CH583923A5 - - Google Patents

Info

Publication number
CH583923A5
CH583923A5 CH1493172A CH1493172A CH583923A5 CH 583923 A5 CH583923 A5 CH 583923A5 CH 1493172 A CH1493172 A CH 1493172A CH 1493172 A CH1493172 A CH 1493172A CH 583923 A5 CH583923 A5 CH 583923A5
Authority
CH
Switzerland
Application number
CH1493172A
Original Assignee
Basf Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Basf Ag filed Critical Basf Ag
Publication of CH583923A5 publication Critical patent/CH583923A5/xx

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C08F20/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F26/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C08F26/06—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/14—Esterification
CH1493172A 1971-10-12 1972-10-12 CH583923A5 (xx)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2150691A DE2150691C2 (de) 1971-10-12 1971-10-12 Lichtempfindliches Gemisch und Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches zur Herstellung einer Flachdruckplatte

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH583923A5 true CH583923A5 (xx) 1977-01-14

Family

ID=5822068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1493172A CH583923A5 (xx) 1971-10-12 1972-10-12

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3849137A (xx)
JP (1) JPS562696B2 (xx)
CH (1) CH583923A5 (xx)
DE (1) DE2150691C2 (xx)
FR (1) FR2156309B1 (xx)
GB (1) GB1404497A (xx)
NL (1) NL170056C (xx)

Families Citing this family (250)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189611A (en) * 1975-01-30 1980-02-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ortho-nitrophenylethylene glycols
US4004043A (en) * 1975-09-26 1977-01-18 International Business Machines Corporation Nitrated polymers as positive resists
US4108839A (en) * 1977-01-21 1978-08-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive polyaldehydes and use in photoimaging
JPS54141128A (en) * 1978-04-25 1979-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd Processing method of picture image forming material
DE2922746A1 (de) * 1979-06-05 1980-12-11 Basf Ag Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial
US4599273A (en) * 1980-08-11 1986-07-08 Minnesota Mining And Manufacturing Co. Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same
US4467022A (en) * 1980-08-11 1984-08-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Imaging process and article employing photolabile, blocked surfactant
US4478967A (en) * 1980-08-11 1984-10-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same
US4369244A (en) * 1980-08-11 1983-01-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Imaging process and article employing photolabile, blocked surfactant
US4551416A (en) * 1981-05-22 1985-11-05 At&T Bell Laboratories Process for preparing semiconductors using photosensitive bodies
US4400461A (en) * 1981-05-22 1983-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process of making semiconductor devices using photosensitive bodies
JPS5868743A (ja) * 1981-10-21 1983-04-23 Hitachi Ltd 放射線感応性有機高分子材料
DE3231144A1 (de) * 1982-08-21 1984-02-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von tiefdruckformen mit kunststoff-druckschichten
DE3231145A1 (de) * 1982-08-21 1984-02-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Negativ arbeitendes verfahren zur herstellung von reliefbildern oder resistmustern
DE3231147A1 (de) * 1982-08-21 1984-02-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Positiv arbeitendes verfahren zur herstellung von reliefbildern oder resistmustern
US4994373A (en) 1983-01-27 1991-02-19 Enzo Biochem, Inc. Method and structures employing chemically-labelled polynucleotide probes
US4469774A (en) * 1983-03-28 1984-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive-working photosensitive benzoin esters
US4666820A (en) * 1983-04-29 1987-05-19 American Telephone And Telegraph Company, At&T Laboratories Photosensitive element comprising a substrate and an alkaline soluble mixture
DE3331691A1 (de) * 1983-09-02 1985-03-21 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Als positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial geeignetes lichtempfindliches, haertbares gemisch
DE3340154A1 (de) * 1983-11-07 1985-05-15 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von bildmaessig strukturierten resistschichten und fuer dieses verfahren geeigneter trockenfilmresist
JPS60152509A (ja) * 1984-01-19 1985-08-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 高分子化合物
DE3586263D1 (de) * 1984-03-07 1992-08-06 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von abbildungen.
US4740600A (en) * 1984-05-10 1988-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same
US4632891A (en) * 1984-10-04 1986-12-30 Ciba-Geigy Corporation Process for the production of images
US4735885A (en) * 1985-12-06 1988-04-05 Allied Corporation Deep UV photoresist composition with 1,3-disubstituted-5-diazobarbituric acids
DE3642184A1 (de) * 1986-12-10 1988-06-23 Basf Ag Copolymerisate mit o-nitrocarbinolestergruppierungen und deren verwendung
US4857437A (en) * 1986-12-17 1989-08-15 Ciba-Geigy Corporation Process for the formation of an image
DE3701569A1 (de) * 1987-01-21 1988-08-04 Basf Ag Copolymerisate mit o-nitrocarbinolestergruppierungen, deren verwendung sowie verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE3702035A1 (de) * 1987-01-24 1988-08-04 Basf Ag Copolymerisate mit o-nitrocarbinolestergruppierungen und verfahren zur herstellung von zweilagenresisten sowie von halbleiterbauelementen
US6551784B2 (en) 1989-06-07 2003-04-22 Affymetrix Inc Method of comparing nucleic acid sequences
US6955915B2 (en) 1989-06-07 2005-10-18 Affymetrix, Inc. Apparatus comprising polymers
US5424186A (en) 1989-06-07 1995-06-13 Affymax Technologies N.V. Very large scale immobilized polymer synthesis
US6346413B1 (en) 1989-06-07 2002-02-12 Affymetrix, Inc. Polymer arrays
US5547839A (en) 1989-06-07 1996-08-20 Affymax Technologies N.V. Sequencing of surface immobilized polymers utilizing microflourescence detection
US6919211B1 (en) 1989-06-07 2005-07-19 Affymetrix, Inc. Polypeptide arrays
US5143854A (en) 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
US6416952B1 (en) 1989-06-07 2002-07-09 Affymetrix, Inc. Photolithographic and other means for manufacturing arrays
US20060194258A1 (en) * 1989-06-07 2006-08-31 Affymetrix, Inc. Polypeptide array synthesis
US6309822B1 (en) 1989-06-07 2001-10-30 Affymetrix, Inc. Method for comparing copy number of nucleic acid sequences
US5800992A (en) 1989-06-07 1998-09-01 Fodor; Stephen P.A. Method of detecting nucleic acids
US6406844B1 (en) 1989-06-07 2002-06-18 Affymetrix, Inc. Very large scale immobilized polymer synthesis
US5744101A (en) * 1989-06-07 1998-04-28 Affymax Technologies N.V. Photolabile nucleoside protecting groups
DE69029104T2 (de) 1989-07-12 1997-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
US6506558B1 (en) 1990-03-07 2003-01-14 Affymetrix Inc. Very large scale immobilized polymer synthesis
DE69132843T2 (de) 1990-12-06 2002-09-12 Affymetrix Inc N D Ges D Staat Identifizierung von Nukleinsäuren in Proben
EP0562025B1 (en) * 1990-12-06 2001-02-07 Affymetrix, Inc. (a Delaware Corporation) Compounds and their use in a binary synthesis strategy
US6468740B1 (en) 1992-11-05 2002-10-22 Affymetrix, Inc. Cyclic and substituted immobilized molecular synthesis
JP2944296B2 (ja) 1992-04-06 1999-08-30 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
US5395734A (en) * 1992-11-30 1995-03-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Shoot and run printing materials
US5986076A (en) * 1994-05-11 1999-11-16 Trustees Of Boston University Photocleavable agents and conjugates for the detection and isolation of biomolecules
US6589736B1 (en) * 1994-11-22 2003-07-08 The Trustees Of Boston University Photocleavable agents and conjugates for the detection and isolation of biomolecules
US7625697B2 (en) * 1994-06-17 2009-12-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Methods for constructing subarrays and subarrays made thereby
US7323298B1 (en) * 1994-06-17 2008-01-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Microarray for determining the relative abundances of polynuceotide sequences
US7378236B1 (en) 1994-06-17 2008-05-27 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method for analyzing gene expression patterns
JPH0876380A (ja) 1994-09-06 1996-03-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型印刷版組成物
JPH0954437A (ja) 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
JP4145959B2 (ja) * 1996-09-18 2008-09-03 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 光吸収性ポリマー、その合成方法、そのポリマーを用いた皮膜形成組成物および反射防止膜
JP4165922B2 (ja) * 1998-03-17 2008-10-15 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 光吸収性ポリマーおよびその反射防止膜への応用
US6545264B1 (en) 1998-10-30 2003-04-08 Affymetrix, Inc. Systems and methods for high performance scanning
GB9921779D0 (en) 1999-09-16 1999-11-17 Ciba Sc Holding Ag UV-Curable compositions
US20040106769A1 (en) * 2000-07-11 2004-06-03 Hatton Kevin Brian High functional polymers
US7008749B2 (en) * 2001-03-12 2006-03-07 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US7776505B2 (en) * 2001-11-05 2010-08-17 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
US7521168B2 (en) 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
US20040180368A1 (en) * 2002-12-23 2004-09-16 Affymetrix, Inc. Method for producing a high density nucleic acid array using activators
US7090958B2 (en) * 2003-04-11 2006-08-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Positive photoresist compositions having enhanced processing time
WO2004099373A2 (en) * 2003-05-02 2004-11-18 University Of North Carolina At Charlotte Biocompatible resists
US7635727B2 (en) 2003-06-24 2009-12-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Composite transparencies
US7771915B2 (en) 2003-06-27 2010-08-10 Fujifilm Corporation Two-photon absorbing optical recording material and two-photon absorbing optical recording and reproducing method
US6984262B2 (en) * 2003-07-16 2006-01-10 Transitions Optical, Inc. Adhesion enhancing coating composition, process for using and articles produced
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1637927A1 (en) 2004-09-02 2006-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP4469692B2 (ja) 2004-09-14 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
TWI530759B (zh) 2005-01-24 2016-04-21 富士軟片股份有限公司 適用於浸漬曝光之正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
JP4452632B2 (ja) 2005-01-24 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4562537B2 (ja) 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4439409B2 (ja) 2005-02-02 2010-03-24 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7541131B2 (en) 2005-02-18 2009-06-02 Fujifilm Corporation Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
US8741537B2 (en) 2005-03-04 2014-06-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method using the same
US20060204732A1 (en) 2005-03-08 2006-09-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
JP4579019B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4580841B2 (ja) 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4695941B2 (ja) 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
DE602006003029D1 (de) 2005-08-23 2008-11-20 Fujifilm Corp Härtbare Tinte enthaltend modifiziertes Oxetan
JP4757574B2 (ja) 2005-09-07 2011-08-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
EP1783184B9 (en) 2005-11-04 2011-05-11 Fujifilm Corporation Curable ink composition and oxetane compound
TWI443461B (zh) 2005-12-09 2014-07-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物、用於正型光阻組成物之樹脂、用於合成該樹脂之化合物及使用該正型光阻組成物之圖案形成方法
EP1829684B1 (en) 2006-03-03 2011-01-26 FUJIFILM Corporation Curable composition, ink composition, inkjet-recording method, and planographic printing plate
JP4911456B2 (ja) 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2008189776A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Fujifilm Corp 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
JP4905786B2 (ja) 2007-02-14 2012-03-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1962139A1 (en) 2007-02-23 2008-08-27 FUJIFILM Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP2008208266A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
JP5162290B2 (ja) 2007-03-23 2013-03-13 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
US7592118B2 (en) 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975714A1 (en) 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
EP1975716B1 (en) 2007-03-28 2013-05-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
US20080241745A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Fujifilm Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP5039622B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5159141B2 (ja) 2007-03-30 2013-03-06 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
JP4982228B2 (ja) 2007-03-30 2012-07-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
WO2008129964A1 (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Fujifilm Corporation パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2008311474A (ja) 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
JP2009020510A (ja) 2007-06-15 2009-01-29 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
JP2009009047A (ja) 2007-06-29 2009-01-15 Fujifilm Corp パターン形成方法
US8088550B2 (en) 2007-07-30 2012-01-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線又はｅｕｖ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
EP2020617A3 (en) 2007-08-03 2009-04-29 FUJIFILM Corporation Resist composition containing a sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition, and sulfonium compound
EP2177952A4 (en) 2007-08-10 2011-05-04 Fujifilm Corp POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PATTERN FORMATION USING THE POSITIVE RESIST COMPOSITION
JP5449675B2 (ja) 2007-09-21 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
JP5111039B2 (ja) 2007-09-27 2012-12-26 富士フイルム株式会社 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US8240838B2 (en) 2007-11-29 2012-08-14 Fujifilm Corporation Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
JP5150296B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US9046773B2 (en) 2008-03-26 2015-06-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
WO2009152276A2 (en) 2008-06-10 2009-12-17 University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
JP5997873B2 (ja) 2008-06-30 2016-09-28 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5244711B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5746818B2 (ja) 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5383133B2 (ja) 2008-09-19 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
ATE541905T1 (de) 2008-09-26 2012-02-15 Fujifilm Corp Tintenzusammensetzung und tintenaufzeichnungsverfahren
JP5461809B2 (ja) 2008-09-29 2014-04-02 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
EP2196462B1 (en) 2008-12-12 2011-09-28 Fujifilm Corporation Polymerizable compound, lactone-containing compound, method for manufacturing lactone-containing compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
JP2010235911A (ja) 2009-03-11 2010-10-21 Konica Minolta Ij Technologies Inc 活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
JP5964007B2 (ja) 2009-04-02 2016-08-03 コニカミノルタ株式会社 活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
US8252412B2 (en) 2009-06-16 2012-08-28 Ppg Industries Ohio, Inc Angle switchable crystalline colloidal array films
JP5783687B2 (ja) * 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
CN102002121A (zh) 2009-08-31 2011-04-06 住友化学株式会社 树脂，抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
JP2011074365A (ja) * 2009-09-02 2011-04-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US20110135888A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Ppg Industries Ohio, Inc. Crystalline colloidal array of particles bearing reactive surfactant
US8582194B2 (en) 2010-04-29 2013-11-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Thermally responsive crystalline colloidal arrays
TWI499581B (zh) 2010-07-28 2015-09-11 Sumitomo Chemical Co 光阻組成物
TWI521302B (zh) 2010-08-30 2016-02-11 住友化學股份有限公司 阻劑組成物及阻劑圖案的產生方法
JP2012087294A (ja) 2010-09-21 2012-05-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
JP5824321B2 (ja) 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5824320B2 (ja) 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9022648B2 (en) 2010-11-11 2015-05-05 Prc-Desoto International, Inc. Temperature sensitive composite for photonic crystals
JP5879834B2 (ja) 2010-11-15 2016-03-08 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6088133B2 (ja) 2010-12-15 2017-03-01 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034026B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829941B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034025B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829939B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5898521B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947051B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947053B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5898520B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829940B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6022788B2 (ja) 2011-04-07 2016-11-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5934536B2 (ja) 2011-04-07 2016-06-15 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6005964B2 (ja) 2011-04-07 2016-10-12 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5852490B2 (ja) 2011-04-07 2016-02-03 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
WO2012174424A2 (en) 2011-06-17 2012-12-20 Henkel Ag & Co. Kgaa Single bath autodeposition coating for combination metal substrates and methods therefor
JP5977593B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977594B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5985898B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013797B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6130631B2 (ja) 2011-07-19 2017-05-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6130630B2 (ja) 2011-07-19 2017-05-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5990041B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013799B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6189020B2 (ja) 2011-07-19 2017-08-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013798B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5912912B2 (ja) 2011-07-19 2016-04-27 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5996944B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-21 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977595B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5958194B2 (ja) * 2012-08-31 2016-07-27 住友化学株式会社 高分子化合物、及び該高分子化合物を含む絶縁層材料
JP6576162B2 (ja) 2014-08-25 2019-09-18 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6595255B2 (ja) 2014-08-25 2019-10-23 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6615536B2 (ja) 2014-08-25 2019-12-04 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6507065B2 (ja) 2014-08-25 2019-04-24 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6541508B2 (ja) 2014-08-25 2019-07-10 住友化学株式会社 塩、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6596263B2 (ja) 2014-08-25 2019-10-23 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6706891B2 (ja) 2014-09-16 2020-06-10 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9405191B2 (en) 2014-09-16 2016-08-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
US9996002B2 (en) 2014-09-16 2018-06-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6533724B2 (ja) 2014-09-16 2019-06-19 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9519218B2 (en) 2014-09-16 2016-12-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6706890B2 (ja) 2014-09-16 2020-06-10 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6684075B2 (ja) 2014-11-11 2020-04-22 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6670591B2 (ja) 2014-11-11 2020-03-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6688041B2 (ja) 2014-11-11 2020-04-28 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6585471B2 (ja) 2014-11-11 2019-10-02 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6664932B2 (ja) 2014-11-14 2020-03-13 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6721319B2 (ja) 2014-11-26 2020-07-15 住友化学株式会社 ノニオン性化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6782070B2 (ja) 2014-11-26 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US10101657B2 (en) 2015-03-31 2018-10-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
US9946157B2 (en) 2015-03-31 2018-04-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
JP6843515B2 (ja) 2015-03-31 2021-03-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6783540B2 (ja) 2015-03-31 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6769735B2 (ja) 2015-05-12 2020-10-14 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6864994B2 (ja) 2015-06-26 2021-04-28 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP6883954B2 (ja) 2015-06-26 2021-06-09 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP6782102B2 (ja) 2015-06-26 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP7042598B2 (ja) 2016-12-14 2022-03-28 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6963979B2 (ja) 2016-12-14 2021-11-10 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
WO2018147094A1 (ja) 2017-02-08 2018-08-16 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7283883B2 (ja) 2017-11-09 2023-05-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US11820735B2 (en) 2018-04-12 2023-11-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
US11378883B2 (en) 2018-04-12 2022-07-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP7269093B2 (ja) 2018-05-29 2023-05-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020029451A (ja) 2018-08-17 2020-02-27 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7341787B2 (ja) 2018-08-27 2023-09-11 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7389622B2 (ja) 2018-11-20 2023-11-30 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7412186B2 (ja) 2019-01-18 2024-01-12 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7471828B2 (ja) 2019-01-18 2024-04-22 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
BE1027107B1 (fr) 2019-03-25 2021-02-15 Sumitomo Chemical Co Compose, resine, composition de photoresist et procede de production de motif de photoresist
JP2020189830A (ja) 2019-05-17 2020-11-26 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020200310A (ja) 2019-06-04 2020-12-17 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020200311A (ja) 2019-06-04 2020-12-17 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩の製造方法
JP2021038204A (ja) 2019-08-29 2021-03-11 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021038203A (ja) 2019-08-29 2021-03-11 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021130807A (ja) 2019-12-18 2021-09-09 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物
EP4077413A1 (en) 2019-12-18 2022-10-26 3M Innovative Properties Company Composition including unsaturated polyester resin, epoxy resin, and photoinitiator and method of using the same
JP2021123579A (ja) 2020-02-06 2021-08-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021123580A (ja) 2020-02-06 2021-08-30 住友化学株式会社 カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US11681220B2 (en) 2020-03-05 2023-06-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US11740555B2 (en) 2020-03-05 2023-08-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US11675267B2 (en) 2020-03-23 2023-06-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
TW202146383A (zh) 2020-04-22 2021-12-16 日商住友化學股份有限公司 鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2021181429A (ja) 2020-05-15 2021-11-25 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021181431A (ja) 2020-05-15 2021-11-25 住友化学株式会社 カルボン酸塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202202476A (zh) 2020-05-21 2022-01-16 日商住友化學股份有限公司 鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
TW202215157A (zh) 2020-06-01 2022-04-16 日商住友化學股份有限公司 化合物、樹脂、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2021188041A (ja) 2020-06-01 2021-12-13 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022008152A (ja) 2020-06-25 2022-01-13 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022013736A (ja) 2020-07-01 2022-01-18 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022075556A (ja) 2020-11-06 2022-05-18 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022077505A (ja) 2020-11-11 2022-05-23 住友化学株式会社 カルボン酸塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022077982A (ja) 2020-11-12 2022-05-24 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022123839A (ja) 2021-02-12 2022-08-24 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022164583A (ja) 2021-04-15 2022-10-27 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022164585A (ja) 2021-04-15 2022-10-27 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US20230004084A1 (en) 2021-05-06 2023-01-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP2022183077A (ja) 2021-05-28 2022-12-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022183074A (ja) 2021-05-28 2022-12-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202311315A (zh) 2021-08-06 2023-03-16 日商住友化學股份有限公司 抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1239940B (de) * 1962-07-24 1967-05-03 Kalle Ag Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial fuer Reproduktionszwecke
DE1522444B2 (de) * 1967-03-10 1977-07-07 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Polymerisationsinhibitor enthaltendes lichtvernetzbares gemisch

Also Published As

Publication number Publication date
NL7213650A (xx) 1973-04-16
DE2150691C2 (de) 1982-09-09
DE2150691A1 (de) 1973-04-19
NL170056C (nl) 1982-09-16
GB1404497A (en) 1975-08-28
FR2156309A1 (xx) 1973-05-25
JPS562696B2 (xx) 1981-01-21
NL170056B (nl) 1982-04-16
FR2156309B1 (xx) 1976-08-20
JPS4847320A (xx) 1973-07-05
US3849137A (en) 1974-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2156309B1 (xx)
ATA136472A (xx)
AR196074A1 (xx)
AU2658571A (xx)
AU2691671A (xx)
AU2485671A (xx)
AU2742671A (xx)
AU2684071A (xx)
AU2564071A (xx)
AU2952271A (xx)
AU2503871A (xx)
AU2740271A (xx)
AU2455871A (xx)
AU2456871A (xx)
AU2880771A (xx)
AU2473671A (xx)
AU2875571A (xx)
AU2854371A (xx)
AU2837671A (xx)
AU2486471A (xx)
AU2836771A (xx)
AU2399971A (xx)
AU1109576A (xx)
AU2577671A (xx)
AU2755871A (xx)

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased