CH695408A5 - Dispositif de puissance à semi-conducteur. - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N NPNP Chemical compound NPNP VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 208000033641 Ring chromosome 5 syndrome Diseases 0.000 description 12
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
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Description
CH 695 408 A5
Description
Arrière-plan de l'invention
[0001] Domaine de l'invention
La présente invention concerne un dispositif de puissance à semi-conducteur qui peut être appliqué à, par exemple, un thyristor, un IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) ou similaires.
[0002] Description de l'art antérieur
Dans une structure de type général d'un thyristor à blocage inverse, habituellement, une région d'électrode ano-dique d'un second type de conductibilité est formée dans une surface inférieure d'un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductibilité.
[0003] Les deux parties de surface latérale du substrat semi-conducteur ont une structure mésa. Une extrémité de surface latérale inférieure du substrat semi-conducteur, cependant, comporte une partie qui est sensiblement verticale à la surface inférieure (appelée ci-après « partie verticale ») afin d'empêcher qu'il se produise une rupture lors de la fabrication ou similaire. En d'autres termes, dans un intervalle prédéterminé à partir de la surface inférieure du substrat semiconducteur, la partie de surface latérale du substrat semi-conducteur est la partie verticale et la partie verticale est reliée à une partie mésa au-dessus d'elle.
[0004] En section transversale, la région d'électrode anodique est formée entièrement dans la surface inférieure du substrat semi-conducteur. En outre, la longueur (hauteur) de diffusion des impuretés de la région d'électrode anodique atteint la partie mésa formée au-dessus de la partie verticale afin de relaxer un champ électrique au niveau de la partie mésa du substrat semi-conducteur lors de l'application d'une tension inverse.
[0005] Une technique relative à la structure classique précitée est décrite dans la gazette de publication des demandes de brevet japonais n° 10-190012 (Document de brevet 1).
[0006] Comme commenté ci-dessus, un thyristor nécessite une partie verticale d'environ 40 à 50 |jm (microns) à l'extrémité de surface latérale inférieure du substrat semi-conducteur, afin d'éviter une rupture. De plus, pour relaxer un champ électrique au niveau de la partie mésa sur la partie de surface latérale du substrat semi-conducteur et fournir au thyristor une tension de claquage de tension inverse lors de l'application d'une tension inverse, il est nécessaire que la longueur (hauteur) de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique atteigne la partie mésa au-dessus de la partie verticale.
[0007] Pour la raison précitée, dans la structure classique, la longueur (hauteur) de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique est très longue (haute) (au moins 50 pm ou plus).
[0008] Ainsi, à mesure que la longueur (hauteur) de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique devient plus longue (plus haute), l'amplitude d'un courant inverse lors de la coupure augmente (en d'autres termes, la perte de récupération augmente). Si un système prédéterminé supporte le thyristor avec une importante perte de récupération, l'efficacité de l'ensemble du système devient faible.
Exposé sommaire de l'invention
[0009] Un but de la présente invention est de proposer un dispositif de puissance à semi-conducteur qui rende la longueur de diffusion d'impuretés d'une région d'électrode anodique plus petite afin d'assurer une réduction de la perte de récupération.
[0010] La présente invention vise un dispositif de puissance à semi-conducteur. Selon un premier aspect de l'invention, le dispositif de puissance à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur, une région d'électrode de commande, une première région d'électrode principale et une seconde région d'électrode principale et un anneau de garde. Le substrat semi-conducteur est d'un premier type de conductibilité. Le substrat semi-conducteur comporte en outre une partie de surface latérale ayant une partie verticale formée sensiblement verticalement par rapport à une surface principale et une partie mésa reliée à la partie verticale en section transversale. La région d'électrode de commande est d'un second type de conductibilité. La région d'électrode de commande est formée dans une première surface principale du substrat semi-conducteur. La première région d'électrode principale est d'un premier type de conductibilité. La première région d'électrode principale est formée dans une partie de la surface de la région d'électrode de commande. La seconde région d'électrode principale est d'un second type de conductibilité. La seconde région d'électrode principale est formée dans une seconde surface principale du substrat semi-conducteur qui est opposée à la première surface principale. Lanneau de garde a une forme circulaire et entoure la seconde région d'électrode principale. Lanneau de garde est formé dans la seconde surface principale du substrat semi-conducteur.
[0011] Le dispositif de puissance à semi-conducteur de la présente invention peut supprimer la nécessité pour la partie mésa de remplir la fonction de relaxer le champ électrique (ou bien il peut réduire le degré de dépendance à la partie mésa pour la fonction de relaxation de champ) lors de l'application d'une tension inverse. En conséquence, il est possible de fixer la longueur de diffusion des impuretés de la seconde région d'électrode principale à une valeur inférieure à la hauteur de la partie verticale. Ainsi, comme la longueur de diffusion des impuretés de la seconde région d'électrode principale peut être diminuée (amincie), il est possible de réduire le courant inverse lors de la coupure. Par conséquent, en équipant un système d'un dispositif de puissance à semi-conducteur du premier aspect de l'invention, il est possible d'augmenter l'efficacité de l'ensemble du système.
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[0012] Ces buts et d'autres buts, caractéristiques, aspects et avantages de la présente invention ressortiront de la description détaillée suivante de la présente invention qui se réfère aux dessins annexés.
Brève description des dessins
[0013]
- La fig. 1 est une section transversale représentant la structure d'un dispositif de puissance à semi-conducteur suivant un premier mode de réalisation préféré;
- les fig. 2 à 5 sont des sections transversales relatives au procédé servant à expliquer le procédé de fabrication du dispositif de puissance à semi-conducteur suivant le premier mode de réalisation préféré;
- la fig. 6 est un diagramme représentant l'effet du dispositif de puissance à semi-conducteur suivant le premier mode de réalisation préféré;
- la fig. 7 est une section transversale représentant le dispositif de puissance à semi-conducteur dans un état où les extrémités d'une couche d'appauvrissement n'atteignent pas une structure mésa lors de l'application d'une tension inverse;
- la fig. 8 est une section transversale représentant le dispositif de puissance à semi-conducteur dans un état où les extrémités de la couche d'appauvrissement atteignent la structure mésa lors de l'application d'une tension inverse;
- la fig. 9 est une section transversale représentant une structure d'un dispositif de puissance à semi-conducteur suivant un second mode de réalisation préféré;
- la fig. 10 est une section transversale représentant le cas où la largeur de section de la région d'électrode anodique est relativement grande;
- la fig. 11 est une section transversale représentant le cas où la largeur de section de la région d'électrode anodique est relativement petite;
- la fig. 12 est une section transversale représentant une structure d'un dispositif de puissance à semi-conducteur suivant un troisième mode de réalisation préféré;
-la fig. 13 est une section transversale représentant une autre structure d'un dispositif de puissance à semiconducteur suivant le troisième mode de réalisation préféré.
Description des modes de réalisation préférés
[0014] Dans ce qui suit, la présente invention va être commentée en détail, en se référant aux figures représentant les modes de réalisation préférés.
[0015] Premier mode de réalisation préféré
La fig. 1 est une section transversale représentant la structure d'un dispositif de puissance à semi-conducteur suivant le premier mode de réalisation préféré de la présente invention. Les commentaires vont être faits ci-dessous sur la base d'un thyristor (en particulier, un thyristor de type NPNP), cependant, la présente invention peut être appliquée à un transistor de puissance tel qu'un IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) ou similaire.
[0016] La fig. 1 représente un substrat semi-conducteur 1 de type N (premier type de conductibilité). Une partie de surface latérale du substrat semi-conducteur 1 a la forme suivante en section transversale. Précisément, la partie de surface latérale du substrat semi-conducteur 1 a une partie verticale 1a formée sensiblement verticalement par rapport à la surface principale et une partie mésa 1b reliée à la partie verticale 1a.
[0017] En d'autres termes, comme représenté sur la fig. 1, la partie de surface latérale a la partie verticale 1a formée sensiblement verticalement par rapport à la surface principale et la partie mésa 1 b constituée de parties inclinées formées sur une surface latérale de la partie verticale 1a en section transversale.
[0018] En outre, comme représenté sur la fig. 1, une région d'électrode grille (région d'électrode de commande) 2 est formée dans une première surface principale 1c (comprenant une partie faisant saillie depuis la première surface principale) du substrat semi-conducteur 1. Cette figure représente une région d'électrode grille de type P (second type de conductibilité).
[0019] En d'autres termes, comme représenté sur la fig. 1, la région d'électrode grille 2 est formée dans une partie de la première surface principale 1c.
[0020] En outre, chaque région d'électrode cathodique 3 (première région d'électrode principale) est formée dans une partie de la surface de la région d'électrode grille 2 (une région d'électrode grille 2 faisant saillie sur la fig. 1). Cette figure représente une région d'électrode cathodique 3 de type N (premier type de conductibilité).
[0021] En d'autres termes, comme représenté sur la fig. 1, la région d'électrode cathodique 3 est formée dans la première surface principale 1c du substrat semi-conducteur 1.
[0022] En outre, comme représenté sur la fig. 1, une région d'électrode anodique 4 (seconde région d'électrode principale) est formée dans une seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1. Cette figure représente une région d'électrode anodique 4 de type P (second type de conductibilité).
[0023] En d'autres termes, comme représenté sur la fig. 1, la région d'électrode anodique 4 est formée dans la seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1 qui est opposée à la première surface principale 1c.
[0024] En outre, dans la seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1, une anneau de garde annulaire 5 est formé, entourant la région d'électrode anodique 4. Bien qu'une pluralité d'anneaux de garde 5 soit formée sur la fig. 1, il peut y avoir un cas où un seul anneau de garde 5 est formé.
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[0025] Ensuite, un procédé de fabrication du dispositif de puissance à semi-conducteur (thyristor) suivant le premier mode de réalisation préféré va être commenté, en se référant aux sections transversales relatives au procédé.
[0026] D'abord, on prépare le substrat semi-conducteur 1 de type N. Ensuite, du bore est implanté dans la première surface principale 1c du substrat semi-conducteur 1. Grâce à cette implantation, comme représenté sur la fig. 2, la région d'électrode grille 2 ayant une profondeur prédéterminée est formée dans la première surface principale 1c du substrat semi-conducteur 1.
[0027] Ensuite, du phosphore est implanté dans une région prédéterminée de la région d'électrode grille 2. Grâce à cette implantation, comme représenté sur la fig. 3, les régions d'électrode cathodique 3 ayant chacune une profondeur prédéterminée sont formées dans une région prédéterminée d'une surface de la région d'électrode grille 2.
[0028] Ensuite, du bore est implanté dans une région prédéterminée de la seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1. Grâce à cette implantation, comme représenté sur la fig. 4, la région d'électrode anodique 4 ayant une profondeur prédéterminée est formée dans une région prédéterminée de la seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1. En outre, une pluralité d'anneaux de garde 5 sont ainsi formés dans la seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1 de façon à entourer circulairement la région d'électrode anodique 4.
[0029] La formation de la région d'électrode anodique 4 et de celle des anneaux de garde 5 peut être réalisée en plusieurs étapes de procédé.
[0030] En formant la région d'électrode anodique 4 et les anneaux de garde 5 en même temps, cependant, le procédé de fabrication peut être simplifié. Ainsi, si la région d'électrode anodique 4 et les anneaux de garde 5 sont formés en même temps, la longueur de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique 4 et celle de l'anneau de garde 5 deviennent presque égales l'une à l'autre.
[0031] En outre, la longueur de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique 4 est suffisamment inférieure à la hauteur de la partie verticale 1a. Par exemple, la hauteur de la partie verticale 1a est de 40 à 50 pm et la longueur de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique 4 est d'environ 10 pm.
[0032] Ensuite, une gravure est effectuée sur une partie de la région d'électrode grille 2 de façon à ce qu'une région fasse saillie là où la région d'électrode cathodique 3 est formée. Par cette gravure, la région d'électrode grille 2 ayant une forme comme représenté sur la fig. 5 est formée.
[0033] Après cela, la partie de surface latérale du substrat semi-conducteur 1 est usinée en une forme prédéterminée de façon à laisser la partie verticale 1a à l'extrémité de surface latérale. En outre, pour lisser la surface usinée, une gravure est réalisée sur la surface usinée. Avec cette gravure, comme représenté sur la fig. 1, le dispositif de puissance à semi-conducteur (thyristor de type NPNP) ayant la structure mésa suivant le premier mode de réalisation préféré est achevé.
[0034] Ainsi, dans le dispositif de puissance à semi-conducteur du premier mode de réalisation préféré, les anneaux de garde 5 sont formés autour de la région d'électrode anodique 4. Ceci élimine la nécessité pour la partie mésa 1b de remplir la fonction de relaxation du champ électrique (ce champ électrique devient plus important à l'interface entre le substrat semi-conducteur 1 et la région d'électrode anodique 4) (ou réduit en outre la fonction de relaxation du champ dépendant de la partie mésa 1b) lors de l'application de la tension inverse (précisément, lors de l'application d'une tension négative à la région d'électrode anodique 4 et de l'application d'une tension positive à la région d'électrode cathodique 3). En d'autre termes, les anneaux de garde 5 remplissent la fonction de relaxation du champ électrique. Par conséquent, il devient possible de régler la longueur de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique 4 à une valeur inférieure à la hauteur de la partie verticale 1a.
[0035] Ainsi, comme la longueur de diffusion d'impuretés de la région d'électrode anodique 4 peut être rendue plus petite (plus mince), il est possible de réduire le courant inverse lors de la coupure, comme représenté sur la fig. 6.
[0036] Sur la fig. 6, l'axe vertical représente une valeur de courant et l'axe horizontal représente le temps. La ligne en pointillés indique la variation du courant inverse depuis l'état de conduction jusqu'à la coupure (caractéristique de récupération inverse) avec un dispositif de puissance à semi-conducteur de l'art antérieur. La ligne continue indique la variation du courant inverse depuis l'état de conduction jusqu'à la coupure (caractéristique de récupération inverse) du dispositif de puissance à semi-conducteur du mode de réalisation préféré. Comme on le voit clairement sur la fig. 6, la valeur de courant inverse maximale est inférieure dans le premier mode de réalisation de la présente invention.
[0037] Ainsi, en équipant un système prédéterminé avec le dispositif de puissance à semi-conducteur du premier mode de réalisation, il est possible d'augmenter l'efficacité de l'ensemble du système. Par exemple, en utilisant le dispositif de puissance à semi-conducteur du premier mode de réalisation, il est possible de réduire la perte de récupération d'environ 20% par rapport au cas où on utilise le dispositif de puissance à semi-conducteur de l'art antérieur.
[0038] En outre, comme représenté sur la fig. 1, la longueur de diffusion d'impuretés de la région d'électrode grille 2 est plus grande que la hauteur de la partie verticale 1a. Par conséquent, le champ électrique (ce champ électrique devient plus important à l'interface entre le substrat semi-conducteur 1 et la région d'électrode grille 2) lors de l'application d'une tension directe (précisément, lors de l'application d'une tension positive à la région d'électrode anodique 4 et lors de l'application d'une tension négative à la région d'électrode cathodique 3) est relaxé par la partie mésa 1 b.
[0039] Le champ électrique lors de l'application de la tension inverse peut être relaxé seulement par les anneaux de garde 5 (en d'autre termes, il est possible de résister à la tension inverse seulement avec les anneaux de garde 5). La fig. 7 représente cette relaxation de champ. Comme représenté sur la fig. 7, les extrémités d'une couche
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d'appauvrissement 11 n'atteignent que les anneaux de garde 5 et n'atteignent pas la partie mésa 1b. Ceci signifie que le champ électrique lors de l'application de la tension inverse n'atteint pas la partie mésa 1b.
[0040] Dans le cas ci-dessus où le champ électrique lors de l'application de la tension inverse est relaxé seulement par les anneaux de garde 5, il est possible d'éviter la génération d'un courant de fuite superficiel qui est produit au niveau de la partie mésa 1b lors de l'application de la tension inverse. Ainsi, il est possible de réduire le courant de fuite généré lors de l'application de la tension inverse sur l'ensemble du dispositif de puissance à semi-conducteur.
[0041] Par ailleurs, il est aussi possible de relaxer le champ électrique lors de l'application de la tension inverse au moyen des anneaux de garde 5 et de la partie mésa 1b (en d'autres termes, il est possible de résister à la tension inverse avec les anneaux de garde 5 et la partie mésa 1b). La fig. 8 représente cette relaxation de champ. Comme représenté sur la fig. 8, les extrémités d'une couche d'appauvrissement 12 atteignent la partie mésa 1b. Ceci signifie que le champ électrique lors de l'application de la tension inverse atteint la partie mésa 1b. Ainsi, le champ électrique lors de l'application de la tension inverse, est soulagé par les anneaux de garde 5 et la partie mésa 1b.
[0042] Les couches d'appauvrissement (déplétion) 11 et 12 représentées sur les fig. 7 et 8 peuvent être choisies en choisissant le nombre d'anneaux de garde 5, l'intervalle des anneaux de garde 5, la concentration des anneaux de garde 5, la hauteur des anneaux de garde 5 et l'angle d'inclinaison de la partie mésa 1b, et similaires. Par exemple, l'augmentation du nombre d'anneaux de garde 5 produit une tendance à former la couche d'appauvrissement 11 représentée sur la fig. 7.
[0043] Par conséquent, dans le cas d'une formation de la couche d'appauvrissement 12 représentée sur la couche 8, comme un nombre relativement petit d'anneaux de garde 5 est nécessaire, il est possible de réduire la surface de l'ensemble du dispositif de puissance à semi-conducteur en vue de dessus.
[0044] En outre, à mesure que la profondeur de l'anneau de garde 5 augmente ou que la concentration de l'anneau de garde 5 diminue, la couche d'appauvrissement est plus susceptible d'avoir une forme atteignant seulement l'anneau de garde 5, au lieu d'une forme atteignant l'anneau de garde 5 et la partie mésa 1 b.
[0045] Second mode de réalisation préféré
Le trait caractéristique du dispositif de puissance à semi-conducteur du second mode de réalisation préféré réside dans la largeur de la section de la région d'électrode anodique 4. La fig. 9 est une section transversale représentant la structure d'un dispositif de puissance à semi-conducteur suivant le second mode de réalisation préféré.
[0046] Comme représenté sur la fig. 9, une pluralité de régions d'électrode cathodique 3 (trois sur cette figure) est formée le long de la direction horizontale de cette figure en section transversale. Ici, les deux régions d'électrode cathodique les plus externes 3L et 3R sont précisées dans cette section transversale.
[0047] Une extrémité extérieure de la région d'électrode cathodique 3L (la plus à gauche sur cette figure) et une extrémité de la région d'électrode anodique 4 sont sensiblement coïncidentes l'une avec l'autre en vue de dessus. En d'autres termes, comme représenté sur la fig. 9, l'une des extrémités de la région d'électrode anodique 4 est positionnée verticalement sous (dans une direction vers le bas de cette figure) l'extrémité extérieure de la région d'électrode cathodique 3L (voir la ligne en pointillés à gauche sur la fig. 9).
[0048] Une extrémité extérieure de la région d'électrode cathodique 3R (la plus à droite sur cette figure) et l'autre extrémité de la région d'électrode anodique 4 sont sensiblement coïncidentes l'une avec l'autre en vue de dessus. En d'autres termes, comme représenté sur la fig. 9, l'autre extrémité de la région d'électrode anodique 4 est positionnée verticalement sous (dans la direction vers la bas de cette figure) l'extrémité extérieure de la région d'électrode cathodique 3R (voir la ligne en pointillés à droite sur la fig. 9).
[0049] Comme représenté sur la fig. 10, cependant, si la largeur de section de la région d'électrode anodique 4 est plus grande que la largeur représentée sur la fig. 9, la perte de récupération augmente. D'autre part, comme représenté sur la fig. 11, si la largeur de section de la région d'électrode anodique 4 est plus petite que la largeur représentée sur la fig. 9, la zone contribuant à l'énergisation diminue. Il en résulte que la surface inefficace du dispositif de puissance à semiconducteur augmente.
[0050] C'est pourquoi, avec une largeur de section de la région d'électrode anodique 4 comme représenté sur la fig. 9, il est possible d'éviter une augmentation de la perte de récupération et une augmentation de la surface inefficace.
[0051] Troisième mode de réalisation préféré
La fig. 12 est une section transversale agrandie représentant la structure latérale inférieure d'un dispositif de puissance à semi-conducteur suivant le troisième mode de réalisation.
[0052] Comme représenté sur la fig. 12, l'anneau de garde 5 le plus extérieur est formé à l'extrémité de la seconde surface principale 1d du substrat semi-conducteur 1. En d'autres termes, l'anneau de garde 5 le plus extérieur est relié à la partie verticale 1 a.
[0053] En formant les anneaux de garde 5 comme expliqué ci-dessus, il est possible d'éviter la concentration du champ électrique lors de l'application de la tension inverse sur la partie verticale 1a.
[0054] La fig. 12 représente le cas où la longueur de diffusion d'impuretés de l'anneau de garde 5 est inférieure à la hauteur de la partie verticale 1 a du substrat semi-conducteur 1.
[0055] Ici, comme représenté sur la fig. 13, la longueur de diffusion d'impuretés de l'anneau de garde 5 peut être supérieure à la hauteur de la partie verticale 1a du substrat semi-conducteur 1. En d'autres termes, la longueur de diffusion de l'anneau de garde le plus extérieur 5 peut atteindre la partie mésa 1b. Dans ce cas, l'anneau de garde le plus exté5
CH 695 408 A5
rieur 5 est relié à la partie verticale 1a et à la partie mésa 1b.
[0056] En utilisant la structure d'anneau de garde telle que représentée sur la fig. 13, le champ électrique lors de l'application de la tension inverse atteint la partie mésa 1b. Par conséquent, le champ électrique peut être relaxé par la partie mésa 1b et il est possible d'améliorer davantage la relaxation du champ au niveau de la surface latérale du substrat semi-conducteur 1.
[0057] L'invention vient d'être représentée et décrite en détail mais ceci n'a été fait qu'à titre illustratif et non à titre restrictif. Il doit par conséquent être entendu que de nombreuses modifications et variations peuvent être envisagées sans s'éloigner du cadre de l'invention.
Claims (5)
1. Dispositif de puissance à semi-conducteur, comprenant:
un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductibilité, ayant une partie de surface latérale qui comporte une partie verticale (1a) formée de façon sensiblement verticale par rapport à une surface principale et une partie mésa (1b) réliée à ladite partie verticale en section transversale;
une région d'électrode de commande (2) d'un second type de conductibilité, formée dans une première surface principale (1c) dudit substrat semi-conducteur (1);
une première région d'électrode principale (3) dudit premier type de conductibilité, formée dans une partie de la surface de ladite région d'électrode de commande (2);
une seconde région d'électrode principale (4) dudit second type de conductibilité, formée dans une seconde surface principale (1 d) dudit substrat semi-conducteur (1) qui est opposée à ladite première surface principale (1c); et un anneau de garde circulaire (5) formé dans ladite seconde surface principale (1d) dudit substrat semi-conducteur (1) et entourant ladite seconde région d'électrode principale (4).
2. Dispositif de puissance à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel une pluralité de ladite première région d'électrode principale (3) est agencée horizontalement en section transversale; et parmi deux desdites premières régions d'électrode principale (3) qui sont agencées le plus à l'extérieur dans ladite section transversale,
l'une (3L) desdites premières régions d'électrode principale (3) a une extrémité extérieure qui est sensiblement coïncidente avec une extrémité de ladite seconde région d'électrode principale (4) en vue de dessus; et l'autre (3R) desdites premières régions d'électrode principale (3) a une extrémité extérieure qui est sensiblement coïncidente avec l'autre extrémité de ladite seconde région d'électrode principale (4) en vue de dessus.
3. Dispositif de puissance à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit anneau de garde (5) est formé à une extrémité de ladite seconde surface principale (1d).
4. Dispositif de puissance à semi-conducteur selon la revendication 3, dans lequel la hauteur dudit anneau de garde (5) atteint ladite partie mésa (1b).
5. Dispositif de puissance à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la hauteur de ladite seconde région d'électrode principale (4) et celle dudit anneau de garde (5) sont sensiblement égales l'une à l'autre.
6
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005003653A JP4936670B2 (ja) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH695408A5 true CH695408A5 (fr) | 2006-04-28 |
Family
ID=36178983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH01462/05A CH695408A5 (fr) | 2005-01-11 | 2005-09-07 | Dispositif de puissance à semi-conducteur. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7244969B2 (fr) |
| JP (1) | JP4936670B2 (fr) |
| KR (1) | KR100670212B1 (fr) |
| CN (1) | CN100479186C (fr) |
| CH (1) | CH695408A5 (fr) |
| DE (1) | DE102005035732B4 (fr) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011103230B4 (de) * | 2010-09-27 | 2021-11-25 | Abb Schweiz Ag | Non-Punch-Through-Bipolarleistungshalbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterbauelements |
| EP3113219B1 (fr) * | 2015-06-30 | 2020-03-11 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Composant semi-conducteur et procede de sa fabrication |
| JP2018044811A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社村田製作所 | ピエゾ抵抗型センサ |
| CN111834451B (zh) * | 2019-04-23 | 2023-04-07 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种逆阻型门极换流晶闸管及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126968A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS61108170A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 電力半導体装置に２重正ベベル溝を形成する方法 |
| JP2755761B2 (ja) * | 1990-01-26 | 1998-05-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPH05343662A (ja) | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0888351A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-02 | Meidensha Corp | ゲートターンオフサイリスタ |
| JP3789580B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2006-06-28 | 関西電力株式会社 | 高耐圧半導体装置 |
| WO2000065661A1 (fr) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif semi-conducteur |
-
2005
- 2005-01-11 JP JP2005003653A patent/JP4936670B2/ja active Active
- 2005-07-29 CN CNB2005100882262A patent/CN100479186C/zh active Active
- 2005-07-29 DE DE102005035732A patent/DE102005035732B4/de active Active
- 2005-08-02 US US11/194,593 patent/US7244969B2/en active Active
- 2005-09-07 CH CH01462/05A patent/CH695408A5/fr not_active IP Right Cessation
- 2005-11-14 KR KR1020050108416A patent/KR100670212B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100479186C (zh) | 2009-04-15 |
| US20060151805A1 (en) | 2006-07-13 |
| KR100670212B1 (ko) | 2007-01-16 |
| CN1805150A (zh) | 2006-07-19 |
| US7244969B2 (en) | 2007-07-17 |
| JP2006196502A (ja) | 2006-07-27 |
| DE102005035732B4 (de) | 2008-06-19 |
| DE102005035732A1 (de) | 2006-07-20 |
| JP4936670B2 (ja) | 2012-05-23 |
| KR20060082023A (ko) | 2006-07-14 |
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|
| PL | Patent ceased |