CH504755A - Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung

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CH504755A
CH504755A CH1825169A CH1825169A CH504755A CH 504755 A CH504755 A CH 504755A CH 1825169 A CH1825169 A CH 1825169A CH 1825169 A CH1825169 A CH 1825169A CH 504755 A CH504755 A CH 504755A
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CH1825169A
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F Evans Paul
D Lees Harold
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Xerox Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B44/00Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources

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Description


  Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung    Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Löschung  einer Festkörperspeichervorrichtung mit einer durch  eine Feldeffekt-Halbleiterschicht steuerbaren     elektro-          lumineszenten    Leuchtstoffschicht.  



  Eine Festkörperspeichervorrichtung ist beispiels  weise in der französischen Patentschrift<B>1</B>543 309 be  schrieben. Derartige Vorrichtungen enthalten     elektro-          lumineszente    Leuchtstoffe, deren Leuchtbilder bisher  durch die Einwirkung eines steuernden Feldes auf die  ihnen zugeordnete Feldeffekt-Halbleiterschicht, z. B. aus  Zinkoxid gelöscht werden     mussten.    Zur Löschung wur  den auch bereits .andere theoretisch mögliche     Verfahren     vorgeschlagen, z. B. ein punktweises Aufbringen von  Ladungen, jedoch hat keine :dieser Möglichkeiten ausser  der Verwendung einer eine Koronaentladung erzeugen  den Abtastelektrode die für den praktischen Betrieb  geeigneten Eigenschaften.

   Es war bisher erforderlich,  den Widerstand der steuernden Feldeffekt-Halbleiter  schicht zu erhöhen. Hierzu muss im Falle einer Zink  oxidschicht eine negative Ladung aufgebracht werden.  Die Erzeugung einer gleichmässigen negativen Ladung  auf einer grossen Fläche ist ziemlich schwierig. Ferner  sind     allgemein    Hochspannungen in der     Grössenordnung     von 600 Volt zur Koronaentladung erforderlich. Über  schläge und Probleme der geeigneten Beschaffenheit des  Koronadrahtes stellen für den zuverlässigen Betrieb  eines derartigen Speicherfeldes ein dauerndes Problem  dar. Dies ist insbesondere deswegen von Wichtigkeit,  weil :die Zuverlässigkeit bei der     Entwicklung    von Fest  körperspeichervorrichtungen immer von besonderem In  teresse war.  



  Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine  Möglichkeit zur Löschung von Festkörperspeichervor  richtungen zu finden, durch die die vorstehend aufge  zeigten Nachteile und Probleme vermieden werden und    die keine Erzeugung von Korona-Entladungen erfor  dern.  



       Erfindungsgemäss    ist das Verfahren dadurch<B>ge-</B>  kennzeichnet, dass zur     Löschung    feuchte Luft über die  Oberfläche der Feldeffekt-Halbleiterschicht geführt  wird.  



  Bei dem vorliegenden Verfahren ist in     vorteilhafter     Weise keine Korona-Entladungsvorrichtung erforder  lich, womit die durch sie erzeugten Probleme insbeson  dere hinsichtlich des Betriebes einer Speichervorrichtung  entfallen.  



  Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im  folgenden an Hand der Zeichnung beschrieben, welche       eine    perspektivische Darstellung des     erfindungsgemässen     Verfahrens     in    Anwendung auf :ein typisches Festkörper  speicherfeld zeigt.  



  In .der Figur ist ein Festkörperspeicherfeld darge  stellt, auf das das     erfindungsgemässe        Verfahren    anwend  bar ist. Eine     ausführliche    Beschreibung dieser Vor  richtung findet sich in der bereits genannten Patent  schrift. Die folgende kurze Erläuterung dient dem  besseren Verständnis der Erfindung bei deren Anwen  dung auf ein Festkörperspeicherfeld.

   Die in Fig. 1  gezeigte Vorrichtung besteht aus einer Anzahl elektrisch       leitfähiger    Drähte 12, ,die jeweils mit     einer    Schicht 14  eines .isolierenden Lackes überzogen     sind.    Die Drähte  sind auf der Unterlage 10 mittels Klebstoff 16     befestigt.     Jeder Draht ist abgeschliffen, so dass der     leitfähige    Stoff  frei liegt, wobei durch Ätzung auf der freien Oberfläche  12 eine Vertiefung gegenüber dem Isolierlack 14 gebil  det ist, der -durch die Ätzung nicht angegriffen ist. Jeder  Vertiefung ist mit einem     elektrolumineszenten        Leucht-          stoff    18 ausgefüllt.

   Dieser sowie der Isolierstoff 14 sind  mit einer Schicht eines     Feldeffekt-Halbleiters    20, der      eine Steuerwirkung durch Ladungen ausüben kann und  beispielsweise aus Zinkoxid besteht, überzogen.  



  Beim Betrieb wird an einander abwechselnd ange  ordnete Drähte 12 jeweils ein Pol einer Wechsel  spannungsquelle angeschlossen. Der dadurch erzeugte  Stromfluss verläuft von einem jeweiligen Draht 12 durch  den ihm zugeordneten elektrolumineszenten Leuchtstoff  18 in die Feldeffekt-Halbleiterschicht 20, durch den  elektrolumineszenten Leuchtstoff 18 des jeweils anderen  Drahtes 12 und in diesen Draht hinein. Bei den  Speichervorrichtungen der in der genannten Patent  schrift beschriebenen und in der vorliegenden Figur  gezeigten     Art    kann kein Stromfluss zwischen benachbar  ten Elektrodendrähten 12 auftreten, der nicht auch  durch die Feldeffekt-Steuerschicht 20 fliesst, da zwi  schen den jeweiligen elektrolumineszenten Leuchtstoffen  18 die isolierende Sperrschicht 14 vorgesehen ist.

   Bei  Vorrichtungen ohne eine     derartige    Schicht ist die Be  triebsweise jedoch ähnlich, da die elektrischen Feldlinien  grösster Stärke entsprechend verlaufen. In jedem     Falle     kann die Leuchtwirkung der Speichervorrichtung ganz  oder teilweise durch das Aufbringen von     Ladungen    auf  die Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 gelöscht werden, da  sie ein Feld erzeugen, welches den Leitfähigkeitsquer  schnitt der Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 verringert  und damit den effektiven Widerstand erhöht, wodurch  der Strom durch den elektrolumineszenten Leuchtstoff  18 geschwächt wird. Auf diese Weise wird die Lichtab  gabe des Leuchtstoffes durch die auf der Steuerschicht  20 vorhandene Ladung gesteuert.

   Das Ladungsmuster  kann auf die Steuerschicht 20 durch     berührende     Schreibelektroden oder mit einer     Ionenquell@e    der in der  belgischen Patentschrift 707 086 beschriebenen Art  aufgebracht werden.  



  Ferner kann man derartige Speicherfelder auch -so  betreiben, dass die Steuerschicht 20 gleichmässig gela  den wird und unter     Ausnutzung    der     fotoleitfähigen     Eigenschaften dieser Schicht, wie sie beispielsweise bei  Zinkoxid vorliegen, eine selektrive Neutralisation der  Ladung auf der Schichtoberfläche durch bekannte Be  lichtungsverfahren erfolgt. Andere bekannte     Verfahren     zur Ladungserzeugung und/oder Neutralisation können  glichfalls angewendet werden.  



  Wie bereits beschrieben, ist die am meisten ange  wendete und in praktischer Hinsicht vielleicht auch  wichtigste Betriebsart derartiger Speichervorrichtungen  zur Löschung der Lumineszenz die relative Bewegung  zwischen einem Koronadraht und dem Speicherfeld.  Derartige     Massnahmen    werden bei praktisch allen be  kannten ladungsgesteuerten Festkörperspeichervor  richtungen durchgeführt, wozu auch das in der Figur  gezeigte Ausführungsbeispiel gehört. Es wurde ferner    bereits bemerkt, dass der     Erfindung    das Problem zu  grunde liegt,     betriebsfähige    Möglichkeiten der Löschung  einer Festkörperspeichervorrichtung zu finden, bei de  nen die Nachteile der Koronalöschung vermieden wer  den.  



  Das vorliegende Verfahren zur     Löschung    ist in der  Figur dargestellt. Durch Wechselstromanregung über die  Drahtelektroden 12 wird eine Lichtabgabe auf der  gesamten Speichervorrichtung erzeugt. Richtet man eine  feuchte Luftströmung mittels einer geeigneten Druck  vorrichtung 22 über die Oberfläche der Steuerschicht  20, so wird anfänglich     eine    allgemeine     Aufhellung     erzeugt, auf die schnell eine Abdunkelung derjenigen  Flächen folgt, auf die der Luftstrom gerichtet wurde.  Diese Flächen bleiben für längere Zeit dunkel.

   Die  Einwirkung einer feuchten Luftströmung, die mit einer  länglichen Druckdüse 22 erzeugt und auf die gesamte  Steuerschicht 20 gerichtet wird, stellt also eine Möglich  keit zur Löschung der Festkörperspeichervorrichtung  zum Zwecke der Erzeugung von     Leuchtmustern    dar.  



  Wird eine feine Strömung feuchter Luft     mit    der  Düse 22 auf das Speicherfeld gerichtet, so können  Schriftzeichen u. ä. erzeugt werden, die als schwarzes  Bild auf hellem Hintergrund erscheinen.  



  Es hat sich ferner gezeigt, dass eine Beseitigung der  dunkeln Flächen (oder     Wiederaufhellung)    durch Ein  wirkung eines Lichtstrahles erreicht werden kann. Der  aufgehellte Originalzustand wird also nach dem vor  stehend beschriebenen Löschvorgang wieder hergestellt,  indem eine     äussere    Strahlungsquelle auf die Steuer  schicht 20 gerichtet wird. Ein derartiges Verfahren  eignet sich für die Verwendung derartiger Festkörper  speicherfelder als elektronische Tafeln o. ä., wobei das  gesamte     Speicherfeld    durch eine feuchte Luftströmung  abgedunkelt und dann mit einem Lichtschreiber be  schriftet wird. Mit     derartigen    Sichtfeldern können auch  z. B. Schriftkopien hergestellt werden.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeicher vorrichtung mit einer durch eine Feldeffekt-Halbleiter- schicht steuerbaren elektrolumineszenten Leuchtstoff schicht, dadurch gekennzeichnet, dass zur Löschung feuchte Luft über die Oberfläche der Feldeffekt-Halblei- terschicht (20) geführt wird.
CH1825169A 1967-12-20 1968-12-18 Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung CH504755A (de)

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US69215067A 1967-12-20 1967-12-20
CH1888168A CH484488A (de) 1967-12-20 1968-12-18 Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung

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