CN100370531C - 相变型光记录媒体 - Google Patents

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Abstract

一种相变型光记录媒体，具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜，噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。

Description

相变型光记录媒体
(本申请基于并要求以2003年10月30日提交的日本在先专利申请2003-370921为优先权，其全部内容在此引作参考。)
技术领域
本发明涉及通过照射光束，记录膜的原子排列在非晶态和晶态之间发生转变的相变型光记录媒体。
背景技术
(相变型光记录媒体的原理)
近年来，光记录媒体，特别是通过照射光束使记录膜的原子排列在非晶态和晶态之间发生转变的相变型光记录媒体，迅速地普及。该相变型光记录媒体按照下述的原理进行记录、再生、擦除。相变型光记录膜一般利用在被加热到熔点以上的部分熔融后急剧冷却时非晶态原子进行排列的现象进行记录。由于来自呈非晶态的部分的反射光强度和来自呈晶体的部分的反射光强度不同，所以将反射光的强弱变换成电信号的强弱，再进行A/D变换，能读出信息(再生)。另外，相变型光记录膜，如果在熔点以下且在结晶化温度的温度区域中保持一定时间以上，则原来的状态为晶体的情况下，仍为晶体，而原来的状态为非晶态的情况下进行结晶，所以能返回初始状态的晶态(擦除)。
另外，除了晶态-非晶态之间的相变以外，还能利用马氏体相这样的亚稳定晶体相和稳定晶体相之间、或多个亚稳定晶体相之间的转变，进行记录和读出。
(高密度化方法)
为了增加一个记录媒体中能记录的信息量即记录容量，有以下两种方法。
一种是将光道圆周方向的记录标记的间距即所谓的位间距微细化的方法。可是，在该方法中，如果记录标记间距的微细化的程度增强，则会发生在再生光点内有时包含两个记录标记的情况。在记录标记互相充分分离的情况下，再生信号被调制得大，能获得振幅大的信号，而在记录标记互相接近的情况下，呈振幅小的信号，向数字数据变换时容易发生错误。
另一种提高记录密度的方法是使光道的径向的间隔即所谓的光道间距狭小化。该方法受上述的记录标记间距的微细化引起的信号强度降低的影响不大，能提高记录密度。可是，该方法的问题是，如果光道间距与光束的大小相比，减小到同等程度，则某一光道的信息在进行相邻光道的写入或擦除时会劣化，发生所谓的交叉擦除。交叉擦除的原因在于：被关注的光道上的标记受相邻光道上的激光束的外缘部的直接照射，对相邻光道记录时的热流流入被关注的光道中，被关注的光道上的标记温度上升，形状劣化。因此，相变型光记录媒体的高密度化需要解决这些问题。另外，为了将变得微小的记录标记的读出错误的概率抑制得更低，希望所形成的记录标记的外缘部呈圆滑的形状，能极大地抑制噪声分量。
(多层媒体的大容量化)
另一种大容量化的方法，是设置多个承担信息的层(意味着包含记录膜的多层膜，以下称信息层)，将它们重合起来的方法(参照特开2000-322770号公报)。将两个信息层重合起来，能从一面读写这样设计的媒体被称为单面双层媒体、或双层媒体。另外，将两个单面双层媒体重合起来，构成两面四层媒体，更能大容量化。层叠的两个信息层中，将靠近光入射侧的信息层称为L0，将远离光入射侧的信息层称为L1。在单面双层媒体中，为了访问远离光入射侧的信息层L1时，在靠近光入射侧的信息层L0中不致使光衰减到必要以上的程度，需要使信息层L0的透射率达到大约50％以上(“以上”表示“≥”，全文同)，在信息层L0中使记录膜的厚度极薄，约为5～7nm。在这样薄的记录膜中，由于结晶所必需的保持时间增长，所以用通常的记录速度会发生剩余(后面将详细说明这一点)。作为针对它的对策，已知用Sn置换GeSbTe记录膜的一部分是有效的(参照第12次相变记录研究会论文预征稿集(Proceedings of PCOS2000)，第36-41页)。同样，知道用Bi、In、Sn、Pb置换GeSbTe记录膜的一部分也是有效的(参照特开2001-232941号公报)。另一方面，在信息层L1中，有必要用强度约为信息层L0中的一半的激光进行记录、擦除，要求高灵敏度。
(单面双层媒体的制造工艺)
根据在哪个阶段进行初始化，能将制造单面双层媒体的工艺大致分成以下两种工艺。这里，所谓初始化，是对处于刚刚成膜后的非晶状态的记录膜照射幅度比较宽的初始化光束(与记录光束相比，波长长，强度低)，使记录膜呈晶体状态的工艺。这时，使媒体盘旋转，使初始化光束一边沿盘的径向移动，一边在盘的整个面上进行初始化。
(1)准备两个PC基板，形成构成各自的信息层的多层膜，对各信息层的记录膜进行了初始化后粘贴起来的方法。在该方法中，在与L0、L1一起形成的多层膜露出的状态下进行初始化。
(2)准备两个PC基板，形成构成各自的信息层的多层膜，只进行信息层L1的初始化，将信息层L0和信息层L1粘贴起来后，对信息层L0进行初始化。在该方法中，在形成了L1的多层膜露出的状态下进行初始化，而L0是在两个PC基板上形成了多层膜的状态(不露出的状态)下进行初始化的。
在使光道间距狭小化了的高密度记录媒体中，由于最后的盘特性也因初始化工艺而劣化，所以有必要充分考虑。其理由如下。即，由于初始化光束的作用，构成媒体的膜发生热膨胀。可是，光道间距变得非常狭窄，如果相对于初始化光束直径，包含了凸台和槽的光道数增加，则难以既使热膨胀的影响均匀，又使各光道的记录膜的结晶状态均匀。
如(1)或(2)所示，之所以将信息层L0和信息层L1粘贴起来之前，至少将一个信息层初始化，是为了在发生了初始化不良的情况下，在粘贴之前就排除，提高合格率。
在单面双层的相变型光记录媒体中，在设置在靠近光入射侧的信息层L0和设置在远离光入射侧的信息层L1之间，设有20～30微米左右的层间分离层。通常，采用旋涂法将紫外线(UV)硬化树脂涂敷在一个信息层的多层膜上，与另一个信息层的多层膜相对置地粘贴起来后，照射紫外线使其硬化，形成该层间分离层。层间分离层要求厚度分布在±1微米以下这样的严格条件的均匀性。为了满足该条件，需要在例如120mm的大面积上均匀地涂敷具有流动性的UV硬化树脂，均匀地照射紫外线，均匀地瞬间硬化。
在单面双层媒体中，再生一个信息层的信号时，有可能包含来自另一信息层的反射光或散射光，这往往导致噪声电平的上升。这是因为有时只通过信噪比(CNR：Carrier to Noise Ratio)的测定难以判断，通过详细地研究，发现了位错误率(bER：bit Error Rate)的测定和再生信号、信号波形、跟踪信号中包含的噪声以及噪声电平之间的关系。
(高速记录的方法)
对相变型光记录媒体也要求高速记录。例如，在记录视频图像的情况下，如果能用比实际的视听时间短的时间进行记录，则发行媒体的复制时或在广播录像过程中，容易实现使时间返回，视听前面的视频图像的所谓时间移动功能。可是，在相变型光记录媒体中，作为妨碍高速记录的原因之一，是改写时利用呈强度比较低的擦除电平的激光束进行结晶时，存在剩余信息的问题、即擦除率不足的问题。这是由于记录标记高速通过激光点，在能结晶的温度区域中不能保持足够长的时间，信息残留下来所致。也为了可靠地进行这样的擦除工作，所形成的标记和记录膜本身的均匀性更重要。为了提高记录标记形状的均匀性，初始状态即晶体状态下的均匀性是必要的。
(相变型光记录媒体的膜设计)
如上述的原理项中所述，在相变型光记录媒体中，将激光束照射在记录膜的所希望的部分上，通过急速冷却，形成非晶标记，写入数据，反之将激光束照射在非晶标记上，通过慢慢冷却而结晶，擦除数据。因此，如果记录膜上的激光束的吸收率大，则用小的激光功率就能记录和擦除，反之如果记录膜上的激光束的吸收率小，则记录和擦除时需要大的激光功率。该记录膜上的激光束的吸收率由在多层膜上形成的信息层的光学特性决定。另外，即使吸收率等同，但是否是急速冷却结构等由膜结构决定的热设计也是重要的。即，在相变型光记录媒体的膜设计中，主要考虑光学设计和热设计。为了进行光学设计，需要知道各薄膜的光学特性，为了进行热设计，需要知道各薄膜的包含熔点、熔融潜热、结晶温度的热物性。
如上所述，在作为单面双层媒体的L0中，需要使记录膜的厚度为5～7nm相当薄，另外在L1中，记录膜的厚度也不大于10nm左右。在这样构成的膜结构中，初始化时记录膜受的损伤也大，考虑了总体工艺的膜设计是必要的。
发明内容
本发明的一种形式的相变型光记录媒体，具有：配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，上述第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与上述层间分离层接触的噪声缓和膜，上述噪声缓和膜包含从SiOx(1≤x≤2)、SiOC、MgOx(1≤x≤2)、Al2O3、Si-Al-O(莫来石)、Yb2O3、Si3N4、BaF2、BiF3、CeF3、LaF3、NdF3、CeF3、PbF2、DyF2、GdF3、HoF3、NdF3、SrF2、ThF4、YbF3、YF3、AlF3、CaF2、MgF2、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、LiF、ThO2、La2O3、Gd2O3、Bi2O3、HfO2、Nd2O3、Sb2O3、Sc2O3、V2O5、Y2O3、AlN、CeO2、Ho2O3、In2O3、SnO2、Pr6O11、ZnO构成的组中选择的至少一种物质。
附图说明
图1是本发明的一个实施例的光记录媒体的剖面图。
具体实施方式
本发明的实施形态的相变型光记录媒体，是一种典型的通过层间分离层(UV硬化树脂)，将配置在靠近光入射侧的位置上的第一信息层(信息层L0)和配置在远离光入射侧的位置上的第二信息层(信息层L1)粘贴起来的单面双层媒体。另外，本发明也包含将两个单面双层媒体重合起来的两面四层媒体。以下，以单面双层媒体为代表说明本发明的相变型光记录媒体。
信息层L0(第一信息层)具有在透明基板(第一基板)上层叠电介质膜、相变型光记录膜、电介质膜、反射膜、以及根据需要可以包含的噪声缓和膜的结构，透明基板配置在光入射侧。信息层L1(第二信息层)具有在透明基板(第二基板)上层叠反射膜、电介质膜、相变型光记录膜、电介质膜、以及根据需要可以包含的噪声缓和膜的结构，透明基板配置在远离光入射侧的位置。信息层L0及信息层L1中的至少一者包含与层间分离膜接触的噪声缓和膜，但最好信息层L0及信息层L1都包含噪声缓和膜。以下说明各信息层的构成部件。
作为信息层L0及信息层L1中的第一及第二基板，使用以聚碳酸酯(PC)为代表的透明树脂构成的盘基板。第一及第二基板通过注射成形而形成，表面上有槽，能与凸台/槽记录相对应。
作为信息层L0及信息层L1中的相变型光记录膜，例如使用以GeSbTe为代表的材料。特别是，有能表记为(GeTe)a(Sb2Te3)b的所谓伪二元系附近的组成的GeSbTe相变型光记录膜更加优选。具体地说，作为相变型光记录膜，能用下面的一般式表示：
GexSbyTez
(式中，x+y+z＝100)
最好使用具有在GeSbTe三元相图中，由x＝55，z＝45；x＝45，z＝55；x＝20，y＝20，z＝60；和x＝20，y＝28，z＝52这四点包围的范围内的组成的材料。
另外，作为相变型光记录膜，也可以使用由Bi和/或Sn置换了上述组成范围中GeSbTe的一部分后，具有用下面的一般式表示的组成的材料：
(GewSn(1-w))x(SbvBi(1-v))yTez
(式中，x+y+z＝100，0≤w＜0.5，0≤v＜1.0)
这里，如果Sn对Ge的置换比例w达到0.5以上，则结晶速度快，熔融后的再结晶化显著，不能稳定地形成非晶态标记。另外，也可以使用在GeSbTe中添加微量的除了Sn、Bi以外的材料、例如C0、V、Ag等的材料。
另外，作为相变型光记录膜，用一般式
GexBiyTez
(式中，x+y+z＝100)
表示时，也可以使用具有在GeBiBiTe三元相图中，具有由x＝55，z＝45；x＝45，z＝55；x＝10，y＝28，z＝62；和x＝10，y＝36，z＝54这四点包围的范围内的组成的材料。
构成各信息层的其他膜包含电介质膜、界面膜、反射膜、保护膜等。
电介质膜(也称为干涉膜)通常设置在相变型光记录膜的上下，主要有调整信息层的光学特性的功能。作为电介质膜，能使用ZnS:SiO2、AlN、Al2O3、SiO2、SiO、Si-O-N、Si-N、Al-O-N、Si-C、TiO2、Ta-N、Ta2O5、Ta-O-N、Zn-O、ZnS、ZrO2、Zr-O-N、Zr-N、Cr-O、Mo-O、W-O、V-O、Nb-O、Ta-O、In-O、Cu-O、Sn-O、In-Sn-O等。
界面膜设置成接触相变型光记录膜，具有促进记录膜的结晶的功能。作为界面膜，能使用HfO2、GeN、Si-C、Si-N等。
反射膜具有使透过了相变型光记录膜的光的一部分返回记录膜的功能，还具有提高散热性的功能。作为反射膜，能使用Ag合金、Al合金等。
保护膜设置成接触反射膜。作为保护膜，能使用例如ZnS:SiO2等。
在信息层L0中，作为设置在相变型光记录膜的光入射侧的膜的结构，可以有电介质膜及界面膜两层。除此以外，也可以只是电介质膜、或只是界面膜。
在信息层L0中，作为相对于相变型光记录膜设置在远离光入射侧位置的膜，可以有界面膜、电介质膜、反射膜及保护膜4层。除此以外，也可以是电介质膜和反射膜两层；界面膜和反射膜两层；界面膜、电介质膜及反射膜3层；电介质膜、反射膜及电介质膜3层；界面膜、反射膜及电介质膜3层等结构。
在信息层L1中，作为设置在相变型光记录膜的光入射侧的膜的结构，可以有电介质膜及界面膜两层。除此以外，也可以只是电介质膜、或只是界面膜、还可以是层叠电介质膜和界面膜。
在信息层L1中，作为相对于相变型光记录膜设置在远离光入射侧位置的膜的结构，可以有界面膜、电介质膜及反射膜3层。除此以外，也可以是电介质膜和反射膜两层；界面膜和反射膜两层等的结构。
另外，也可以作成将由不同的材料构成的两种以上的电介质膜层叠起来的结构，例如也可以在电介质膜和反射膜之间再设置一层另一电介质膜。另外，还可以用多层膜构成反射膜，反之也可以作成没有反射膜的结构。
噪声缓和膜包含从SiOx(1≤x≤2)、SiOC、MgOx(1≤x≤2)、Al2O3、Si-Al-O(莫来石)、Yb2O3、Si3N4、BaF2、BiF3、CeF3、LaF3、NdF3、CeF3、PbF2、DyF2、GdF3、HoF3、NdF3、SrF2、ThF4、YbF3、YF3、AlF3、CaF2、MgF2、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、LiF、ThO2、La2O3、Gd2O3、Bi2O3、HfO2、Nd2O3、Sb2O3、Sc2O3、V2O5、Y2O3、AlN、CeO2、Ho2O3、In2O3、SnO2、Pr6O11、ZnO构成的组中选择的至少一种物质。
下面，说明本发明的实施形态的相变型光记录媒体中用的噪声缓和膜的作用和效果。
噪声缓和膜在初始化过程中，在媒体面内不造成损伤地均匀地进行相变型光记录膜的结晶化，发挥实现均匀的初始化的功能。因此，也能将噪声缓和膜称为初始化辅助膜。具体地说，噪声缓和膜具有以下作用：在构成各信息层的多层膜露出的状态下，照射初始化激光时，发生适合于均匀地进行初始化的多层膜的热平衡，而且还机械地保护多层膜，在光学上缓和初始化前后的反射光的急剧变换。另外，如果设置噪声缓和膜(初始化辅助膜)，则通过层间分离层(UV硬化树脂)将L0和L1粘贴起来，使UV硬化树脂硬化时，还能获得缓和对记录膜的应力的作用。这样，由于噪声缓和膜提高了构成信息层的膜的均匀性，所以与现有的媒体相比，有助于提高高灵敏度化、低噪声化、信号特性的品质。
另外，噪声缓和膜具有这样的功能：再生时，从一个信息层读出数据时，缓和从另一个信息层漏进反射光或散射光，降低噪声，提高信号特性的品质。即，能降低单面双层媒体中的作为重要的课题之一的信息层之间的互相干扰(XT)、所谓的层间串扰(XT)。
因此，本发明的实施形态的相变型光记录媒体，通过设置噪声缓和膜，能实现初始化过程中的均匀的初始化、以及防止或缓和再生时来自另一信息层的光的漏进，能降低噪声，提高信号特性的品质，进而提高记录密度。
在本发明的实施形态中，在噪声缓和膜的复数折射率为n-ik，厚度为d[nm]时，最好满足1.4≤n≤1.8，0≤k≤0.001，且20nm≤d≤120nm的条件。
如果噪声缓和膜的复数折射率偏离上述的范围，则难以获得所希望的效果。噪声缓和膜的复数折射率最好n为1.45～1.75，k为0.001以下(“以下”表示“≤”，全文同)。这样的噪声缓和膜可以说具有与层间分离膜类似的折射率。另外，还包含通过将两种以上的材料混合在上面例举的噪声缓和膜的材料中，能获得上述的好的复数折射率的噪声缓和膜。
噪声缓和膜的厚度如果偏离上述的范围，就难以获得所希望的效果。特别是如果厚度超过120nm，则噪声缓和膜对光的吸收增大，所以不好。噪声缓和膜的厚度最好为30～90nm。
作为具有上述这样的光学特性的噪声缓和膜的材料，最好是SiOx(1≤x≤2)或SiOC。SiOC以硅Si、氧O及碳C为主要成分，含有不可避免的杂质及微量杂质。这里，SiOC中的碳C的浓度最好为20at.％以下。
为了制造本发明的实施形态的相变型光记录媒体，能采用以下方法。
例如，可以采用制作信息层L0及信息层L1，对信息层L0及信息层L1两者分别进行初始化后，通过层间分离层将信息层L0及信息层L1粘贴起来的方法。
另外，也可以采用制作信息层L0及信息层L1，只对信息层L1进行初始化后，通过层间分离层将信息层L0及信息层L1粘贴起来，再对信息层L0进行初始化的方法。另一方面，还可以采用制作信息层L0及信息层L1，只对信息层L0进行初始化后，通过层间分离层将信息层L0及信息层L1粘贴起来，再对信息层L1进行初始化的方法。
其次，参照图1，说明本发明的实施形态的相变型光记录媒体的一例。设置在靠近光入射侧的信息层L0是在第一基板101上形成了电介质膜102a、界面膜102b、相变型光记录膜103、界面膜104a、电介质膜104b、反射膜104c、保护膜104d、噪声缓和膜105的信息层，第一基板101配置在光入射侧。设置在远离光入射侧的信息层L1是在第二基板111上形成了反射膜112a、电介质膜112b、界面膜112c、相变型光记录膜113、界面膜114a、电介质膜114b、噪声缓和膜115的信息层，第二基板111配置在远离光入射侧的一侧。使信息层L0的噪声缓和膜105与信息层L1的噪声缓和膜115相对置，用层间分离层(UV硬化树脂)120将它们粘贴起来。另外，本发明的相变型光记录媒体不限定于图1所示的结构，可以是如上所述那样的种种变形。
以下，说明本发明的实施例。
[实施例1]
在本实施例中，制作了图1所示的相变型光记录媒体。使用所谓的枚叶式溅射成膜装置，在不同的成膜室中溅射形成了构成各个信息层的多层膜的各层膜。由于成膜室中备有真空输送室，所以在成膜过程中直至最终的成膜结束之前基板始终保持在真空中。
作为第一基板101及第二基板111，使用注射成形而形成的厚度为0.59mm的聚碳酸酯(PC)基板。在这些基板上以槽间距为0.68微米形成槽，所以在凸台(L)和槽(G)两者上进行记录的情况下，光道间距相当于0.34微米。
在第一基板101及第二基板111的形成了槽的面上，用上述的溅射装置形成了以下的薄膜。
(信息层L0)
电介质膜102a ZnS:SiO2
界面膜102b HfO2
相变型光记录膜103 GeSbTeBi
界面膜104a HfO2
电介质膜104b ZnS:SiO2
反射膜104c Ag合金
保护膜104d  ZnS:SiO2
噪声缓和膜105 SiOC、60nm
(信息层L1)
反射膜112a Ag合金
电介质膜112b ZnS:SiO2
界面层膜112c HfO2
相变型光记录膜113 GeSbTeBi
界面膜114a HfO2
电介质膜114b ZnS:SiO2
噪声缓和膜115 SiO2、90nm
形成ZnS:SiO2时，使用了以ZnS为80at.％、SiO2为20at.％的比率混合的靶材。另外，SiO中的碳(C)的浓度为10at.％。各种实验结果表明，SiOC中的碳C的浓度最好为20at.％以下。
其次，用初始化装置在各信息层的全部表面上使记录膜进行了结晶。初始化后，将成膜面作为内侧，用UV硬化树脂进行了粘接后，进行UV照射使其硬化，形成厚度为20微米的层间分离层120，制作了单面双层媒体。
用パルステツク(株)制作的盘评价装置DDU-1000，评价了所获得的单面双层媒体。该装置备有波长为405nm的青紫色半导体激光器、以及NA＝0.65的物镜。用凸台和槽记录的方式进行了记录实验。进行了以下4项评价。
(1)位错误率(bER)的测定
bER测定是评价数据的错误率的测定。首先，在规定的光道上，将从2T至9T的图形随机包含的标记串改写了10次。其次，对上述光道两侧的相邻光道同样将随机图形改写了10次。此后，返回最初的光道，测定了bER。
(2)模拟测定
模拟测定是评价读出信号品质的测定。首先，将从2T至9T的图形随机包含的标记串改写了10次。其次，在该标记串中对单一图形9T改写1次，用光谱分析仪测定了标记9T的信号频率的信噪比(以下称CNR)。其次，盘旋转时照射呈擦除功率电平的激光束，擦除了记录标记。测定了这时的标记9T的信号强度的减少部分。将其定义为擦除率(ER)。其次，在充分远离的光道上移动光头，进行了交叉擦除(E-X)的测定。
(3)改写(OW)特性
对同一光道将随机信号改写(OW)了2000次后，与上述同样地测定了bER。
(4)环境试验
环境试验是评价相变记录媒体的可靠性的试验。将所制作的光记录媒体暴露在85℃、85Rh％的环境中持续300小时后，与上述同样地测定了bER。
将L0、L1的各凸台(L)和槽(G)中各测定数据最不好的值作为代表。其结果如下。
对凸台和槽来说，环境试验前的bER都为0.9×10-5以下，获得了实用的错误率。
关于模拟测定，对凸台和槽来说，CNR都为55dB以上，擦除率为-31dB以下，交叉擦除也为-0.2dB以下，呈现出优异的结果。
环境试验后的bER对凸台和槽来说，都为4.1×10-5以下，非常好。
改写试验后的bER对凸台和槽来说，都为1.9×10-5以下，非常好。
[实施例2～19]
如表1所示，改变噪声缓和膜的材料及厚度，其他膜的结构与实施例1相同，制作了各种相变型光记录媒体。对所制作的相变型光记录媒体进行了与实施例1同样的评价。将其结果一并示于表2中。
[实施例2]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Al2O3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用HfO2+SiO2，制作了图1所示的相变型光记录媒体。成膜方法与实施例1相同。
[实施例3]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Si3N4，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用Si-Al-O，制作了图1所示的相变型光记录媒体。成膜方法与实施例1相同。
[实施例4]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用BiF3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用LaF3，制作了图1所示的相变型光记录媒体。噪声缓和膜都用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例5]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用NdF3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用CeF3，制作了图1所示的相变型光记录媒体。噪声缓和膜都用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例6]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用DyF2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用GdF3，制作了图1所示的相变型光记录媒体。噪声缓和膜都用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例7]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Yb2O3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用HoF3，制作了图1所示的相变型光记录媒体。只有信息层L1的噪声缓和膜用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例8]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用NdF3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用SrF2，制作了图1所示的相变型光记录媒体。噪声缓和膜都用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例9]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用YF3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用YbF3，制作了图1所示的相变型光记录媒体。噪声缓和膜都用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例10]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用La2O3+MgF2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用MgO2，制作了图1所示的相变型光记录媒体。噪声缓和膜都用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例11]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用BaF2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用AlN+CaF2，制作了图1所示的相变型光记录媒体。只是信息层L0的噪声缓和膜用真空蒸镀法形成，除此以外的膜用溅射法形成。
[实施例12]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Y2O3+NaF，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用Bi2O3+LiF，制作了图1所示的相变型光记录媒体。
[实施例13]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Gd2O3+CeF3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用CeO2+AlF3，制作了图1所示的相变型光记录媒体。
[实施例14]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Ho2O3+Na3AlF6，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用In2O3+Na5Al3F14，制作了图1所示的相变型光记录媒体。
[实施例15]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用SnO2+MgF2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用Pr6O11+CaF2，制作了图1所示的相变型光记录媒体。
[实施例16]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用Sc2O3+SiO2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用ZnO+LiF，制作了图1所示的相变型光记录媒体。
[实施例17]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用V2O5+CeF3，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用Nd2O3+SiO2，制作了图1所示的相变型光记录媒体。
[实施例18]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用SiOC，在信息层L1中不设置噪声缓和膜，制作了相变型光记录媒体。
[实施例19]
在信息层L0中不设置噪声缓和膜，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用SiO2，制作了相变型光记录媒体。
[比较例1～6]
如表1所示，改变噪声缓和膜的材料及厚度，其他膜的结构与实施例1相同，制作了各种相变型光记录媒体。这时，使信息层L0的噪声缓和膜及信息层L1的噪声缓和膜中的任意一个的厚度比20nm薄，使另一个的厚度比120nm厚。对所制作的相变型光记录媒体进行了与实施例1同样的评价。将其结果一并示于表2中。
[比较例1]
信息层L0、信息层L1都不设置噪声缓和膜，制作了相变型光记录媒体。
[比较例2]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用15nm的SiO2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用130nm的Si3N4，制作了相变型光记录媒体。
[比较例3]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用135nm的MgO2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用10nm的Yb2O3，制作了相变型光记录媒体。
[比较例4]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用10nm的SiOC，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用140nm的SiO2，制作了相变型光记录媒体。
[比较例5]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用19nm的SiC，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用130nm的Ta2O5，制作了相变型光记录媒体。
[比较例6]
作为信息层L0的噪声缓和膜，使用125nm的TiO2，作为信息层L1的噪声缓和膜，使用18nm的SiC，制作了相变型光记录媒体。
从表2可知，在实施例1～19的相变型光记录媒体中，环境试验前的CNR为53～55dB，环境试验前的bER为0.9～1.6×10-5，环境试验后的bER为4.0～4.6×10-5，改写试验后的bER为1.9～2.8×10-5，都呈现良好的结果。
与此不同，在比较例1～6的相变型光记录媒体中，环境试验前的CNR为45～51dB，也比实施例1～19差。另外，环境试验前的bER为4.4～8.7×10-4，是错误修正非常难的指令。因此，即使进行环境试验、改写试验，也不会获得良好的结果，这是很显然的，所以未进行这些试验。
[表1]
  No.   L<sub>0</sub>的噪声缓和层   膜厚[nm]   L<sub>1</sub>的噪声缓和层   膜厚[nm]
  实施例1   SiOC   60   SiO<sub>2</sub>   90
  实施例2   Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   40   HfO<sub>2</sub>+SiO<sub>2</sub>   120
  实施例3   Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>   55   Si-Al-O   50
  实施例4   BiF<sub>3</sub>   30   LaF<sub>3</sub>   80
  实施例5   NdF<sub>3</sub>   85   CeF<sub>3</sub>   25
  实施例6   DyF<sub>2</sub>   90   GdF<sub>3</sub>   60
  实施例7   Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   120   HoF<sub>3</sub>   40
  实施例8   NdF<sub>3</sub>   50   SrF<sub>2</sub>   55
  实施例9   YF<sub>3</sub>   80   YbF<sub>3</sub>   30
  实施例10   La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+MgF<sub>2</sub>   25   MgO<sub>2</sub>   85
  实施例11   BaF<sub>2</sub>   60   AIN+CaF<sub>2</sub>   45
  实施例12   Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+NaF   40   Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+LiF   50
  实施例13   Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+CeF<sub>3</sub>   55   CeO<sub>2</sub>+AlF<sub>3</sub>   80
  实施例14   Ho<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+Na<sub>3</sub>AlF<sub>6</sub>   30   In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+Na<sub>5</sub>Al<sub>3</sub>F<sub>14</sub>   25
  实施例15   SnO<sub>2</sub>+MgF<sub>2</sub>   85   Pr<sub>6</sub>O<sub>11</sub>+CaF<sub>2</sub>   60
  实施例16   Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+SiO<sub>2</sub>   45   ZnO+LiF   40
  实施例17   V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+CeF<sub>3</sub>   35   Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+SiO<sub>2</sub>   70
  实施例18   SiOC   30   无   ...
  实施例19   无   ...   SiO<sub>2</sub>   60
  比较例1   无   ...   无   ...
  比较例2   SiO<sub>2</sub>   15   Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>   130
  比较例3   MgO<sub>2</sub>   135   Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   10
  比较例4   SiOC   10   SiO<sub>2</sub>   140
  比较例5   SiC   19   Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>   130
  比较例6   TiO<sub>2</sub>   152   SiC   18
[表2]
  环境试验前   环境试验后   OW试验后
  CNR[dB]   bER   bER   bER
  实施例1   55   0.9×10<sup>-5</sup>   4.0×10<sup>-5</sup>   1.9×10<sup>-5</sup>
  实施例2   54   1.2×10<sup>-5</sup>   4.0×10<sup>-5</sup>   2.0×10<sup>-5</sup>
  实施例3   53   1.1×10<sup>-5</sup>   4.2×10<sup>-5</sup>   2.1×10<sup>-5</sup>
  实施例4   53   1.2×10<sup>-5</sup>   4.1×10<sup>-5</sup>   2.2×10<sup>-5</sup>
  实施例5   53   1.2×10<sup>-5</sup>   4.3×10<sup>-5</sup>   2.1×10<sup>-5</sup>
  实施例6   53   1.3×10<sup>-5</sup>   4.3×10<sup>-5</sup>   2.3×10<sup>-5</sup>
  实施例7   53   1.4×10<sup>-5</sup>   4.4×10<sup>-5</sup>   2.2×10<sup>-5</sup>
  实施例8   53   1.4×10<sup>-5</sup>   4.4×10<sup>-5</sup>   2.6×10<sup>-5</sup>
  实施例9   53   1.3×10<sup>-5</sup>   4.5×10<sup>-5</sup>   2.6×10<sup>-5</sup>
  实施例10   53   1.5×10<sup>-5</sup>   4.4×10<sup>-5</sup>   2.5×10<sup>-5</sup>
  实施例11   53   1.4×10<sup>-5</sup>   4.3×10<sup>-5</sup>   2.7×10<sup>-5</sup>
  实施例12   53   1.4×10<sup>-5</sup>   4.4×10<sup>-5</sup>   2.2×10<sup>-5</sup>
  实施例13   53   1.3×10<sup>-5</sup>   4..3×10<sup>-5</sup>   2.3×10<sup>-5</sup>
  实施例14   53   1.4×10<sup>-5</sup>   4.3×10<sup>-5</sup>   2.7×10<sup>-5</sup>
  实施例15   53   1.4×10<sup>-5</sup>   4.4×10<sup>-5</sup>   2.2×10<sup>-5</sup>
  实施例16   53   1.3×10<sup>-5</sup>   4.3×10<sup>-5</sup>   2.3×10<sup>-5</sup>
  实施例17   53   1.5×10<sup>-5</sup>   4.4×10<sup>-5</sup>   2.5×10<sup>-5</sup>
  实施例18   54   1.6×10<sup>-5</sup>   4.6×10<sup>-5</sup>   2.7×10<sup>-5</sup>
  实施例19   53   1.6×10<sup>-5</sup>   4.5×10<sup>-5</sup>   2.8×10<sup>-5</sup>
  比较例1   51   4.4×10<sup>-4</sup>   ...   ...
  比较例2   45   4.9×10<sup>-4</sup>   ...   ...
  比较例3   48   4.8×10<sup>-4</sup>   ...   ...
  比较例4   51   4.4×10<sup>-4</sup>   ...   ...
  比较例5   47   7.6×10<sup>-4</sup>   ...   ...
  比较例6   46   8.7×10<sup>-4</sup>   ...   ...

Claims (10)

1.一种相变型光记录媒体，具有：配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，
上述第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与上述层间分离层接触的噪声缓和膜，
上述噪声缓和膜包含从由SiOx、SiOC、MgOx、Al2O3、Si-Al-O即莫来石、Yb2O3、Si3N4、BaF2、BiF3、CeF3、LaF3、NdF3、CeF3、PbF2、DyF2、GdF3、HoF3、NdF3、SrF2、ThF4、YbF3、YF3、AlF3、CaF2、MgF2、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、LiF、ThO2、La2O3、Gd2O3、Bi2O3、HfO2、Nd2O3、Sb2O3、Sc2O3、V2O5、Y2O3、AlN、CeO2、Ho2O3、In2O3、SnO2、Pr6O11、ZnO构成的组中选择的至少一种物质，其中1≤x≤2。
2.根据权利要求1所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
上述第一信息层及上述第二信息层都分别包含噪声缓和膜。
3.根据权利要求1所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
用SiOX或SiOC形成上述噪声缓和膜，其中1≤x≤2。
4.根据权利要求1所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
在噪声缓和膜的复数折射率为n-ik，厚度为d(nm)时，满足1.4≤n≤1.8，0≤k≤0.001，且20nm≤d≤120nm的条件。
5.根据权利要求1所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
上述相变型光记录膜，用一般式
GexSbyTez
表示时，具有在GeSbTe三元相图中，由x＝55，z＝45；x＝45，z＝55；x＝20，y＝20，z＝60；和x＝20，y＝28，z＝52这四点包围的范围内的组成，上述式中，x+y+z＝100。
6.根据权利要求5所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
上述相变型光记录膜中的构成元素的一部分用Bi和/或Sn置换，具有用下面的一般式表示的组成：
(GewSn(1-w))x(SbvBi(1-v))yTez
式中，x+y+z＝100，0≤w＜0.5，0≤v＜1.0。
7.根据权利要求1所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
上述相变型光记录膜，用一般式
GexBiyTez
表示时，具有在GeBiTe三元相图中，由x＝55，z＝45；x＝45，z＝55；x＝10，y＝28，z＝62；和x＝10，y＝36，z＝54这四点包围的范围内的组成，上述式中，x+y+z＝100。
8.根据权利要求1所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
从靠近光入射侧的位置看，上述第一信息层包含下部电介质膜、相变型光记录膜、上部电介质膜、半透明反射膜，从靠近光入射侧的位置看，上述第二信息层包含下部电介质膜、相变型光记录膜、上部电介质膜、全反射膜。
9.根据权利要求8所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
上述第一及第二信息层，在下部电介质膜和相变型光记录膜之间、以及在相变型光记录膜和上部电介质膜之间这两处中的至少一处有界面膜。
10.根据权利要求9所述的相变型光记录媒体，其特征在于：
上述界面膜从由HfO2、GeN、Si-C、以及Si-N构成的组中选择。
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