DE1815243C3

DE1815243C3 - Verfahren zur Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung und Festkörperspeichervorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Info

Publication number: DE1815243C3
Application number: DE1815243A
Authority: DE
Inventors: Paul F. Pittsford Evans; Harold D. Rochester Lees
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1967-12-20
Filing date: 1968-12-17
Publication date: 1974-06-20
Also published as: SE361123B; CH484488A; GB1250023A; US3540008A; NL154621B; DE1815243B2; DE1815243A1; FR1599275A; BE725616A; JPS495000B1; NL6818082A; ES361652A1

Description

7. Festkörperspeichervorrichtung nach An- keine Korona-Entladungsvorrichtung erforderlich, wospruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht mit die durch sie erzeugten Probleme insbesondere (38) eines leitfähigen Stoffs aus einer dünnen Gold- hinsichtlich des Betriebs einer Speichervorrichtung schicht besteht, die mit nicht reflektierenden Über- 50 entfallen. Die zweite Verfahrensart bietet zusätzlich zügen versehen ist. die besonders einfache Möglichkeit der Wiederaufhel-

8. Festkörperspeichervorrichtung nach einem der lung durch Belichtung, wie noch beschrieben wird.
Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Zur Durchführung der erstgenannten Verfahrensart der transparente dielektrische Film (36) aus Poly- ist eine Festkörperspeichervorrichtung, bestehend aus vinylfluorid besteht. 55 einer steuernden Feldeffekt-Halbleiterschicht auf einer

Anordnung aus elektrolumineszentem Leuchtstoff und Elektroden, die einen durch die Feldeffekt-Halbleiter-

schicht steuerbaren Stromfluß zur Anregung des

Leuchtstoffs erzeugen, vorgesehen, die in weiterer Aus-

60 bildung des Erfindungsgedankens derart aufgebaut

sein kann, daß auf der Feldeffekt-Halbleiterschicht

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Löschung ein transparenter dielektrischer Film vorgesehen ist, siner Festkörperspeichervorrichtung mit einer durch der mit einem elektrisch leitenden Element zum AnIeeine Feldeffekt-Halbleiterschicht steuerbaren elektro- gen einer Löschspannung in Berührung steht,
lumineszenten Leuchtstoff schicht und eine Festkörper- 65 Ausführungsbeispiele der Erfindung sowie Weiterspeichervorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. bildungen der vorstehend genannten Festkörper-Eine Festkörperspeichervorrichtung ist beispiels- speichervorrichtung werden im folgenden an Hand der weise durch die französische Patentschrift 1 543 309 Figuren beschrieben. Es zeigt:

Γ 3 4

Fig. I eine perspektivische Darstellung des erfin- erzeugung und/oder Neutralisation können gleichfalls

dungsgemäßen Verfahrens in Anwendung auf ein angewendet werden.

typisches Festkörperspeicherfeld, Wie bereits beschrieben, ist die am meisten ange-

' Fig. 2 einen Querschnitt eines Festkörperspeicher- wendete und in praktischer Hinsicht vielleicht auch

feldes, das ohne Korona-Einwirkung löschbar ist, 5 wichtigste Betriebsart derartiger Festkörperspeicner-

und vorrichtungen zur Löschung der Lumineszenz die

Fig. 3 den Querschnitt einer Festkörperspeicrwr- relative Bewegung zwischen einem Koronadraht und

trommel, die ohne Korona-Einwirkung löschbar ist. dem Speicher. Derartige Maßnahmen werden bei prak-

In Fig. i ist eine Festkörperspeichervorrichtung dar- tisch allen bekannten Ldungsgesteuerten Festkörpergestellt, auf die das erfindungsgemäße Verfahren an- xo Speichervorrichtungen durchgeführt, wozu^ auch das wendbar ist. Eine ausführliche Beschreibung dieser in Fig. 1 gezeigte Ausfü'.irungsbeispiel gehört.
Vorrichtung findet sich in der bereits genannten Pa- Ein erfindungsgenaaP.es Verfahren zur Löschung ist tentschrift. Ihre folgende kurze Erläuterung dient dem gleichfalls in Fie ' aargestellt. Durch Wechselstrombesseren Verständnis der Erfindung. Die in Fig. 1 anregung über die Drähte 12 wird eine Lichtabgabe gezeigte Vorrichtung besteht aus einer Anzahl elek- 15 auf der gesamten Festkörperspeichervorrichtung ertrisch leitfähiger Drähte 12, die jeweils mit einer zeugt. Richtet man eine feuchte Luftströmung mittels Schicht 14 eines isolierenden Lacks überzogen s'md. einer geeigneten Druckdüse 22 auf die Oberfläche der Die Drähte sind auf einer Unterlage 10 mittels Kleb- Feldeffekt-Halbleiteirschicht 20, so wird anfänglich stoff 16 befestigt. Jeder Draht ist abgeschliffen, so eine allgemeine Aufhellung erzeugt, auf die schnell daß der leitfähige Stoff frei lie«t, wobei durch Ätzung ao eine Abdurikelung derjenigen Flächen folgt, auf die auf der freien Oberfläche 12 eine Vertiefung gegenüber der Luftstrom gerichtet wurde. Diese Flächen bleiben dem Isolierlack 14 gebildet ist, der durch die Ätzung für längere Zeit dunkel. Die Einwirkung einer feuchten nicht angegriffen ist. Jede Vertiefung ist mit einem Luftströmung, die mit einer länglichen Druckdüse 22 elektrolumineszenten Leuchtstoff 18 ausgefüllt. Dieser erzeugt und auf die gesamte Feldeffekt-Halbleitersowie der Isolierlack 14 sind mit einer Schicht eines 25 schicht 20 gerichtet wird, stellt also eine Möglichkeit Feldeffekt-Halbleiters 20, der eine Steuerwirkung zur Löschung einer Fe*tkörpersptichervorrichtung dar. durch Ladungen ausüben kann und beispielsweise aus Wird eine feine Strömung feuchter Luft mit der Zinkoxid besteht, überzogen. Druckdüse 22 auf das Speicherfeld gerichtet, so können

Beim Betrieb wird an die Drähte 12 abwechselnd Schriftzeichen u. ä. erzeugt werden, die als schwarzes

jeweils ein Pol einer Wechselspannungsquelle ange- 3° Bild auf hellem Hintergrund erscheinen,

schlossen. Der dadurch erzeugte Strcmfluß verläuft Es hat sich ferner gezeigt, daß eine Beseitigung der

von einem jeweiligen Sraht 12 durch den ihm zugeord- dunklen Flächen (oder eine Wiederaufhellung) durch

neten elektrolumineszenten Leuchtstoff 18 in die Feld- Einwirkung eines Lichtstrahles erreicht werden kann.

effekt-Halbleitcrschicht 20, durch den elektrolumines- Der aufgehellte Originalzustand wird also nach dem

zenten Leuchtstoff 18 des jeweils anderen Drahtes 12 35 vorstehend beschriebenen Löschvorgang wieder her-

und in diesen Draht hinein. Bei den bekannten Spei- gestellt, indem eine äußere Strahlungsquelle auf die

chervorrichtungen der in Fig. 1 gezeigten Art kann Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 gerichtet wird. Ein def-

kein StromfluB zwischen benachbarten Elektroden- artiges Verfahren eignet sich für die Verwendung der-

drähten 12 auftreten, der nicht auch durch die Feld- artiger Festkörperspeichervorrichtungen als elektroeffekt-Halbleiterschicht 20 fließt, da zwischen den 40 nische Tafeln od. ä., wobei ihre gesamte Sichtfläche

jeweiligen elektrolumineszenten Leuchtstoffen 18 die durch eine feuchte Luftströmung abgedunkelt und

Isolierlackschicht 14 vorgesehen ist. Bei Vorrichtungen dann mit einem Lichtschreiber beschriftet wird. Mit

ohne eine derartige Schicht ist die Funktion jedoch derartigen Sichtflächen können auch z. B. Schriftko-

ähnlich, da die elektrischen Feldlinien größter Stärke pien erzeugt werden.

entsprechend verlaufen. In jedem Falle kann die 45 In Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform der Lö-Leuchtwirkung der Speichervorrichtung ganz oder schung einer Festkörperspeichervorrichtung ohne Koteilweise durch das Aufbringen \on Ladungen auf die rona-Einwirkung dargestellt. Die Speichervorrichtung Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 gelöscht werden, da sie selbst entspricht in ihrer Ausführung der in Fig. 1 ein Feld erzeugen, welches den Leitfähigkeitsquer- gezeigten Form. Die durchsichtige oder undurchsichschniit ..kr Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 verringert 5o tige Unterlage 24 ist mit einer Klebstoffschicht 26 unö damit den effektiven Widerstand erhöht, wodurch versehen, die zur Befestigung von Drähten 30 dient, der Strom im elektrolumineszenten Leuchtstoff 18 Durch Kapillarwirkung Kann zusätzlicher Epoxygeschwächt wird. Auf diese Weise wird die Lichtabgabe klebstoff 28 zwischen den Drähten 30 vorgesehen sein, des el· ktrolumineszenten Leuchtstoffs durch die auf um eine gute Verbindung zwischen den Drähten und der Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 vorhandene La- 55 der Klebstoff schicht 26 sowie der Unterlage 24 zu dung gesteuert. Das Ladungsmuster kann auf die gewährleisten. Jeder Draht 30 ist mit einem Isolierlack Feldeffekt-Halbleiterschicht 20 durch berührende (in Fig. 2 nicht dargestellt), dessen Wirkungsweise Schreibelektroden oder mit einer Ionenquelle der bereits beschrieben wurde, überzogen. Auf diesem durch die belgische Patentschrift 707 986 bekannten Draht 30 befindet sich zwischen den Isolierlackteilen Art aufgebracht werden. ^6o eine Schicht 32 eines elektrolumineszenten Leucht-

Ferner kann man derartige Festkörperspeichervor- Stoffs wie z. B. Zinksulfid oder eines anderen geeig-

richtungen auch so betreiben, daß die Feldeffekt-Halb- neten Leuchtstoffs bzw. entsprechender Stoffmischun-

leiterschicht 20 gleichmäßig geladen wird und unter gen. Über der elektrolumineszenten Leuchtstoffschicht

Ausnutzung der fotoleitfähigen Eigenschaften, dieser 32 und den Isolierlackschichten ist ein Überzug eines Schicht, wie sie beispielsweise bei Zinkoxid vorliegen, 65 Feldeffekt-Halbleiters 34 wie z. B. Zinkoxid oder eine

eine selektive Neutralisation der Ladung auf der Mischung aus Zinkoxid und Zink vorgesehen.

Schichtoberfläche durch bekannte Belichtungsverfah- Die Unterlage 24 kann aus Aluminium oder einem

ren erfolgt. Andere bekannte Verfahren zur Ladungs- ähnlichen undurchsichtigen Stoff oder auch, aus einem

durchsichtigen Material wie z. B. Glas oder bekannten Änderungen der Stärke des dielektrischen Films 36

Kunststoffen geeigneter Festigkeit und Starre bestehen. bewirken eine Änderung der Zeitkonstante und damit

Die Drähte 30 sollen aus einem guten elektrischen der für die Löschung erforderlichen Zeit. Diese Leiter gebildet sein, wie z. B. aus Kupfer, Silber, Pia- Änderung wirkt sich auch auf die zur Löschung tin, Messing oder Stahllegierungen. Ein guter Isolier- 5 erforderliche Spannung gemäß den bekannten Zustoff, der gegenüber Ätzmitteln zur Bildung der Ver- sammenhängen zwischen Kapazität, Fläche, Stärke, tiefung für den elektrolumincszenten Leuchtstoff 32 Spannung und Zeitkonstante des wirksamen Stromunempfindlich ist, kann zusätzlich zu dem isolieren- kreises aus.
den Lack verwendet werden. Die transparente leitfähige Schicht 38 kann aus mit

Außer Zinksulfid kann als elektrolumineszenter io Zinnoxid beschichtetem Glas sowie dünnen Schichten

Leuchtstoff eine Mischung von Kupferchlorid und mit aus Kupferoxid, Kupferiodid, Zinnoxid, Gold od. ä.

Magnesium aktiviertem Zinksulfid in einem Epoxy- bestehen. Mit etwas komplizierteren mehrschichtigen

bindemittel verwendet werden. Ferner sind die be- Strukturen als durchsichtige leitfähige Schicht 38

kannten elektrolumineszenten Leuchtstoffe anwendbar wurden jedoch eine Leistungsverbesserung und op-

einschließlich der zahlreichen Mischungen derartiger 15 tische Vorteile erreicht, die die Gesamtleistung von

Leuchtstoffe, die für besonders zugeschnittene Emp- Festkörperspeichervorrichtungen verbessern. Im fol-

findlichkeitsbereiche und Lichtabgabespektren ver- genden wird eine vorzugsweise Ausführungsform der

wendet werden. transparenten leitfähigen Schicht 38 auf einem PoIy-

Auiier Zinkoxid können andere Feldeffekt-Halb- vinyiiiuoridfilm 36 beschrieben, die mit einem Klebleiter einschließlich Kadmiumsulfid, Kadmiumoxid, ao stoff wie z. B. Gummilösung auf der Zinkoxid-Feld-Kadmiuiiiselenid, Silizium, Germanium, Zinksulfid, effekt Halbleiterschicht 34 befestigt ist. Auf dem PoIyaktiviertes Zinksulfid, Zinkoxid, Bleioxid u. ä. ver- vinylfluoridfilm 36 befindet sich eine Schicht aus Klebwendet werden. stoff wie z. B. Gummilösung, mit der eine dünne GoId-

Um bei einer Festkörperspeichervorrichtung der schicht befestigt ist, die auf beiden Seiten mit einem

vorstehend beschriebenen Art eine Löschung ohne 25 Aluminium- oder Chromf<'m überzogen ist, um sie zu

Korona-Einwirkung zu ermöglichen, ist ein transpa- schützen und ihr strukturelle Festigkeit zu verleihen,

renter dielektrischer Film 36 mit einem Acryl-Epoxy- Diese Schichten sind mit einer Polyvinylterephthalat-

klebstoff, Gummilösung od. ä. auf der Feldeffekt- schicht abgedeckt, die mit Magnesiumfluorid über- j

Halbleiterschicht 34 befestigt. Über dem transparenten zogen ist. welches eine Reflexion verhindert. j

dielektrischen Film 36 befindet sich eine transparente 30 Gemäß einer anderen Ausführungsform kann der

leitfähige Schicht 38, die mit ähnlichen Klebstoffen Polyvinylfluoridfilm 36 mit einem leitfähigen Harz

befestigt ist. überzogen sein, wozu beispielsweise das wasserlösliche

Überraschenderweise stellte sich heraus, daß das kationische polymere Salz Polyvinylbcnzyltrimethyl-

Anlegen einer Spannung an die durchsichtige, leit- ammoniumchlond verwendet werden kann. Ein der-

fähige Schicht 38 einen Löschvorgang auf der gesamten 35 artiges Harz kann durch Beifügung von 10 bis 50°_o

Speicherfläche bewirkt. Dieser hängt wohl wesentlich Äthylenglykol weich gemacht werden,

von den elektrischen Eigenschaften des dielektrischen Die vorstehend beschriebenen Anordnungen sind in

Films 36 ab. Spannungen zwischen 580 und 4000 Volt idealer Weise als flache Festkorperspcichervorrichtun-

reichten zur Erzeugung dieser Löschvorgänge a«--. gen geeignet. Da sie jedoch vorteilhaft auch in Form

Beispielsweise bewirkt bei einem dielektrischen 4° einer Trommel ausgeführt werden können, ist eine

Film 36 aus Zellophan eine Spannung von 480 V ilt einfachere Ausführungsform einer Trommelanordnung

die gesamte Auslöschung auf der Festkörperspeirher- in Fig. 3 dargestellt. Auf der Trommel 40 befindet sich

vorrichtung. Wenn Polyvinylfluorid als dielektrischer eine Festkörperspeichervorrichtung 42, deren Struktur

Film 36 verwendet wird, so ergibt sich eine Auslö- der in Fig. 1 und 2 gezeigten entspricht und die in

schung bei Spannungen in der Größenordnung von 45 ähnlicher Weise arbeitet. Auf der Festkörperspeicher-

1200 Volt. Ein aus Acetat bestehender dielektrischer vorrichtung 42 befindet sich eine dielektrische Schicht

Film 36 erfordert etwa 2000 Volt, während z. B. Poly- 44, die vorzugsweise aus Polyvinylfluorid besteht, ob-

äthylenterephthalatschichten noch höhere Spannungen wohl auch andere dielektrische Stoffe verwendbar

benötigen. sind. Eine frei drehbare, eine elektrische Spannung

Vorzugsweise wird als dielektrischer Film 36 ein 5° führende elektrisch leitfähige Rolle 46 berührt die

Polyvinylfluoridfilm verwendet. Die elektrischen dielektrische Schicht 44. Eine Spannungsquelle 48

Eigenschaften von Polyvinylfluorid sind: Dielek- liefert die zur Löschung der Festkörperspeichervor-

trizitätskonstante etwa 10, Volumenwiderstand richtung 42 bei Drehung erforderliche Spannung in

7 · 10¹⁴ Ohm cm bei 23°C bis 1,5 · 10^u Ohm cm bei der Größenordnung von 2000 Volt an die Rollen-

100³C, dielektrische Festigkeit etwa 138 Kilovolt 55 elektrode 46. Selbstverständlich können auch andere

pro mm. Elektrodenfigurationen an Stelle der Rolle 46 verwen-

Ein Polyvinylfluoridfilm, der mit Acryl-Epoxykleb- det werden. Bei Drehung der Trommel 40 im Uhrstoff auf einer Zinkoxid-Feldeffekt-Halbleiterschicht zeigersinn mit einer geeigneten (nicht dargestellten) befestigt ist, hat einen Brechungsindex ähnlich dem- Antriebsvorrichtung kann eine Bildinformation an der jenigen des Zinkoxids, so daß die Zinkoxidschicht fast ^6o Stelle 50 auf die Festkörperspeichervorrichtung 42 auftransparent ist und die Verwendung von Mustern zur gebracht werden, wonach sie an der Stelle 52 betrachtet Kontrastverbesserung erlaubt, was sonst wegen der bzw. kopiert werden kann. Eine Löschung der Infor-Lichtstreuungseigenschaften des Zinkoxids nicht mög- mation erfolgt, wenn die Festkörperspeichervorrichlich wäre. Beispielsweise ermöglicht die vorstehend be- tung 42 die leitfähige Rolle 46 berührt bzw. an ihr schricbene Anordnung die Färbung der elektrolumines- ⁶S vorbeiläuft. Bei weiterer Drehung wird dann die gezenten Schicht, so daß das einfallende Licht absorbiert löschte Trommeloberfläche zur Eingabe neuer Inforwird, während das Licht des elektrolumineszenten mationen an der Stelle 50 vorbeigeführt. Anstatt einer Stoffs mit nur geringer Dämpfung abgegeben wird. optischen Informationseingabe in die Festkörper-

speichervorrichtung 42 ist auch eine elektrografischc und eine drucktechnische Informationseingabe durch die dielektrische Schicht 44 hindurch möglich.

Beim Betrieb arbeiten also die in Fig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsformen derart, daß zur Löschung eine Spannung durch eine dielektrische Schicht hindurch auf die Feldeffekt-Halbleiterschicht der Festkörperspeichervorrichtung einwirkt.

Die Erfindung wurde an Hand von Ausführun] beispielen beschrieben, dem Fachmann sind jede ohne Abweichung vom Grundgedanken der Erfindu zahlreiche Änderungen und andere Ausführungsb spiele möglich. Ferner können zur Anpassung an 1 stimmte Anforderungen oder Materialien Weiter! düngen des erfindungsgemäßen Verfahrens verwi licht werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

1 2 bekannt Derartige Vorrichtungen enthalten elektro- Patentansprüche: lumineszente Leuchtstoffe, deren Leuchtbilder bisher durch die Einwirkung eines steuernden Feldes auf die

1. Verfahren zur Löschung einer Festkörper- ihnen zugeordnete Feldeffekt-Halbleiterschicht z. B. speichervorrichtung mit einer durch eine Feldeffekt- 5 aus Zinkoxid gelöscht werden mußten. Zur Löschung Halbleiterschicht steuerbaren elektrolumineszenten wurden auch bereits andere theoretisch mögliche Ver-Leuchtstoffschicht, dadurch gekenn- fahren vorgeschlagen, z. B. ein punktweises Aufbrinzeichnet, daß die Feldeffekt-Halbleiterschicht gen von Ladungen, jedoch hat keine dieser Möglich-(34) mit einem transparenten dielektrischen Film keiten außer der Verwendung einer Korona-Abtast-(36) überzogen wird, der mit einem elektrisch leit- io elektrode die für den praktischen Betrieb geeigneten fähigen Element (38) zum Anlegen einer Lösch- Eigenschaften. Es war bisher erforderlich, den WiderSpannung berührt wird. stand der steuernden Feldeffekt-Halbleiterschicht zu

2. Verfahren zur Löschung einer Festkörper- erhöhen. Hierzu muß im Falle einer Zinkoxidschicht speichervorrichtung mit einer durch eine Feldeffekt- eine negative Ladung aufgebracht werden. Die Erzeu-Halbleiterschicht steuerbaren elektrolumineszenten 15 gung einer gleichmäßigen negativen Ladung auf einer Leuchtstoffschicht, dadurch gekennzeichnet, daß großen Fläche ist jedoch ziemlich schwierig, da längs zur Löschung feuchte Luft über die Oberfläche der einem negativ geladenen Koronadraht periodisch Feldeffekt-Halbleiterschicht (20) geführt wird. Knotenpunkte hoher Feldstärke auftreten. Ferner sind

3. Festkörperspeichervorrichtung, bestehend aus allgemein Hochspannungen in der Größenordnung einer steuernden Feldeffekt-Halbleiterschicht auf 20 von 600 Volt zur Koronaladung erforderlich. Übereiner Anordnung aus elektrolumineszentem Leucht- schlage und Probleme der geeigneten Beschaffenheit stoff und Elektroden, die einen durch die Feld- des Koronadrahtes stellen für den zuverlässigen Beeffekt-Halbleiterschicht steuerbaren Stromfluß zur trieb eines derartigen Speicherfeldes ein dauerndes Anregung des Leuchtstoffes erzeugen, insbesondere Problem dar. Dies ist insbesondere deswegen von zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, 25 Wichtigkeit, weil die Zuverlässigkeit bei der Entwickdadurch gekennzeichnet, daß auf der Feldeffekt- lung von Festkörperspeichervorrichtungen immer von Halbleiterschicht (34) ein transparenter dielek- besorrderem Interesse war.

trischer Film (36) vorgesehen ist, der mit einem Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, Möglichelektrisch leitfähigen Element (38) zum Anlegen keiten zur Löschung von Festkörperspeichervorricheiner Löschspannung in Berührung steht. 3° tungen zu finden, durch die die vorstehend aufgezeig-

4. Festkörperspeichervorrichtung nach An- ten Nachteile und Probleme vermieden werden und die Spruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie die Form keine Erzeugung von Korona-Entladungen erfordern, einer zylindrischen Trommel (40) hat und daß das Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Verfahren zur elektrisch leitfähige Element eine frei drehbare, Löschung einer Festkörperspeichervorrichtung mit eine Spannung führende Rolle (46) ist. 35 einer durch eine Feldeffekt-Halbleiterschicht steuer-

5. Festkörperspeichervorichtung nach An- baren elektrolumineszenten Leuchtstoffschicht erfinspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das elek- dungsgemäß derart ausgebildet, daß die Feldeffekttrisch leitfähige Element (38) eine transparente Haibleiterschicht mit einem transparenten dielektri-Schicht eines leitfähigen Stoffs ist, die den transpa- sehen Film überzogen wird, der mit einem elektrisch renten dielektrischen Film (36) bedeckt, und daß 4° leitfähigen Elemem zum Anlegen einer Löschspannung eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung an berührt wird.

die Schicht (38) vorgesehen ist. Ein anderer Lösungsweg besteht für ein Löschver-

6. Festkörperspeichervorrichtung nach An- fahren erfindungsgemäß darin, daß zur Löschung spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht feuchte Luft über die Oberfläche der Feldeffekt-(38) eines leitfähigen Stoffs aus einem leitfähigen 45 Halbleiterschicht geführt wird.

Kunstharz besteht. Bei beiden Verfahrensarten ist vorteilhafterweise