CN100373539C - 等离子体处理设备 - Google Patents
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Abstract
在此公开的是一种等离子体处理设备，其在真空室内产生等离子体以使用所述等离子体来处理半导体基板。所述设备包括基板安装台、外提升棒及阻挡。所述外提升棒包括驱动轴及垂直耦合到所述驱动轴上端的基板支撑部件。所述阻挡包括耦合到所述驱动轴上端的阻挡板及耦合到所述阻挡板下表面的屏蔽部分。所述基板支撑部件是可折叠的基板支撑部件。所述阻挡和所述基板支撑部件由所述驱动轴同时上下驱动。结果，保护所述基板支撑部件免受等离子体的影响、并在所述等离子体处理设备的操作期间防止所述阻挡和外提升棒之间的干扰是可能的。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体处理设备，其在真空室内产生等离子体以使用所述等离子体来处理半导体基板。
背景技术
通常，作为用于制造半导体装置、液晶显示器等等的设备，等离子体处理设备已被用于使用等离子体来处理基板的表面。例如，所述等离子体处理设备包括用于蚀刻所述基板的等离子体蚀刻设备，用于在所述基板上执行CVD过程的等离子体化学气相沉积(CVD)设备等等。
如图1中所示，这样的等离子体处理设备1包括两个平面电极10和20，所述两个电极被彼此平行地装备在所述设备的上和下部分。基板S安装在下电极20上。因此，所述下电极20也称作基板安装台。所述上电极10与所述下电极20相对设置。所述上电极10被提供以具有多个气孔的电极板12，并且所述电极板12被称作淋浴头(shower head)14。所述上电极10连接到处理气源(process gas source)。当执行过程时，所述处理气经过所述电极板12的气孔供应到所述两个电极10和20之间的空间。供应到所述电极之间的空间的所述处理气通过施加RF功率到所述电极而转换成等离子体，并且所述基板的表面由所述等离子体处理。
所述等离子体处理设备1提供有空气排出单元(air discharge unit)(未示出)以将其中的气体排出到外部。所述空气排出单元连接到位于所述等离子体处理设备1外部的泵(未示出)，以吸取并去除所述等离子体处理设备1中的气体、并且维持所述等离子体处理设备1中的真空。
如图1中所示，所述等离子体处理设备1提供有内提升杆(inner liftingpin)30和外提升棒(outer lifting bar)40，以便将所述基板输送入或出所述处理设备。所述内提升杆30通过穿过所述下电极20的边缘所形成的通孔22，并被上下驱动。
所述外提升棒40被分离地提供在所述下电极20的外部。意即，所述外提升棒40被提供在所述下电极20的侧表面和所述等离子体处理设备的壁之间的空间中以便上下移动。
所述内提升杆30和所述外提升棒40用来将所述基板输送入或出所述等离子体处理设备。所述内提升杆30和所述外提升棒40的操作将如下简要描述。
当将基板从外部输送入所述处理等离子体处理设备中时，提供在所述等离子体处理设备外部的输送单元，进入所述等离子体处理设备。然后，所述内提升杆30被抬起以提升并支撑在所述输送单元之上的所述基板。在所述输送单元从所述等离子体处理设备中缩回之后，所述内提升杆30被降低，并将所述基板放置在所述下电极20上。在这种状态下，使用等离子体在所述基板上执行预定过程。
在完成用于所述基板的过程之后，所述内提升杆30再被抬起以提升所述基板，并被停止在预定高度。同时，所述外提升棒40也被提升，并且基板支撑棒44向所述下电极20的中心旋转并被设置在所述基板下面在比所述内提升杆30的高度低的高度。然后，由于所述基板支撑棒44被抬起，所述基板被所述基板支撑棒44提升到所述内提升杆30之上。
所述内提升杆30再次被降低，并且新基板被所述输送单元从外部输送入所述等离子体处理设备中。然后，所述内提升杆30再次被抬起以提升并支撑所述新基板。在所述输送单元从所述等离子体处理设备中缩回之后，所述内提升杆30被降低，并将所述基板放置在所述下电极20上。另外，当所述输送单元再次进入所述等离子体处理设备时，所述基板支撑棒44被降低，并将处理过的基板传递到所述输送单元。当所述输送单元从所述等离子体处理设备中缩回时，所述处理过的基板也被输送出所述处理设备。
在图2中，用来如上所述输送所述基板的所述传统外提升棒40包括上盖42、所述基板支撑棒44和壳46。所述上盖42设置在所述基板支撑棒44之上。结果，在所述基板支撑棒44被操作的同时，所述上盖42被降低到所述下电极20侧，并且防止所述等离子体侵蚀所述基板支撑棒44的上表面并损坏所述基板支撑棒44。所述基板支撑棒44被抬起到所述下电极20之上，并然后向所述下电极20的中心旋转以支撑所述基板。所述壳46在该过程期间被降低，并限定空间以接收所述基板支撑棒44。所述壳46与所述上盖42紧密耦合以防止所述等离子体侵蚀所述基板支撑棒44的侧表面。但是，由于所述壳具有复杂结构，在使所述等离子体处理设备的维护复杂化的同时，有增加制造成本的问题。另外，当所述外提升棒40被驱动时，有所述上盖和所述壳之间碰撞的可能性。同时，除了所述外提升棒40，阻挡50被提供到所述下电极侧以控制等离子体的流动。因而，由于必须在所述阻挡50上形成这样的凹陷以允许所述壳46如图2中所示通过所述凹陷移动，所述阻挡50的制造以及所述壳46到所述阻挡50的耦合有困难。另外，各种颗粒可能在所述阻挡50和所述壳46之间的间隙中累积，引起过程错误。
发明内容
为解决上述问题提出了本发明，并且本发明的目的是提供包括外提升棒以便有效阻塞等离子体的等离子体处理设备。
根据本发明的一个方面，通过提供用于在真空状态中使用等离子体在基板上执行预定过程的等离子体处理设备，可完成以上及其他目的，所述等离子体处理设备包括：基板安装台，装备于所述等离子体处理设备内以在其上放置基板；外提升棒，提供在所述基板安装台的外侧以便上下移动，并且在将所述基板放置在所述基板安装台上时用来临时支撑所述基板，所述外提升棒包括：上下驱动的驱动轴和在加载所述基板时垂直耦合到所述驱动轴上端以便向所述基板安装台枢转的基板支撑部件；及阻挡(baffle)，被提供以便屏蔽形成于所述基板安装台和所述等离子体处理设备的壁之间的空间，并具有在所述阻挡的预定部分上所形成的多个通孔，所述阻挡包括：阻挡板，耦合到在所述基板支撑部件之上的所述驱动轴的上端以防止等离子体流动到在所述基板安装台和所述等离子体处理设备的壁之间所形成的空间，及屏蔽部分，耦合到所述阻挡板的下表面以包围所述基板支撑部件，并在面对所述基板安装台侧打开以允许所述基板支撑部件经过所述屏蔽部分的打开侧而枢转，其中所述阻挡和所述基板支撑部件由所述驱动轴同时上下驱动。结果，所述阻挡与所述外提升棒互连以防止所述阻挡和所述外提升棒之间的干扰，所述阻挡的高度被控制以产生均匀的等离子体，并且利用所述等离子体处理设备的简单结构，可以保护所述外提升棒免受所述等离子体的影响。
所述基板支撑部件可以是可折叠的基板支撑部件，包括：内支撑棒，耦合到所述驱动轴的上端；外支撑棒，耦合所述内支撑棒的远端(distalend)；第一接合，将所述内支撑棒耦合到所述驱动轴以允许所述内支撑棒绕所述驱动轴枢转；及第二接合，耦合所述内支撑棒和所述外支撑棒以允许所述外支撑棒枢转。结果，所述基板可被所述基板支撑部件支撑到其中心部分，利用本发明的等离子体处理设备使大尺寸基板能够容易地得到处理。
当所述驱动轴被降低时，可使所述屏蔽部分达到与所述基板安装台的紧密接触，并且所述基板支撑部件可能被屏蔽在所述屏蔽部分和所述基板安装台的壁之间所形成的空间中。结果，在等离子体处理期间，所述外提升棒不受所述等离子体影响。
所述屏蔽部分可包括门，以便根据所述基板支撑部件的驱动过程来打开或关闭所述屏蔽部分的打开侧，使得所述基板支撑部件能够被所述屏蔽部分安全地保护。
所述阻挡可进一步包括弹性部件，所述弹性部件固定到所述门和所述屏蔽部分之间的耦合部分以便允许所述门经由所述弹性部件的回弹力返回到关闭位置，并且通过所述基板支撑部件的枢转所述门可被推动打开，并通过所述弹性部件的回复力关闭。
所述门可进一步包括：传感器，以检测所述基板支撑部件的移动；及驱动单元，以便在传感器检测到所述基板支撑部件的移动时打开所述门，并且由于所述基板支撑部件缩回到所述屏蔽部分中，在传感器未检测到所述基板支撑部件的移动时关闭所述门。
根据本发明的另一方面，提供了用于在真空状态中使用等离子体在基板上执行预定过程的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：基板安装台，装备于所述等离子体处理设备内以在其上放置基板；外提升棒，提供在所述基板安装台的外侧以便上下移动，并且在将所述基板放置在所述基板安装台上时用来临时支撑所述基板，所述外提升棒包括：上下驱动的驱动轴、垂直耦合到所述驱动轴上端以便在加载所述基板时向所述基板安装台枢转的基板支撑部件及屏蔽部分，所述屏蔽部分耦合到所述基板安装台的壁上、在上表面打开、并具有所述外提升棒被降低并插入其中的空间；以及阻挡，被提供以便屏蔽形成于所述基板安装台和所述等离子体处理设备的壁之间的空间，并具有在所述阻挡的预定部分上所形成的多个通孔，其中所述阻挡和所述基板支撑部件由所述驱动轴同时垂直驱动。结果，在所述外提升棒的驱动过程中防止所述阻挡和所述外提升棒之间的干扰，并防止所述外提升棒受到所述等离子体的影响，是可能的。
附图说明
本发明的前述及其它目的和特征将从结合附图的以下详细描述中更清楚地得到理解，其中
图1是说明传统等离子体处理设备结构的横截面视图；
图2是说明传统等离子体处理设备的外提升棒结构的透视图；
图3是说明根据本发明的第一实施例的等离子体处理设备的外提升棒和阻挡的结构的透视图；
图4a到4c是说明根据所述第一实施例的等离子体处理设备的外提升棒和阻挡的驱动过程的视图；
图5是说明根据本发明的第二实施例的等离子体处理设备的外提升棒和阻挡的结构的透视图；
图6a到6c是说明根据所述第二实施例的等离子体处理设备的外提升棒和阻挡的驱动过程的视图；
具体实施方式
本发明的优选实施例将参考附图详细描述。
实施例1
根据第一实施例的等离子体处理设备，除了提供在基板安装台侧的外提升杆和隔离屏的结构和驱动过程之外，具有与传统等离子体处理设备相同的结构和功能。因此，其他元件的描述将在下文中省略，而所述外提升棒和所述阻挡将如下详细描述。
外提升棒140被提供在基板安装台120的外侧，并在将所述基板放置在所述基板安装台120上时用来临时支撑基板。因此，根据所述第一实施例的所述外提升棒140也被提供以便上下移动。
所述外提升棒140包括驱动轴142和基板支撑部件144。所述驱动轴142被耦合到所述等离子体处理设备的下壁以便被上下驱动。由于所述驱动轴142在维持所述等离子体处理设备的气密性的同时必须被上下驱动，优选的是，所述驱动轴142由伸缩管(bellows)部件耦合到所述等离子体处理设备的下壁。因此，马达被提供到在所述等离子体处理设备外部的下面部分，并将功率供应到所述驱动轴142以便上下驱动所述驱动轴142。如图3中所示，优选地，两个或更多个驱动轴142被提供在所述基板安装台120侧以便稳定支撑所述基板。
所述基板支撑部件144被垂直耦合到所述驱动轴142的上端，使得当加载所述基板时其能够向所述基板安装台120枢转。意即，在所述基板支撑部件144由所述驱动轴142上下驱动的同时，所述基板支撑部件144保持平行于所述基板安装台120侧。当所述驱动轴142被完全抬起以便允许所述基板支撑部件144支撑所述基板时，所述基板支撑部件144绕所述驱动轴142枢转到垂直于所述基板安装台120侧的位置。
这里，所述基板支撑部件144可作为单个部件提供。但是，如果所述基板支撑部件144仅支撑所述基板的周边，由于所述等离子体处理设备所处理的基板的尺寸上的增加，所述基板的中心部分会下垂。因此，在将所述基板输送入或出所述等离子体处理设备期间，有损坏所述基板的问题。因此，对于输送大尺寸基板入或出所述等离子体处理设备，优选的是，所述基板支撑部件144向所述基板的中心部分延伸，若可能，以便支撑所述基板。在这点上，如果所述基板支撑部件144作为单个部件提供，则所述基板支撑部件144在长度上显著增加，并因此由于与所述外提升棒的驱动轴的干扰而不能绕所述驱动轴142枢转。
但是，根据所述第一实施例，所述基板支撑部件144作为可折叠支撑部件提供。意即，所述基板支撑部件144包括内支撑棒144a、外支撑棒144b、第一接合144c及第二接合144d。所述内支撑棒144a是垂直耦合到所述驱动轴142上端的支撑棒。所述内支撑棒144a经由所述第一接合144c耦合到所述驱动轴142上端。意即，所述第一接合144c使所述内支撑棒144a能够被耦合到所述驱动轴的上端并垂直于所述驱动轴的驱动方向而枢转。
所述外支撑棒144b耦合到所述内支撑棒144a的远端，并支撑所述基板的中心部分。这时，所述外支撑棒144b经由所述第二接合144d耦合到所述内支撑棒144a的远端。所述第二接合144d使所述外支撑棒144b能够绕其枢转，同时将所述外支撑棒144b耦合到所述内支撑棒144a。
因此，连同所述第一实施例的所述等离子体处理设备的所述基板支撑部件144，所述内支撑棒144a和所述外支撑棒144b向所述基板安装台120的中心枢转，并支撑所述基板的中心部分。另外，当所述基板支撑部件144被降低时，所述外支撑棒144b枢转并与所述内支撑棒144a重叠，使得所述基板支撑部件144的长度被折叠成一半。结果，在所述基板支撑部件144枢转期间，没有与所述邻近的外提升棒140或所述驱动轴142的干扰问题。
提供了所述阻挡150以便于在所述基板上的等离子体处理期间防止等离子体以太高速度流动到所述基板安装台120侧。意即，所述阻挡150用来屏蔽等离子体的流动，以便迫使所述等离子体长时间段保持在所述两个电极之间的空间中。所述阻挡150被提供以便屏蔽在所述基板安装台120和所述等离子体处理设备的壁之间所形成的空间，并具有在所述阻挡150的预定部分所形成的多个通孔151。这时，所述通孔151不形成于在所述阻挡150具有屏蔽部分154处的所述阻挡150上。结果，由于所述等离子体经过所述通孔151被排出，其能够以显著减低的速度被排出。
根据所述第一实施例，所述阻挡150包括阻挡板152和所述屏蔽部分154。所述阻挡板152是用于通过允许所述等离子体流过在所述阻挡150上以预定图案形成的所述通孔151来控制所述等离子体速度的元件。所述阻挡板152耦合到所述基板支撑部件144上的所述驱动轴142的上端，并防止所述等离子体流到在所述基板安装台120和所述等离子体处理设备的壁之间所形成的空间。
所述屏蔽部分154耦合到所述阻挡板152的下表面以便包围所述基板支撑部件144，并在面对所述基板安装台120侧的一侧打开以便允许所述基板支撑部件144经过所述打开侧而枢转。意即，所述屏蔽部分154耦合到所述阻挡板152的下表面，并与所述阻挡板152和所述基板安装台120侧一起限定空间，以便所述基板支撑部件144能够被屏蔽在该空间。利用该结构，所述阻挡150用来保护所述基板支撑部件144免受所述等离子体的影响。根据所述第一实施例，所述屏蔽部分154可焊接到所述阻挡板152，或可利用另外的耦合装置接合到所述阻挡板152。所述耦合装置可以包括螺栓等等。
所述阻挡150优选地提供有门156，以便打开或关闭所述屏蔽部分154的打开侧。如图3中所示，所述门156构成面对所述基板安装台120侧的所述屏蔽部分154的那侧，并具有打开/关闭结构以允许所述基板支撑部件144经过其枢转。这时，所述门156在一个边缘耦合到所述屏蔽部分154，并绕该边缘枢转以便打开或关闭所述屏蔽部分154的那侧。所述阻挡150进一步包括弹性部件，所述弹性部件被提供到所述门156和所述屏蔽部分154之间的耦合部分。结果，根据所述第一实施例，当所述基板支撑部件144在所述基板安装台120之上枢转时，所述门156被所述基板支撑部件144推动并打开。当外力不施加到所述门156时，所述门156通过所述弹性部件的回复力自动关闭。
另外，所述门进一步包括：传感器，以便检测所述基板支撑部件144的移动；及驱动单元，以根据所述基板支撑部件144的移动打开所述门。意即，当所述基板支撑部件144适当地设置在所述屏蔽部分154中时，所述传感器不能检测到所述基板支撑部件144的移动，并且然后所述驱动单元被驱动以关闭所述门。相反地，当所述基板支撑部件144偏离其在所述屏蔽部分154内的位置时，所述传感器检测到所述基板支撑部件144的移动，并且然后所述驱动单元被驱动以打开所述门。因此，在所述基板支撑部件144枢转并继续支撑所述基板的同时，所述传感器继续检测所述基板支撑部件144，以便所述门156维持在打开状态。然后，当所述基板支撑部件144被返回，并位于所述屏蔽部分154中时，所述传感器不能检测到所述基板支撑部件144，以便所述门156关闭。
因此，在第一实施例中，所述阻挡150和所述基板支撑部件144被所述驱动轴142同时上下驱动。换句话说，当所述基板支撑部件144被抬起以便支撑所述基板时，所述阻挡150也被抬起。另外，在所述基板的等离子体处理期间，所述阻挡150被降低到所述基板安装台120和所述等离子体处理设备的壁之间的空间，以避免所述等离子体的流动。这时，由于所述阻挡150的高度能自由调整，其中有一优点，即在调整所述阻挡150的高度以便获得所述等离子体的适当流动的同时，所述基板可得到处理。
另外，按照所述第一实施例，由于所述阻挡150和所述外提升棒140被同时驱动，在所述外提升棒140的驱动过程期间，所述外提升棒140和所述阻挡150或基板支撑部件144之间没有干扰的可能性，并且不需要使用复杂设备来驱动所述外提升棒140。结果，有简化所述等离子体处理设备的总体结构的优点。
根据所述第一实施例的所述等离子体处理设备的所述外提升棒和所述阻挡的驱动过程，将参考图4a到4c描述。
如图4a中所示，所述外提升棒140和所述阻挡150，在等离子体处理期间保持在所述基板安装台120侧。这时，随着所述外支撑棒144b与内支撑棒144a重叠，所述基板支撑部件144被屏蔽在由所述屏蔽部分154、所述阻挡150及所述基板安装台120所限定的空间中。所述阻挡150被设置在适当位置以便控制等离子体的流动。
在等离子体处理完成、并且处理气经过排出系统被排出之后，所述驱动轴142被驱动以便抬起所述基板支撑部件144和所述阻挡150，如图4b中所示。
当所述基板支撑部件144被完全抬起到支撑所述基板的高度时，所述基板支撑部件144被驱动以枢转所述内支撑棒144a和所述外支撑棒144b，如图4c中所示。因此，当所述基板支撑部件144开始被驱动时，所述传感器检测到所述基板支撑部件144的移动，并激活所述驱动单元。结果，所述门156被打开以使所述基板支撑部件144能够枢转，而没有与其他元件的干扰。这时，所述内支撑棒144a向所述驱动轴枢转90度，而所述外支撑棒144b向所述第二接合枢转180度。因此，如果所述外支撑棒144b的枢转速度增加到所述内支撑棒144a枢转速度的两倍，则当所述内支撑棒144a枢转到垂直于所述基板安装台120侧表面的位置时，所述外支撑棒144b枢转到与所述内支撑棒144a在一条直线的位置。
利用该过程，所述基板支撑部件144完全折叠，并用来在支撑所述基板的同时，将所述基板输送入或出。在完成所述基板的输送之后，所述外提升棒140和所述阻挡150经由上述过程的逆过程返回其在所述基板安装台120侧的初始位置。
实施例2
根据第二实施例的等离子体处理设备，除了提供在基板安装台侧的外提升棒和阻挡的结构和驱动过程之外，具有与根据所述第一实施例的所述等离子体处理设备相同的结构和功能。因此，其他元件的描述将在下文中省略，而所述外提升棒和所述阻挡将如下详细描述。
外提升棒240被提供在基板安装台220的外侧，并在将所述基板放置在所述基板安装台220上时用来临时支撑基板。因此，根据所述第二实施例的所述外提升棒240也被提供以便上下移动。
所述外提升棒240包括驱动轴242、基板支撑部件244及屏蔽部分246。所述驱动轴242被耦合到所述等离子体处理设备的下壁以便被上下驱动。由于在维持所述等离子体处理设备的气密性的同时，所述驱动轴242必须被上下驱动，优选的是所述驱动轴242由伸缩管部件耦合到所述等离子体处理设备的下壁。因此，马达被提供到在所述等离子体处理设备外部的下面部分，并将功率供应到所述驱动轴242以便上下驱动所述驱动轴242。如图7中所示，优选地，两个或更多个驱动轴242被提供在所述基板安装台220侧以便稳定支撑所述基板。
所述基板支撑部件244被垂直耦合到所述驱动轴242的上端，使得当加载所述基板时其可向所述基板安装台220枢转。意即，在所述基板支撑部件244被所述驱动轴242上下驱动的同时，所述基板支撑部件244保持平行于所述基板安装台220侧。当所述驱动轴242被完全抬起到允许所述基板支撑部件244支撑所述基板的位置时，所述基板支撑部件244绕所述驱动轴242枢转到垂直于所述基板安装台220侧的位置。
如同所述第一实施例，根据所述第二实施例，所述基板支撑部件244作为可折叠支撑部件被提供，以便允许对大尺寸基板的容易的支撑。
接下来，如图5中所示，所述屏蔽部分246被附着到所述基板安装台220的侧表面的预定部分。所述屏蔽部分246的数目和位置与所述驱动轴242一致。另外，由于所述屏蔽部分246提供空间，以便在所述基板上的等离子体处理期间接收所述基板支撑部件244，它当然具有接收所述基板支撑部件244的尺寸。
提供了所述阻挡250以便于在所述基板上的等离子体处理期间防止等离子体以太高速度流到所述基板安装台220侧。意即，所述阻挡250用来屏蔽等离子体流，以便迫使所述等离子体长时间段保持在所述两个电极之间的空间中。所述阻挡250被提供以便屏蔽在所述基板安装台220和所述等离子体处理设备的壁之间所形成的空间，并具有在所述阻挡220的预定部分所形成的多个通孔251。这时，所述通孔251不形成于所述阻挡250具有屏蔽部分246处的所述阻挡250上。结果，由于所述等离子体经过所述通孔251被排出，其能够以显著减低的速度排出。
根据所述第二实施例，所述阻挡250和所述基板支撑部件244由所述驱动轴242同时垂直驱动。换句话说，当所述基板支撑部件244被抬起以便支撑所述基板时，所述阻挡250也被抬起。另外，在所述基板的等离子体处理期间，所述阻挡250被降低到所述基板安装台220和所述等离子体处理设备的壁之间的空间，以避免所述等离子体的流动。这时，由于在所述第二实施例中所述阻挡250的高度能自由调整，其中有一优点，即在调整所述阻挡250的高度以便获得所述等离子体的适当流动的同时，所述基板可得到处理。
另外，按照所述第二实施例，由于所述阻挡250和所述外提升棒240被同时驱动，在所述外提升棒240的驱动过程期间，所述外提升棒240与所述阻挡250或所述基板支撑部件244之间没有干扰的可能性，并且不需要利用复杂设备来驱动所述外提升棒240。结果，有简化所述等离子体处理设备的总体结构的优点。
根据所述第二实施例的所述等离子体处理设备的所述外提升棒和所述阻挡的驱动过程，将参考图6a到6c描述。
如图6a中所示，所述外提升棒240和所述阻挡250在等离子体处理期间保持在所述基板安装台220侧。这时，随着所述外支撑棒244b与内支撑棒244a重叠，所述基板支撑部件244被屏蔽在由所述屏蔽部分246、所述阻挡250及所述基板安装台220所限定的空间中。所述阻挡250被设置在适当位置以便控制等离子体的流动。
在等离子体处理完成、并且处理气经过排出系统被排出之后，所述驱动轴242被驱动以便抬起所述基板支撑部件244和所述阻挡250，如图6b中所示。这时，所述屏蔽部分246保持在所述基板安装台220侧。
当所述基板支撑部件244被完全抬起到支撑所述基板的高度时，所述基板支撑部件244被驱动以枢转所述内支撑棒244a和所述外支撑棒244b，如图6c中所示。这时，所述内支撑棒244a向所述驱动轴枢转90度，而所述外支撑棒244b向所述第二接合枢转180度。因此，如果所述外支撑棒244b的枢转速度增加到所述内支撑棒244a枢转速度的两倍，当所述内支撑棒244a枢转到垂直于所述基板安装台220侧表面的位置时，所述外支撑棒244b枢转到与所述内支撑棒244a在一条直线的位置。
利用该过程，所述基板支撑部件244完全折叠，并用来在支撑所述基板的同时，将所述基板输送入或出。在完成所述基板的输送之后，所述外提升棒240和所述阻挡250经由上述过程的逆过程，返回其在所述基板安装台220侧的初始位置。
本发明的一个优点是，由于所述等离子体处理设备包括具有简单结构的外提升棒，保护基板支撑部件免受等离子体的影响是可能的。
本发明的另一优点是，由于所述阻挡和所述外提升棒被同时驱动，在其操作期间完全防止所述阻挡和所述外提升棒之间的干扰，并在调整所述阻挡高度的同时执行等离子体处理，是可能的。
应该理解的是，所述实施例和所述附图已被描述用于说明的目的，并且本发明由所附权利要求所限制。此外，本领域技术人员将理解，允许各种修改、附加及替换而不背离根据所附权利要求的本发明的范围和精神。
Claims (9)
1.一种等离子体处理设备，用于在真空状态中使用等离子体在基板上执行预定过程，包括：
基板安装台，装备于所述等离子体处理设备内以在其上放置基板；
外提升棒，被提供在所述基板安装台的外侧以便上下移动，并且在将所述基板放置在所述基板安装台上时用来临时支撑所述基板，所述外提升棒包括：
上下驱动的驱动轴，及
基板支撑部件，垂直耦合到所述驱动轴上端以便在加载所述基板时向所述基板安装台枢转；及
阻挡，被提供以便屏蔽形成于所述基板安装台和所述等离子体处理设备的壁之间的空间，并具有在所述阻挡的预定部分上所形成的多个通孔，所述阻挡包括：
阻挡板，耦合到所述基板支撑部件之上的所述驱动轴的上端以防止等离子体流动到在所述基板安装台和所述等离子体处理设备的壁之间所形成的空间，及
屏蔽部分，耦合到所述阻挡板的下表面以包围所述基板支撑部件，并在面对所述基板安装台侧打开以允许所述基板支撑部件经过所述屏蔽部分的打开侧而枢转，其中所述阻挡和所述基板支撑部件由所述驱动轴同时上下驱动。
2.如权利要求1的等离子体处理设备，其中所述基板支撑部件是可折叠的基板支撑部件包括：
内支撑棒，耦合到所述驱动轴的上端；
外支撑棒，耦合所述内支撑棒的远端；
第一接合，将所述内支撑棒耦合到所述驱动轴以允许所述内支撑棒绕所述驱动轴枢转；及
第二接合，耦合所述内支撑棒和所述外支撑棒以允许所述外支撑棒枢转。
3.如权利要求1的等离子体处理设备，其中，当所述驱动轴被降低时，使所述屏蔽部分达到与所述基板安装台的紧密接触，并且所述基板支撑部件被在所述屏蔽部分和所述基板安装台的壁之间形成的空间所屏蔽。
4.如权利要求1的等离子体处理设备，其中所述屏蔽部分包括门，以便根据所述基板支撑部件的驱动过程来打开或关闭所述屏蔽部分的打开侧。
5.如权利要求4的等离子体处理设备，其中所述门和所述屏蔽部分之间的耦合部分包括弹性部件，并且所述门通过所述基板支撑部件的枢转被推动到打开，并且在所述基板支撑部件缩回到所述屏蔽部分中时通过所述弹性部件的回复力关闭。
6.如权利要求4的等离子体处理设备，其中所述门进一步包括：
传感器，以检测所述基板支撑部件的移动；及
驱动单元，以便在所述传感器检测到所述基板支撑部件的移动时打开所述门，并且由于所述基板支撑部件缩回到所述屏蔽部分中，在所述传感器未检测到所述基板支撑部件的移动时关闭所述门。
7.一种等离子体处理设备，用于在真空状态中使用等离子体在基板上执行预定过程，包括：
基板安装台，装备于所述等离子体处理设备内以在其上放置基板；
外提升棒，提供在所述基板安装台的外侧以便上下移动，并且在将所述基板放置在所述基板安装台上时用来临时支撑所述基板，所述外提升棒包括：
上下驱动的驱动轴，
基板支撑部件，垂直耦合到所述驱动轴上端以便在加载所述基板时向所述基板安装台枢转，及
屏蔽部分，耦合到所述基板安装台的壁上，在上表面打开，并具有所述外提升棒被降低并插入其中的空间；以及
阻挡，被提供以便屏蔽形成于所述基板安装台和所述等离子体处理设备的壁之间的空间，并具有在所述阻挡的预定部分上所形成的多个通孔，
其中所述阻挡和所述基板支撑部件由所述驱动轴同时垂直驱动。
8.如权利要求7的等离子体处理设备，其中所述基板支撑部件是可折叠的基板支撑部件包括：
内支撑棒，耦合到所述驱动轴的上端；
外支撑棒，耦合所述内支撑棒的远端；
第一接合，将所述内支撑棒耦合到所述驱动轴以允许所述内支撑棒绕所述驱动轴枢转；及
第二接合，耦合所述内支撑棒和所述外支撑棒以允许所述外支撑棒枢转。
9.如权利要求7的等离子体处理设备，其中，当所述驱动轴被降低时，使所述屏蔽部分达到与所述阻挡的紧密接触，并且所述基板支撑部件被在所述屏蔽部分和所述阻挡之间形成的空间所屏蔽。
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