CH520524A - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes

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CH520524A
CH520524A CH1514969A CH1514969A CH520524A CH 520524 A CH520524 A CH 520524A CH 1514969 A CH1514969 A CH 1514969A CH 1514969 A CH1514969 A CH 1514969A CH 520524 A CH520524 A CH 520524A
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CH
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crystalline
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CH1514969A
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Wolfgang Dr Keller
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Siemens Ag
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique

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CH1514969A 1968-10-11 1969-10-09 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes CH520524A (de)

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GB1240074A (en) 1971-07-21
FR2020390A1 (fr) 1970-07-10
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DE1802524B1 (de) 1970-06-04
US3601569A (en) 1971-08-24
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SE360277B (fr) 1973-09-24
JPS4817561B1 (fr) 1973-05-30

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