CH624508A5 - - Google Patents

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CH624508A5
CH624508A5 CH1406777A CH1406777A CH624508A5 CH 624508 A5 CH624508 A5 CH 624508A5 CH 1406777 A CH1406777 A CH 1406777A CH 1406777 A CH1406777 A CH 1406777A CH 624508 A5 CH624508 A5 CH 624508A5
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Hans-Joachim Dr Ing Heyke
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Licentia Gmbh
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Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Regelung der Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers für ein Nachrichtenübertragungssystem mit einer Lichtleitfaser, bei dem ein Teil der Laserleistung mittels Fotodioden abgegriffen und - gegebenenfalls nach entsprechender Verstärkung - zur Regelung des Laserstromes benutzt wird.
Aufgrund von Temperatureinflüssen und Alterungsvorgängen bei einem Halbleiterlaser ist es notwendig, dessen Strom nachzuregeln, um eine konstante Ausgangsleistung zu erhalten. Bisher hat man hierfür die an die Rückseite des Lasers austretende Lichtleistung verwendet, da diese ohnehin für die Signalübertragung nicht benutzt werden kann. In der Fig. 1 ist eine entsprechende Schaltung hierfür dargestellt. Die zur Übertragung des Nachrichtensignals S1 über eine Lichtleitfaserstrecke F erforderliche Energie wird von einer Laserdiode LD aufgebracht Die bereits erwähnte rückwärtige Strahlung S3 dieser Laserdiode wird mittels einer Fotodiode FD aufgefangen und über einen Regler R und gegebenenfalls über eine nachgeschaltete Verstärkerstufe T dazu benutzt, um den Strom der Laserdiode LD so zu beeinflussen, dass deren ausgangssei-tige Strahlung S4 zur Lichtleiterfaserstrecke hin konstant gehalten wird. Mit S2 ist bei der dargestellten Schaltung das elektrische Signal bezeichnet, welches der Treiberstufe T zugeführt wird, um die gewünschte Ausgangsleistung des Lasers einzustellen.
Durch Defekte auf den Spiegel, die auf beiden Seiten des Lasers unterschiedlich sein können und durch Defekte im Innern des Lasers kommt es vor, dass die auf der Rückseite des Lasers abgegriffene Leistung der abgestellten Nutzleistung des Lasers zur Lichtleitfaser F hin nicht proportional ist. Dies bedeutet aber, dass die oben beschriebene Regelung unwirksam wird.
Die Erfindung hat sich deshalb die Aufgabe gestellt, eine Regelung aufzuzeigen, welche von den genannten Defekten unabhängig ist.
Erfindungsgemäss wird hierfür vorgeschlagen, eine Fotodiode, welche für die übertragenden Lichtfrequenzen der Faserstrecke transparent ist, direkt in die Faser einzufügen und den so gewonnen Fotostrom zur Regelung auszunutzen.
Ein Ausführungsbeispiel ist in der Fig. 2 aufgezeigt. Die Lichtleitfaserstrecke besteht aus zwei Faserstücken Fl und F2, zwischen denen eine transparente Dünnschicht-Fotodiode FD eingefügt ist. Mit S1 ist das zu übertragende optimale Signal bezeichnet, mit S4 die von der Laserdiode LD ausgehende Nutzstrahlung, welche in das Lichtleitfaserstück Fl eingekoppelt wird. Die Fotodiode FD ist mit einem Regler R verbunden, der seinereits über die verstärkende Treiberstufe T mit der Laserdiode LD so verbunden ist, dass der über die Fotodiode FD gewonnene Regelstrom je nach der Grösse des auf die Treiberstufe T gegebenen elektrischen Signales S2 die Ausgangsleistung der Laserdiode auf einen bestimmten Wert einregelt.
Die Fotodiode FD mit den beiden anschliessenden Lichtleitfaserstücken Fl, F2 wird entsprechend justiert und zu einer Baueinheit zusammengefasst. In der Fig. 3 wird dies so verwirklicht, dass die Fotodiode FD auf einer Glasplatte PL aufgebaut ist, auf deren Ober- bzw. Unterseite je ein ringförmiger fluchtender Kontakt der Diode aufgebracht ist. Die erwähnte Glasplatte ist innerhalb der ringförmigen Kontakte durchbohrt, so dass ein Ende eines Lichtleitfaserstückes in diese Bohrung B eingeführt und mit seiner Stirnseite mit der Fotodiode FD verbunden werden kann. Diese Lichtleitfaser ist in der Fig. 3 mit F2 bezeichnet, ihr zugehöriger Mantel mit M. Auf der anderen Seite der Fotodiode FD wird in gleicher Weise das Lichtleitfaserstück Fl nach entsprechender Justierung optisch mit der Fotodiode verbunden. Auf der Glasplatte ist zur Kontaktierung der Fotodiode eine Streifenleitung St aufgetragen, deren eine Leitung direkt mit dem einen ringförmigen Kontakt der Fotodiode in Verbindung steht, während die andere Leitung über den Draht L mit dem anderen ringförmigen Kontakt der Fotodiode verbunden ist. Die der Fotodiode abgewandten Enden der Streifenleitung führen zu zwei Anschlusspunkten a und b, die über das in der Fig. 3 als V bezeichnete Bauteil hinausragen. Dieses Bauteil V stellt einen vorzugsweise aus Giessharz gebildeten Block dar, der die einzelenen Elemente zu einer mechanisch kompakten Baueinheit vereinigt.
Die Dünnschicht-Fotodiode FD ist in der Fig. 4 in schemati-schem Querschnitt dargestellt. Sie ist eine PIN-Fotodiode, die ein Mesaprofil aufweist. Auf ihrer Oberseite ist ein ringförmiger Goldkontakt Kl aufgebracht und auf ihrer Unterseite ein weiterer etwas grösserer ringförmiger Goldkontakt K2. Die so gebildete Öffnung der einzelenen Kontakte sind mit Ol bzw. 02 bezeichnet Bei einem praktisch ausgeführten Beispiel einer solchen Dünnschicht-Diode betrug die Stärke des Diodenkörpers ungefähr 3 (im, bei einem Durchmesser der grossen untern Öffnung Ol von ungefähr 85 um.
In Fig. 5/6 ist im oberen Teil der ringförmige Kontakt Kl der Fotodiode dargestellt. Auf der Glasplatte PL ist der zur Kontaktierung mit dem auf dieser Seite der Platte befindliche Teil ST der Streifenleitung mit einem angeschweissten Leitungsdraht L verbunden. Der untere Diodenkontakt ist durch eine Durchkontaktierung mit dem zweiten unterhalb der Platte angebrachten Teil der Streifenleitung ST verbunden, wie dies dem unteren Teil der Zeichnung zu entnehmen ist Mit a und b sind die Anschlusspunkte der Streifenleitung ST bezeichnet. B ist die in der Glasplatte PL angebrachte Bohrung, durch die das Ende des einen Lichtleitfaserstückes hindurchgeschoben und mit der Fotodiode optisch verbunden wird.
Um unerwünschte Reflexionen zu vermeiden, wird die
2
5
10
15
20
25
30
J5
40
45
%
55
bO
b5
Fotodiode FD in an sich bekannter Weise vergütet, das heisst ihre optisch wirksamen Oberflächen werden mit einem Antire-flexbelag versehen, der für die störende Frequenz eine y/4-Lei-tung dargestellt. Eine gemäss der Erfindung aufgebaute Anord3 624508
nung ergab durch die Fotodiode eine Auskoppeldämpfung von ungefähr 1 dB, wobei die Diode ungefähr 10% der Lasernutzleistung absorbierte und ein von Defekten des Lasers unabhängige Regelspannung lieferte.
G
1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

624508 PATENTANSPRÜCHE
1. Anordnung zur Regelung der Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers für ein Nachrichtenübertragungssystem mit einer Lichtleitfaser, bei der ein Teil der Laserleistung mittels Fotodiode abgegriffen und zur Regelung des Laserstromes benutzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Fotodiode als für die zu übertragende Lichtfrequenz transparente Dünnschicht-Fotodiode ausgebildet und in die der Signalübertragung dienende Lichtleitfaser eingefügt ist.
2. Anordnung nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Fotodiode mit den anschliessenden Lichtleitfaserstücken justiert und zu einer Baueinheit vereinigt ist.
3. Anordnung nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Fotodiode derart auf einer Glasplatte aufgebaut ist, dass auf deren Ober- bzw. Unterseite je ein ringförmiger, fluchtender Kontakt aufgebracht ist und dass die Platte innerhalb dieser Kontakte durchbohrt ist, wobei ein Ende eines der beiden Lichtleitfaserstücke durch diese Bohrung hindurchgesteckt und stirnseitig optisch mit der einen transparenten Oberfläche der Fotodiode verbunden ist, während das Ende des anderen Lichtleitfaserstückes auf der anderen transparenten Oberfläche angekoppelt ist.
4. Anordnung nach Patentanspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass zum Anschluss der Fotodiode an die Regelschaltung auf den beiden Oberflächen der Glasplatte Leiterzüge vorgesehen sind, die eine Streifenleitung bilden und die mit den ringförmigen Kontakten der Fotodiode verbunden sind.
5. Anordnung nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Fotodiode eine PIN-Fotodiode Verwendung findet mit einem Mesaprofil.
6. Anordnung nach Patentanspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Fotodiode mit einem Antireflexionsbelag beschichtet ist.
CH1406777A 1976-11-19 1977-11-17 CH624508A5 (de)

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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7802231A (nl) * 1978-03-01 1979-09-04 Tekade Felten & Guilleaume Contrastekker met een lichtdetektor voor een losneemba- re stekkerverbinding voor het koppelen van een lichtge- leidende vezel aan een halfgeleiderlichtbron.
US4292512A (en) * 1978-06-19 1981-09-29 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical monitoring photodiode system
IT1160592B (it) * 1978-08-16 1987-03-11 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento e sistema di controllo dell'efficienza di un dispositivo elettronico
JPS5555591A (en) * 1978-10-19 1980-04-23 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> Semiconductor light amplifier
US4270135A (en) * 1979-12-12 1981-05-26 Westinghouse Electric Corp. High-frequency phototransistor operated with multiple light sources
FR2476945A1 (fr) * 1980-02-22 1981-08-28 Lignes Telegraph Telephon Dispositif de regulation automatique de puissance de sortie d'un module emetteur pour systeme de transmission sur fibre optique
JPS57190384A (en) * 1981-05-20 1982-11-22 Toshiba Corp Wavelength sweeping laser
US4443107A (en) * 1981-08-03 1984-04-17 Alexander David H Optical displacement sensor
EP0099418A1 (de) * 1982-07-21 1984-02-01 ANT Nachrichtentechnik GmbH Verfahren zum Regeln des Ausgangssignals eines optischen Senders, der an einem Hin- und Rücksignale führenden Lichtwellenleiter angekoppelt ist
DE3232508A1 (de) * 1982-09-01 1984-03-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anordnung zur ermittlung der intensitaet der lichtausstrahlung einer lichtemittierenden diode
US4493113A (en) * 1982-09-10 1985-01-08 At&T Bell Laboratories Bidirectional fiber optic transmission systems and photodiodes for use in such systems
US4577209A (en) * 1982-09-10 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Photodiodes having a hole extending therethrough
FR2542511B1 (fr) * 1983-03-09 1986-12-19 Lecoy Pierre Procede et dispositif de regulation de la puissance lumineuse de diodes laser
JPS6083267U (ja) * 1983-11-14 1985-06-08 日本電気株式会社 半導体レ−ザモジユ−ル
US4682335A (en) * 1984-02-15 1987-07-21 Hughes Technology Pty Ltd Composite laser oscillator
SE8401773L (sv) * 1984-03-30 1985-10-01 Boh Optical Ab Frekvens- och effektreglering hos laserdioder
JPS61123190A (ja) * 1984-10-26 1986-06-11 Anritsu Corp 定出力半導体レ−ザ素子の製造方法
JPH0743263B2 (ja) * 1984-12-21 1995-05-15 工業技術院長 位相変調方式光ファイバジャイロ
US4716297A (en) * 1985-06-10 1987-12-29 General Electric Company Method and apparatus for optically switching current
GB2177868B (en) * 1985-07-11 1989-02-22 Stc Plc Fibre optic network component
US4673811A (en) * 1985-12-05 1987-06-16 Xerox Corporation Variable threshold scan detector utilizing crossover points on photodetectors of the laser beam to monitor the threshold
US4792956A (en) * 1986-05-13 1988-12-20 Litton Systems, Inc. Laser diode intensity and wavelength control
US4842358A (en) * 1987-02-20 1989-06-27 Litton Systems, Inc. Apparatus and method for optical signal source stabilization
WO1991005280A1 (de) * 1989-10-02 1991-04-18 Laser-Medizin-Zentrum Gmbh Berlin Anschluss- oder verbindungselement für einen lichtwellenleiter zum übertragen von optischer strahlung
JPH08111541A (ja) * 1989-12-08 1996-04-30 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0818152A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Sony Corp 光半導体装置及びその製造方法
US5631987A (en) * 1995-06-07 1997-05-20 Reliaspeed, Inc. Low cost, mode-field matched, high performance laser transmitter optical subassembly
US6794725B2 (en) * 1999-12-21 2004-09-21 Xerox Corporation Amorphous silicon sensor with micro-spring interconnects for achieving high uniformity in integrated light-emitting sources
JP4094237B2 (ja) 2001-02-14 2008-06-04 日本電気株式会社 光半導体モジュール
KR100407346B1 (ko) * 2001-10-12 2003-11-28 삼성전자주식회사 모니터링 장치를 구비한 반도체 광증폭기 모듈
US7315698B2 (en) * 2003-10-22 2008-01-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module and an optical receiver using the same
KR102480119B1 (ko) * 2020-11-12 2022-12-21 정경진 천대장치 및 이를 포함하는 천대장치 세트

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2246075B1 (de) * 1973-09-14 1978-01-06 Coulter Information Systems
US3859536A (en) * 1974-01-07 1975-01-07 Corning Glass Works Optical communication system source-detector pair
US3878105A (en) * 1974-05-28 1975-04-15 Gen Dynamics Corp Optical radiation transmission and detection device
FR2277492A1 (fr) * 1974-07-05 1976-01-30 Thomson Csf Dispositif de commande de diode electroluminescente et systeme de communication optique comportant un tel dispositif
DE2542174C3 (de) * 1974-09-21 1980-02-14 Nippon Electric Co., Ltd., Tokio Halbleiterlaservorrichtung
US3946335A (en) * 1975-02-18 1976-03-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Stabilization circuit for radiation emitting diodes

Also Published As

Publication number Publication date
FR2371798A1 (fr) 1978-06-16
NL7712741A (nl) 1978-05-23
JPS5365090A (en) 1978-06-10
GB1552085A (en) 1979-09-05
DE2652608A1 (de) 1978-05-24
FR2371798B1 (de) 1984-07-13
IT1088113B (it) 1985-06-10
DE2652608C3 (de) 1979-12-13
DE2652608B2 (de) 1979-04-19
CA1092228A (en) 1980-12-23
JPS5931237B2 (ja) 1984-07-31
US4181901A (en) 1980-01-01

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