLDO，以及系统导出区SYLDO。
图17中示出了可重写信息存储介质中的物理扇区号设置方法。
在图17中，示出了关于每个系统导入区，连接区，数据导入区，数据区以及数据导出区中每个平台以及凹槽中的区域，标称半径(mm)，每个轨道的物理段数，轨道数，开始物理扇区号(十六进制值)以及结束物理扇区号(十六进制值)。
在可重写信息存储介质中，分别为平台区和凹槽区设置物理扇区号。该可重写信息存储介质的结构为：其中的数据区DTA被分为19个区。
图18示出了只再现信息存储介质中该实施例的各个参数值，图19示出了可记录信息存储介质中该实施例的各个参数值，并且图20示出了只重新写入信息存储介质中该实施例的各个参数值。
可以从图18或图19与图20的比较(尤其是部分(B)的比较)中理解的是，相对于只再现或只写入信息存储介质来说，通过缩小道间距以及行密度(数据位长度)加强了只重新写入信息存储介质的记录容量。如下面所述，在只重写信息存储介质中，通过采用平台区凹槽记录来降低相邻轨道的串扰的影响，以缩短道间距。
所有只再现信息存储介质，可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质的特征在于系统导入/导出区SYLDI/SYLDO的道间距(对应于记录密度)都大于数据导入/导出区DTLDI/DTLDO(图1中的(B1))。通过使得系统导入/导出区SYLDI/SYLDO的数据位长度以及道间距接近当前DVD导入区的数值来保证当前DVD的兼容性。
在本发明的实施例中，与当前DVD-R一样，可记录信息存储介质的系统导入/导出区SYLDI/SYLDO的压纹电平差别被设置为很小。这就带来了如下的影响：可记录信息存储介质的预凹槽(pre-groove)的深度很小，并且来自在通过记录在预凹槽上形成的记录标记的再现信号调制度很高。另一方面，作为反作用，产生如下问题：来自系统导入/导出区SYLDI/SYLDO的再现信号的调制度变低。为此，使得系统导入/导出区SYLDI/SYLDO的数据位长度(以及道间距)变大，并且因此，使位于最接近位置的凹坑以及空间的重复频率远离用于再现的物镜的MTF(调制传输功能)的光截止频率(使其相当小)。结果，来自系统导入/导出区SYLDI/SYLDO的再现信号的幅值增加了，并且能够实现再现的稳定性。
图21示出了各种信息存储介质中系统导入SYLDI以及数据导入DTLDI中详细数据的比较。图21中的(a)示出了只再现信息存储介质的数据结构，图21中的(b)示出了可重写信息存储介质的数据结构，以及图21中的(c)示出了可记录信息存储介质的数据结构。
如图21的(a)所示，在只再现信息存储介质中，除了连接区CNZ为镜面210以外，所有的系统导入区SYLDI，数据导入区DTLDI以及数据区DTA都是形成有压纹凹坑的压纹凹坑区211。
系统导入区SYLDI的内部就是压纹凹坑区211，并且连接区CNZ具有镜面210，这些部分都是公知的。如图21的(b)所示，在可重写信息存储介质中，在数据导入区DTLDI以及数据区DTA中形成了平台区和凹槽区213，并且在可记录信息存储介质中，在数据导入区DTLDI以及数据区DTA中形成了凹槽区214。通过在平台区和凹槽区213或凹槽区214中形成记录标记来记录信息。
初始区INZ表示系统导入SYLDI的开始位置。作为记录在初始区INZ中的语义信息，具体排列了包括有上述物理扇区号或逻辑扇区号的数据ID(识别数据)信息。由数据ID，IED(ID检错码)，记录用户信息的主数据以及EDC(检错码)构成的数据帧结构信息被记录在一个物理扇区中，这将在后面说明，并且上述的数据帧结构信息也被记录在初始区INZ中。但是，在初始区INZ中，所有记录用户信息的主数据信息都被设置为“00h”，并且因此，初始区INZ中的语义信息只是上述的数据ID信息。能够从记录在该数据ID信息中的物理扇区号或逻辑扇区号的信息中知道目前的位置。即，在从图5的信息记录和再现单元141的信息存储介质中开始信息再现时，当从初始区INZ中的信息开始进行再现时，首先提取出记录在该数据ID信息中的物理扇区号或逻辑扇区号的信息。在确认信息存储介质中的当前位置的同时，切换至控制数据区CDZ。
缓冲区1和2，BFZ1和BFZ2都由32个ECC块构成。如图18至图20所示，一个ECC块由32个物理扇区构成，因此，32个ECC块对应于1024个物理扇区。在缓冲区1和2，BFZ1和BFZ2中，在初始区INZ中主数据信息都被设置为“00h”。
存在于连接区(Connection Area)CNA中的连接区CNZ用于从物理上将系统导入区SYLDI以及数据导入区DTLDI分开，并且该区变成了其中不存在任何压纹凹坑或预凹槽的镜面。
只再现信息存储介质以及可记录信息存储介质的参考码记录区(Referencecode zone)RCZ是用于调整再现设备的再现电路(例如，在图9的抽头(tap)控制器进行自适应均衡的同时，自动的调整每个抽头系数值)的区，并且其中记录有前面提到的数据帧结构信息。参考码的长度与一个ECC块中的一样(＝32个扇区)。
该实施例的特征在于只再现信息存储介质以及可记录信息存储介质的参考码记录区(Reference code zone)RCZ与数据区(Data Area)DTA相邻排列(图1中的(A2))。在任何的当前DVD-ROM盘以及当前DVD-R盘的结构中，控制数据区排列在参考码记录区(Reference code zone)以及数据区(Data Area)之间，并且参考码记录区以及数据区彼此被隔开。如果参考码记录区以及数据区彼此被隔开，则信息存储介质的倾斜量以及光反射率，或者(在可记录信息存储介质的情况下)，记录薄膜的记录灵敏度会有少许改变，并且会出现如下问题：即使在参考码记录区调整再现设备的电路常数，数据区中的最优电路常数也会发生偏移。
为了解决上述问题，参考码记录区(Reference code zone)RCZ与数据区(Data Area)DTA相邻排列。结果，当在参考码记录区(Reference code zone)中对信息再现设备的电路常数进行优化时，优化状态也会保持为相邻数据区(Data Area)DTA中的相同电路常数。
当希望在数据区(Data Area)DTA的任意位置精确地再现一个信号时，最好进行下面的步骤(1)至(4)。结果，就能够相当精确地在目标位置再现信号。
(1)优化参考码记录区(Reference code zone)RCZ中信息再现设备的电路常数。
(2)在再现最接近数据区DTA中参考码记录区(Reference code zone)RCZ部分的同时，再次优化信息再现设备的电路常数。
(3)在数据区DTA的目标位置以及(2)中的优化位置之间的中间位置再现信息的同时，再一次优化电路常数。
(4)移动到目标位置并再现信号。
存在于可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中的保护轨道区1和2，GTZ1和GTZ2被用于定义数据导入区DTLDI的开始边界位置以及盘测试区DKTZ与驱动测试区DRTZ的边界位置。该区域被定义作为不能通过记录标记信息进行记录的区域。保护轨道区1和2，GTZ1和GTZ2存在于数据导入区DTLDI中。因此，在该区中，事先在可记录信息存储介质中形成预凹槽区，并且事先在可重写信息存储介质中形成凹槽区以及平台区。该摆动地址被事先记录在如图18至图20中所示的预凹槽区或凹槽区以及平台区中，因此，可以通过使用摆动地址来确定信息存储介质中的当前位置。
该盘测试区DKTZ被设置为由信息记录介质的制造商进行质量测试(评估)。
该驱动测试区DRTZ被确保作为在信息记录和再现设备将信息记录到信息存储介质中之前，进行测试写入的区域。该信息记录和再现设备事先在该区域中进行测试写入(test writing)，并在确定最优记录条件(写入策略)之后，能够在最优记录条件下将信息记录在数据区DTA中。
存在于可重写信息记录介质(图21中的(b))内部的盘识别区DIZ为可选信息记录区，并且每组具有记录和再现设备的制造商名称信息以及相关的附加信息以及驱动说明的可记录区由制造商能够作为唯一一组记录的区域构成。
存在于可重写信息存储介质(图21的(b))内部的缺陷管理区1和2，DMA1和2就是记录数据区DTA内部缺陷管理信息的位置，并且例如当出现缺陷点时记录备用点信息等。
图22中示出了存在于可记录信息存储介质(图21中的(c))中的记录位置管理区RMZ中的数据结构。图22的(a)示出了与图21的(c)相同的内容，并且图22的(b)示出了图21的(c)中记录位置管理区RMZ的放大图。
在记录位置管理区RMZ中，关于记录位置管理的数据被共同地记录在一个记录位置管理数据(记录管理数据)中，并且每次更新记录管理数据RMD的内容时，新的记录管理数据RMD就会被记录在队列的尾部，作为新记录管理数据RMD。即，该记录位置管理数据(记录管理数据)RMD被记录在一个物理段块(该物理段块将在后面说明)的大小单元中，并且每次更新数据内容时，被记录在队列的尾部，作为新记录管理数据RMD。
图22的(b)的例子示出了一个例子，其中首先记录记录管理数据RMD#1，但是管理数据被改变，并且在记录管理数据RMD#1之后立即记录改变后(更新后)的数据作为记录管理数据RMD#2。
因此，在记录管理数据RMZ中存在未记录区206，使得能够进行进一步地记录。下面通过使用图30至图32对记录管理数据RMD中的具体信息内容进行说明。也将在下面说明图27至图29时更详细的说明图21的(c)所示R物理信息区RIZ的信息内容。
该实施例的特征在于：如图21所示，在各个只再现、可记录以及可重写信息存储介质中，系统导入区被排列在数据区的相对侧，其间具有数据导入区(图1的(B4))，并且如图13所示，脉冲串刻录区BCA以及数据导入区DTLDI被排列相对侧，系统导入区SYLDI在其间。
当信息记录介质被插入到如图5所示的信息再现设备或信息记录和再现设备中时，该信息再现设备或信息记录和再现设备进行按照(1)至(5)顺序地处理。在上述的图14中示出了该处理内容。
(1)在脉冲串刻录区BCA中再现信息
(2)在系统导入区SYLDI的信息数据区CDZ中再现信息
(3)在数据导入区DTLDI中再现信息(在可记录型或可重写型的情况下)
(4)在参考码记录区RCZ中重新调整(优化)再现电路常数
(5)再现记录在数据区DTA中的信息或记录新信息
如图21所示，按照从内圆周一侧沿着上述处理的顺序排列信息，因此，不需要对内圆周进行非必要的访问处理。因此，能够在访问数降低的情况下到达数据区DTA，并且还提供了以下效果：提前再现记录在数据区DTA中信息或记录新信息的开始时间。该限制电平检测方法被用于在系统导入区SYLDI(图1[B])中再现信号，而该PRML被用于在数据导入区DTLDI以及数据区DTA(图1[A])中再现信号。因此，当数据导入区DTLDI以及数据区DTA彼此相邻，并且从内圆周一侧开始依次进行再现，在系统导入区SYLDI以及数据导入区DTLDI之间，仅仅通过从限制电平检测电路到PRML检测电路进行一次切换就能够连续的进行稳定信号的再现。因此，由于再现步骤之后再现电路的切换次数很小，因此处理控制被简化，并且在数据区中开始再现所需的时间也变短了。
图23中示出了对各种信息存储介质中数据区DTA以及数据导出区DTLDO中的数据结构进行的比较。在图23中，(a)示出了只再现信息存储介质的数据结构，(b)和(c)示出了可重写信息存储介质的数据结构，并且(d)至(f)示出了可记录信息存储介质的数据结构。(b)和(d)特别示出了初始时的数据结构(记录之前)，并且(c)，(e)和(f)示出了记录(记录或重新写入)进行到一定程度的状态下的数据结构。
如图23中的(a)所示，记录在数据导出区DTLDO以及系统导出区SYLDO中的数据具有与图21中的缓冲区1，2BFZ1和BFZ2相同的数据帧结构(该数据帧结构将在下面说明)，并且其中主数据的所有值都被设为“00h”。在只再现信息存储介质中，数据区DTA中的所有区域都能够被用作用户数据的预记录区201。如后面所述，在可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质的所有实施例中，用户数据的可重写/可记录范围202至205小于数据区DTA。
在可记录信息存储介质或可重写信息存储介质中，在数据区DTA最内圆周部分提供有备用区(Spare Area)SPA。当数据区DTA中出现有缺陷的位置时，通过使用上述的备用区SPA来进行替换处理，并且在可重写信息存储介质的情况下，它的替换历史信息(缺陷管理信息)被记录在图21的(b)的有缺陷管理区1和2(DMA1，2)，以及图23的(b)和(c)的缺陷管理区3和4(DMA3，4)中。记录在图23的(b)和(c)的缺陷管理区3和4(DMA3，4)中的缺陷管理信息与记录在图21的(b)的有缺陷管理区1和2(DMA1，2)中的信息具有相同的内容。
在可记录信息存储介质的情况下，在进行替换处理的情况下，该替换历史信息(缺陷管理信息)被记录在复制信息C_RMZ中，该复制信息C_RMZ就是存在于图21的(c)所示的数据导入区DTLDI以及将在后面描述的边界区中的记录位置管理区中的记录内容。在当前DVD-R盘中不进行缺陷管理。因此，当制造DVD-R盘的数量增加时，就会出现部分具有缺陷点的DVD-R，并且用于加强记录在可记录信息存储介质中的信息的可靠性的要求就增加了。
在图23中所示的例子中，也为可记录信息存储介质设置备用区SPA，以能够通过替换处理来进行缺陷管理(图1[C])。结果，也能够通过对部分具有缺陷点的可记录信息存储介质进行缺陷管理处理来加强记录信息的可靠性。在可重写信息存储介质或可记录信息存储介质中，该信息记录和再现设备在用户一侧确定何时会出现许多缺陷，借此能够在如图23的(b)和(d)所示出售给用户之后的状态中，通过自动地设置扩展备用区(Extended Spare Area)ESPA，ESPA1以及ESPA2来扩大备用区。
以这种方式扩展备用区ESPA，ESPA1以及ESPA2是可以设置的，因此能够售出具有由于制造的原因所导致的多个缺陷的介质。结果，加强了制造成品率，这样就能够降低介质的成本。
当在图23的(c)，(e)和(f)所示的数据区DTA中另外提供扩展备用区ESPA，ESPA1以及ESPA2时，用户数据的可重写或可记录范围203和205减小了，并且需要管理位置信息。在可重写信息存储介质中，其信息被记录在缺陷管理区1至4(DMA1至4)中并且将对控制数据区CDZ进行说明。在可记录信息存储介质的情况下，其信息被记录在数据导入区DTLDI中并且下面将对存在于边界外BRDO中的记录管理区RMZ进行说明。如下面所述，其信息被记录在记录位置管理区RMZ中的记录位置管理数据(记录管理数据)RMD中。每次更新管理数据内容时都会在记录管理区RMZ中更新和记录该记录管理数据RMD，因此，即使该扩展备用区被复位了很多次(图23中的例子示出了设置扩展备用区1EAPA1的状态，即使所有的扩展备用区都用光了之后，有很多缺陷，因此需要设置另一个备用区，因此在晚些时候还要设置扩展备用区2ESPA2)，也能够及时地更新和管理数据(图23的(C1))。
排列图23的(b)和(c)中所示的保护轨道区3(GTZ3)以使得缺陷管理区4(DMA4)与驱动测试区DRTZ相互分开，并且排列保护轨道区4(GTZ4)以使得盘测试区DKTZ与伺服校准区(Servo Calibration Zone)SCZ相互分开。该保护轨道区3和4(GTZ3，4)被定义作为与如图21所示的保护轨道区1和2(GTZ1和2)相同的不能通过记录标记的格式来进行记录的区域。由于该保护轨道区3和4(GTZ3，4)位于数据导出区DTLDO内部，在该区域中，事先在可记录信息存储介质中形成预凹槽区，并且事先在可重写信息存储介质中形成凹槽区和平台区。如图18至图20所示，该摆动地址被事先记录在预凹槽区，凹槽区以及平台区中，并且因此，通过使用摆动地址来确定信息存储介质中的当前位置。
该驱动测试区DRTZ被确保作为在信息记录和再现设备将信息记录到如图21所示的信息存储介质中之前用于进行测试写入的区域。该信息记录和再现设备预先在该区域中进行测试写入，并且在确定了最优记录条件(写入策略)之后，按照最优写入策略在数据区DTA中记录信息。
如图21所示，该盘测试区DKTZ用于由信息记录介质的制造商进行质量测试(评估)。
在数据导出区DTLDO中除了伺服校准区(Servo Calibration Zone)SCZ以外的所有区域中，事先在可记录信息存储介质中形成预凹槽区，事先在可重写信息存储介质中形成凹槽区和平台区，并且能够记录该记录标记(记录或重写)。
如图23中的(c)和(e)所示，伺服校准区(Servo Calibration Zone)SCZ的内部为如同系统导入区SYLDI的压纹凹坑区211，而不是预凹槽区214，或平台区和凹槽区213(图1[D])。在该区中，通过压纹凹坑形成连续轨道，从数据导出区DTLDO的其他区域开始连续。该轨道连续的以螺旋形式延续，沿着信息存储介质的圆周廷伸超过360度，以形成压纹凹坑。
提供该区域以通过使用DPD(差分(differential)相位检测)方法来检测信息存储介质的倾斜量。当信息存储介质倾斜时，使用DPD方法的轨道偏离检测信号的幅值就会发生偏移。这时，就能够高精度的通过偏移量来检测倾斜量以及通过偏移方向来检测倾斜方向。通过利用该原理，事先在信息存储介质最外部的外围部分(在数据导出区DTLDO的外围部分)形成能够进行DPD检测的压纹凹坑，借此能够进行高精度、低成本的倾斜检测，而不会向存在于图5的信息记录和再现单元141内部的光学头增加专用组件(用于倾斜检测)。通过进一步地检测该外圆周部分的倾斜量，也可以在数据区DTA中实现稳定的伺服(通过倾斜量修正)。
在该实施例中，该伺服校准区SCZ中的道间距与数据导出区DTLDO(图1(D1))中其他区域中的道间距一致。结果，加强了信息存储介质的可制造性，并且通过提高成品率来降低介质成本。即，在可记录信息存储介质中，在数据导出区DTLDO的其他区域中形成预凹槽。在制造可记录信息存储介质的母盘时，通过使得母盘记录设备的校准器部分的进给马达速度保持恒定来制造预凹槽。这时，通过使得伺服校准区SCZ中的道间距与数据导出区DTLDO的其他区域中的道间距一致，伺服校准区SCZ中进给马达的速度也能够连续的保持恒定。因此，几乎不会发生间距变化，并加强了信息存储介质的可制造性。
作为另一个例子，有一种方法，其中伺服校准区SCZ中的道间距或数据位长中的至少一个与系统导入区SYLDI(图1(D2))中的道间距或数据位长一致。
以上说明了通过使用DPD方法来测量伺服校准区SCZ中的倾斜量以及倾斜方向，并通过使用数据区DTA中的结果来实现数据区DTA中的稳定伺服。作为这时评估数据区DTA中倾斜量的方法，考虑到事先通过相同的DPD方法来测量系统导入区SYLDI中的倾斜量及其倾斜方向，并利用与伺服校准区SCZ中的测量结果之间的关系来估计倾斜量。
在使用DPD方法的情况下，关于信息存储介质倾斜的检测信号幅值的偏移量以及出现偏移的方向会根据压纹间距的道间距以及数据位长而发生变化，因此，考虑到伺服校准区SCZ中的道间距或数据位长中的至少一个与系统导入区SYLDI中的道间距或数据位长一致。在这种方式中，关于检测信号幅值的偏移量以及出现偏移的方向的检测特征能够与伺服校准区SCZ以及系统导入区SYLDI中的彼此一致。结果，就产生如下效果：很容易地获得它们之间的相互关系，并有利于估计数据区DTA中的倾斜量和方向。
如图21的(c)和图23的(d)所示，在可记录信息存储介质中，在内圆周一侧以及外圆周一侧的两个点提供了驱动测试区DRTZ。当在驱动测试区DRTZ中进行的测试写入次数比较大时，能够通过不断的改变参数来详细的查找最优记录条件，并且加强了对于数据区DTA的记录准确度。在可重写信息存储介质中，能够通过覆盖写来重新使用驱动测试区DRTZ。但是，在可记录信息存储介质中，当通过增加测试写入次数来提高记录准确度时，就会出现在很短的时间内用光了驱动测试区DRTZ的问题，为了解决这个问题，该实施例的特征在于能够沿着从外圆周部分到内圆周的方向设置扩展驱动测试区(Extended Drive Test Zone)EDRTZ，并且其能够扩展驱动测试区(图1中的(E2))。
作为关于扩展驱动测试区的设置方法以及设置扩展驱动测试区中的测试写入方法的特征，在该实施例中可以采用下面的1至3。
1.从外圆周(接近数据导出区DTLDO一侧)向着内圆周一侧的方向共同并且顺序地设置(构建)扩展驱动测试区EDRTZ。
如图23的(e)所示，该扩展驱动测试区1(EDRTZ1)被设置作为数据区中从最近的位置(最接近数据导出区DTLDO的位置)到外圆周的大小可调整区域，并且在用完了扩展驱动测试区1(EDRTZ1)之后，接着可以设置扩展驱动测试区2(EDRTZ2)作为位于从扩展驱动测试区1(EDRTZ1)到内圆周一侧的可调整区域。
2.在扩展驱动测试区EDRTZ中，从内圆周一侧顺序地进行测试写入(图1中的(E3))。当在扩展驱动测试区EDRTZ中进行测试写入时，沿着从内圆周一侧到沿着外圆周一侧按照螺旋形排列的凹槽区214进行测试写入，并且在前次进行了测试写入(已经记录)后面的未记录位置上进行这次测试写入。
数据区内部的结构为：沿着从内圆周一侧到沿着外圆周一侧按照螺旋形排列的凹槽区214进行记录。即，根据顺序地将测试写入记录到刚刚进行了测试写入的位置的尾部的方法在扩展驱动测试区中进行测试写入，借此能够顺序地进行“验证刚刚进行了测试写入的位置”的处理以及“实现这次测试写入”的下一处理。结果，不光测试写入变得很容易，而且对在扩展驱动测试区EDRTZ中已经进行了测试写入的位置的管理也被简化了。
3.按照包括扩展驱动测试区EDRTZ的形式对数据导出区DTLDO进行复位(图1中的(E4))。
图23中的(e)示出了一个例子，其中在数据区DTA中设置了两个扩展备用区1和2(ESPA1，2)，并且在数据区DTA中设置了两个扩展驱动测试区1和2(EDRTZ1，2)。在这种情况下，该实施例的特征在于，如图23中的(f)所示，对包括达到扩展驱动测试区2(EDRT2)的区域的区域的数据导出区DTLO(图1中的(E4))，能够进行复位。通过与此相连，在窄范围的形式中进行数据区DTA范围内的复位，并且变得很容易管理存在于数据区DTA中的用户数据的可记录范围205。
在如图23的(f)中进行复位的情况下，图23的(e)中所示的扩展备用区1(ESPA1)的设置位置被视为“已经用光的扩展备用区”，并且考虑到未记录区(可以进行附加测试写入的区域)仅存在于扩展驱动测试区EDRTZ中的扩展备用区2(ESPA2)而进行管理。在这种情况下，记录在扩展备用区1(ESPA1)中用于替换的非缺陷信息按照原样被传输给扩展备用区2(ESPA2)中的未使用区，并且重新写入缺陷管理信息。这时，被复位的数据导出区DTLDO的开始位置信息被记录在如图30所示的记录管理数据RMD中的RMD区0的最新(更新)数据区DTA的位置信息中。
图24中示出了用于在上述驱动测试区中进行测试写入的记录脉冲(写入策略)的波形，并且图25示出了记录脉冲形状的定义。
下面将参照图26说明可记录信息存储介质中边界区的结构。当第一次在可记录信息存储介质中设置一个边界区时，边界区(Bordered Area)BRDA#1被设置在内圆周一侧(最接近数据导入区DTLDI的一侧)，之后，如图26中的(a)所示，在其后面形成外部边界(Border-out)BRDO。
当希望设置下一个边界区(Bordered Area)BRDA#2时，如图26(b)所示，在前一外部边界BRDO(#1的)后面形成下一内部边界(Border-in)BRDI(#1的)，之后，设置下一个边界区BRDA#2。当希望关闭下一边界区BRDA#2时，在其后形成该外部边界(#2的)。在该实施例中，该状态被称为边界区域(Border Zone)BRDZ，在该状态中，在前一外部边界BRDO(#1的)后面形成下一内部边界(Border-in)BRDI(#1的)并且与外部边界BRDO(#1的)是成对的。图26的(b)中示出了在数据区DTA中设置扩展驱动测试区EDRTZ的例子。
图26的(c)示出了最终确定(Finalization)可记录信息存储介质后的状态。图26的(c)示出了一个例子，其中扩展驱动测试区EDRTZ被包含到数据导出区DTLDO并且进一步设置扩展备用区ESPA。在这种情况下，用最终外部边界BRDO来填充用户数据的可记录范围205，使得用户数据的可记录范围205不会没有被填满。
图26的(d)示出了上述边界区BRDZ中的详细数据结构。每个信息都被记录在一个物理段块(Physical Segment Block)大小的单元中，这将在下面说明。
记录在记录位置管理区中的内容复制信息C_RMZ被记录在外部边界BRDO的初始部分，并且表示这是外部边界BRDO的边界终止标志(终止块)STB被记录。
当出现下一内部边界BRDI时，表示接着出现边界区(下一边界标志)NBM的初始标志被记录在从物理段块计算得出的“N1st”物理段块中，在该物理段块中记录有该边界终止标志(终止块)STB。接着，表示接着出现边界区的第二标志NBM被记录在“N2nd”物理段块中，并且表示接着出现边界区的第三标志NBM被记录在“N3rd”物理段块中。通过这种方式，该标志NBM被分散地记录在全部的三个点中，每个大小为一个物理段块大小。
更新物理格式信息(Updated Physical Format Information)U_PFI被记录在下一内部边界BRDI中。
当在当前DVD-R或DVD-RW盘中(在最终外部边界BRDO中)没有出现下一边界区时，如图26的(d)所示的将被记录“表示下一边界的标志NBM”的位置(一个物理段块大小的位置)被保持作为“没有记录数据的位置”。当在这种状态中进行边界关闭(close)时，该可记录信息存储介质(当前DVD-R或DVD-RW盘)就处于能够在常规的DVD-ROM驱动器或常规的DVD播放器中进行再现的状态。在常规的DVD-ROM驱动或常规的DVD播放器中，通过利用记录在该可记录信息存储介质(当前DVD-R或DVD-RW盘)上的记录标记进行使用PDP(差分相位检测)方法进行轨道偏离检测。然而，在上述“没有记录数据的位置”中，在一个物理段块的大小上不存在记录标记，并且因此，无法进行使用PDP(差分相位检测)方法的轨道偏离检测方法。因此，存在轨道伺服无法稳定进行的问题。
作为解决上述当前DVD-R或DVD-RW盘的问题，在该实施例中可以采用下面的[1]至[5]。
[1]当没有出现下一边界区时，特定模式的数据被事先记录在“表示下一边界的标志NBM应该被记录的位置”。
[2]当出现下一边界区时，可以利用特定记录模式对部分地和离散地在“表示一下边界的标记NBM”位置进行“覆盖写处理”，其中在“表示一下边界的标记NBM”位置中记录有上述的特定模式数据。即，采用利用覆盖写处理作为表示“出现下一边界区”的识别信息的方法。以这种方式，通过覆盖写设置表示下一边界的标志，可以事先在“表示下一边界的标志NBM应该被记录的位置”中形成特定模式的记录标记，即使如图[1]所示下一边界区不存在。结果，就会产生以下效果：当在边界关闭之后在只再现信息再现设备中通过DPD方法进行轨道偏离检测时，稳定地进行轨道伺服。
担心出现的情况就是，在可记录信息存储介质中，当新记录标记即使部分地在已经形成记录标记的部分被覆盖写时，也会削弱信息记录和再现设备或信息再现设备中如图5中所示的PLL电路的稳定性。
为了解决这种担心，在该实施例中进一步采用了方法[3]至[5]。
[3]当在一个物理段块大小的“表示下一边界的标志NBM”的位置上进行覆盖写时，覆盖写条件会根据相同数据段中的位置而改变(图4中的(L1))。
[4]在同步数据432中部分地进行覆盖写，并且禁止在同步码431中进行覆盖写(图4中的(L2))。
[5]在除了数据ID和IED以外的位置进行覆盖写。
将在下面使用图65A至65C进行详细的说明，用于记录用户数据的数据区(field)411至418以及保护区441至448被部交替地记录在信息存储介质中。数据区411至418的每一个以及保护区441至448的每一个的组合被称为数据段490，并且一个数据段长度对应于一个物理段块长度。
在如图5所示的PLL电路中，尤其是在如图65A至64C所示的VFO区471和472中很容易地进行PLL导入。因此，即使PLL中止了，也可以通过使用VFO区471和472很容易地进行另一个PLL的导入，如果其紧接着在VFO区471和472之前的位置话，并且信息记录和再现设备或信息再现设备中作为整个系统的影响也被降低。
通过利用该情况，[3]根据如上所述的数据段中的位置来改变覆盖写情况(图4中的(L1))，并且在相同数据段中接近VFO区471和472尾部的特定模式的覆盖写量增加了。通过这种方式，很容易确定“表示下一边界的标志”，并且能够防止进行再现时信号PLL的准确性降低。
如使用图65A至65C以及图45进行的详细说明，通过将排列同步码433(SY0至SY3)的位置以及排列在同步码433之间的同步数据434组合在一块构成一个物理扇区。该信息记录和再现设备或信息再现设备从记录在信息存储介质上的信道位串中提取出同步码433(SY0至SY3)，并检测信号位串的断点。下面将说明从图35的数据ID信息中提取出记录在信息存储介质上的数据的位置信息(物理扇区号或逻辑扇区号)。通过使用紧接在其后排列的IED来检测数据ID的错误。
因此，在该实施例中，[5]在数据ID和IED中禁止覆盖写，并且[4]在除了同步码431图4中的(CL2)以外的同步数据432中进行部分覆盖写，因此也能够通过使用同步码431来检测数据ID位置并在“表示下一边界的标志NBM”中再现记录在数据ID(读取该内容)中的信息。
为了更具体的说明上述内容，图12中示出了在“表示下一边界的标志NBM”的位置进行覆盖写时的流程图。当图5中所示的信息记录和再现设备的控制单元143通过接口单元142接收新边界的设置指令时(ST1)，该控制单元143控制该信息记录和再现设备141并且开始再现排列在末端的现存边界区BRDA(ST2)。因此，该信息记录和再现单元141就在跟踪的同时保持沿着边界区BRDA的预凹槽前进，直到其在外部边界BRDO中检测到边界终止标志STB(ST3)。
如图26中的(d)所示，在边界终止标志STB之后，表示已经以特定模式被记录在下一边界的各个标志NBM已经被设置在N1st，N2nd以及N3rd物理段块中。该信息记录和再现单元141在外部边界BRDO中连续进行再现的同时对物理段块数进行计数(ST4)，并查找上述表示下一边界的标志NBM的位置(ST5)。
如上所述，作为方法“根据相同数据段中的位置来改变覆盖写情况”的一个具体例子(图4中的(L1))，至少在相同数据段的最后物理扇区中采用宽覆盖写区。当检测到数据段中的最后物理扇区时(ST6)，从紧接着数据ID和IED之后开始到最后物理扇区的末端进行覆盖写，留下数据ID和IED(不会覆盖写数据ID和IED)(ST9)。
在除了至少最后物理扇区以外的相同数据段中，在同步数据432的特定模式中部分地进行覆盖写，同时避免如图40或图63所示的同步码431区(ST7)，这将在下面说明(图4中的(L2))。对表示每个边界的每个标志(marker)NBM进行上述的处理，并且在完成对表示第三个边界的标志NBM进行覆盖写处理之后(ST9)，记录新的内部边界BRDI，之后用户被记录在边界区BRDA中(ST10)。
记录在图26的(c)中所示边界区BRDA中的信息的逻辑记录单元被称为R区(R Zone)。因此，通过至少一个或多个R区来构建一个边界区BRDA。在当前的DVD-ROM中，采用被称为“UDF桥”的文件系统作为它的文件系统，其中与UDF(通用盘格式)一致的文件管理信息以及与ISO9660一致的文件管理信息同时被记录在一个信息存储介质中。这里，在与ISO9660一致的故障管理方法中有一条准则就是，一个文件必须被无故障地连续地记录，在信息存储介质中(即，禁止将一个文件中的信息分割以及排列在信息存储介质中的分散位置上)。因此，当按照上述UDF桥记录信息时，例如，构成一个文件的所有信息都被连续地记录，因此，可以采用连续记录一个文件的区域来构成一个R区。
图27示出了控制数据区CDZ以及R-物理信息区RIZ中的数据结构。如图27中的(b)所示，物理格式信息(Physical Format Information)PFI以及介质制造信息(Disc Manufacturing Information)DIM存在于控制数据区CDZ中。该R-物理信息区RIZ由介质制造信息(Disc Manufacturing Information)DMI以及R-物理格式信息(R-Physical Format Information)R_PFI构成。
关于介质生产地以及介质制造商所属地区信息252的信息251被记录在介质制造信息DMI中(图2[F])。当出售的信息存储介质侵犯了专利权时，侵犯报警就会被通知给生产地所位于的地区(country)或在很多情况下信息存储介质被消费(使用)的地区。通过强制的将上述信息记录在信息存储介质中来找到生产地(地区名称)，并且很容易地发出专利权侵犯警报，从而促进了知识产权保护以及技术的进步。进一步，其它的介质制造信息253也被记录在盘制造信息DMI中。
该实施例的特征在于根据物理格式信息PFI或R物理格式信息R_PFI中的记录位置(从头开始的相对字节位置)来指定将要被记录的信息种类(图2[G])。即，DVD系列中的公用信息261被记录在从0字节至第31字节的32个字节区域中，作为物理格式信息PFI或R物理格式信息R_PFI中的记录位置。从第32字节至第127字节的96个字节用于记录HD_DVD系列中的公用信息262，这是本实施例的目标。从第128字节至第511字节的384个字节用于记录各个关于各个写入标准类型以及部分版本的个别信息(特有信息)263。从第512字节至第2047字节的1536个字节用于记录相应于各个修正的记录信息。通过根据类似的信息内容来实现物理格式信息中信息位置的通用性，使得被记录信息的位置是相同的，而与介质的种类无关。因此，能够实现信息再现设备和信息记录和再现设备的再现处理的通用性和简易性。DVD系列中被记录在从第0字节至第31字节位置上的公用信息261被分为信息267以及信息268，其中该信息267被记录在从第0个字节至第16个字节的位置上，并且被共同记录在只再现信息存储介质，可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质中，该信息268被记录在从第17个字节至第31个字节的位置上，并且被共同记录在可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质中，而不被记录在只再现类型中。
图28中示出了如图27所示的物理格式信息PFI或R-物理格式信息R_PFI中的具体信息内容，并且根据介质的种类(是否为只再现类型，可重写类型或可记录类型)对物理格式信息PFI中的信息进行比较。作为DVD系列中公用信息261中的共同被记录到所有只再现类型，可重写类型以及可记录类型的信息267，在字节位置0至16循序地有写入标准信息类型(只再现/可重写/可记录)以及版本号信息，介质大小(直径)以及最大可能数据传输率信息，介质结构(单层或双层，存在或不存在压纹凹坑/可记录区/可重写区)，记录密度(线性密度以及轨道密度)信息，数据区DTA的位置信息，以及脉冲串刻录区BCA的存在以及缺席信息(该实施例中的所有显示)。
作为DVD系列中的公用信息261并且被共同记录在可重写类型以及可记录类型中的信息268，从第28字节至第31字节顺序包括指定最大记录速度的修正(revision)号(number)信息，指定最小记录速度的修正号信息，修正号表(应用程序修正号)，类状态信息，以及扩展(部分)版本信息。给出从第28字节至第31字节的信息对应于该实施例的特征：将对应于记录速度的修正信息给予物理格式信息PFI或R物理格式信息R_PFI的记录区(图2中的(G1))。
当传统上开发出其记录速度被加强为两倍速度，三倍速度等的介质时，每次都必须完成与其对应的相当繁琐的重新将书面标准进行组合的工作。另一方面，在该实施例中，该书面标准被划分为一个书面标准以及一个修正本，其中当内容被改变很大(版本书)时改变该书面标准的版本，通过改变对应于小变化例如记录速度的修正来发布该修正本，并且只有在每次加强记录速度时发布修正被更新的修正本。因此，可以保证相应于高速记录的将来介质的扩展功能，并且能够被用于通过简单修正方法的标准，这样当开发出新的高速记录适应介质时，就能够产生适于高速的效果。
该实施例的特征在于，尤其可以通过单独的在第17字节提供指定最大记录速度的修正号信息栏以及在第18字节提供指定最小记录速度的修正号信息栏，来可以单独地将修正号设置在记录速度的最大值和最小值(图2中的(G1α))。例如，当开发出能够以相当高的速度进行记录的记录薄膜时，该记录薄膜就能够以相当高的速度进行记录，但是当记录速度降低时，该记录薄膜无法突然进行记录，或者该能够降低可记录最小速度的记录薄膜在很多情况下是非常昂贵的。另一方面，在该实施例中，可以单独的将修正号设置在记录速度的最大值和最小值，借此，可开发记录薄膜的选择范围被放宽，结果就会产生如下效果：可以提供能够进行更高速记录以及较低价格的介质。
本发明实施例的信息记录和再现设备事先在每个修正中具有可能最大记录速度和可能最小记录速度的信息。当一个信息存储介质被放置在该信息记录和再现设备中时，首先从图5所示的信息记录和再现单元141中读出物理格式信息PFI或R物理格式信息R_PFI中的信息。接着，根据获得的修正号信息，参照事先记录在控制单元143的存储器单元175中的各个修正的可能最大记录速度和可能最小记录速度的信息，确定其上安装的信息记录介质的可能最大记录速度和可能最小记录速度。进一步，根据该结果以最优记录速度进行记录。
下面，如图27中的(c)所示，对从第128字节至第511字节的各个书面标准的类型和版本的特殊信息263的含义，以及从第512字节至第2047字节的各个修正中可特殊设置的信息内容264的含义进行说明。即，在从第128字节至第511字节的各个书面标准的类型和版本的特殊信息263中，每个字节位置中记录信息内容的含义是一致的，而与不同类型的可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质无关。不仅是当不同类型的可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质之间存在差异时，而且也是当相同类型介质的修正不同时，都允许可以为从第512字节至第2047字节的各个修正特殊设置的信息内容264在每个字节位置的记录信息内容具有不同的含义。
如图28所示，作为各个书面标准的类型和版本的特殊信息263中的信息，该书面标准中记录信息内容的含义在不同类型的可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质中的各个字节位置上是一致的，介质制造商名称信息，从介质制造商增加的信息，记录标记极性(辨别为H→L还是L→H)信息，进行记录或再现时的线性速度信息，光学系统沿着圆周方向的边缘强度值，光学系统沿着半径方向的边缘强度值，以及进行再现时推荐的激光功率(记录表面上的光量值)被引用，并且被顺序记录。
该实施例的特征尤其在于第192字节被允许具有记录标记极性(辨别为H→L还是L→H)信息(标记极性描述符)。在常规的可重写或可记录DVD盘中，只有“H→L”(高至低)型记录薄膜被允许，其中相对于未记录状态(反射电平比较高：High)来说，记录标记中的光反射量变低(Low)。另一方面，当要求介质“提供高速记录”以及“降低成本”或作为物理性能“降低交叉擦除”，“增加重写数上限”等时，就会出现无法仅仅通过常规的H→L型记录薄膜来处理这些命令的问题。另一方面，在该实施例中，不仅允许使用H→L型记录薄膜，而且也允许使用增加记录标记中光反射量的“L→H”型记录薄膜，因此，不仅常规的H→L型而且L→H型记录薄膜也被结合到标准中。结果，记录薄膜的选择范围被加宽，从而产生能够高速记录并提供低价格介质的效果。
下面将说明执行信息记录和再现设备的具体方法。在书面标准(版本书)或修正书中，并排写入来自H→L型记录薄膜的再现信号特征以及来自L→H型记录薄膜的再现信号特征，并且在与其对应的图5的PR均衡电路130和维特比解码器156中准备两个相应的电路。当该信息存储介质被安装在信息再现单元141中时，首先启动用于在系统导入区SYLDI中读取信息的限制电平检测电路132。在该限制电平检测电路132中读出记录在第192字节上的记录标记极性(辨别为H→L还是L→H)信息之后，进行是“H→L”型还是“L→H”型的辨别，并且对应于此在切换PR均衡电路130和维特比解码器156中的电路之后，对记录在数据导入区DTLDI或数据区DTA中的信息进行再现。
根据上述的方法，能够比较快和高准确率地读出数据导入区DTLDI或数据区DTA中的信息。
在第17字节描述指定最大记录速度的修正号信息，并且在第18字节描述指定最小记录速度的修正号信息，但是上述的信息也仅仅是指定最大值和最小值的范围信息。在最稳定地进行记录时获得该最优线性速度信息，并且它的信息被记录在第193字节。
该实施例的另一个大特征在于：位于第194字节沿着圆周方向的光学系统的边缘强度值以及位于第195字节沿着半径方向的光学系统的边缘强度值作为光学系统条件信息被排列在先于各种记录条件(写入策略)信息的位置，其中所述各种记录条件信息被包括在能够被特殊设置在各个修正中的信息内容264中。它们的信息表示光学头的光学系统的条件信息，其中当确定了排列在背面的记录条件时该光学头被使用。该边缘强度表示入射在物镜上的入射光会聚于信息存储介质的记录表面之前的分布状态，并且被定义为“当入射光强度分布地中心强度被设为“1”时，位于物镜外围位置(外围位置外部的光瞳表面)上的强度值”。
物镜上入射光的强度分布并不相对于一个点对称，而是椭圆形分布，并且由于信息存储介质在半径方向和在圆周方向上的边缘强度值是不同的，因此记录了两种数值。随着边缘强度值的变大，信息存储介质记录表面上的会聚点大小会变小，因此，根据边缘强度值，最优记录功率条件会发生很大的变化。由于该信息记录和再现设备事先知道光学头它自己的边缘强度值信息，因此它首先沿着圆周方向和半径方向读出记录在信息存储介质中的光学系统的边缘强度值，并且将它们与其自己光学头的数值进行比较。如果在比较结果中没有发现显著地不同，则记录在背面(rear side)的记录条件能够被应用。但是，如果比较结果中有较大的差异，在该记录和再现设备自己利用如图21或图23所述的驱动测试区DRTZ进行测试写入的同时，需要忽略记录在背面上的记录条件，并开始确定最优记录条件。
通过这种方式，在设备忽略信息以及设备自己进行测试写入的同时，需要快速地确定是否利用记录在背面的记录条件，或开始确定最优记录条件。如图28所示，在记录了推荐记录条件的位置的先前位置，排列有确定了条件的光学系统的条件信息。因此，就会有如下效果：能够首先读出边缘强度信息，并且能够高速地确定排列在后面的记录条件的适用性。
如上所述，在该实施例中，单独准备书面标准(版本书)以及修正本，其中当内容发生大变化时版本中的书面标准被改变，并且通过改变对应于小变化例如记录速度的修正中来发布该修正本，使得每次加强记录速度时，仅修正中更新的修正本能够被发布。因此，当修正号不同时，修正本中的记录条件会改变，并且因此关于记录条件(写入策略)的信息被主要记录在信息内容264中，其中能够从第512字节到第2047字节为每个修正特殊地设置信息内容。从图28中很显然的，作为从第512字节到第2047字节为每个修正特殊设置的信息内容264，不仅允许在不同类型的可重写信息存储介质与可记录信息存储介质之间存在差异，而且即使是相同的介质中修正不一样的情况下，也允许在各个字节位置上记录的信息内容的含义上的差异。
图28中峰值功率，偏置(bias)功率1，偏置功率2以及偏置功率3的定义对应于图24中定义的功率值。图28中第一脉冲的终止时间表示图24中定义的TEFP。多脉冲间隔表示图24中定义的TMP。最后脉冲的开始时间表示图24中定义的TSLP。2T标记的偏置功率2的周期表示图24中定义的TLC。
图29示出了对记录在从第4字节到第15字节部分的数据区DTA的位置信息中记录的详细信息内容进行比较。共同记录数据区DTA的开始位置信息，物理格式信息PFI以及R物理格式信息R_PFI，而不区分介质的类型。作为表示终止位置的信息，数据区DTA的终止位置信息被记录在只再现信息存储介质中。
如图17所示，在可重写信息存储介质中，具有物理扇区号最大值的位置位于凹槽区中，但是平台区中数据区DTA的终止位置信息被记录。
用户数据可记录范围中的最终位置信息被记录在可记录信息存储介质的物理格式信息PFI中，并且该位置信息表示，例如图23的(e)所示例子中点ζ之前的位置。
另一方面，相应边界区BRDA中记录数据的最终位置信息被记录在可记录信息存储介质的R物理格式信息R_PFI中。
从再现一侧光学系统看前面的“层0”中的最终地址信息也被记录在只再现信息存储介质中。平台区与凹槽区之间开始位置信息的差别值信息被记录在可重写信息存储介质中。
如图21中的(c)所示，记录管理区RMZ位于数据导入区DTLDI中。如图26的(d)所示，该复制信息位于外部边界BRDO中，作为到记录位置管理区的记录内容的复制信息C_RMZ。在该记录管理区RMZ中，如图22的(b)所示，记录有具有与一个物理段块大小相同数据大小的记录位置管理数据(记录管理数据)RMD。每次更新记录管理数据RMD的内容时，能够顺序地将记录管理数据RMD记录在尾部，作为新更新的记录管理数据RMD。图30至32示出了一个记录管理数据RMD中的详细数据结构。记录管理数据RMD的内部被进一步分为每个大小为2048字节的小RMD区信息RMDF。
记录管理数据RMD中的初始2048个字节为保留区。
在下一2048字节大小的RMD区0中，顺序地排列有记录管理数据格式代码信息，介质状态信息，唯一盘ID(盘标识信息)，数据区DTA的位置信息和最新(更新)数据区DTA的位置信息，以及记录管理数据RMD的位置信息，其中介质状态信息表示目标介质是否处于(1)未记录状态，(2)结束之前的记录过程中，或(3)结束之后。
在数据区DTA的位置信息中，记录有初始时数据区DTA的开始位置信息以及用户数据的可记录范围204的最终位置信息(在图23的(d)的例子中，该信息表示点β之前的位置)，作为表示初始状态时用户数据可记录范围204(图23中(d))的信息。
该实施例的特征在于如图23中的(e)和(f)所示，驱动测试区EDRTZ以及扩展备用区ESPA可以被另外定位在用户数据的可记录范围204中(图1的(C1)和(E2))。如果通过这种方式进行扩展，用户数据的可记录范围205就会变小。该实施例的另一特征在于相关信息被记录在“新近(更新)数据区DTA的位置信息”中，使得用户数据不会错误地被记录在扩展区EDRTZ以及ESPA中。
即，可以通过是扩展驱动测试区EDRTZ的辨别信息存在与否来知道是否附加地提供扩展驱动测试区EDRTZ，并且也可以通过扩展备用区(ESPA)的辨别信息存在与否来知道是否附加地提供扩展备用区ESPA。
进一步，作为关于记录管理数据RMD中管理的用户数据的可记录范围205的可记录范围信息(图1[E])，如图30所示，存在记录在RMD区0中最近(更新)数据区DTA的位置信息中的最新用户数据的可记录范围205的最终位置。借此，能够立即发现图23中的(f)所示用户数据的可记录范围205，并且能够高速地检测以后可记录的未记录区的大小(未记录量)。
这就带来了如下效果：通过在进行对应于由用户指定的编程记录时间的记录时设置最优传输率，例如，能够对介质进行记录，而不会在由用户指定的编程记录时损害最高可实现的图像质量。
将图23中(d)的例子作为一个例子，上述的“最新用户数据的可记录范围205的最终位置”表示点ζ前的位置。可以在作为另一个例子的ECC块地址号中描述该位置信息(图1中的(E1))，而不是在物理扇区号中描述。
如后面所述，在该实施例中，一个ECC块由32个扇区构成。因此，排列在特定ECC块头部扇区的物理扇区号的低5位对应于排列在相邻ECC块头部位置扇区的扇区号。
当设置物理扇区号使得排列在ECC块头部扇区的物理扇区号的低5位变成“00000”时，则比存在于相同ECC块中的所有扇区物理扇区号的第6低位高的位的值彼此对应。因此，存在于上述相同ECC块中扇区的物理扇区号的低5位数据被去除，并且只提取出高于第六低位的更高位数据地址信息被定义作为ECC块地址信息(或ECC块地址号)。
如下面所述，事先通过摆动调制记录的数据段地址信息(或物理段块号信息)对应于上述的ECC块地址，并且因此，当在ECC块地址号中描述记录位置管理数据RMD中的位置信息时，就会产生如下1)和2)的效果。
1)尤其以高速访问未记录区。由于事先通过摆动调制记录的数据段地址的信息单元以及记录管理数据RMD中位置信息单元彼此对应，因此可以很容易地对差异进行计算处理。
2)能够使得记录位置管理数据RMD中管理数据的大小非常小。用于地址信息描述所需的位数每个地址可以节省5位。
如后面所示，一个物理段块长度对应于一个数据段长度，并且一个ECC块的用户数据被记录在一个数据段中。因此，当使用表示例如“ECC块地址号(number)”，“ECC块地址”，“数据段地址”，“数据段号”以及“物理段块号”时，所有的这些表述都具有同义词的意思。
如图30所示，记录管理区RMZ的设置大小信息被记录在存在于RMD区0中的记录管理数据RMD的位置信息中的ECC块单元或物理段块单元中，其中在该记录管理区RMZ中，能够顺序地记录记录管理数据RMD。
如图22的(b)所示，每个物理段块中记录有一个记录管理数据RMD。通过该信息，可以发现更新的记录管理数据RMD能够被记录在记录管理区RMZ中多少次。
之后，记录记录管理区RMZ中的当前记录管理数据数。这表示记录管理数据RMD的数字信息已经记录在记录管理区RMZ中。例如，作为图22(b)所示的例子，假设该信息就是记录管理数据RMD#2中的信息，该信息就是第二次被记录在记录管理区RMZ中的记录管理数据RMD，因此，在该栏中记录数值“2”。
之后，记录管理区RMZ中的剩余量信息被记录。该信息表示记录管理区RMZ中可进一步记录的记录管理数据RMD的编号信息，并且在物理段块单元(＝ECC块单元＝数据段单元)中被说明。
在上述的三种信息之间建立下面的关系。
[RMZ的设置大小信息]＝[当前记录管理数据数]+[RMZ中的剩余量]
该实施例的特征在于记录管理数据RMD的使用量或记录管理区RMZ中剩余量信息被记录在记录位置管理数据RMD的记录区中(图1中的(E7))。
例如，当所有的信息都一次被记录在一个可记录信息存储介质中时，最好只记录该记录管理数据RMD一次。但是，当希望重复地将用户数据(将用户数据记录到图23的(f)中的用户数据的可记录范围205中)的记录详细地记录到一个可记录信息存储介质中时，需要为每个记录记录更新的记录管理数据RMD。在这种情况下，如果频繁地记录记录管理数据RMD，则如图22的(b)中所示的未记录区206就会被用光，并且需要信息记录和再现设备采取适当的措施。因此，通过记录已经被记录管理数据RMD使用的量或者记录管理数据RMD的记录区中记录管理区RMZ中的剩余量信息，能够事先知道记录管理区RMZ中的未记录状态，并能够使得信息记录和再现设备早些采取措施。
该实施例具有如下特征：数据导出区DTLDO能够被设置为这种形式，包括如图23的(e)平移至(f)所示的扩展驱动测试区EDRTZ内部。这时，在图22中，数据导出区DTLDO的开始位置从点β改为点ε。为了管理这种情况，在图30中RMD区0的最新(更新)数据区DTA的位置信息中提供有用于记录数据导出区DTLDO的开始位置信息的栏。如上所述，驱动测试(测试写入)基本上被记录在能够在数据段(ECC块)单元中扩展的簇单元中。因此，在ECC块地址号中描述了数据导出区DTLDO的开始位置信息。但是，作为另一个例子，可以描述初始排列在初始ECC块，数据段地址，或ECC块地址中的物理扇区的物理段块号或物理扇区号中的开始位置信息。
进行相应介质记录的信息记录和再现设备的历史信息被记录在RMD区1中。对于每个信息记录和再现设备，根据分别为各个修正设置的信息264(图28)中的所有记录条件信息的格式来描述制造商识别信息，用ASCII码描述的序列号和型号，使用驱动测试区记录功率调整的日期时间信息，以及附加记录时的记录条件信息。
该RMD区2是一个用户使用的区，其中用户能够记录，例如所记录(希望)内容的信息等。
每个边界区BRDZ的开始位置信息都被记录在RMD区3中。即，如图30所示，在物理扇区号中描述第1至第15外部边界BRDO的开始位置信息。例如，在图26的(c)中所示的例子中，第一外部边界的开始位置表示点η的位置，第二外部边界BRD0的开始位置表示点θ的位置。
扩展驱动测试区的位置信息被记录在RMD区4中。首先记录已经用于在图21的(c)中所述的数据导入区DTLDI中的驱动测试区DRTZ中进行测试写入的位置的最终位置信息，并且记录已经用于在图23的(d)至(f)中所述的数据导出区DTLD0中的驱动测试区DRTZ中进行测试写入的位置的最终位置信息。
该驱动测试区DRTZ被用于顺序地从内圆周一侧(较小物理扇区号)到外圆周方向(物理扇区号变大的方向)进行测试写入。由于在簇单元中进行测试写入，因此用于进行测试写入的位置单元就是ECC块单元，其中该簇单元就是如后面所述的记录单元。因此，作为已经被用于进行测试写入的位置的最终位置信息，ECC块地址号被写入，或者当它被写入在物理扇区号中时，排列在用于进行测试写入的ECC块末端的物理扇区的物理扇区号也被写入。进行过一次测试写入的位置已经被记录下来，并且因此，当要进行下一次测试写入时，在已经用作测试写入的上一位置的下一位置进行测试写入。因此，通过利用已经在上述驱动测试区DRTZ中进行测试写入的位置的上一位置信息(＝驱动测试区中OPTZ的已经使用量)(图1中的(E5))，该信息记录和再现设备不仅能够立即知道下次从哪里开始进行测试写入，而且也能从信息中确定驱动测试区中是否存在能够进行下一测试写入的未用空间。
能够在数据导入区DTLDI的驱动测试区DRTZ中进行附加测试写入的区域的大小信息或者表示驱动测试区DRTZ是否已经用光的标记信息，以及能够在数据导出区DTLDO的驱动测试区DRTZ中进行附加测试写入的区域的大小信息或者表示驱动测试区DRTZ是否已经用光的标记信息被记录。已经知道数据导入区DTLDI中驱动测试区DRTZ的大小以及数据导出区DTLDO中驱动测试区DRTZ的大小。因此，只需要通过已经用于在数据导入区DTLDI中的驱动测试区DRTZ或数据导出区DTLD0中的驱动测试区DRTZ中进行测试写入的位置的最终位置信息，就能够确定在驱动测试区DRTZ中进行附加测试写入的区域的大小(剩余量)。但是，通过在记录管理数据RMD(图1中的(E5))中提供该信息，就可以立即知道驱动测试区DRTZ中的剩余量，并且能够缩短确定存在或是没有设置新扩展驱动测试区EDRTZ之前的时间。作为另一个例子，该驱动测试区DRTZ是否被用光的标记信息能够被记录在该栏中，而不是驱动测试区DRTZ中能够进行附加测试写入的区域的大小(剩余量)信息。如果设置了一个标记，而通过该标记立即知道了驱动测试区DRTZ已经被用光的事实，则就能够排除在该区域中错误地进行测试写入的危险。
在RMD区4中，接着记录扩展驱动测试区EDRTZ的附加设置数信息。在图23(e)所示的例子中，在两个点，扩展驱动测试区1EDRTZ1以及扩展驱动测试区2EDRTZ2中设置扩展驱动测试区EDRTZ，并且因此，“扩展驱动测试区EDRTZ的附加设置数＝2”。每个扩展驱动测试区EDRTZ的范围信息以及已经被用于测试写入的范围信息也被进一步地记录在区4中。通过在这种方式下管理记录位置管理数据RMD中扩展驱动测试区中的位置信息(图1中的(E6))，可以多次地设置扩展驱动测试区EDRTZ的扩展，并且能够精确地管理扩展驱动测试区EDRTZ的位置信息，其中该扩展驱动测试区EDRTZ按照更新和记录可记录信息存储介质中记录管理数据RMD的形式被连续地扩展。结果，就能够消除由于错误地将扩展驱动测试区EDRTZ中的用户数据作为用户数据的可记录范围204而将其覆盖写的危险(图22中(d))。
如上所述，该测试写入单元被记录在簇单元(ECC块单元)中，并且因此在ECC块地址单元中指定每个扩展驱动测试区EDRTZ的范围。在如图23(e)所示的例子中，由于扩展驱动测试区1EDRTZ1被初始设置，因此通过点γ来显示被初始设置的扩展驱动测试区EDRTZ的开始位置信息，并且被初始设置的扩展驱动测试区EDRTZ的结束位置信息对应于点β的前一位置。位置信息的单元也在ECC块地址号或物理扇区号中被描述。
在图30的例子中，示出了扩展驱动测试区EDRTZ的终止位置信息，但并不仅限于此，也可以描述扩展驱动测试区EDRTZ的大小信息。在这种情况下，扩展驱动测试区1(EDRTZ1)的大小被初始设置为“β-γ”。在ECC块地址号或物理扇区号中也描述了已经被用于在被初始设置的扩展驱动测试区EDRTZ中进行测试写入的位置的最终位置信息。
接着记录能够在被初始设置的扩展驱动测试区EDRTZ中进一步进行附加测试写入的区域的大小(剩余量)信息。从上述的信息中能够知道其中已经使用区域的大小以及扩展驱动测试区1(EDRTZ1)的大小，并且因此，自动获得其中能够进行附加测试写入的区域的大小(剩余量)。但是，通过提供该区(图1中的(E5))，当进行新驱动测试(测试写入)时，能够立即知道当前的驱动测试区是否足够，这样，就能够缩短直到确定附加设置扩展驱动测试区EDRTZ的判断时间。能够进一步进行附加测试写入的区域的大小(剩余量)信息能够被记录在该区域中，并且作为另一个例子，可以在这个区中设置标记信息，表示扩展驱动测试区EDRTZ是否已经被用光了。如果设置了通过它能够立刻知道该扩展驱动测试区EDRTZ已经被用光了的标记，则就能够消除错误地在该区中进行测试写入的危险。
下面将说明用于由图5中所示的信息记录和再现设备设置新扩展驱动测试区EDRTZ以及在那里进行测试写入的处理方法的一个例子。图33示出了该处理内容。
(1)将可记录信息存储介质安装到信息记录和再现设备上。
→(2)在信息记录和再现单元141中再现脉冲串刻录区BCA中形成的数据，并将其传输给控制单元143→在控制单元143中对传输的信息进行解码，并确定是否进行至下一步。
→(3)在信息记录和再现单元141的系统导入区SYLDI中再现记录在控制数据区CDZ中的信息，并将其传输给控制单元143。
→(4)对当在控制单元143中确定了推荐记录条件时的边缘强度值(图28中第194字节和第195字节)以及信息记录和再现单元141中使用的光学头的边缘强度值进行比较，并确定进行测试写入所需的区域大小。
→(5)通过信息记录和再再单元141再现记录管理数据中的信息并将其传输给控制单元143。对控制单元中RMD区4中的信息进行解码，接着确定存在或是不存在进行(4)中确定的测试写入所需的足够区域大小，在具有足够区域大小的情况下进行至(6)，并在不具有足够区域大小的情况下进行至(9)。→(6)从已经被用于在将被用于测试写入的驱动测试区DRTZ或MD区4的扩展驱动测试区DRTZ中进行测试写入的位置的最终位置信息中确定开始这次测试写入的位置。→(7)从(6)中确定的位置按照(4)中确定的大小进行测试写入。→(8)由于(7)中的处理使得用于进行测试写入的位置增加了，因此临时地将记录管理数据RMD存储在存储器单元175中，其中在该记录管理数据RMD中，已经被用于进行测试写入的位置的最终位置信息被重新写入，并进行至(12)。
＊(9)通过信息记录和再现单元141读取记录在RMD区0中的信息“最新用户数据的可记录范围205的最终位置”或记录在图29所示的物理格式PFI的数据区DTA的位置信息中的“用户数据的可记录范围的最终位置信息”，并在控制单元143中设置将被重新设置的扩展驱动测试区EDRTZ的范围。→(10)根据(9)的结果更新记录在RMD区0中的信息“最新用户数据的可记录范围205的最终位置”，RMD区4中扩展驱动测试区EDRTZ的附加设置数的信息加1(将编号加1)，以进行新的设置。将该被加上了扩展驱动测试区EDRTZ的开始/结束位置信息的记录位置管理数据RMD临时存储在存储器单元175中。→(11)进行至(7)至(12)。
＊(12)在作为(7)中进行的测试写入的结果而获得最优记录条件下在用户数据的可记录范围205内记录所需的用户信息。→(13)在相应于(12)新近生成的R区中记录开始/结束位置信息(图31)，并将更新后的记录管理数据RMD临时存储在存储器单元175中。→(14)该控制单元143控制并且该信息记录和再现单元141附加地将临时存储在存储器单元175中的最新记录位置管理数据RMD存储在记录位置管理区RMZ的未记录区206中(例如图22中的(b))。
如图31所示，扩展备用区ESPA的位置信息被记录在RMD区5中。该实施例的特征在于该可记录信息存储介质，备用区是可扩展的，并且在位置管理数据RMD中管理备用区的位置信息(图1中的(C1))。
在如图23中(e)所示的例子中，扩展备用区ESPA被设置在两个点，扩展备用区1(ESPA1)以及扩展备用区2(ESPA2)，并且因此，在RMD区5的头部描述的扩展备用区ESPA的附加设置数为“2”。初始设置的扩展备用区ESPA的开始位置信息对应于点δ的位置，首先设置的扩展备用区ESPA的结束位置对应于点γ前的位置，其次设置的扩展备用ESPA区的开始位置信息对应于点ζ的位置，并且其次设置的扩展备用区ESPA的结束位置信息对应于点ε前的位置。
关于缺陷管理的信息被记录在图31的RMD区5中。该实施例的特征在于备用区SPA(或扩展备用区ESPA)的已经使用量或剩余量的信息被记录在RMD中(图1中的(C2))。更具体的，已经被用于替换临近数据导入区DTLDI的备用区的ECC块的数信息或物理段块数信息被记录在图31的RMD区5的第一栏中。在该实施例中，在用于用户数据的可记录范围204中发现的有缺陷区的ECC块单元中进行替换处理。
如后面所述，构成一个ECC块的一个数据段被记录在一个物理段块区中。因此，已经进行了替换的数等于已经用于替换的ECC块数(或物理段数，数据段数)。因此，在该栏中所述信息的单元就是ECC块单元，物理段块单元或数据段单元。
在可记录信息存储介质中，在备用区SPA或扩展备用区ESPA中，在很多情况下，从具有较小ECC块地址号的内圆周一侧开始使用进行替换处理的位置。因此，作为该栏中的信息，可以描述ECC块地址号作为用于在另一个例子中进行替换的被使用位置的最终位置信息。
如图31所示，存在用于记录各种类似信息的扇区，用于首先被设置的扩展备用区1(ESPA1)以及其次被设置的扩展备用区2(ESPA2)，其中该各种类似的信息为(“已经被用于替换的物理段块数或ECC块数的信息，或首先被设置的扩展备用区ESPA中用于替换位置使用的最终位置信息(ECC块地址号)”，以及“已经被用于替换的物理段块数的信息或ECC块数的信息，或其次被设置的扩展备用区ESPA中用于替换位置的最终位置信息(ECC块地址号)”)。
通过利用这些种类的信息进行下面的1)和2)。
1)当要进行下一替换处理时，能够立即找出重新为在用户数据的可记录范围205中发现的有缺陷区设置的备用区。在已经被用于替换的最终位置之后进行新的替换。
2)通过计算获得备用区SPA或扩展备用区ESPA中的剩余量，并且(当剩余量不足时)，能够知道是否有设置新的扩展备用区ESPA的需求。
事先知道与数据导入区DTLDI相邻的备用区SPA的大小，并且，如果关于备用区SPA中已经被用于替换的ECC块数的信息是可用的，则能够计算得出备用区SPA中的剩余量。但是，通过提供将来可用于替换的未使用位置的物理段块数信息以及ECC块数信息的记录帧来立即得到剩余量，其为备用区SPA中的剩余量信息，并且能够缩短确定是否有设置附加扩展备用区ESPA的需求所需的时间。基于相同的原因，提供了其中“首先设置扩展备用区ESPA中剩余量的信息”以及“其次设置扩展备用区ESPA中剩余量的信息”的帧(图1中的(C2))。
在该实施例中，使得该备用区SPA在可记录信息存储介质中是可扩展的，并且在记录管理数据RMD中管理其位置信息(图1中的(C1))。如图22中(e)所示，能够根据所需在可选的开始位置以可选的大小扩展和设置扩展备用区1和2(ESPA1，ESPA2)等等。因此，扩展备用区ESPA的附加设置数信息被记录在RMD区5中，并且初始设置的扩展备用区ESPA的开始位置信息以及次级设置的扩展备用区ESPA的开始位置信息是可以设置的。在物理扇区号或ECC块地址号(或物理段块号，数据段地址)中描述这些开始位置信息。在图30的例子中，作为指定扩展备用区ESPA范围的信息，记录了“首先设置的扩展备用区ESPA的末端位置信息”以及“其次设置扩展备用区ESPA的末端位置信息”。但是，作为另一个例子，可以通过ECC块或物理段块数，数据段数，ECC块数或物理扇区数来记录扩展备用区ESPA的大小信息，而不是末端位置信息。
缺陷管理信息被记录在RMD区6中。在该实施例中，提供下面的两种方法[1]和[2]来加强记录在信息存储介质中关于缺陷处理的信息的可靠性。
[1]常规的“替换模式”，用于将计划被记录在有缺陷区域中的信息记录在到备用位置中。
[2]“复用模式”，用于通过将相同内容的信息两次记录在信息存储介质的不同位置来加强可靠性。
关于按哪种模式进行处理的信息被记录在如图32所示的记录管理数据RMD中次级缺陷列表入口信息中的“缺陷管理处理的类信息”中(图1中(C3))。
提供如下内容用于次级缺陷列表入口信息中的内容。
[1]在替换模式的情况下
·缺陷管理处理的类信息被设为“01”(与常规的DVD-RAM相同)。
·“初始ECC块的位置信息”表示在用户数据的可记录范围205中被发现作为缺陷位置的ECC块位置信息，并且将被初始记录在该地方的信息没有被记录，而是被记录在备用区等中。
·“替换目的ECC块的位置信息”表示设置在图23的(e)的备用区SPA或扩展备用区1(ESPA1)以及扩展备用区2(ESPA2)中的替换位置的位置信息，并把将被记录在从用户数据的可记录范围205内发现的有缺陷位置中的信息记录在这里。
[2]在复用模式的情况下(图1中的(C3))。
·缺陷管理处理的类信息被设为“10”。
·“初始ECC块的位置信息”表示非缺陷位置的位置信息，其中记录有将要被记录的信息并且能够在此精确地再现该信息。
·“替换目的ECC块的位置信息”表示记录有与记录在上述“初始ECC块的位置信息”中的信息相同内容的位置信息，用于复用设置在图23的(e)的备用区SPA或扩展备用区1(ESPA1)以及扩展备用区2(ESPA2)中。
当记录在上述的“[1]替换模式”中时，确定记录在信息存储介质中的信息能够在紧接着记录之后的阶段被精确地读出。但是，就会存在以下危险：由于此后用户的失误使得信息存储介质上附着灰尘以及缺陷(flaw)，从而导致不能再现上述的记录。
另一方面，当记录在上述的“[2]复用模式”中时，即使由于用户的失误使得信息存储介质上附着有灰尘以及缺陷，从而导致部分无法读出该信息，由于相同的信息被备份在其他的部分中，因此，能够显著地加强信息再现的可靠性。如果通过利用上述备份信息对这次没有读出的信息进行“[1]替换模式”的替换处理，则可以进一步加强可靠性。
因此，通过上述“[2]复用模式”处理，或者“[1]替换模式”处理以及“[2]复用模式”处理的组合，就会有以下效果：能够在记录之后考虑抗灰尘以及缺陷的对策来确保信息再现的高度可靠性。
作为描述上述ECC块的位置信息的方法，除了描述位于构成上述ECC块的头部位置的物理扇区的物理扇区号的方法之外，还存在描述ECC块地址，物理段块地址或数据段地址的方法。如后面所述，在该实施例中，一个ECC块大小的数据进入的数据上的区域被称为数据段。作为数据记录在信息存储介质上的物理单元，定义了物理段块，并且一个物理段块大小对应于记录一个数据段的区域的大小。
该实施例也还具有一种配置，其中在替换处理之前检测缺陷位置信息。这就使得该信息存储介质的制造商能够在运输之前检查用户数据可记录范围204中的缺陷状态，并记录事先发现的有缺陷位置(在替换处理之前)，并也能够使得用户一侧的信息记录和再现设备在进行初始化处理时检查用户数据可记录范围204中的缺陷状态，并记录事先发现的有缺陷位置(在替换处理之前)。
表示如上所述的替换处理之前事先检测到的缺陷位置的信息就是如图32所示的次级缺陷列表入口信息中“从缺陷块到备用块的替换处理的是否存在信息”(SLR：线性替换状态)。
·当从缺陷块到备用块的替换处理的是否存在信息SLR为“0”时，
对在“初始ECC块位置信息”中指定的有缺陷ECC块进行替换处理，并且可再现信息被记录在“替换目的ECC块位置信息”中指定的位置。
·当从缺陷块到备用块的替换处理的是否存在信息SLR为“1”时，
在“初始ECC块位置信息”中指定的有缺陷ECC块表示在替换处理之前的阶段事先检测到的有缺陷块，并且“替换目的ECC块位置信息”一栏为空(没有记录信息)。
如果事先知道有缺陷的位置，就会有如下效果：能够在信息记录和再现设备在可记录信息存储介质中记录用户数据的阶段高速(并且实时)地进行最优替换处理。尤其是当图像信息等被记录在信息存储介质中时，需要保证记录时间的连续性，并且基于上述信息的高速替换处理也变得重要。
该实施例的特征在于缺陷管理的管理信息区(RMD区6)是可扩展的(图1中的[C])。当用户数据的可记录范围205中存在缺陷时，在备用区SPA或扩展备用区ESPA中的预定位置进行替换处理，并且次级缺陷列表入口(SecondaryDefect List Entry)信息被加入到每个替换处理中，接着将有缺陷ECC块的位置信息以及用于替换的ECC块的位置信息的组合信息记录在RMD区6中。当在用户数据的可记录范围205中重复记录新用户数据时发现了新的有缺陷位置时，进行替换处理，并且次级缺陷列表入口信息的数增加。如图22中的(b)所示，通过将具有数目增加的次级缺陷列表入口信息的记录管理数据RMD记录到记录位置管理区RMZ的未记录区206中，能够处理缺陷管理(RMD区6)的管理信息区的扩展(图1的[C])。
通过执行该实施例，由于下面的原因能够加强缺陷管理信息本身的可靠性。
1)通过避免记录管理区RMZ中的有缺陷位置，该记录位置管理数据RMD能够被记录。
在如图22的(b)所示的记录位置管理区RMZ中有时会出现有缺陷位置。可以通过在记录之后验证新被记录在记录管理区RMZ中的记录管理数据RMD的内容来检测由于缺陷而引起的不可记录状态。当检测到不可记录状态时，可以将记录管理数据RMD再次写入到下一个中，借此，能够按照这种确保高可靠性的方式来记录记录管理数据RMD。
2)如果由于附着在信息存储介质表面的缺陷等使得再现过去的记录管理数据RMD变得不可能，则某种程度的备份就会变得可能。
例如，在图22的(b)中，假设如下状态作为一个例子，由于用户的失误等在记录了记录管理数据RMD#2之后，在信息存储介质的表面上形成了一个缺陷，并且无法在记录管理数据RMD#2上进行再现。在这种情况下，通过再现记录管理数据RMD#1的信息，可以在一定程度上恢复过去的缺陷管理信息(RMD区6中的信息)。
RMD区6的大小信息被记录在RMD区6的第一位置，并通过使得该区大小可变化，从而使得缺陷管理的管理信息区(RMD区6)可以扩展。已经描述了每个RMD区被设置为2048大小(一个物理扇区大小量)，但是当信息存储介质有许多缺陷，并且替换处理的次数增加时，次级缺陷列表信息的大小增加了，并且无法容纳在2048字节大小(一个物理扇区大小量)中。考虑到这种情况，RMD区6能够为2048大小的许多倍(跨多个扇区可记录)。即，当“RMD区6的大小”大于2048字节时，多个物理扇区的大小区域被分配给RMD区6。
在次级缺陷列表信息SDL中，除了上面说明的次级缺陷入口信息以外，还记录了表示次级缺陷列表信息SDL开始位置的“次级缺陷列表辨别信息”，以及表示该次级缺陷列表信息SDL被重写多少次的“次级缺陷列表的更新计数器(更新次数信息)”。从“次级缺陷列表条目数信息”中可以知道整个次级缺陷列表信息SDL的数据大小。
已经描述了该用户数据逻辑上按照R区(R Zone)单元的被记录在用户数据的可记录范围205中。即，为记录用户数据保留的用户数据的可记录范围205的一部分被称为R区。根据记录条件，将该R区分为两种R区。能够进一步记录附加用户数据的类型被称为“开放型R区(开放R区)”，无法进一步增加用户数据的类型被称为“完备型R区(完备R区)”。
在用户数据的可写入范围205中，不能包括三个或更多的“开放R区”(即，只能在用户数据的可记录范围205中的两个点上设置“开放R区”)。用户数据的可记录范围205内没有设置上述任意一种R区的位置，即为记录用户数据保留的位置(作为上述两种R区中的一个)被称为“未指定状态中的R区(不可视R区)”。
当用户数据被记录在用户数据的所有可记录范围205中，并无法增加时，该“不可视R区”不存在。达到第254R区的位置信息被记录在RMD区7中。记录在RMD区7的第一位置中的“整个R区数信息”为用户数据可记录范围内逻辑设置的“未指定状态中的R区(不可视R区)”数量，“开放R区”数量以及“完备R区”数量的总数。接着，记录第一“开放R区”的数量信息，以及第二“开放R区”的数量信息。但是，如上所述，在用户数据的可记录范围205中不能包括三个或更多的“开放R区”，并且因此，这里记录“1”或“0”(当不存在第一或第二开放R区时)。接着，在物理扇区号中描述第一“完备R区”的开始位置信息以及结束位置信息。随后，从第二到第254的开始位置信息以及结束位置信息被顺序地记录在物理扇区号中。
从RMD区8开始，在物理扇区号中顺序地描述从第255的开始位置信息以及结束位置信息，并根据“完备R区”数最大的将信息写入到RMD区15中(最大的写入到2047完备R区)。
图34A至图34C示出了转换过程的轮廓，该过程包括从记录有2048字节单元的用户数据的数据帧结构中构建ECC块，加入同步码，之后，形成物理扇区结构，用于在信息存储介质中进行记录。在所有的只再现信息存储介质、可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中都采用了该转换过程。根据各个转换阶段，它们被称作数据帧(Data Frame)，加扰后的帧(加扰帧)，记录帧(Recording Frame)，或记录数据区(Recorded Data Field)。该数据帧就是记录用户数据的位置，包括2048字节的主数据，4字节的数据ID，2字节的ID检错码(IED)，6字节的保留位(保留位)RSV，以及4字节的检错码(EDC)。
开始，在IED(ID检错码)被加入到将在后面描述的数据ID之后，加入6字节的保留字节和2048字节的主数据，并且在进一步加入检错码(EDC)之后，对主数据进行加扰。
这里，交叉Reed-Solomon(里德-索罗门)纠错码被用于被加扰的32个数据帧(加扰帧)，并且进行ECC编码处理。借此，构建记录帧。该记录帧包括外部奇偶校验码(Parity of Outer-code)PO，以及内部奇偶校验码(Parity ofInner-code)PI。PO和PI是用于每个由32个加扰帧构成的ECC块的纠错码。
该记录帧经受ETM(八至十二调制)，用于如上所述将8数据位转换为12信道位。该步码(Sync Code)码SYNC被加到每个91字节的头部，并形成32个物理扇区。如图34C中的右侧帧所述，该实施例的特征在于一个纠错单元(ECC块)由32个扇区构成(图2中的(H2))。
如下面所述，图38或图39中各个帧中从“0”至“31”的编号表示各个物理扇区的编号，并且一个大ECC块由从“0”至“31”的总共32个物理扇区构成。
在下一代DVD中，要求当在信息存储介质表面上有与当代DVD相同长度的缺陷时，能够在纠错过程中再现精确的信息。在本发明的实施例中，在试图增加容量的同时，加强了记录密度。结果，在常规的一个ECC块＝16个扇区的情况下，与常规的DVD相比，可以通过纠错来进行修正的物理缺陷的长度要短一些。通过提供本发明该实施例中的由32个扇区构成一个ECC块的结构，产生了以下的效果：能够延长能够错误连接的信息存储介质表面上缺陷的容许长度，并且保证当前DVD的ECC块结构/格式连续性的兼容性。
图35示出了数据帧中的结构。一个数据帧为2064个字节，由1072字节×2×6行构成，其中包括2048字节的主数据。
图36A示出了当加扰之后生成帧时，被给予反馈移位寄存器的初始值的例子，并且图36B示出了用于生成加扰字节的反馈移位寄存器的电路结构。从r7(MSB)至r0(LSB)的8位移位被用作加扰字节。如图36A所示，在该实施例中准备了16种预定值。图36A中的初始预定数等于数据ID的4位(b7(MSB)至b4(LSB))。在开始加扰数据帧时，r14至r0的初始值必须被设置为图36A的表中的初始预定值。相同的初始预定值被用于16个连续的数据帧。接着，切换初始预定值，并且相同被切换预定值被用于于16个连续的数据帧。
取出初始值较低的8位r7至r0作为加扰字节S0。之后，进行8位移位，接着，取出加扰字节，并且重复该操作2047次。
图37示出了该实施例中的ECC块。该ECC块由32个连续的加扰帧构成。在垂直的方向上排列有192行+16行，在水平方向上排列有(172+10)＊2条线。B0，0，B1，0...中的每一个都是1个字节。PO和PI为纠错码，并且分别为外部奇偶校验码和内部奇偶校验码。在该实施例中，构建了使用乘积码的ECC块结构。即，将被记录在信息存储介质上的数据被二维排列，并且作为纠错开销位，PI(内部奇偶校验码)被加入到“线”方向，并且PO(外部奇偶校验码)被加入到“行”方向。通过使用类似乘积码来构建ECC块结构，能够通过擦除修正以及垂直和水平重复修正处理来保证高纠错能力。
图37中所示的ECC块结构的特征在于：与常规DVD的ECC块结构不同，PI被设置在相同“线”上的两个点上。即，在图37的中央描述的10字节大小的PI被加至排列在其左侧的172字节。即，例如，从B0，172至B0，181的10字节PI作为PI被加入到从B0，0至B0，171的172字节的数据，并且从B1，172至B1，181的10字节PI作为PI被加入到从B1，0至B1，171的172字节的数据。在图37右端描述的10字节大小的PI被加给排列在其左侧中央的172字节。即，例如，从B0，354至B0，363的10字节PI作为PI被加入到从B0，182至B0，353的172字节的数据。
图38示出了加扰之后的帧排列说明图。(6行×172字节)单元被作为一次加扰之后的帧。即，一个ECC块由32个连续的加扰之后的帧构成。进一步，在该系统中，(块182字节×207字节)被作为一对。当L被附上对左侧的ECC块的每次加扰之后的帧数，并且R被附上对右侧的ECC块的每次加扰之后的帧数时，就会排列出如图38中所示的加扰后的帧。即，加扰后的左和右帧交替地位于左侧块，并且加扰后的帧交替地位于右侧块。
即，ECC块由32个连续的加扰后的帧构成。位于左侧的偶数扇区的各行与右侧的行进行交换。172×2字节×192行等于172字节×12行×32加扰帧，并且就是数据区。16字节的PO被加给每个172×2线，以形成RS的外部代码(208，192，17)。10字节的PI(RS(182，172，11))被加给左侧和右侧块的每个208×2线。PI也被加给PO线。帧中的数字表示加扰帧数，并且后缀R和L表示加扰帧的右侧一半和左侧一半。
该实施例的特征在于相同的数据帧被分布地排列在多个小ECC块中(图2中的[H])。更具体的，在该实施例中，一个大ECC块由两个小ECC块构成，并且相同的数据帧被分布地交替排列在两个小ECC块中(图2中的(H1))。在图37的说明中，已经说明了在中央描述的10字节PI被加给在其左侧排列的172字节，并且在右端描述的10位大小PI被加给排列在其左侧中央的172字节。即，左侧的小ECC块由来自图37左端的172字节以及从172字节延续的10字节PI构成，并且小ECC块由中央的172字节以及位于172字节右端的10字节PI构成。图38中每个帧的标志被设置为与此对应。例如，图38中的“2-R”示出了数据帧数及其属于左侧和右侧小ECC块中的哪一个(例如，其属于第二数据帧中右侧的小ECC块)。
如下面所述，在最后构成的每个物理扇区中，相同物理扇区中的数据被交替地分布排列在左侧和右侧的小ECC块中(图39中的左半栏被包括在左侧的小ECC块中，并且右半栏被包括在右侧的小ECC块中)。
当相同的数据帧被分布地排列在多个小ECC块中时(图1[H])，能够通过加强修正物理扇区中数据错误的能力来加强记录数据的可靠性(图39)。例如，在记录时由于轨道发生偏离而出现覆盖写已记录数据的情况下，可以认为一个物理扇区的数据受到了破坏。在本发明的实施例中，通过使用两个小ECC块来修正一个扇区中受损数据中的错误。因此，降低了一个ECC块中纠错的负担，并保证高性能的纠错。在本发明的实施例中，数据ID排列在ECC块信息之后的每个扇区的头部位置，并且因此，能够高速地在存取时验证数据的位置。
图39为PO交错方法的说明图。如图39所示，逐一分布16奇偶行。即，16奇偶行中的每一个位于每两记录帧。因此，由12行构成的记录帧变成了12行+1行。在进行行交错之后，13行×182字节被称作记录帧。因此，进行行交错之后的ECC块由32个记录帧构成。在一个记录帧中，如图38中所述，每个左侧和右侧块中存在6行。PO排列在左侧块(182×208字节)以及右侧块(182×208字节)的不同位置。
在图39中，示出了一个完整的ECC块。但是，在再现实际数据时，该ECC块就会连续地进入纠错处理单元。为了加强该纠错处理的修正性能，采用了图39中所示的交错法。
图40中示出了物理扇区结构。图40(a)示出了偶数物理扇区结构，图40(b)示出了奇数数据结构。在图40中，图39中所示的外部奇偶校验码PO的信息被插入到偶数记录数据区以及奇数数据区中的最后两个同步帧的同步数据区(即，调整了如下两个部分的部分，最后同步码为SY3的部分及其后的同步数据，以及同步码为SY1的部分及其后的同步数据)中。
位于图38所示的左侧的PO部分被插入到偶数记录数据区中最后两个同步帧的点上，并且位于图38所示的右侧的PO部分被插入到奇数记录数据区中最后两个同步帧的点上。如图38所示，一个ECC块由左侧和右侧小ECC块构成，并且不同PO组(PO属于左侧小ECC块或PO属于右侧小ECC块)的数据被交替地插入到各个扇区。如图40的(a)所示的偶数物理扇区结构，以及如图40的(b)所示的奇数物理扇区结构都被中心线分成两部分。位于其左侧的“24+1092+24+1092信道位”被包括在如图37或图38所示的左侧小ECC块中，并且位于其右侧的“24+1092+24+1092信道位”被包括在如图37或图38所示的右侧小ECC块中。
当如图40所示的物理扇区结构被记录在信息存储介质中时，顺序地进行逐行记录。
因此，当如图40(a)所示的偶数物理扇区结构的信道位数据被记录在信息存储介质中时，将被首先记录的2232信道位数据被包括在左侧的小ECC块中，将被接着记录的2232信道位数据被包括在右侧的小ECC块中。将被进一步接着记录的2232信道位数据被包括在左侧的小ECC块中。
另一方面，当图40(b)中所示的奇数数据结构的信道位数据被记录在信息存储介质中时，将被首先记录的2232信道位数据被包括在右侧的小ECC块中，将被接着记录的2232信道位数据被包括在左侧的小ECC块中。将被进一步接着记录的2232信道位数据被包括在右侧的小ECC块中。
该实施例的特征在于使得相同的物理扇区交替地属于每个2232信道位的两个小ECC块(图2中的(H1))。用另一种方式表示这个，该物理扇区按照如下的形式形成：交替地对于每个2232信道位，分布式地排列包括在右侧小ECC块中的数据以及包括在左侧小ECC块中的数据，并且被记录在信息存储介质中。结果，就会产生如下的效果：能够提供足够强壮的结构，以抵抗突发错误。例如，可以考虑突发错误状态，其中在信息存储介质的圆周方向上出现长的缺陷，并且多于172字节的数据变得无法读取。由于在这种情况下多于172字节的突发误差被分布地排列在两个小ECC块中，因此降低了一个ECC块中纠错的负担，并且能够确保更高性能的纠错。
该特征在于物理扇区中的数据结构是不同的，这取决于构成一个ECC块的物理扇区的物理扇区号是奇数还是偶数(图1中的(H3))，如图40所示。即，该数据结构具有如下的1)和2)的结构。1)物理扇区的初始2232信道位数据所属的小ECC块(左侧或右侧)是不同的。2)不同PO组的数据被交替地插入到每个扇区中。
结果，即使是在构建了ECC块之后，也可以确保如下结构：数据ID被排列在所有物理扇区的头部位置，并且因此，能够在存取时进行高速的数据位置验证。通过采用如图39所示的PO插入方法，而不是固定地插入属于相同的物理扇区中不同小ECC块的PO，该结构变得更简单。结果，促进了信息再现设备中纠错之后在各个扇区的信息提取，并且能够简化信息记录和再现设备中ECC块数据的组织处理。
作为具体实现上述内容的方法，该结构中，PO的交错/插入位置在左侧和右侧是不同的(图2中的(H4))。图39中，由窄双线所示的部分，或者由窄双线和斜线所示的部分表示PO的交错/插入位置。PO被分别插入在偶数物理扇区号的左侧末端以及奇数物理扇区号的右侧末端。通过采用该结构，即使是在构建了ECC块之后，数据ID也可以被排列在物理扇区的头部位置。因此，能够在存取时进行高速的数据位置验证。
图41示出了来自如图40所示的同步码“SY0”至“SY3”具体模式内容的例子。该实施例具有对应于调制规则的三个状态：状态0至状态2(这将在下面详细说明)。设置了4种同步码，从SY0至SY3，并根据每个状态从图41的左侧和右侧组中选择同步码。在当前的DVD标准中，采用8/16调制(8位被转换为16信道位)的RLL(2，10)(游程长度限制：d＝2，k＝10：在“0”连续的范围内最小值为2，最大值为10)作为调制方法，并设置4个状态，状态1至状态4，以及8种同步码，从SY0至SY7进行调制。与此相比，在该实施例中，减少了同步码的种类。在信息记录和再现设备或信息再现设备中，在从信息存储介质中再现信息时通过模式匹配的方法来识别同步码的种类。通过加该实施例中显著地降低同步码的种类，能够降低需要匹配的目标模式，结果，不光通过简化进行模式匹配所需的处理而加强了处理效率，同时也能够加强识别速度。
在图41中，由“#”所示的位(信道位)表示DSV(数字和值)控制位。确定上述的控制位，以通过DSV控制器来抑制DC分量(DSV的值达到“0”)，这将在下面说明。该实施例的特征还在于该极性转换信道位“#”包括在同步码中(图2[I])。在其间具有上述同步码的两侧包括帧数据区(图40中1092信道位的区)，该值“#”能够被选择为“1”或“0”，使得DSV值宏观地达到“0”，并且产生如下效果：能够从宏观的角度进行DSV控制。
该实施例中的同步码由下面的如图41中所示的(1)至(4)构成。
(1)同步位置检测代码部分
这在所有同步码中具有通用模式，并形成固定的代码区。通过检测该代码，能够检测到同步码的位置。更具体的，这就表示图41中每个同步码的最后18个信道位的“010000000000001001”区。
(2)调制时转换表选择码部分
这形成了一个可变代码区部分，并且是在调制时改变对应状态号的代码。图41中第一信道位对应于此。即，当状态1和状态2中的任何一个被选中时，在来自SY0至SY3的任何一个代码中，第一个信道位变成“0”。另一方面，在选择状态0时，同步码的第一信道位变成“1”。但是，作为一个例外，状态0中SY3的第一信道位变成“0”。
(3)同步帧位置识别码部分
这是用于从同步码的SY0至SY3中识别各个种类的代码，并构成了一个可变代码区部分。来自图41的各个同步码中第一至第六信道位的信道位部分对应于此。如下面所述，从连续检测到的每3个同步码的连续模式中，能够检测到相同扇区中的相关位置。
(4)DC抑制极性反相代码部分
图41中位于位置“#”上的信道位对应与此，并且该位置上的位反相或非反相，借此，包括之前和之后的帧数据的信道位串的DSV值如上所述接近“0”。
在该实施例中，采用了8/12(ETM：八至十二调制)调制，以及RLL(1，10)作为调制方法。即，在调制时，8位被转换为12信道位，并设置转换后“0”连续的范围，使得最小值(d值)为1并且最大值(k值)为10。在该实施例中，通过设置d＝1能够实现比现有技术更高的密度，但是很难在最大密度标志上获得足够大的再现信号幅值。
这样，如图5所示，该实施例的信息记录和再现设备具有PR均衡电路130以及维特比解码器156，并使用PRML技术(部分响应最大似然)以使得每个稳定的信号再现成为可能。由于设置了k＝10，因此在一般调制信道位数据中不会连续的出现11个或更多的“0”。通过利用该调制规则，在上述的同步位置检测码单元中，给出了不会在一般调制信道位数据中出现的模式。
即，如图41所示，在同步位置检测码单元中连续的出现了12(＝K+2)个“0”。在信息记录和再现设备或信息再现设备中，通过发现该部分来检测同步位置检测码单元的位置。如果有太多的连续的“0”，就会很容易出现位移位错误。因此，为了解除该有害的影响，在同步位置检测码单元中，在紧接着它的后面排列有具有少量连续“0”的结构。在该实施例中，d＝1，因此，可以设置“101”作为相应的模式。但是，如上所述，很难在位置“101”(最大密度模式的位置)获得足够大的再现信号幅值，并且因此，代替排列了“1001”，并且采用了如图41中所示的同步位置检测码单元的结构。
该实施例的特征在于，如图41所示，位于同步码后侧的18信道位被独立的设置作为(1)同步位置检测代码部分，并且位于前面的6信道位被共享作为(2)调制时的转换表选择代码部分，(3)同步帧位置识别码部分，以及(4)DC抑制极性反相码部分。通过使得(1)同步位置检测码单元独立于同步码，促进单个的检测来加强同步位置检测的准确率。该6个信道位被代码部分(2)至(4)共享，因此就会产生如下效果：降低整个同步码的数据大小(信道位大小)，并加强同步数据的占用率，以加强实质数据的效率。
该实施例的特征在于，在图41所示的4种同步码中，只有SY0排列在如图40所示的扇区中的第一同步帧位置上。作为这样的效果，只需要通过检测SY0就能立即确定扇区中的头部位置，并且扇区中头部位置提取处理被大大的简化。
还具有的特征在于连续的三个同步码的组合模式在相同的扇区中都是不同的。
在该实施例中，在所有的只再现型/可记录型/可重写型信息存储介质中都采用将在下面说明的公用调制方法。
通过采用8/12调制(ETM：八至十二调制)方法在盘上将数据区中的8位数据字被转换为12信道位。通过ETM方法转换的信道位串满足RLL(1，10)游程长度的限制，信道位1b至少为1，最大值为10信号位。
通过使用图46至51所示的代码转换表进行调制。该转换表显示了每个数据字“00h”至“FFh”，以及对应于状态0至2中每一个的代码字的12信道位，以及下一数据字的状态。
图42中示出了调制块的结构。
X(t)＝H{B(t)，S(t)}
S(t+1)＝G{B(t)，S(t)}
H表示代码字输出函数，G表示下一状态输出函数。
代码转换表中的一些12信道位包括星号位“＊”和锐化位“#”以及“0b”和“1b”。
代码转换表中的星号位“＊”表示该位是一个合并位。转换表中的一些代码字在LSB具有合并位。根据跟在它后面的信道位，可以由代码连接器将合并位设置为“0b”和“1b”中的任何一个。当接着的信道位为“0b”时，该合并位被设置为“1b”。当接着的信道位为“1b”时，该合并位被设置为“0b”。
转换表中的锐化位“#”表示该位是一个DSV控制位。通过由DSV控制器进行DC分量抑制控制来确定该DSV控制位。
用于图43所示的代码字的连接规则被用于将从代码表中获得的代码字连接在一起。当两个相邻的代码字对应于表中如前一代码字以及当前代码字所示的模式，则这些代码字用表中所示的连接代码字进行替换。“？”位为“0b”，“1b”，以及“#”中的任何一个。连接代码字中的“？”位没有被替换，但是被指定作为前一代码字以及当前代码字。
代码字的连接首先被用于前一连接点。表中的连接规则被用于每个连接点的索引序列。一些代码字被替换两次，用于将前面代码字与后来代码字连接在一起。在用于连接的模式匹配之前确定前面代码字的合并位。前面代码字或当前代码字的DSV控制位“#”被作为代码连接前后的特殊位。该DSV控制位不是“0b”或“1b”，而是“？”。代码字的连接规则没有被用于将代码字与同步码连接在一起。图44中所示的连接规则被用于将代码字与同步码连接在一起。
在调制记录帧时，同步码被放入91字节的数据字的每个调制代码字的头部。调制从同步码之后的状态2开始，该调制代码字被顺序地输出给每个转换代码字的头部作为MSB，并在记录在盘中之前对其进行NRZI转换。
通过进行DC分量抑制控制来确定同步码。
该DC分量抑制控制(DCC：DC分量抑制控制)对在NRZI转换调制信道位流中累积DSV(数字和值：在“1b”被设置为+1，以及“0b”被设置为-1时进行加法)的绝对值进行最小化。
DCC算法控制在下面的每种(a)和(b)的情况下对于代码字和同步码的选择，使得DSV的绝对值被最小化。
(a)选择同步码(参见图41)
(b)选择连接代码字的DSV控制位“#”
根据位于各个连接代码字和同步码的DSV位的位置上的累积DSV值来确定该选择。
增加作为计算基础的DSV作为开始调制时的初始值0，并从那时开始顺序地进行连续累加，直到调制完成为止，但是该DSV没有被复位为0。选择DSV控制位的开始点就是DSV控制位，在下一DSV控制位之前选择信道位流，以对DSV的绝对值进行最小化。在两个信道位流中，选择DSV绝对值更小些的一个。如果两个信道位流的DSV绝对值相同，则DSV控制位“#”被设置为“0b”。
以逻辑可能性考虑到计算情况下的最大DSV，DVS计算的范围至少需要为±2047。
下面将说明解调方法。
解调器将12信道位的代码字转换为8位的数据字。通过使用图45中所示的分离规则从读出的位流中再现代码字。当相邻的两个代码字与分离规则的模式一致时，用表中所示的当前代码字以及后面的代码字替换这些代码字。“？”位为“0b”，“1b”，以及“#”中的任何一个。当前代码字以及后面的代码字的“？”位没有被替换，而被指定作为它们位于读出的代码字中。
同步码以及代码字的边界被分离，而不是被替换。
根据如图52至61中所示的解调表进行从代码字到数据字的转换。解调表中描述了所有可能的代码字。“z”可以为“00h”至“FFh”中的任何数据字。通过观察下一代码字的4信道位或下一同步码的模式来对分离出的当前代码字进行解码。
情况1：下一代码字从“1b”开始，或下一同步码为状态0的SY0至SY2。
情况2：下一代码字从“0000b”开始，或下一同步码为状态0的SY3。
情况3：下一代码字从“01b”，“001b”以及“0001b”开始，或下一同步码为状态1和2的SY0至SY3。
下面详细的说明记录在如图21所示的参考码记录区RCZ中的参考码的模式内容。
在当前DVD中，采用了用于将8位数据转换为16信道位的“8/16调制”方法作为调制方法，并且使用重复模式“00100000100000010010000010000001”作为参考码模式，作为调制后记录在信息存储介质上的信道位串。
与此相比，在该实施例中，使用了将8位数据调制为12信道位的ETM调制，进行RLL(1，10)的游程长度限制，并且使用PRML方法从数据导入区DTLDI，数据区DTA，数据导出区DTLDO以及中间区MDA中再现信号。因此，需要为上述的调制规则以及PRML检测设置最优的参考码模式。根据RLL(1，10)的游程长度限制，连续“0”的最小值为“d＝1”，这就导致了重复模式“10101010”。当从代码“1”或“0”到下一相邻代码的距离被设置为“T”时，上述模式中，相邻“1”之间的距离就为“2T”。
对于信息存储介质的致密性，来自记录在信息存储介质上的“2T”的重复模式(“10101010”)的再现信号位于该实施例的上述光学头中物镜(存在于图5的信息记录和再现单元141中)的MTF(调制传输功能)特征的截止频率附近。因此，几乎无法获得调制度(信号幅值)。
因此，当来自“2T”的重复模式(“10101010”)的再现信号被用作在信息再现设备或信息记录和再现设备中进行电路调整的再现信号时(例如，在图9的抽头控制器中进行每个抽头系数的初始优化)，其缺乏大噪声影响的稳定性。
因此，希望通过使用具有下一最高密度的“3T”模式，根据RLL(1，10)的游程长度限制对调制后的信号进行电路调整。
当考虑到再现信号的DSV(数字和值)值时，DC(直流)值的绝对值随着“1”和直接跟在该“1”后面的下一“1”之间连续“0”的数量成正比的增加，并且该DC值被加到前一DSV值。每次出现“1”时，所加的DC值的极性就会被反相。
因此，作为使得DSV值为“0”的方法，其中连续的信道位串在参考码中连续，将在下面描述的该方法比设置方法增加了参考码模式设计的自由度，使得该DSV为ETM调制之后12信道位串中的“0”。即，使得ETM调制之后12信道位串中“1”出现的次数为奇数，并且通过出现在下一组12信道位的参考码单元的DC分量来取消出现在一组由12信道位构成的参考码单元的DC分量。这就更增加了参考码模式设计的自由度。
因此，在该实施例中，出现在由ETM调制后的12信道位串构成的参考码单元中的“1”的数量被设置为奇数。在该实施例中，采用了标记边缘记录方法来进行致密，在该方法中，“1”的位置对应于压纹凹坑的记录标记或边界位置。例如，当“3T”的重复模式(“100100100100100100100”)连续时，记录标记或压纹凹坑的长度，以及它们之间的空间长度有时会根据记录条件或母盘制作(mastering)条件而有些不同。当使用PRML检测方法时，再现信号的电平值很重要，并且如上所述，即使当记录标记和压纹凹坑的长度以及它们之间的空间长度有些不同时，为了能够稳定以及高精度的检测信号，就会需要以电路为单位来修正该微小的差别。
因此，在出现“3T”长度的记录标记或压纹凹坑以及与用于调整电路常数的参考码相同的“3T”长度空间时，更加强了电路常数的调整准确率。因此，当模式“1001001”被包括在该实施例的参考码模式中时，会一直排列有该记录标记或压纹凹坑以及“3T”长度的空间。对于电路调整，不光需要高密度的模式(“1001001”)，也需要低密度的模式。因此，鉴于在除了ETM调制后12信道位串中的模式“1001001”以外的部分中生成了低密度状态(出现了许多连续“0”的模式)，并且出现“1”的次数被设置为奇数，因此重复“100100100000”变成了最优条件，作为如图62所示的参考码模式。为了使得调制后的信号位模式成为上述的模式，当使用前面提到的调制表时，需要将调制之前的数据字设置为来自图59的“A4h”。该数据“A4h”(十六进制记数法)对应于数据符号“164”(十进制记数法)。
下面说明根据上述的数据转换规则生成具体数据的方法。首先，数据符号“164”(＝“0A4h”)被设置为上述数据帧结构中的主数据(“D0至D2047”)。接着，事先通过初始预置数“0Eh”对数据帧1至数据帧15进行预加扰，并事先通过初始预置数“0Fh”对数据帧16至数据帧31进行预加扰。当事先进行预加扰时，当根据上述的数据转换规则进行加扰时，进行两次加扰，(当数据被两次加扰时，返回至初始模式)，按照原样出现数据符号“164”(＝“0A4h”)。如果对由32物理扇区构成的所有参考码进行预加扰时，无法进行DSV控制，并且因此，只有数据帧0没有事先被预加扰。当在上述的加扰之后进行调制时，如图62中所示的结构被记录在信息存储介质上。
图63中示出了如下状态：具有如图40所示一个物理扇区中的结构的信道位数据被连续地记录在信息存储介质221中。在该实施例中，记录在信息存储介质221中的信道位数据具有如图63中所示的记录数据的层次结构，而与信息存储介质221的种类(只再现型/可记录型/可重写型)无关。即，能够通过ECC块401进行数据的错误检测以及纠错，该ECC块是最大的数据单元，并且一个ECC块由32个物理扇区230至241构成。
如已经在图40中说明的，并且再次如图63所示，同步帧#0420至#25429由24信道位数据以及同步数据432构成，其中该信道位数据从“SY0”至“SY3”形成任何同步码(同步码431)，并且该同步数据432具有排列在各个同步码之间的1092信道位数据大小。物理扇区230至241中的每一个都由26个同步帧#0420至#25429构成。如上所述，一个同步帧包括如图40中所示的1116信道位(24+1092)数据，同步帧长度433就是其上记录有一个同步帧的信息存储介质221上的物理距离，并且在任何位置实质上是恒定的(当用于内部区同步的物理距离的改变量被排除在外时)。
下面将说明对该实施例中各种信息存储介质的数据记录模式(格式)的比较。图64中的(a)示出了常规的只再现信息存储介质DVD-ROM，常规可记录信息存储介质DVD-R以及常规DVD-RW中的数据记录结构，图64中的(b)示出了该实施例中只再现信息存储介质的数据记录结构，图64中的(c)示出了该实施例中可记录信息存储介质的数据记录结构，以及图64中的(d)示出了可重写信息存储介质的数据记录结构。为了进行比较，在使得ECC块411至418的大小相同。但是，一个ECC块由如图64的(a)中所示的常规只再现信息存储介质DVD-ROM，常规可记录信息存储介质DVD-R以及常规DVD-RW中的16个物理扇区构成，并且如图64的(b)至(d)所示的该实施例与它们的不同之处就在于一个ECC块由32个物理扇区构成。该实施例的特征在于在如图64的(b)至(d)中所示的各个ECC块#1411至#8418(图3[K])之间提供有相同长度的保护区442至448，作为同步帧长度433。在常规只再现信息存储介质DVD-ROM中，如图64中的(a)所示，连续地记录各个ECC块#1411至#8418。
常规可记录信息存储介质DVD-R以及常规DVD-RW的问题在于，当为了确保常规的只再现信息存储介质DVD-ROM的数据记录模式(格式)的兼容性而进行被称为限制覆盖写的记录或重写处理时，通过覆盖写破坏了ECC块的一部分，并且进行再现时，数据的可靠性受到了严重损害。
另一方面，如该实施例，通过将保护区442至448排列在数据区(ECC块)之间，会产生以下效果：覆盖写位置被限制在保护区442至448，并且能够防止数据区(ECC块)的数据损坏。
该实施例的另一个特征在于，上述保护区442至448中每一个的长度被设置为同步帧长度433，该同步帧长度就是如图64中所示的一个同步帧大小(图3中的(K1))。
如图40和图63所示，该同步码被排列在1116信道位的固定同步帧长度433，并且在如图5所示的同步码位置检测单元145中，通过利用固定的间隔来提取同步码位置。在该实施例中，通过将保护区442至448中每一个的长度设置为同步帧长度433，即使在进行再现时跨越了保护区442至448，该同步帧间隔也能被保持为恒定。因此，会产生以下效果：促进在进行再现的时候检测同步码的位置。
进一步，为了下面的1)和2)的目的，在该实施例中，同步码(同步数据)被排列在保护区中(图1中的(K2))。
1)即使在通过保护区442至448的地方，也使得同步码的出现频率是一致的，并且加强了同步码位置的检测准确率。
2)有利于确定包括保护区442至448的物理扇区中的位置。
更具体的，如图65C所示，在每个保护区442至448的开始位置形成一个后同步信号(postamble)区481，并且图41中所示的同步码号“1”的同步码“SY1”被排列在后同步信号区481中。
从图40中可以看出，物理扇区中三个连续同步码的同步号的组合在所有的地方都不相同。进一步，考虑到保护区442至448，同步码号为“1”的三个连续同步码的同步号的组合也在所有的地方都不相同。因此，通过在可选的区中组合三个连续同步码的同步码数，不光物理扇区中的位置信息，而且包括保护区位置的物理扇区中的位置辨别也成为可能。
图65C中示出了如图64中所示保护区441至448中的详细结构。图63中示出了该物理扇区的结构由同步码431和同步数据432组合而成。本发明的特征在于保护区441至448也由同步码433和同步数据434组合而成，并且根据相同的调制规则被调制的数据作为扇区中的同步数据432也被排列在保护区#3433的同步数据434区中。在本发明中，由图37中所示的32个物理扇区构成的一个ECC块#2412中的区域被称为数据区470。
图65C中的VFO(变频振荡器)区471和472被用于当再现数据区470时，对信息再现设备或信息记录和再现设备的参考时钟进行同步。作为记录在区域471和472中的数据内容，在按照将在后面描述的公用调制规则进行调制之前连续的重复数据“7Eh”被引用，并且调制之后被实际记录的信道位结构就是重复模式“010001000100”(在该模式中，有三个连续的“0”被重复)。为了获得该结构，需要在调制时将VFO区471和472的头部字节设置为状态2。
预同步区477和478表示上述VFO区471和472以及数据区470之间的边界位置，并且调制后的记录信道位模式为重复“100000100000”(该模式中，连续的5个“0”被重复)。在信息再现设备或信息记录和再现设备中，从VFO区471和472的检测重复模式“10001000100”中检测预同步区477和478中重复结构“10000100000”的模式改变位置，并识别出接近于数据区470。
后同步信号区481表示数据区470的结束位置，并且也表示保护区443的开始位置。后同步信号区481中的模式对应于如上所述的图41中所示的同步码(SYNC Code)中的“SY1”模式。
附加区482是用于拷贝控制以及防止非授权拷贝的区。当附加区482没有被指定用于拷贝控制以及防止非授权拷贝时，所有的信道位被设置为“0”。
记录在缓冲区中的数据是如VFO区471和472中调制之前的连续重复数据“7Eh”，并且调制后实际记录的信道位模式就是重复模式“010001000100”(在该模式中，有三个连续的“0”被重复)。为了得到该模式，需要在调制时将VFO区471和472的头部字节设置为状态“状态2”。
如图65C所示，其中记录有结构“SY1”的后同步信号区481对应于同步码区433，并且从紧接在后同步信号区481之后的附加区482到预同步区478的区域对应于同步数据区434。在本发明中，从VFO区471到缓冲区475的区域(该区域包括数据区470以及部分数据区470之前以及之后的保护区)被称为数据段490，并且数据段490示出了与“物理段”不同的内容，这将在下面描述。图65C中所示每个数据的数据大小被表示为调制之前的数据字节数。
本发明的实施例并不仅限于图65C中所示的结构，而是可以采用下面的方法作为另一个实施例。即，代替将预同步区477排列在VFO区471以及数据区470的边界位置上的是，该预同步区477排列在图65C中的VFO区471和472之间的中间点上。
在另一个实施例中，通过增加排列在数据块470头部位置的同步码”SY0”与该预同步区477之间的距离来使得距离相关变大，并且该预同步区477被设置作为临时同步并且被用作实时同步位置的距离相关信息(虽然与其它同步之间的距离不同)。如果无法检测到实时同步，则在该同步所处的位置能够检测到从临时同步中生成的实时同步。其它实施例的特征在于，按照这种方式，该预同步区477距离实时同步(“SY0”)还有一些距离。如果该预同步区477排列在VFO区471和472的开始位置，则由于读时钟的PLL没有被锁住，因此该预同步的角色被削弱。因此，希望将该预同步区477排列在VFO区471和472之间的中间位置。
在该实施例中，实现通过使用摆动调制来记录可记录(可重写或可记录)信息存储介质中的地址信息。
该实施例的特征在于使用±90度(180度)的相位调制作为摆动调制方法，并通过采用NRZ(不归零)方法事先记录地址信息(图2[J])。下面将通过使用图66进行详细的说明。在本发明的实施例中，一个地址位(也被称为地址符号)区511由4个关于地址信息的摆动周期来表示，并且一个地址位区511中任何位置上的频率，振幅以及相位都是一致的。当相同的数值作为地址位数值连续时，相同的相位在每个地址位区511的边界部分(图66中附有“符号△(三角)”的部分)连续。当对地址位进行反转时，就会出现摆动模式的反转(相位偏移180度)。在如图5所示信息记录和再现设备的摆动信号检测单元135中，上述地址位区511(图66中附有“符号△(三角)”的位置)的边界位置以及作为一个摆动周期边界位置的时隙(slot)位置512被同时地检测。
一个未示出的PLL(锁相环)包含在摆动信号检测单元135中，并且在上述地址位区511的边界位置以及时隙位置512同步的进行PLL。当该地址位区511的边界位置或时隙位置512发生偏离时，摆动信号检测单元135中的同步就会出现偏差，并且变得无法再现(读取)精确定摆动信号。相邻的时隙位置512之间的间隔被称为时隙间隔513，并且当时隙间隔513在物理上变短时，就能够更容易的对PLL电路进行同步，并能够稳定地再现摆动信号(读取信息内容)。从图66中可以明显得看出，当采用180度相位调制方法并且其移位至180度或0度时，该时隙间隔513就对应于一个摆动周期。
该改变摆动振幅度的AM(振幅调制)方法作为摆动调制方法易于受到附着在信息存储介质表面上的灰尘以及缺陷的影响。但是，在上述的相位调制中，检测相位上的变化，而不是信号振幅，并且因此相对来说，该相位调制方法几乎不会受到信息存储介质表面上的灰尘以及缺陷的影响。作为另一种调制方法，在改变频率的FSK(频移键控)法中，该时隙间隔513长于摆动周期，并且相当困难的使得PLL电路同步。因此，与该实施例一样，当通过摆动相位调制来记录地址信息时，该时隙间隔很小，并且因此，能够产生如下效果：使得摆动信号同步。
如图66所示，二进制数据“1”或“0”被分配给一个地址位区511，图67中示出了该实施例中的位分配方法。如图67的左侧所示，从一个摆动结构的开始位置向外圆周一侧首先弯曲的摆动模式被称为NPW(正常相位摆动)，并被分配给数据“0”。如右侧所示，从一个摆动结构的开始位置向内圆周一侧首先弯曲的摆动模式被称为IPW(反转相位摆动)，并被分配给数据“1”。
下面使用图68和69对于该实施例可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中的摆动配置以及记录位置之间的比较进行概述。图69中的(a)示出了可记录信息存储介质中摆动配置以及记录标志107的形成位置，并且图69中的(b)和(c)示出了可重写信息存储介质中摆动配置以及记录标志107的形成位置。在图69中，与实际放大图相比，横向被缩小了，而纵向被扩展了。在如图68和图69(a)所示的可记录信息存储介质中采用了CLV(恒定线速度)法，并且相邻轨道之间的时隙位置以及地址位区的边界位置(图69中短划线所示部分)发生了偏离(在一些地方)。在凹槽区501和502上形成了记录标记107。在这种情况下，相邻轨道之间的摆动位置是不同步的，并且因此，就会出现相邻轨道之间的摆动信号的干扰。结果，就会很容易出现从图5摆动信号检测单元135的摆动信号中检测到的时隙位置的位移，以及地址位区的边界位置的位移。在该实施例中，为了克服技术上的难点，降低了调制区的占用率(图2中的(J2))，这将在下面说明，并且借此，相邻轨道之间的调制区被置换(图3中的(J5))。
另一方面，在可重写信息存储介质中，如图68和图69中的(b)所示，采用了在平台区503和凹槽区501及502中形成记录标志107的“平台/凹槽记录方法”，并采用了区域记录方法分区CAV(分区恒定角速度)，该方法将数据区分成如图17所示的从0至18的19个区，并对相同区中相邻轨道之间的摆动进行同步。在该实施例的可重写信息存储介质中，很大的特征在于：采用了“平台/凹槽记录方法”并且事先通过摆动调制记录地址信息(图3中的(J4))。
如图69中的(a)所示，当采用了只在凹槽区501和502中记录记录标记107的“凹槽记录法”时，如果通过缩短相邻凹槽区501和502之间的距离，即道间距，进行记录，则来自记录在一个凹槽区501上的记录标记107的再现信号就会受到来自记录在相邻凹槽区502上的记录标记107的影响(相邻轨道之间的串扰)。因此，能够大大的缩短道间距，从而限制了记录密度。
与此相比，如图69中的(b)所示，当记录标记107同时被记录在凹槽区501和502以及平台区503上时，如果凹槽区501和502与平台区503之间的电平差被设置为λ/(5n)至λ/(6n)(λ：再现中利用的光学头光源的波长，n：在上述波长中，信息存储介质的透明基底的折射率)，这就会产生如下现象：即使缩短了道间距，相邻区域(平台区和凹槽区)之间的串扰被消除了。通过利用这种现象，“平台/凹槽记录法”比“凹槽记录法”更能缩短道间距，并且能够增加信息存储介质的记录容量。
如果希望高精确度地存取信息存储介质上处于未记录状态(记录标记107被记录之前的状态)中的一个预定位置，则需要事先将地址信息记录在信息存储介质上。如果按照压纹凹坑的形式事先记录该地址信息，则需要通过避免压纹凹坑区来形成记录标记，并且通过压纹凹坑区的数量来降低记录容量。
与此相比，在该实施例中，通过摆动调制将该地址信息记录在可重写信息存储介质中(图3中的(J4))，能够在受到摆动调制的区域上形成该记录标记107，并且因此能够获得很高的记录效率，这样就增加了记录容量。通过采用“平台/凹槽记录法”并事先通过上述的摆动调制来记录地址信息，能够高效率地记录该记录标记107，并能够加强信息存储介质的记录容量。
根据用户的要求，可记录信息存储介质的记录容量对应于只再现信息存储介质的记录容量，从图18和图19的“用户可用记录容量”栏的比较中可以知道，可记录信息存储介质以及只再现信息存储介质的记录容量彼此对应。因此，不需要与可重写信息存储介质一样大的容量，因此，该可记录信息存储介质采用了如图69(a)中所示的“凹槽记录法”。
在图69的(b)所示的方法中，相邻轨道之间地址位区的时隙位置以及边界位置(图69中由短划线表示的部分)都彼此对应，因此相邻轨道之间并不会出现摆动信号的串扰。然而，会出现不定位区504。在图69的(c)中，考虑到通过摆动调制将地址信息“0110”记录在上部凹槽区501中的情况。当通过摆动调制将地址信息“0010”记录在下一较低凹槽区502中时，就会出现如图69中的(c)所示的平台中的不定区(504)。在平台中，不定区504中的平台宽度会发生变化，其处于无法从这里获得摆动检测信号的状态。为了消除这种技术上的困难，该实施例中采用了格雷码(图2中的(J4β))，这将在下面说明，并且通过本地地改变凹槽区的宽度，在凹槽区中形成不定位区(图2中的(J4γ))，并且该不定位区被分布地排列在平台区和凹槽区中(图2中的(J4δ))。
该实施例的目的在于，考虑到出现了上述不定位区504，使用了“平台/凹槽记录法”，并且180度(±90度)的摆动相位调制被组合在摆动调制中，用于记录地址信息(图3中的(J4α))。当由于改变了“L/G记录+凹槽摆动调制”中凹槽上的轨道数而出现不定位时，就会产生如下问题：来自记录在其上的记录标记的再现信号的整个电平发生变化，并且来自本地的记录标记的再现信号的错误率增加了。但是，在该实施例中，通过180度(±90度)的相位调制进行用于凹槽的摆动调制，并且借此，该平台宽度在平台上的不定位位置上以左右对称和正弦波的形式变化。因此，来自记录标记的再现信号的整个电平变化非常接近正弦波的形状。当进一步稳定地进行跟踪时，能够事先估计出平台上的不定位位置。因此，根据该实施例，能够实现这样的结构，在该结构中，按照用于来自记录标记的再现信号的电路，能够通过进行修正处理很容易地改进再现信号质量。
通过使用图68以及图70A和70B，将对事先通过使用摆动调制记录在可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中的地址信息进行说明。图70A示出了地址信息内容以及在可记录信息存储介质中设置地址的方法。图70B示出了可重写信息存储介质中的地址信息内容及其地址设置方法。至于详细内容，在可记录信息存储介质以及可重写信息存储介质中，信息存储介质上的物理记录位置单元被称为“物理段块”，并且将被记录的数据单元(作为信道位串)被称为“数据段”。一个数据段的数据被记录在一个物理段块长度(当被记录在信息存储介质上时，一个物理段块的物理长度与一个数据段长度一致)的区域中。一个物理段块由7个物理段构成。如图37中所示的一个ECC块的用户数据被记录在一个数据段中。
如图68所示，由于可记录信息存储介质的CLV中采用了“凹槽记录法”，因此如图70A所示，该数据段地址号Da被用作信息存储介质上的地址信息。该数据段地址可以被称为ECC块地址(号)，以及物理段块地址(号)。为了进一步获得相同数据段地址Da中的详细位置信息，将物理段次序Ph自己作为地址信息。即，由数据段地址Da以及物理段次序Ph来指定可记录信息存储介质上的每个物理段位置。从内圆周一侧沿着凹槽区501，502，507和505按照升序为数据段地址Da分配编号，至于物理段次序(sequence)Ph，从内圆周一侧向外圆周重复的设置从“0”至“6”的数字。
如图17所示，在可重写信息存储介质中，数据区被分为19个区。由于凹槽按照螺旋型连接，相邻轨道之间，每个相邻轨道的圆周长度彼此不相同，并且当信道位间隔T的长度在每个地方都相同时，对于每个区，相邻轨道之间的长度差异被设置在±4信道位之内。相同区中相邻的轨道之间，物理段或物理段块的边界彼此一致(同步)。
因此，在如图68和70B中所示的区地址(号)Zo，道地址(号)Tr，以及物理段地址(号)Ph给出了可重写信息存储介质的位置信息。该道地址Tr表示相同的区中从内圆周到外圆周的轨道号，并且为一组相邻的平台区和凹槽区设置相同的道地址号(例如，平台区503和凹槽区502的组，以及平台区507和凹槽区505的组)。
图70B平台区507的“Ph＝0”以及“Ph＝1”部分中频繁的出现不定位区504，并且因此，变得无法对道地址Tr进行解码。因此，禁止在该区域中记录该记录标记107。该物理段地址(号)Ph表示一个相同轨道圆周中的相对物理段号，并且通过在作为参考的圆周方向上的区域切换位置来分配物理段地址Ph号。即，如图70B所示，物理段地址Ph的开始编号被设置为“0”。
下面通过使用图71对本发明实施例的可记录信息存储介质中使用摆动调制的地址信息的记录形式进行说明。该实施例中，使用摆动调制的地址信息设置方法的特征在于，如图64所示，“通过作为单位的同步帧长度433进行分配。”如图40所示，从图34C中可知，一个扇区由26个同步帧构成，并且一介ECC块由32个物理扇区构成。因此，一个ECC块由26×32＝832个同步帧构成。由于存在于ECC块411至418之间的保护区442至468的长度中的每一个都与一个同步帧长度433一致，因此，一个保护区462以及一个增加的ECC块411的长度由822+1＝833个同步帧构成。
由于833能被因数分解为如(1)所示的质数，因此采用了具有该特征的结构和配置。
833＝7×17×7    (1)
即，如图71中的(a)所示，在一个区域中，如果该区域的长度等于一个保护区和一个增加的ECC块的长度，则该区域就被定义为数据段531，作为可重写数据的基本单元(图65C所示数据段中的结构彼此一致，而与只再现信息存储介质，可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质无关)，并且其长度与一个数据段531的物理长度相同的区域被分成“7”个物理段#0550至#6556(图4中的(K3ε))，并且事先按照摆动调制的形式记录该地址信息，用于各个物理段#0550至#6556。如图71中所示，数据段531的边界位置以及物理段550的边界位置并不彼此一致，而是会有一定的偏移量，这将在下面说明。
进一步，物理段#0550至#6556中的每一个都被分为17个摆动数据单元(WDC：摆动数据单元)#0560至#16576(图2中的(J1)，图71中的(c))。从表达式(1)中可以知道，7个同步帧被分配给摆动数据单元#0560至#16576中的每一个。按照这种方式，该物理段由17个摆动数据单元构成(图1中的(J1))，并且7个物理段的长度与数据段长度一致(图4中的(K3ε))，其中，在跨越保护区442至468的范围内保证同步帧边界，并且有利于检测同步码431(图63)。在可重写信息存储介质中，在不定位区504的位置上很容易出现来自记录标记的再现信号错误(图69)。但是，因为构成ECC块的物理扇区32的数与物理段7的数具有以下关系，它们彼此之间是不可分割的(非多重关系)，因此能过防止记录在不定位区504中的数据被安排在如图37所示的ECC块中的直线上，并且还会有以下效果：防止降低ECC块中的纠错能力。
如图71中的(d)所示，摆动数据单元#0560至#16576中的每一个都由具有16个摆动的调制区以及每个具有68个摆动的非调制区590和591构成。该实施例的大的特征在于使得非调制区590和591对于调制区的占用率达到一个很大的程度(图3中的(J2))。凹槽区或平台区一直以恒定的频率在非调制区590和591中摆动。因此，通过利用该非调制区590和591执行PLL(锁相环)，能够在再现记录在信息存储介质中记录的记录标记时稳定地提取(生成)参考时钟，并在重新记录时提取(生成)记录参考时钟。
在该实施例中，使得非调制区590和591对于调制区的占用率非常大，因此能够显著地加强提取(生成)再现参考时钟或提取(生成)记录参考时钟的准确性以及提取(生成)稳定性。即，当在摆动中进行相位调制时，如果再现信号通过了用于波形整形的带通滤波器，就会在相位改变点之前或之后出现以下现象：整形后检测信号波形的幅值变小。因此，就会产生以下问题：当通过相位调制的相位改变点的频率变高时，波形幅值变量增加并且上述时钟提取的准确性降低，同时，另一方面，当调制区中相位改变点的频率为低时，在检测摆动地址信息时，就会出现位移位。因此，在本发明的该实施例中，通过由相位调制和非调制区构成调制区，并使得非调制区的占用率为高，就能够产生如下效果：加强了上述的时钟提取准确性。
在本发明的实施例中，可以事先估计出调制区与非调制区的转换位置。因此，通过选通用于上述时钟提取的非调制区，只能检测到非调制区的信号，并且能够从检测信号进行上述的时钟提取。
当从非调制区590和591切换至调制区时，通过使用4个摆动来设置调制开始标记581和582，使得在检测到调制开始标记581和582之后立即出现在摆动中被调制的摆动地址区586和587。为了实际上提取摆动地址信息610，除了图71中(d)示出的非调制区590和591以及调制开始标记518和582以外，各个物理段#0550至#6556中每个摆动地址区586和587的摆动同步区580被收集在一块，并再次进行如图71的(e)所示的排列。
如图71中的(d)所示，在各个摆动地址区586和587中，设置了具有12摆动的3个地址位((图3中的(J2α)))。即，连续的4个摆动构成了一个地址位。通过这种方式，该实施例采取了如下结构：地址信息被分布地排列在每个3地址位上(图3中的(J2α))。如果该摆动地址信息610被集中记录在信息存储介质的一个点上，则当有灰尘或缺陷附着在表面上时，就会变得很难检测所有的信息。如图71中的(d)所示，该摆动地址信息610被分布地排列在各个摆动数据单元560至576中包括的每个3地址位(12摆动)上，并且信息的可调整量被记录在每个地址位中，其中的地址位是整倍数的3地址位。因此，就会产生以下效果：当由于灰尘或缺陷的影响而很难检测一个点的信息时，能够检测其他的信息。
如上所述，对于每个物理段550至557(图2中的(J1α))，通过分布式地排列摆动地址信息610，并通过最后地排列摆动地址信息610，对于每个物理段550至557，能够知道地址信息。因此，当信息记录和再现设别存取介质时，能够通过物理段单元知道当前位置。
在该实施例中，如图66所示，采用了NRZ方法，并且因此，在摆动地址区586和587的连续4个摆动中，相位不会发生变化。利用该特征，设置了摆动同步区580。即，通过设置很难在摆动地址信息610中生成的摆动模式，其中该摆动地址信息610被设置在摆动同步区580中(图3中的(J3))，促进了摆动同步区580的位置辨别。本发明的该实施例具有如下特征：与其中连续的4个摆动构成了一个地址位的摆动地址区586和587相反，在摆动同步区580的位置上，一个地址位长度被设置为不同于4个摆动。即，在摆动同步区580中，在摆动位为“1”的区域中设置摆动模式的变化，例如不同于4个摆动以及不会在摆动地址区586和587中出现的“6摆动→4摆动→6摆动”。
通过利用上述的改变摆动周期的方法(图3中的(J3α))，作为用于为摆动同步区580设置不会在摆动地址区586和587中出现的摆动模式的具体方法，会产生如下的效果1和2。
1.能够连续稳定地进行摆动检测(确定摆动信号)，而不会破坏关于在图5的摆动信号检测单元135中进行的摆动时隙位置512(图66)的PLL。
2.通过在图5的摆动信号检测单元135中进行的地址位边界位置偏移能够很容易地检测到摆动同步区580以及调制开始标记561和582。
如图71的(d)所示，该实施例的特征在于该摆动同步区580由12个摆动周期形成，并且摆动同步区580的长度等于3个地址位的长度(图3中的(J3β))。因此，一个摆动数据单元#0560中的所有调制区(16个摆动)被分配给摆动同步区580，借此，加强了摆动地址信息610的开始位置(摆动同步区580的放置位置)的检测容易程度。
如图71中的(c)所示，该摆动同步区580被排列在物理段#0550中的初始摆动数据单元#0560。按照这种方式把摆动同步区508排列在物理段#0550的头部位置(图3中的(J3γ))，就会产生以下效果：只通过检测摆动同步区580的位置就能够很容易地提取出物理段的边界位置。
该调制开始标记581和582被排列在摆动数据单元#1561和#2562中先于摆动地址区586和587的头部位置，并且设置如图67中所示的IPW波形。在排列在先于此的位置上的非调制区590中和591中，设置了连续的波形NPW。在如图5所示的摆动信号检测单元135中，检测到从NPW到IPW的转换点，并提取出调制开始标记581和582的位置。
如图71中的(e)中，由下面的1至5来表示摆动地址信息610的内容。
1.道地址606和607
这些地址表示区中的道数，并且交替地记录凹槽道地址606，以及平台道地址607，其中凹槽道地址606的地址被定义在凹槽区(不包括不定位→不定位出现在平台上)中，平台道地址607的地址被定义在平台区(不包括不定位→不定位出现在凹槽上)中。仅仅关于道地址606和607，道数信息被记录在图72中所示的格雷码中(详细的在后面说明)。
2.物理段地址601
这是显示轨道中物理段数的信息(在信息存储介质221中的一个圆周内)。相同轨道中的物理段数由图17中的“每个轨道中的物理段数”示出。因此，由图17中所示的数字来表示每个区中物理段地址601的最大值。
3.区地址602
这示出了信息存储介质221中的区数并记录了图17中所示的“区(n)”中的“n”值。
4.奇偶信息605
这是为了在从摆动地址信息610中再现的同时进行错误检测，并且该信息将来自保留信息604的14个地址位单独的加到每个地址位单元的地址区602中，并显示加入结果是奇数还是偶数。设置该奇偶信息值605使得对关于15个地址位总数的每个地址位进行的异或的结果为“1”，其中15个地址位包括该地址奇偶信息605的一个地址位。
5.单一区608
如上所述，摆动数据单元#0560至#16576中每一个内容都被设置为由16个摆动的调制区以及68个摆动的非调制区590和591构成，并且使得非调制区590和591相对于调制区的占用率相当大。进一步，也使得非调制区590和591的占用率相当大，借此，进一步加强了再现参考时钟或记录参考时钟的提取(生成)准确性和稳定性。
包括有如图71的(e)中所示单一区608的位置对应于图71的(c)中的摆动数据单元#16576，以及在其之前没有示出的全部摆动数据单元#15。在单调信息608中，所有的6地址位都为“0”。因此，调制开始标记581和582并没有被设置在包括有单调信息的摆动数据单元#16576中，其中在该单调信息中所有的都是NPW，并且没有示出直接位于其前面的摆动数据单元#15，并且它们都是具有相同相位的非调制区。
图71的(e)中示出了被分配给每个上述信息的地址位数。
如上所述，摆动地址信息610被每三个地址位分割，并被分布地排列在摆动数据单元560至576中。即使由于信息存储表面的缺陷或灰尘而导致出现突发错误，分散跨越不同的摆动数据单元560至576出现错误的可能性也非常低。因此，作为记录相同信息的位置，分散跨越不同摆动数据单元的次数要尽可能的降低，并且制定出一个方案来使得每个信息的中断与摆动数据单元560至576的边界位置一致。借此，即使由于信息存储表面的缺陷或灰尘导致出现的突发错误而使得无法读出特定信息，也可以使得记录在其它摆动数据单元560至576的每个上的其它信息是可读的，因此，加强了摆动地址信息的再现可靠性。更具体的，如图71(e)所示，9个地址位被分配给单一区608，因此，使得单一区608与紧接在其前面的平台轨道地址607之间的边界位置以及摆动数据单元的边界位置彼此对应(图3中的(J3δ))。
基于相同的原因，使得由5个地址位表示的区地址605，以及由1个地址位表示的奇偶信息605彼此相邻(图3的(J4ε))，并且借此，使得它们地址位的总数为6地址位(对应于两个摆动数据单元的地址位)。
本发明实施例的特征还在于如图71的(e)所示，单一区608排列在摆动地址信息610的末端(图3的(J3ε))。如上所述，该摆动波形变成了单一区608中NPW的波形，因此，NPW实质上按照3个连续的摆动数据数据单元576而连续。通过采用该特征，就会产生以下效果：通过由图5中的摆动信号检测单元135发现NPW按照3个摆动数据单元576的长度连续的位置，能够很容易地提取出排列在摆动地址信息610末端的单一区608的位置，并且通过利用该位置信息能够检测到摆动地址信息610的开始位置。
在如图71，图70B或图68所示的各种地址信息中，物理段地址601以及区地址602示出了相邻轨道之间的相同值，但是凹槽轨道地址606以及平台轨道地址607的值在相邻的轨道之间变化。因此，在记录有凹槽轨道地址606以及平台轨道地址607的区域中会出现如图69的(c)所示的不定位区504。为了减少不定位区的频率，通过对该实施例中的凹槽轨道地址606以及平台轨道地址607使用格雷码来表示地址(号)，其中格雷码的例子已经在图72中示出。格雷码表示当如图72所示的原始值改变“1”时，转换后的码在任何地方也只改变“一位”。因此，降低了不定区位频率，并且不光能够稳定地检测摆动检测信号，还能稳定地检测来自记录标记的再现信息。
图73中示出了具体实现图72中所示的格雷码转换的算法。对于初始的二进制码，最高有效第11位与格雷码的第11位一致。关于它们更低的码，增加(采取异或)“第m位”二进制码以及比其高一位的“第m+1位”二进制码的结果被转换为“第m位”格雷码。
在该实施例中，采取了在凹槽区中分布地排列不定位区的方案(图3的(J4γ))。更具体的，在图74中，通过部分地改变凹槽区501和502的宽度，可以使得夹在其间的平台区503的宽度保持恒定。在用于信息存储介质的主记录设备上制造凹槽区501和502时，能够通过局部的改变在该时间点上暴露的激光的光量来改变凹槽区501和502的宽度。因此，在不定位没有进入以及轨道地址没有定义的区域中也给出了平台区，因此在平台区中也可能进行高精度的地址检测。更具体的，通过在记录有图71的(e)中平台轨道地址607的信息的平台区的位置上使用上述的方法就能够使得平台宽度保持恒定。因此，能够稳定地检测地址信息，而不会包括关于平台区中平台轨道地址607的不定位。
在该实施例中，不定位被分布地排列在平台区和凹槽区中(图3中的(J4σ))。更具体的，在图74的最右侧，通过改变凹槽区501和502的宽度来使得平台区503的宽度保持恒定。在图74的中心偏左侧，凹槽区501和502的宽度保持恒定，但是平台区503的宽度会局部的发生变化。通过采用该方法，使得凹槽宽度在图71的(e)中记录有凹槽轨道地址606的信息的位置上保持恒定。因此，关于凹槽区中的凹槽轨道地址606，能够稳定地检测地址信息，而不会包括不定位。如果不定位集中地排列在平台区或凹槽区之一中，则在集中排列不定位的部分再现地址信息时，出现错误检测的频率就会变得非常高。通过分布地在平台区和凹槽区中排列不定位来分布错误检测的风险，并且能够提供易于稳定地检测全部地址信息的系统。可以通过像这样的在平台区和凹槽区中分布地排列不定位，从而事先在各个平台区和凹槽区中估计出定义了轨道地址而不包括不定位的区域，因此，加强了轨道地址检测准确率。
如已经使用图68进行的说明，在凹槽区上形成了记录标记，并且在该实施例的可记录信息存储介质上采用了CLV记录方法。已经描述了，在这种情况下，摆动点位置位于相邻的轨道之间，并且因此，相邻摆动之间的干扰很容易地施加在摆动摆动再现信号上。为了去除这种影响，采取了切换调制区(图3中的(J5))的方案，使得在该实施例中相邻轨道的调制区不会相互重叠。
更具体的，可以在如图75所示地调制区的位置上设置初级位置701和次级位置702。基本上，在该方法中，所有的调制区被临时地排列在作为替换位置的初级位置上，并且如果出现相邻轨道之间调制区部分的相互重叠的位置，则该调制区就会被部分地切换至次级位置。例如，当在图75中的初级位置上设置凹槽区505的调制区时，相邻凹槽区502的调制区与凹槽区506的调制区部分的相互重叠，因此，凹槽区505的调制区被切换至次级位置。借此，就能够防止来自摆动地址的再现信号中相邻轨道调制区之间的干扰，并产生能够稳定地再现摆动地址的效果。
通过在相同的摆动数据单元中切换位置来设置关于调制区的具体初级位置和次级位置。在该实施例中，设置非调制区的占用率，使其高于调制区的占用率(图3的(J2))，并且因此，仅仅通过在相同地摆动数据单元中改变位置就能够进行初级位置与次级位置的切换。因此，与可重写信息存储介质一样，也能在可记录信息存储介质中进行如图71的(b)和(c)中所示的物理段550至557的替换以及摆动数据单元560至576的替换，并且加强了不同种类介质的兼容性。更具体的，在初级位置701中，调制区598排列在如图76的(a)和(c)所示的各个摆动数据单元560至567的首部位置。在初级位置702中，调制区598排列在如图76的(b)和(d)所示的各个摆动数据单元560至567的后半部位置。
与图71的(e)的可重写信息存储介质一样，在该实施例的可记录信息存储介质中，摆动地址信息610的前三个地址位被用作摆动同步区580，并被记录在初始排列在各个物理段550至556中的摆动数据单元#0560中。图76的(a)和(b)中所示的调制区598示出了摆动同步区580。图76的(c)和(d)中的调制区598中的初始IPW区对应于如图71的(d)中所示的调制开始标记581和582。图76的(c)和(d)中的调制区598中的地址位#2至#0对应于如图71的(d)中所示的摆动地址区586和587。
该实施例的特征在于：在初级位置701和次级位置702中改变摆动同步区中的摆动同步模式(图3中的(J5β))。在图76的(a)中，摆动同步区580就是调制区598，作为该摆动同步区580的摆动同步模式，6个摆动(周期)被分配给每个IPW，并且4个摆动(周期)被分配给NPW。另一方面，在图76(b)的调制区598中，分配给各个IPW的摆动数(摆动周期)为4，但是6个摆动(周期)被分配给NPW。在图5的摆动信号检测单元135中，仅仅通过检测紧跟在大致访问之后的摆动同步模式中的差异，就能够知道调制区的位置(初级位置701和次级位置702之间的差异)，并且很容易地事先估计出接下来将被检测的调制区的位置。因此，可以事先为检测接下来的调制区而进行准备，因此能够加强调制区中信号检测(分辨)的准确性。
图77中的(b)和(d)示出了除了图76中的(a)和(b)所示例子以外的其它例子，关于调制区位置与摆动同步模式之间的关系。为了进行比较，图77的(a)中示出了图76中(a)的例子，并且图77的(c)中示出了图76中(b)的例子。在图77的(b)和(d)中，使得被分配给调制区598中的IPW和NPW的摆动数与图77的(a)和(c)中的相反(4个摆动被分配给每个IPW，并且6个摆动被分配给NPW)。
图76和图77中所示的初级位置701和次级位置702的应用范围，即初级位置或次级位置连续的范围在该实施例中被定义为物理段的范围。即，如图78所示，在相同的物理段中给出了3种(多种)从(a)至(c)的调制区配置模式(图5中的(J5α))，图5中的摆动信号检测单元135识别出来自摆动同步结构的物理段中调制区的配置模式或者物理段的类型识别信息721的信息，这将在下面描述，其中能够事先估计出相同物理段中其它调制区598的位置。结果，能够事先准备好检测接下来的调制区，因此，能够产生加强调制区中信号检测(辨别)准确率的效果。
在图78中，第二级示出了物理段中摆动数据单元的配置，并且第二级中每个帧中所述的数字示出了相同物理段中的摆动数据单元数。如第一级所示，第0个摆动数据单元被称为同步区(field)711，并且该摆动同步区存在于同步区的调制区中。第1至第11摆动数据单元都被称为地址域712，并且地址信息被记录在该地址域712的调制区中。第12至第16摆动数据单元是单一域713，其中所有的摆动模式都是NPW。
图78的第三级及后面中所述的标记“P”表示该调制区位于摆动数据单元的初级位置，标记“S”表示该调制区位于摆动数据单元的次级位置。标记“U”表示该摆动数据单元包括在单一域713中并且不存在调制区。图78的(a)中所示调制区的配置模式示出了整个物理段变成了初级位置，同时图78的(b)中所示调制区的配置模式示出了整个物理段变成了次级位置。在图78的(c)中，初级位置和次级位置被固定在相同的物理段中，调制区变成了第0至第5摆动数据单元中的初级位置，调制区变成了第6至第11摆动数据单元中的初级位置。如图78中的(c)所示，通过在具有合计在一块的同步区711和地址域712的区域中一半一半点排列初级位置和次级位置，因此能够很好的防止相邻轨道之间调制区的重叠。
图79示出了关于可记录型信息存储介质的摆动地址信息中的数据结构的实施例。图79(a)示出了用于比较的可重写型信息记录介质的摆动地址信息中的数据结构。图79(b)和(c)示出了关于可记录型信息存储介质的摆动地址信息中的数据结构的两个实施例。
在摆动地址区610中，3个地址位被设置为12个摆动(参见图66)。换句话说，1个地址位由4连续摆动构成。在实施例中，地址信息被分布地排列每3个地址位。如果摆动地址信息610被集中地记录在信息存储介质中的一个点上，则当有灰尘或缺陷附着在表面上时，就很难检测到所有的信息。在实施例中，摆动地址信息610被分布地排列在每3个地址位(12个摆动)，其包括在摆动数据单元560至576中的每一个中，并且可调整量的信息被记录在每个地址位中，其中每个地址位都是3地址位的整数倍。因此，就会产生以下效果：当由于灰尘或缺陷而很难进行一个点的信息检测时，能够检测其它信息的信息。
如上所述，通过分布式地排列摆动地址信息610，并且通过最后的为每个物理段排列摆动地址信息610，能够知道用于每个物理段的地址信息。因此，当信息记录和再现设备访问介质时，能够通过物理段单元知道当前的位置。
作为参考，在可重写型信息记录介质的摆动地址信息610中，记录了下面的信息(1)至(4)。
(1)物理段地址601
这是显示轨道中(信息存储介质221的一个圆周中)物理段数的信息。
(2)区地址602
这示出了信息存储介质221中的区数。
(3)奇偶信息605
这是为了在从摆动地址信息610中再现的同时进行错误检测，并且该信息将来自保留信息604的14个地址位单独的加到每个地址位单元的地址区602中，并显示增加结果是奇数还是偶数。设置该奇偶信息605的值使得对关于15个地址位总数的每个地址位单元进行的异或的结果为“1”，其中15个地址位包括该地址奇偶信息605的一个地址位。
(4)单一区608
如上所述，每个摆动数据单元的内容都被设置为由16个摆动的调制区以及68个摆动的非调制区590和591构成，并且使得非调制区590和591相对于调制区的占用率相当大。进一步，也使得非调制区590和591的占用率相当大，借此，进一步加强了再现参考时钟或记录参考时钟的提取(生成)准确性和稳定性。在单一区608中，所有的NPW区都连续存在并且该单一区608是具有相同相位的非调制区。
图71的(e)中示出了被分配给每个上述信息的地址位数。如上所述，摆动地址信息610被每三个地址位分割，并被分布地排列在摆动数据单元中。即使由于信息存储表面的缺陷或灰尘而导致出现突发错误，分散跨越不同的摆动数据单元出现错误的可能性也非常低。因此，作为记录相同信息的位置，分散跨越不同摆动数据单元的次数要尽可能的降低，并且制定出一个方案来使得每个信息的中断与摆动数据单元的边界位置一致。借此，即使由于信息存储表面的缺陷或灰尘导致出现的突发错误而使得无法读出特定信息，也可以使得记录在其它摆动数据单元560至576的每个上的其它信息是可读的，因此，加强了摆动地址信息的再现可靠性。
本发明实施例的特征还在于如图79的(a)至(c)所示，单一区608，609排列在摆动地址信息610的末端。如上所述，该摆动波形变成了单一区608，609中NPW的波形，因此，NPW实质上按照3个连续的摆动数据数据单元576而连续。通过采用该特征，就会产生以下效果：通过由图5中的摆动信号检测单元135发现NPW按照3个摆动数据单元576的长度连续的位置，能够很容易地提取出排列在摆动地址信息610末端的单一区608的位置，并且通过利用该位置信息能够检测到摆动地址信息610的开始位置。
在如图79(a)所示的各种地址信息中，物理段地址601以及区地址602示出了相邻轨道之间的相同值，但是凹槽轨道地址606以及平台轨道地址607的值在相邻的轨道之间变化。因此，在记录有凹槽轨道地址606以及平台轨道地址607的区域中会出现不定位区504。为了减少不定位区的频率，通过对该实施例中的凹槽轨道地址606以及平台轨道地址607使用格雷码来表示地址(数字)。格雷码表示当原始值改变“1”时，转换后的码在任何地方也只改变“一位”。因此，降低了不定区位频率，并且不光能够稳定地检测摆动检测信号，还能稳定地检测来自记录标记的再现信息。
如图79(b)至79(c)所示，在与可重写型信息记录介质相同的可记录型信息记录介质中，摆动同步区680位于物理段的开始位置，以能够很容易地检测到物理段的开始位置或多个相邻物理段之间的边界位置。如图79(b)所示的物理段的类型识别信息721示出了作为上述摆动同步区580中的摆动同步模式的物理段中调制区的位置。结果，能够事先估计出相同物理段中其它调制区598的位置，并能够事先准备好检测接下来的调制区，这样就会产生加强调制区中信号检测(辨别)准确率的效果。
下面进行具体表述。
·当物理段的类型识别信息721为“0”时，图78中示出的所有物理段都处于图78(c)所示的初级位置，或者初级位置与次级位置的混合状态中。
·当物理段的类型识别信息721为“1”时，所有物理段都为如图78(b)所示的次级位置。
作为上述例子的另一个例子，能够通过将摆动同步模式和物理段的类型识别信息721组合在一起来显示物理段中调制区的位置(图3中的(J5δ))。通过将上述的两种信息组合在一起，能够表示出如图78的(a)至(c)所示调制区的3种或更多的位置模式，并且能够给出调制区的许多位置模式。图80中示出了另一个例子中摆动同步模式与物理段的类型识别信息的组合方法以及调制区的位置结构之间的关系。
在图80中，《A》示出了上面提到的组合，并且示出了具有摆动同步模式的初级位置或次级位置，并示出了是否所有的物理段都位于具有物理段类型识别信息721的次级位置(当所有的物理段都位于次级位置时为“1”，并且在另一种情况下为“0”)。在《A》的情况下，并且在混合的情况下，图77(a)中摆动同步模式被记录在初级位置中，并且图77(c)中摆动同步模式被记录在次级位置中。
另一方面，在《B》的例子中，示出了物理段中的所有位置是否彼此一致，或是与物理段的类型识别信息721混合(当所有位置一致的情况下为“1”，在混合的情况下为“0”)。
在《C》的例子中，示出了是否物理段中所有的位置都一致或与摆动同步模式混合，并且示出了在具有物理段类型识别信息721的物理段中是否存在次级位置(即使部分的存在次级位置的情况下为“1”，其它情况下为“0”)。
在上述的实施例中，示出了包括有物理段的摆动同步区580以及类型识别信息721的物理段中调制区的位置。但是，本发明并不仅限于此，并且例如，作为另一个例子，物理段的摆动同步区580以及类型识别信息721可以显示接下来的物理段中的调制区位置。借此，在沿着凹槽区连续跟踪的情况下，会产生以下效果：能够事先知道下一物理段中的调制区位置，并且能够使得检测调制区的准备时间更长。
图79的(b)中所示的可记录信息存储介质中的层数信息722示出了该记录层表示具有一个记录层的一侧表面以及具有两个记录层的一侧表面中的哪一个，并具有以下含义：
·“0”表示“L0层”(在激光入射一侧的前侧层)。在具有一个记录层介质的一侧表面或具有两个记录层的一侧表面的情况下。
·“1”表示具有两个记录层的一侧表面的“L1层”(在激光入射一侧的背侧层)。
物理段次序信息724显示了在如图68，图70A以及70B中所示的相同物理段块中相关物理段的位置次序。通过与图79(a)进行比较可以很显然的看出，摆动地址信息610中物理段次序信息724的头部位置与可重写信息存储介质中物理段地址601的头部位置一致。通过使得物理段次序信息位置符合可重写类型(图3中的(J5ε))，加强了不同类型介质之间的兼容性，以及使用信息记录和再现设备中的摆动信号的地址检测控制程序的通用性和简易性，其中在该信息记录和再现设备中能够使用可重写信息存储介质和可记录信息记录介质。
如图68，图70A以及70B中所述，该数据段地址725用编号描述了数据段的地址信息。
就像已经说明的，在该实施例中，一个ECC块由32个扇区构成。因此，排列在特定ECC块头部扇区的物理扇区号的低5位与排列在相邻ECC块头部扇区的扇区数一致。当设置物理扇区号使得排列在ECC块头部扇区的物理扇区号的低5位变成“00000”时，则来自存在于相同ECC块中的所有扇区的物理扇区号的第六最低位的更高值彼此一致。
因此存在于上述相同ECC块中的扇区的物理扇区号的低5位数据被移除，并且从中提取出第六最低位或更高的数据的地址信息被设置作为ECC块地址(或ECC块地址号)。前面由摆动调制记录的数据段地址725(或物理段块数信息)与上述的ECC块地址一致。因此，当用数据段地址来表示摆动调制物理段块的位置信息时，与用物理扇区号表示位置信息的情况相比，数据量增加了5位，并且因此，就会产生在访问时简化当前位置检测的效果。
CRC码726是用于从物理段的类型识别信息721到数据段地址725的24个地址位的CRC码(纠错码)。如果错误地部分读出了摆动调制信号，则能够通过该CRC码726进行部分地修正。
图79的(b)中最低阶段所示的每个地址位被用于描述信息内容。在可写入信息存储介质中，对应于剩余15个地址位的区域被分配给单一区609，并且从第12至第16的5个摆动数据单元都是NPW(不存在调制区598)。
下面将会说明一种方法，用于将上述的数据段数据记录到事先通过摆动调制记录有地址信息的物理段或物理段块中。在可重写信息存储介质以及可记录信息存储介质中，数据被记录在记录簇单元中，该记录簇单元作为数据连续记录的单元。图81中示出了记录簇的结构。在每个记录簇540和542中，具有一个或更多(整数)如图71(a)中所示的数据结构的数据段531是连续的，并且在数据段531的头部或末端，设置有扩展保护区528和529。
该扩展保护区528和529被设置在记录簇540和542中。当数据被新近的记录或重写在记录簇540和542单元中时，通过相邻记录簇中间的物理重叠，它们部分地覆盖写，使得相邻记录簇之间不会出现间隙。在图81(a)的例子中，作为被设置在记录簇540和542中的扩展保护区528和529的位置，扩展保护区528被排列在记录簇540的末端(图4中的(K3γ))。
在使用该方法的情况下，跟在如图71(a)所示的后同步信号区526的就是扩展保护区528。因此，在可重写信息存储介质中进行特殊的重新写入时就不会错误地打断该后同步信号区526，能够在重新写入时对后同步区526进行保护，并且在再现数据时确保使用后同步信号区526进行位置检测的可靠性。作为另一例子，如图81(b)所示，扩展保护区529能够被排列在记录簇542的头部(图4中的(K3δ))。
在这种情况下，通过将图81中的(b)与图71中的(a)组合在一块可以知道，VFO区522紧跟在扩展保护区529的后面，并且因此，在重写或记录时，该VFO区522能够足够长。因此，在再现数据区525时，能够使得关于参考时钟的PLL导入时间很长，并且能够加强记录在数据区525中数据的再现可靠性。通过采用类似的结构，其中表示可重写单元的记录簇由一个或更多数据段构成(图4中的(K3α))，就会产生以下的效果：能够很容易地进行PC数据(PC文件)以及AV数据(AV文件)的混合记录处理，其中在PC数据(PC文件)中，很小的数据量被重新写入很多次，在AV数据(AV文件)中，一次能够连续地记录大量的数据。
即，对于用于个人计算机的数据，相比较来说少量的数据被重新写入很多次。因此，如果可重写或可记录数据单元被设置为尽可能的小，则就能够提供适于PC数据的记录方法。在本发明的实施例中，32个物理扇区构成了如图34C所示的ECC块。因此数据段单元只包括通过其进行重写或记录的一个ECC块，并且是进行高效重写或记录的最小单元，因此，该实施例中的结构就是适于PC数据(PC文件)的记录结构，其中表示重写单元或记录单元的记录簇中包括一个或更多的数据段。
在AV(音频视频)数据中，需要连续地记录相当大量的图像信息和声音信息，而不会被中断。在这种情况下，连续记录的数据被共同记录作为一个记录簇。在记录AV数据时，为构成一个记录簇的每个数据段切换随机偏移量，数据段中的结构，数据段的属性等，进行切换处理所花费的时间，并且连续地记录处理变得很困难。在该实施例中，如图81所示，能够通过连续的安排相同类型(属性和随机偏移量不会改变，不会在数据段之间插入特定的信息)的数据段来构建记录簇。因此，不仅能够提供用于连续记录大量数据的适于AV数据记录的记录格式，而且还能够简化记录簇的结构，实现了记录控制电路和再现检测电路的简易性，并且能够降低信息记录和再现设备或信息再现设备的价格。
数据段连续地排列在如图81所示的记录簇540中的数据结构(除了扩展保护区528以外)具有与图64的(b)中所示的只再现信息存储介质以及图64的(c)中所示的可记录信息存储介质非常相同的结构。所有的信息存储介质都具有公用的数据结构，而与只再现型/可记录型/可重写型等无关，确保了介质的兼容性，确保了兼容性的信息记录和再现设备或信息再现设备的检测电路能够被共享。这样，就能够确保高再现可靠性并且能够实现降低成本。
通过采取图81中的结构，相同记录簇中，所有数据段的随机偏移量不可避免的会一致(图4中的(K3β))。如下面所述，通过在可重写信息存储介质中进行随机偏移来记录记录簇。在该实施例中，相同记录簇540中，所有数据段的随机偏移量一致。因此，当在相同记录簇540中跨越不同数据段进行再现时，VFO区(图71中的522)的同步(复位相位)变得不是必须的，并且能够在连续再现的同时，简化再现检测电路并确保再现检测的高可靠性。
图82中示出了一种可重写数据记录方法，用于在可重写信息存储介质中进行记录。下面通过使用图81(a)中结构的例子来说明该实施例的可重写信息存储介质中记录簇的结构。但是，在该实施例中，并不限于此，在可重写信息存储介质中可以采用如图81(b)中所示的结构。图82中的(a)示出了与上面提到的图64中的(d)相同的内容。
在该实施例中，在如图82的(b)和(e)所示的记录簇540和541单元中进行关于可重写数据的重新写入。一个记录簇由一个或更多数据段529至531，以及排列在末端的扩展保护区528构成。即，一个记录簇541的开始位置对应于数据段531的开始位置，并从VFO区522开始。当连续地记录多个数据段529和530时，多个数据段529和530被连续的排列在相同的记录簇540中，并且如图82的(b)和(c)所示，位于数据段529末端的缓冲区547以及位于下一个数据段头部队VFO区532连续的相接。因此，它们的相位(记录时的记录参考时钟)相互一致。
当结束连续记录时，扩展保护区528被排列在记录簇540的末端位置。该扩展保护区528的数据大小为24数据位，与调制前的数据一样。
从图82(a)和图82(c)的对应关系中可以知道，后同步信号区546和536，附加区544和534，缓冲区547和537，VFO区532和522，以及预同步区533和523都被包括在可重写型的保护区461和462中，并且扩展保护区528只排列在连续记录结束位置。
为了对可重写单元的物理范围进行比较，图82的(c)示出了一部分记录簇541，该记录簇541就是接着要被重新写入的单元。本发明的特征在于进行重新写入使得扩展保护区528和背面的VFO区522在重写时间重叠点541上部分的相互重叠(图4中的(K3))。如上所述，通过部分的重叠来进行重新写入，并且借此，就能够防止在记录簇540和541之间出现间隙(没有形成记录标记的区域)。结果，通过移除具有两个记录层的一侧表面的可记录信息存储介质中的层间串扰就能够检测到稳定的再现信号。
从图71(a)中可以知道，在本发明实施例中，一个数据段中可重写数据的大小可以用下面的表达式(2)来表示。
67+4+77376+2+4+16＝77469数据字节    (2)
从图71的(c)和(d)中可以知道，一个摆动数据单元560可以用下面的表达式(3)来表示。
6+4+6+68＝84摆动    (3)
17个摆动数据单元构成了一个物理段550，并且7个物理段550至556的长度对应于一个数据段531的长度。因此，接下来的(4)示出了一个数据段531的长度。
84×17×17＝9996摆动    (4)
因此，下面的表达式(5)对应于来自表达式(2)和表达式(4)的一个摆动。
77496÷9996＝7.75数据字节/摆动    (5)
如图83所示，从物理段头部位置开始的24个摆动之后，下一个VFO区522与扩展保护区528重叠。从图71的(d)中可以知道，从物理段550的头部开始16个摆动的部分就是摆动同步区580，并且其后的68个摆动就是非调制区590。因此24个摆动之后下一个VFO区522与扩展保护区528重叠的部分就是非调制区590。通过使得数据段的头部位置位于物理段头部位置的24个摆动之后(图4中的(K5))，不仅该重叠点位于非调制区590中，而且能够花费适当的摆动同步区580检测时间以及记录处理的准备时间。因此，能够确保稳定和高准确率的记录处理。
该实施例中的可重写信息存储介质的记录薄膜使用相变记录薄膜。由于在相变记录薄膜重写开始/结束位置附近，记录薄膜开始出现劣化，因此，如果在相同的位置重复记录开始/记录结束，则就会由于出现记录薄膜的劣化而限制重写的次数。为了减少上述问题，在重写时，如图83所示，记录开始位置偏移Jm+1/12数据位，并且在本发明实施例中，记录开始位置随机发生偏移。
在图82的(c)和(d)中，扩展保护区528的头部位置以及VFO区522的头部位置相互对应，以说明基本概念。但是，严格来讲，在本发明的实施例中，如图83所示，VFO区522的头部位置随机发生偏移。
DVD-RAM盘就是当前可重写信息存储介质，其中相变记录薄膜被用作记录薄膜，并且记录开始/结束位置随机发生偏移，以增加重写次数。当在当前DVD-RAM盘中随机偏移时，最大偏移量范围被设置为8数据字节。当前DVD-RAM盘中信道位长度(作为将要被记录在盘中的调制后数据)平均被设置为0.143μm。
在该实施例的可重写信息存储介质例子中，可以用来自图20的表达式(6)来表示信道位的平均长度。
(0.087+0.093)÷2＝0.090μm    (6)
当物理偏移范围内的长度符合当前DVD-RAM盘时，通过利用上述数值，可以由表达式(7)来表示本发明实施例随机偏移范围的最小所需长度。
8字节×(0.143μm÷0.090μm)＝12.7字节    (7)
为了确保很容易地进行再现信号检测处理，在该实施例中，随机偏移量的单位符合调制后的“信道位”。在该实施例中，将8位转换为12位的ETM(八至十二调制)被用于调制，因此，作为用于表示随机偏移量的算术表达式，可以由表达式(8)来表示随机偏移量，以数据字节为基准。
Jm/12数据字节    (8)
作为Jm能取的数值，从使用表达式(7)的数值的表达式(9)中，Jm为从0至152。
12.7×12＝152.4    (9)
基于上面的原因，只要范围满足表达式(9)，随机偏移范围的长度就对应于当前DVD-RAM盘，并且能够确保与当前DVD-RAM盘相同的重写次数。
在本发明的实施例中，为了保证重写次数大于当前DVD-RAM，给表达式(7)的数值很小的余量，并且随机偏移量的长度被设置为如表达式(10)。
随机偏移范围长度为14数据字节    (10)
当表达式(10)的数值被代入表达式(8)时，14×12＝168，因此，Jm能够采用的数值被设置为如表达式(11)。
Jm能采用的数值为0至167    (11)
如上所述，随机偏移量处于比Jm/12(0≤Jm≤154)更大的范围内(图4中的(K4))，因此，满足表达式(9)。这时，关于随机偏移量的物理范围长度与当前DVD-RAM盘一致，因此，就会存在以下效果：能够确保与当前DVD-RAM相同的重复记录次数。
在图82中，记录簇540中缓冲区547以及VFO区532的长度保持恒定。从图81(a)中显而易见到是，在相同的记录簇540中，所有数据段529和530中的随机偏移量Jm在任何地方都具有相同的值。
当连续地记录一个其内部包括有许多数据段的记录簇540时，从摆动来监测该记录位置。即，进行如图71中所示的摆动同步区580的位置检测，并且在非调制区590和591中计数摆动数的同时对信息存储介质的记录位置进行验证。这时，由于摆动计数误差或旋转该信息存储介质的旋转马述(例如，图1中的马达)的旋转变化会出现摆动滑移(记录位置偏移一个摆动周期)，并且在一些罕见情况下信息存储介质上的记录位置会发生偏离。
本发明的信息存储介质的特征在于，当检测到出现上述记录位置偏离时，在如图82所示的可重写型保护区461或如图64所示的可记录型保护区452中进行调整，并进行记录时序的修正(图3中的(K3))。在图82中，不允许位省略和位重叠的重要信息被记录在后同步信号区546，附加区544以及预同步区533中，但是在缓冲区547和VFO区532中重复特定的模式。因此，只要确保了重复边界位置，就只有一个模式的省略和覆盖写被允许。因此，在该实施例中，特别在缓冲区547以及保护区461的VFO区532中进行的调整，并且进行记录时序的修正。
如图83所示，在该实施例中，将要作为位置设置基准的实际开始点位置被设置为等于摆动幅值为“0”的位置(摆动中心)。但是，在该实施例中，由于摆动位置检测准确率低，因此实际开始点位置最大允许如下
偏离量达到“±1数据字节”    (12)
如图83中所示的“±1最大”。
在图82和图83中，数据段530中的随机偏移量被设置为Jm(上述记录簇540中所有数据段529的随机偏移量都一致)，并且其后写入的数据段531的随机偏移量被设置为Jm+1。作为如表达式(11)所示的Jm和Jm+1能够采用的数值，例如，采用中间值Jm＝Jm+1＝84，并且当实际开始点的位置准确率足够高时，如图82所示，扩展保护区528的开始位置与VFO区522的开始位置彼此一致。
另一方面，当数据段530被记录在最可能尾部的位置上时，之后，能够被记录或重写的数据段531就被记录在最可能靠前的位置上，VFO区522的头部位置有时候最大会进入缓冲区53715个数据字节，该大小来自表达式(10)以及表达式(12)的数值。特定的重要信息被记录在紧接着缓冲区537之前的附加区534中。
因此，在该实施例中，需要满足下面的(13)。
缓冲区537的长度为15数据字节或更多    (13)
在图82所示的例子中，要考虑到一个数据字节的余量，并且缓冲区537的数据大小被设置为16数据字节。
当由于随机偏移而导致在扩展保护区528与VFO区522之间出现间隙时，在采用了具有两个记录层的一个侧面结构时，在再现时由于间隙就会出现层间串扰。因此，设计出该方案使得即使进行能够随机偏移，扩展保护区528以及VFO区522的一部分也会一直重叠，并且不会出现间隙(图4中的K3)。因此，在该实施例中，根据基于表达式(13)相同的原因，扩展保护区528的长度需要被设置为15数据字节或更多。
随后的VFO区522被充分地取作71数据字节，因此，即使扩展保护区528和VFO区522的重叠区域在一定程度上变大，在信号再现中也不会出现问题(由于在没有重叠的VFO区522中能够充分地保证用于同步再现参考时钟的时间)。
因此，可以将扩展保护区528设置为大于15数据字节的数值。
已经描述了在罕有的场合中，在连续记录时间出现摆动滑移，并且一个摆动周期的记录位置发生偏离。如表达式(5)中所示，一个摆动周期对应于7.75(≠8)个数据字节，因此在该实施例中，考虑到表达式(13)以及该数值，进行如表达式(14)的设置。
扩展保护区528的长度为(15+8＝)23数据字节或更多    (14)
在如图82所示的例子中，缓冲区537增加了一个数据字节的余量，并且扩展保护区528的长度被设置为24个数据字节。
在图82中的(e)中，需要精确定设置记录簇541的记录开始位置。在该实施例的信息记录和再现设备中，通过使用前面记录在可重写或可记录信息存储介质中的摆动信号来检测该记录开始位置。
从图71的(d)中可知，模式在4摆动单元中从NPW至IPW变化，除了摆动同步区580以外。与此相比，在摆动同步区580中，摆动切换单元部分地偏移4个摆动。因此，在摆动同步区580中最容易进行位置检测。因此，在该实施例的信息记录和再现设备中，在检测到摆动同步区580的位置之后，准备进行记录处理，并开始记录。
因此，记录簇541的开始位置需要位于紧跟在摆动同步区580之后的非调制区590中。该内容在图83中示出。该摆动同步区580紧跟排列在物理段的变化之后。如图71中的(d)所示，摆动同步区580的长度等于16个摆动周期。在检测摆动同步区580之后，进一步希望有8个摆动周期的余量来准备记录处理。因此，如图83所示，需要将存在于记录簇541头部位置的VFO区522的头部位置排列在从物理段的改变位置开始往后的24个或更多摆动的位置上。
如图82所示，在重新写入时，在重叠点541上进行多次的记录处理。在重复重写时，摆动凹槽或摆动平台的物理形状发生变化(劣化)，并且来自其中的摆动再现信号的质量降低了。在本发明的实施例中，设计出通过避免重叠点541在重写时或记录时进入摆动同步区580以及摆动地址区586来将重叠点541记录在非调制区590中(图4中的(3Kξ))。在非调制区590中，只重复恒定的摆动模式(NPW)，并且即使摆动再现信号质量部分地劣化，也能够利用其前和其后的摆动再现信号内插。通过这种方式，重写或记录时重叠点541的位置被设置为进入非调制区590。因此，能够防止由于摆动同步区580或摆动地址区586的形状劣化而导致的摆动再现信号质量劣化，并且产生以下效果：能够确保来自摆动地址信息610的稳定摆动检测信号。
接着，图84中示出了记录在可记录信息存储介质上的可记录数据的记录方法的一个例子。在该实施例中，图81的(b)中的方法被用于记录簇的布局，但是该布局并不仅限于此，也可以采用图81中的(a)。在可记录信息存储介质中，只进行一次记录，并且因此，不需要上述的随机偏移。在可记录信息存储介质中，数据段的头部位置被设置为跟在从如图83所示的物理段的头部位置开始往后的24个摆动位置(图4中的(K5))，使得覆盖写位置位于摆动的非调制区中。
如已经在图28的第192字节的“记录标记极性信息(识别是H→L或L→H)”中所说明的，在该实施例中允许使用“H→L记录薄膜”和“L→H记录薄膜”。图85中示出了在该实施例中指定的“H→L记录薄膜”和“L→H记录薄膜”的光反射范围。该实施例的特征在于“H→L记录薄膜”未记录部分中的反射下限值被指定为高于“L→H记录薄膜”未记录部分中的反射上限值(图4中的[M])。当上述的信息存储介质被固定到信息记录和再现设备或信息再现设备中时，通过图5中的限制电平检测单元132或PR均衡电路130来测量未记录部分的光反射，并且能够立即确定它是“H→L记录薄膜”还是“L→H记录薄膜”，这样就非常有利于确定记录薄膜的种类。
作为测量通过改变许多制造条件生成的“H→L记录薄膜”和“L→H记录薄膜”结果，发现如果“H→L记录薄膜”未记录部分的反射下限值与“L→H记录薄膜”未记录部分的反射上限值之间的反射率α被设置为36％(图4中的(M1))，则加强了记录薄膜的可制造性并且有利于降低介质的成本。当“L→H记录薄膜”的未记录部分(“L”部分)的光反射范围801符合只再现信息存储介质中一个双记录层侧面的光反射范围803(图4中的(M3))，并且“H→L记录薄膜”的未记录部分(“H”部分)的光反射范围802符合只再现信息存储介质中一个单记录层侧面的光反射范围804(图4中的(M2))时，能够获得只再现信息存储介质的有利兼容性。结果，该信息再现设备的再现电路能够被共同使用，因此，能够低成本的制造该信息再现设备。
作为测量通过改变许多制造条件生成的“H→L记录薄膜”和“L→H记录薄膜”结果，在该实施例中，为了记录薄膜的可制造性以及有利于降低介质的成本，“L→H记录薄膜”的未记录部分(“L”部分)的光反射的下限值β被设置为18％并且其上限值γ被设置为32％，“H→L记录薄膜”的未记录部分(“H”部分)的光反射的下限值δ被设置为40％并且其上限值ε被设置为70％。
在上述实施例中可以产生以下效果。
对于应用于只能记录一次的“可记录信息存储介质”的管理数据结构，可扩展测试区的大小以及可扩展备用区的大小可以被随意设置。因此，可扩展测试区以及可扩展备用区的大小能够被设置为所需的最小值。结果，能够使得剩下的可记录区大小尽可能的大，因此，基本容量降低能够停止在最小值。
该可记录范围信息在记录之前被同时记录在需要被再现的记录管理信息RMD中。因此，能够与信息记录和再现设备一样高速地获得可记录范围的信息，并且这样就能够知道可记录区的大小(剩余量)。因此，为了在被编程为将被记录的时间范围内记录所有的图像信息，例如，控制记录时的比特率，其中能够保证用户的记录。
(其它实施例)
本发明的实施例并不限于上述的实施例，而是可扩充和可变化的，并且扩展的以及修改的实施例被包括在本发明的技术范围内。

Claims (1)

1、一种信息记录介质，包括
用户信息存储区，用于存储用户信息；
可扩展的测试写入区，用于信息的测试写入；
可扩展的备用区，能够另外地存储用户信息；以及
记录位置管理信息区，包括表示在所述测试写入区以及所述备用区中可记录范围的可记录范围信息。
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