CN100379897C - 掩膜形成方法、掩膜形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法 - Google Patents

掩膜形成方法、掩膜形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法 Download PDF

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Abstract

本发明以提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法为其目的，将磁性层(13)覆盖并形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层(14)，再将掩膜形成用功能层(14)覆盖形成掩膜形成用功能层(15)，然后，通过规定的处理在掩膜形成用功能层(15)上形成凹凸图形，从而在掩膜形成用功能层(14)上形成掩膜(M1)，通过使用掩膜(M1)对掩膜形成用功能层(14)进行干蚀刻、在掩膜形成用功能层(14)上形成凹凸图形(P3)，从而在磁性层(13)上形成掩膜(M2)。

Description

掩膜形成方法、掩膜形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法
技术领域
本发明涉及对蚀刻对象体进行干蚀刻时使用的形成掩膜的掩膜形成方法、使用按照该掩膜形成方法形成的掩膜对蚀刻对象体进行干蚀刻的干蚀刻方法、采用该干蚀刻方法制造信息记录媒体的信息记录媒体制造方法、以及形成将蚀刻对象体覆盖形态的掩膜形成用功能层。
背景技术
作为采用这种掩膜形成方法形成掩膜来进行信息记录媒体制造的制造方法。申请人在日本专利申请2003-058382号中提出了磁性材料的干蚀刻方法的提案。具体地讲，在申请人所提案的该干蚀刻方法中，首先，如该申请专利的图2所示，在Si(硅)基板12上，制作成按照基底配向层14、磁性薄膜层16、第1掩膜层18、第2掩膜层20、保护层22这一顺序形成的被加工体10。在此场合，基底配向层14是使用Cr(铬)、Cr合金、CoO(氧化钴)或MgO(氧化镁)、NiO(氧化镍)等通过喷溅法形成厚度约为30～300nm，磁性薄膜层16是使用Co(钴)合金通过喷溅法形成厚度约为10～30nm。第1掩膜层18是使用Ta(钽)通过喷溅法形成厚度约为10～50nm。第2掩膜层20是使用Ni(镍)通过喷溅法形成厚度约为10～30nm。又，保护层22是使用正片(日文：ポジ)型抗蚀剂通过旋转镀膜法形成厚度约为30～300nm。
其次，使用电子线曝光装置对被加工体10的保护层22进行曝光处理之后，通过显像处理，如该申请专利的图4所示，在第2掩膜层20上形成凹凸图形。接着，将形成了该凹凸图形的保护层22作为掩膜使用，通过Ar(氩)气体对第2掩膜层20进行离子束蚀刻，如该申请专利的图5所示，在第1掩膜层18上形成凹凸图形。接着，将形成了该凹凸图形的第2掩膜层20作为掩膜使用，通过CF4气体或SF6气体对第1掩膜层18进行反应性离子束蚀刻，如该申请专利的图6所示，在磁性薄膜层16上形成凹凸图形。接着，将形成了该凹凸图形的第1掩膜层18作为掩膜使用，通过CO气体或NH3气体的混合气体对磁性薄膜层16进行反应性离子束蚀刻，如该申请专利的图7所示，在基底配向层14上形成凹凸图形。接着，使用CF4气体或SF6气体，如该申请专利的图8所示地对残留于凹凸图形的凸图形上的第1掩膜层18进行蚀刻后除去。由此，结束在被加工体10上的磁性薄膜层16的细微加工，作成磁记录媒体。
[先行申请1]日本专利申请2003-058382号
然而，在申请人所提案的干蚀刻方法中，存在着以下应改进的课题。即，在申请人所提案的干蚀刻方法中，将形成了凹凸图形的第2掩膜层20(掩膜形成用功能层)用作掩膜，通过对第1掩膜层18(掩膜形成用功能层)进行反应性离子蚀刻，形成了干蚀刻磁性薄膜层16时使用的掩膜(凹凸图形)。在此场合，在使用Ta通过喷溅法来形成第1掩膜层18时，通常是在磁性薄膜层16的上面形成了具有各种大小不同的结晶粒的第1掩膜层18。在将形成了凹凸图形的第2掩膜层20用作掩膜对第1掩膜层18进行反应性离子蚀刻时，将上述结晶粒作为消失的单位(也称为「消失单位」)对第1掩膜层18进行蚀刻。这样，在第1掩膜层18上形成凹凸图形时，由于在反应性离子蚀刻时将各结晶粒作为了消失单位进行蚀刻，故在磁性薄膜层16上形成的凹凸图形上，因结晶粒的大小不同而在凸图形的宽度方向上会产生锯齿状刻纹的图形起伏。又，在将形成的凹凸图形上产生了图形起伏的第1掩膜层18作为掩膜使用、对磁性薄膜层16进行反应性离子蚀刻时，如图13所示，在磁性薄膜层16上形成的凹凸图形上也会产生图形起伏。图13是对磁性薄膜层16的凹凸图形(作为一例，凸图形的宽度∶凹图形的宽度为4∶1)进行了摄像的附图代用照片，凸图形的轮廓部分用白色表示。
在此场合，在该干蚀刻方法中，比如在制造分立(日文：ズイスクリ一ト)磁道型的磁记录媒体时，由于数据记录用磁道的形成间距的不同，因存在着上述的图形起伏有可能会使记录数据的正常的记录和再生发生困难。具体地讲，在发明者正在开发中的分立磁道型的磁记录媒体中，为了提高其记录数据密度，将各数据记录用磁道间的非磁性部(磁性薄膜层16上所形成的凹凸图形上的凹部)的宽度定为约200nm以下的范围。对此，上述的结晶粒的大小为25nm～35nm，较大，因该结晶粒的存在而产生的图形起伏时的起伏量(起伏的宽度)为25nm～35nm。因此，作为一例，相对于100nm的非磁性部的宽度，存在有1/3～1/4大小的凹凸(图形起伏)，有可能难以对数据记录用磁道进行正常的记录和再生。为此，希望能实现在磁性薄膜层16上形成该图形起伏小的凹凸图形的方法。另外，这种图形起伏不仅在反应性离子蚀刻时、在其它各种蚀刻方法(比如离子束蚀刻)的蚀刻时也同样会发生。
发明内容
为了改善上述问题，本发明主要目的在于，提供可获得图形起伏小的掩膜形成方法、干蚀刻方法、信息记录媒体制造方法、及可形成所需形状的凹凸图形的掩膜的掩膜形成用功能层。
为了实现上述目的，本发明的掩膜形成方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜。
在此场合，最好是使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。
又，最好使用含有硅、碳、锗和硼中的至少1种的材料来形成所述A掩膜形成用功能层。
又，本发明中的掩膜形成用功能层具有非晶态构造，并形成了将蚀刻对象体覆盖的形态。
又，本发明的干蚀刻方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜，使用该A掩膜对该蚀刻对象体进行干蚀刻。在此场合，最好是使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。又，最好使用含有硅、碳、锗和硼中的至少1种的材料来形成所述A掩膜形成用功能层。
又，本发明的信息记录媒体制造方法，形成将信息记录媒体用磁性层覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述信息记录媒体用磁性层上形成A掩膜，使用该A掩膜对该信息记录媒体用磁性层进行干蚀刻，制造成信息记录媒体。
采用本发明的掩膜形成方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻，形成凹凸图形，这样，在对A掩膜形成用功能层干蚀刻时可避免出现将结晶粒作为消失单位进行蚀刻的事态，结果是，可将A掩膜(凹凸图形)所产生的图形起伏抑制成极其微小。通过使用该A掩膜对蚀刻对象体进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形，由此，比如能制造出记录数据可进行正常记录和再生的信息记录媒体。
又，采用本发明的掩膜形成方法，使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻，通过适当选择B掩膜形成用功能层的形成材料和蚀刻时使用的反应性气体的组合，可加大对A掩膜形成用功能层的选择比，结果是，能正确且容易地对A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。
又，采用本发明的掩膜形成方法，使用含有硅、碳、锗和硼中的至少1种的材料来形成所述A掩膜形成用功能层，能可靠且容易地形成具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层。
又，采用本发明的掩膜形成用功能层，因该掩膜形成用功能层具有非晶态构造，故在通过干蚀刻形成掩膜时，可避免出现将结晶粒作为消失单位进行蚀刻的事态，结果是，可将图形起伏抑制成极其微小。通过使用掩膜形成用功能层上形成的掩膜对蚀刻对象体进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形，由此，比如能制造出记录数据可进行正常记录和再生的信息记录媒体。
又，采用本发明的干蚀刻方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，在所述蚀刻对象体上形成A掩膜，使用该A掩膜对该蚀刻对象体进行干蚀刻，由此，可形成所需形状(图形)的凹凸图形。
又，采用本发明的信息记录媒体制造方法，形成将蚀刻对象体覆盖状并具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再形成将该A掩膜形成用功能层覆盖状的B掩膜形成用功能层，然后，按照规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，由此在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，在蚀刻对象体上形成A掩膜，使用A掩膜对蚀刻对象体进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形，结果是，可提供能进行记录数据正常的记录和再生的信息记录媒体。
附图说明
图1为表示磁记录媒体制造装置1的结构的方框图。
图2为磁记录媒体20的剖面图。
图3为中间体10的剖面图。
图4为在玻璃基材11上形成软磁性层12的状态的剖面图。
图5为在软磁性层12上形成磁性层13的状态的剖面图。
图6为在掩膜形成用功能层14上形成掩膜形成用功能层15的状态的剖面图。
图7为向掩膜形成用功能层15照射电子束EB对曝光图形P1进行描绘状态的剖面图。
图8为对图7所示的掩膜形成用功能层15进行显像处理来形成凹凸图形P2(掩膜M1)状态的剖面图。
图9为使用掩膜M1对掩膜形成用功能层14进行干蚀刻来形成凹凸图形P3(掩膜M2)状态的剖面图。
图10为使用掩膜M2对磁性层13进行干蚀刻来形成凹凸图形P4状态的剖面图。
图11为磁记录媒体20A的剖面图。
图12为对磁记录媒体20的表面进行了摄像的附图代用照片。
图13为采用申请人所提案的干蚀刻方法对蚀刻后的磁记录媒体的表面进行了摄像的附图代用照片。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明中的掩膜形成方法、干蚀刻方法、信息记录媒体制造方法及其掩膜形成用功能层的最佳形态。
首先参照附图说明磁记录媒体制造装置1的结构。
图1所示的磁记录媒体制造装置1，是一种按照本发明中的信息记录媒体制造方法可制造磁记录媒体20(参照图2)的装置，具有：喷溅装置2、涂敷装置3、描绘装置(电子线平版印刷装置)4、显像装置5和蚀刻装置6。在此场合，磁记录媒体20是本发明中的信息记录媒体的一例，如图2所示，在玻璃基材11上层叠有软磁性层12和磁性层13(本发明中的作为蚀刻对象体的信息记录媒体用磁性层)。该磁记录媒体20就是所谓的分立磁道型的磁记录媒体，磁性层13上形成的凹凸图形P4的凸部(凸图形)具有数据记录用磁道的功能。又，在该磁记录媒体20中，形成于相邻的凸部间的凹部将两凸部间的磁性影响排除，由此可对两凸部进行磁信号的正常的记录和从两凸部进行磁信号的正常的再生。
另一方面，喷溅装置2，在磁记录媒体20的制造时，制作出图3所示的记录媒体制造用中间体(以下也称为「中间体」)10。具体地讲，喷溅装置2按照在玻璃基材11上通过喷溅法形成软磁性层12、磁性层13和掩膜形成用功能层14这一顺序制作成中间体10。涂敷装置3，如图6所示，在由喷溅装置2制作的中间体10的掩膜形成用功能层14上，使用旋转镀膜法形成掩膜形成用功能层15。描绘装置4，如图7所示，通过向由涂敷装置3形成的掩膜形成用功能层15照射电子束EB，在掩膜形成用功能层15上描绘曝光图形P1。显像装置5，是通过在描绘装置4描绘出曝光图形P1之后对掩膜形成用功能层15执行显像处理，如图8所示，将掩膜形成用功能层15上的电子束EB的照射部位除去而形成凹凸图形P2(掩膜M1)。蚀刻装置6，如图9所示，使用由显像装置5形成的掩膜M1，通过对掩膜形成用功能层14进行干蚀刻而形成凹凸图形P3(掩膜M2)。又，蚀刻装置6是使用形成的掩膜M2，通过对磁性层13进行干蚀刻(本发明中的干蚀刻方法的一例)而形成图10所示的凹凸图形P4。并且，蚀刻装置6通过对磁性层13上残留的掩膜形成用功能层14进行干蚀刻而除去。
下面参照附图说明使用磁记录媒体制造装置1形成掩膜M2的方法、以及通过使用该掩膜M2进行干蚀刻来制造磁记录媒体20的方法。
首先，制作出磁记录媒体20形成用的中间体10。具体地讲，如图4所示，在该磁记录媒体制造装置1中，喷溅装置2先在玻璃基材11上，使用DC磁控管喷溅法对比如CoZrNb进行喷溅，由此形成厚度约为200nm的软磁性层12。其次，喷溅装置2，如图5所示，在软磁性层12上使用DC磁控管喷溅法对比如CoCr合金进行喷溅，由此形成厚度约为25nm的磁性层13。然后，喷溅装置2，如图3所示，在磁性层13上使用DC磁控管喷溅法对比如TaSi合金(Ta：80at％、Si：20at％)进行喷溅，由此形成厚度约为25nm的掩膜形成用功能层14(本发明中的A掩膜形成用功能层)。
在此场合，在形成这种掩膜形成用功能层时，根据蚀刻对象体和蚀刻中使用的反应性气体的种类来考虑对蚀刻对象体的选择比，通常可以使用钽(Ta)、镍(Ni)、钛(Ti)和铌(Nb)等来作为掩膜形成用功能层的形成用的材料(以下称为「掩膜材料」)，在使用这些掩膜材料时，以一般性的成膜条件来形成掩膜形成用功能层时，可形成具有结晶粒构造的掩膜形成用功能层。但是，在这些掩膜材料中使用了添加(包含)硅(Si)、碳(C)、锗(Ge)和硼(B)中的至少1种的掩膜材料、以一般性的成膜条件来形成掩膜形成用功能层的场合，也可容易地形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层。因此，本例中，使用在钽中含有硅的TaSi合金作为掩膜材料，通过DC磁控管喷溅法来进行喷溅，在磁性层13上形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层14。由此完成制造磁记录媒体20用的中间体10。
其次，如图6所示，涂敷装置3通过使用旋转镀膜法涂覆正片型电子线抗蚀剂(EB抗蚀剂)，形成厚度约为130nm的掩膜形成用功能层15(本发明中的B掩膜形成用功能层)，以形成将中间体10的掩膜形成用功能层14覆盖的形态。接着，如图7所示，描绘装置4对掩膜形成用功能层15进行电子束EB的照射，在掩膜形成用功能层15上描绘出曝光图形P1。然后，显像装置5对结束了曝光图形P1描绘的掩膜形成用功能层15执行显像处理，如图8所示，由描绘装置4将电子束EB照射的部位除去。这样，在掩膜形成用功能层14上形成了凹凸图形P2(掩膜M1：本发明中的B掩膜)。在此场合，由描绘装置4的曝光图形P1的描绘和由显像装置5的显像处理相当于本发明中的「规定的处理」。另外，对于掩膜M1的形成方法(本发明中的「规定的处理」)，不限定于采用由描绘装置4的曝光图形P1的描绘和由显像装置5的显像处理的方法，比如也可采用一种所谓的印码法来形成，该印码法将与凹凸图形P2相补的形状(形成凹凸相反的形状)的模板(压印模)按压在经涂敷装置3涂敷过的掩膜形成用功能层15上，将模板的凹凸图形复制在掩膜形成用功能层15上来形成凹凸图形P2。
接着，蚀刻装置6，使用掩膜M1，将氟系气体(SF6气体)作为反应性气体对掩膜形成用功能层14进行反应性离子蚀刻。此时，作为一例，是将蚀刻装置6的电源功率设定为1000W，将偏压功率设定为150W。由此，如图9所示，在磁性层13上形成凹凸图形P3(掩膜M2：本发明中的A掩膜)。在此场合，在由该磁记录媒体制造装置1形成掩膜M2的方法中，如前所述，喷溅装置2使用TaSi合金，通过DC磁控管喷溅法形成了掩膜形成用功能层14。由此，将掩膜形成用功能层14制作成非晶态构造，结果是，在由蚀刻装置6对掩膜形成用功能层14进行反应性离子蚀刻时，可避免因大的消失单位引起的掩膜形成用功能层14的消失，在掩膜M1的凹凸图形的形状基本上不会被破坏(图形起伏极小)的状态下形成所需形状的凹凸图形P3(掩膜M2)。
然后，蚀刻装置6，使用掩膜M2，将羰系气体(添加了NH3气体的CO气体)作为反应性气体对本发明中作为蚀刻对象体的磁性层13进行反应性离子蚀刻。此时，作为一例，是将电源功率设定为1000W，将偏压功率设定为250W。另外，本例中，将对磁性层13的选择比(用对掩膜形成用功能层14的腐蚀速率(日文：ダレ一ト)除以对磁性层13的腐蚀速率而得到的值)定为66.7。由此，如图10所示，在软磁性层12上形成具有所需深度凹部的凹凸图形P4，其后，蚀刻装置6使用氟系气体(SF6气体)进行反应性离子蚀刻，将磁性层13上残留的掩膜形成用功能层14除去。此时，作为一例，是将电源功率设定为1000W，将偏压功率设定为50W。从而完成图2所示的磁记录媒体20。如前所述，在该磁记录媒体20中，由于使用图形起伏极小的掩膜M2对磁性层13进行蚀刻来制造，因此，如图12所示，可使相对于软磁性层12上形成的凹凸图形P4的凹部宽度的图形起伏变得极小。另外，图12是对凹凸图形P4(作为一例，凸图形的宽度∶凹图形的宽度、约为2∶1)进行了摄像的附图代用照片，凸图形的轮廓部分用白色表示。具体地讲，掩膜M2(凹凸图形P3)上的凹部的宽度W(参照图9)作为一例，相对于100nm(即、磁记录媒体20的凹凸图形P4上的凹部宽度为100nm)，掩膜M2上产生的图形起伏的起伏量处于5nm～10nm范围内。这样，对掩膜形成用功能层14进行反应性离子蚀刻时所产生的凹凸(图形起伏)相对于凹部的宽度W，成为极小的约1/10～1/20的程度。由此可实现记录数据的正常记录和再生的分立磁道型的磁记录媒体20。
这样，采用上述的掩膜M2的形成方法，形成将磁性层13覆盖状并具有非晶态构造的掩膜形成用功能层14，使用掩膜M1对该掩膜形成用功能层14进行干蚀刻，形成凹凸图形P3，由此在对掩膜形成用功能层14进行干蚀刻时可避免出现将结晶粒作为消失单位进行蚀刻的事态，结果是，可将掩膜M2所产生的图形起伏抑制成极其微小。通过使用该掩膜M2对磁性层13进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形P4，从而，能制造出记录数据可进行正常记录和再生的磁记录媒体20。
采用上述掩膜M2的形成方法，使用反应性离子蚀刻法对掩膜形成用功能层14进行干蚀刻来形成凹凸图形P3，再通过适当选择掩膜形成用功能层15的形成材料和蚀刻时使用的反应性气体的组合，就可增大对掩膜形成用功能层14的选择比，结果是，能正确且容易地对掩膜形成用功能层14进行干蚀刻。
并且，采用上述掩膜M2的形成方法，通过使用含有硅、碳、锗和硼中的至少1种的材料(本例中是TaSi合金)来形成掩膜形成用功能层14，能可靠且容易地形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层14，再对于蚀刻对象体适当选择掩膜形成用功能层14所使用的材料(本例中是TaSi合金)，可利用氟系气体能可靠且容易地形成掩膜形成用功能层14。并且，作为在由羰系气体对磁性层13进行干蚀刻时的掩膜，可形成具有充分选择比的掩膜M2。
采用上述的掩膜形成用功能层14，因该掩膜形成用功能层14具有非晶态构造，故在由干蚀刻形成掩膜M2时，可避免出现将结晶粒作为消失单位进行蚀刻的事态，结果是，可将图形起伏抑制成极其微小。通过使用该掩膜形成用功能层14上形成的掩膜M2对磁性层13进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形P4，故能制造出记录数据可进行正常记录和再生的磁记录媒体20。
若采用上述的干蚀刻方法(使用掩膜M2的磁性层13的干蚀刻)，则使用上述掩膜M2对该蚀刻对象体(本例是磁性层13)进行干蚀刻，由此可形成所需形状(图形)的凹凸图形P4。
又，采用上述磁记录媒体20的制造方法，通过在作为蚀刻对象体的磁性层13上形成掩膜M2，对磁性层13进行干蚀刻，可形成所需形状(图形)的凹凸图形P4，结果是可提供能进行记录数据正常的记录和再生的磁记录媒体20。
本发明不限定于上述方法及结构。比如在上例中，使用TaSi合金作为掩膜材料来形成掩膜形成用功能层14，但本发明不限定于此，可以使用在钽中添加(包含)碳、锗和硼中的至少1种的掩膜材料或在镍、钛及铌等中添加(包含)硅、碳、锗和硼中的至少1种的掩膜材料来形成掩膜形成用功能层14。这样，与以单体作为掩膜材料使用钽、镍、钛及铌等的掩膜形成方法不同，能容易地形成具有非晶态构造的掩膜形成用功能层。也可以单体地使用硅、碳、锗和硼等作为掩膜材料来形成掩膜形成用功能层14。并且，可以使用含有硅、碳、锗和硼等中的2种以上的掩膜材料来形成掩膜形成用功能层14。在这些掩膜材料中，根据蚀刻对象体和蚀刻中使用的反应性气体的种类，只要适当选择增大了对蚀刻对象体的选择比的那一种即可。
又，在上例中，对利用磁性层13上形成的凹凸图形P4上的凹部使数据记录用磁道(凹凸图形P4上的凸部)磁性分离的磁记录媒体20作了说明，但本发明的信息记录媒体的结构不限定于此，比如，也可如图11所示的磁记录媒体20A那样，采用在非磁性体16上埋设磁记录媒体20上的凹凸图形P4的凹部来使数据记录用磁道磁性分离的结构。又，在上例中，对用于制造磁记录媒体20的掩膜M2的形成方法作了说明，但比如在制造对信息记录媒体执行记录数据的记录和再生用的记录头和再生头等时，本发明也适用于将制造这些用的中间体作为蚀刻对象体。并且，对于磁记录媒体及其中间体，也可采用在玻璃基材11与软磁性层12间形成底层的结构和在软磁性层12与磁性层13间形成配向层的结构。

Claims (6)

1.一种掩膜形成方法，其特征在于，将蚀刻对象体覆盖、并使用将硅、碳、锗和硼中的至少1种添加到钽、镍、钛和铌中的一种的材料来形成具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再将该A掩膜形成用功能层覆盖并形成B掩膜形成用功能层，然后，通过规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻，在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜。
2.如权利要求1所述的掩膜形成方法，其特征在于，使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。
3.一种掩膜形成用功能层，其特征在于，将蚀刻对象体覆盖、并具有使用将硅、碳、锗和硼中的至少1种添加到钽、镍、钛和铌中的一种的材料来形成的非晶态构造。
4.一种干蚀刻方法，其特征在于，将蚀刻对象体覆盖、并使用将硅、碳、锗和硼中的至少1种添加到钽、镍、钛和铌中的一种的材料来形成具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再将该A掩膜形成用功能层覆盖而形成B掩膜形成用功能层，然后，通过规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻，在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述蚀刻对象体上形成A掩膜，使用该A掩膜对该蚀刻对象体进行干蚀刻。
5.如权利要求4所述的干蚀刻方法，其特征在于，使用反应性离子蚀刻法对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻。
6.一种信息记录媒体制造方法，其特征在于，将信息记录媒体用磁性层覆盖、并使用将硅、碳、锗和硼中的至少1种添加到钽、镍、钛和铌中的一种的材料来形成具有非晶态构造的A掩膜形成用功能层，再将该A掩膜形成用功能层覆盖形成B掩膜形成用功能层，然后，通过规定的处理在该B掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在该A掩膜形成用功能层上形成B掩膜，通过使用该B掩膜对所述A掩膜形成用功能层进行干蚀刻、在该A掩膜形成用功能层上形成凹凸图形，从而在所述信息记录媒体用磁性层上形成A掩膜，使用该A掩膜对该信息记录媒体用磁性层进行干蚀刻，制造信息记录媒体。
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