DE1549143C - Elektrolumineszenzspeicher - Google Patents
ElektrolumineszenzspeicherInfo
- Publication number
- DE1549143C DE1549143C DE19671549143 DE1549143A DE1549143C DE 1549143 C DE1549143 C DE 1549143C DE 19671549143 DE19671549143 DE 19671549143 DE 1549143 A DE1549143 A DE 1549143A DE 1549143 C DE1549143 C DE 1549143C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electroluminescent
- layer
- substance
- electrodes
- variable resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 31
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 17
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 6
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N Cadmium oxide Chemical compound [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N Tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N Barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N Cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N Cadmium sulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002431 foraging Effects 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000036633 rest Effects 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N strontium;barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Sr+2].[Ba+2] CZXRMHUWVGPWRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Die Erfindung betrifft einen Elektrolumineszenzspeicher,
bei dem auf mit Abstand zueinander angeordneten Elektroden eine Schicht eines elektrolumineszenten
Stoffes vorgesehen ist, auf die eine Schicht eines Stoffes mit veränderbarem Widerstand aufgebracht
ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrolumineszenzspeichers.
Gegenwärtig ist eine Anzahl von Festkörper-B ildspeichern
bekannt, die jedoch keine allgemeine Anwendung gefunden haben, da bei ihrer Verwendung
verschiedene Probleme auftreten. Die Speicherfunktion dieser Anordnungen hängt von zumindest einer
unter verschiedenen Erscheinungen ab, wozu die langsame Abnahme der Leitfähigkeit nach Anregung
eines leitfähigen Stoffes, der Hystereseeffekt bei Photoleitern und die optische Rückkopplung gehören.
Einige der Faktoren, die gegen die praktische Anwendung solcher Festkörper-Bildspeicher sprechen,
sind die geringe Empfindlichkeit für einfallende Strahlung, die geringe Lichtausbeute, schlechte oder
keine Halbtönung, Schwierigkeiten bei der Bildlöschung und ein relativ geringes Verhältnis des abgegebenen
Lichtes zum Hintergrundleuchten.
Ein bekannter Festkörper-Bildspeicher besteht auf seiner Bildfläche aus einer Schicht eines Stoffes mit
variablem Widerstand in Serie mit einer Schicht eines elektrolumineszenten Stoffes, wie in den USA.-Patentschriften
2 768 310 und 2 949 537 beschrieben ist. Wie aus diesen Patentschriften hervorgeht, wird das
Bild durch die Zunahme der Leitfähigkeit von Teilen des Stoffes mit variablem Widerstand erzeugt, der ein
photoleitfähiger Stoff ist und auf den die einfallende Strahlung gerichtet wird. Ein derartiger Leitfähigkeitsanstieg
erzeugt eine Lumineszenz im anliegenden Teil des elektrolumineszenten Stoffes.
Es ist auch bereits eine verbesserte elektrolumineszente Speichereinrichtung bekannt (deutsche Auslegeschrift
1 033 712), die die vorstehend beschriebenen, den Betrieb der bekannten Bildplatten beeinträchtigenden
Fehler nicht aufweist. Diese Speichereinrichtung besteht aus einer Bildplatte, die aus einer Anzahl
mit Abstand zueinander angeordneter Elektroden auf der einen Fläche einer tragenden Unterlage, einer auf
den Elektroden liegenden und zumindest teilweise eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden
bildenden Schicht aus einem elektrolumineszenten Stoff und aus einer Photowiderstandsschicht
gebildet ist, die auf der elektrolumineszenten Schicht aufliegt und einen weiteren Teil der elektrischen Verbindung
zwischen den Elektroden bildet. Beim Betrieb dieser Einrichtung wird eine Wechselspannung
zwischen den mit Abstand zueinander angeordneten Elektroden erzeugt, die einen Elektrolumineszenz-J
zustand hervorruft, wenn die Photowiderstandsschicht ihren Zustand geringen Widerstandes hat.
Es stellte sich heraus, daß das Aufbringen einer elektrostatischen Ladung auf die ladungsspeichernde
Fläche der Bildplatte zur Steuerung des Stromflusses von Elektrode zu Elektrode dienen kann. Die Ablagerung
einer elektrostatischen Ladung verändert den Widerstand der Photowiderstandsschicht, wodurch
der Stromfluß in den benachbarten Flächenteilen gleichfalls geändert wird. Eine Verringerung des
Stromflusses verursacht eine entsprechende Verringerung der Lichtabgabe der elektrolumineszenten
Schicht, wodurch sich Halbtoneigenschaften ergeben. Wird der Strom unter den zur Erzeugung einer Elektrolumineszenz
erforderlichen Schwellwert verringert, so tritt keine Lumineszenz auf und der entsprechende
Teil der Speichereinrichtung erscheint schwarz. Der Widerstand wird verringert und der Stromfluß erhöht,
wenn die Ladungen neutralisiert oder von der Fläche entfernt werden. Durch selektives Aufbringen oder
Verändern eines Ladungsmusters auf der Oberfläche der Bildplatte kann ein Bild erzeugt und für lange
Zeiträume gespeichert werden.
In der USA.-Patentschrift 2 905 849 wird eine Speichereinrichtung beschrieben, deren Leuchtschirm
aus einer durchsichtigen Unterplatte und auf deren einen Seite mit Abstand zueinander angeordneten
durchsichtigen Elektroden besteht. Die durchsichtigen Elektroden sind mit einer Schicht eines ferroelektrischen
Stoffes überzogen, die wiederum mit einer Anzahl zueinander mit Abstand angeordneter
leitfähiger Elemente bedeckt ist. Die auf den ferroelektrischen Stoff gegebenen Signale verursachen eine
Änderung der Impedanz dieser Schicht, wodurch der Spannungsabfall an der elektrolumineszenten Schicht
geändert wird. Ein ausreichender Anstieg des Widerstandes der ferroelektrischen Schicht verursacht eine
vollständige Unterbrechung des von der elektrolumineszenten Schicht abgegebenen Lichtes.
; Bei Festkörper-Bildverstärkern, bei denen Elektrodenstrukturen
wie in den vorstehend genannten Speichereinrichtungen verwendet sind, besteht eines
der größten Probleme darin, daß bei nicht angeregtem oder gelöschtem Zustand des Bildfeldes und fehlender
Projektion eines einzugebenden Bildes ein relativ hoher Pegel an Hintergrundleuchten von dem
Leuchtschirm auf der Betrachtungsseite abgegeben wird. Dieses Hintergrundleuchten wird von dem
elektrolumineszenten Stoff an den Kanten der Elektrodenstreifen infolge des Vorhandenseins starker
örtlicher Randfelder abgegeben. Diese Felder sind auch bei relativ geringem Stromfluß zwischen den
Elektroden infolge des Zustandes hohen Widerstandes des in seinem Widerstand veränderbaren Stoffes
vorhanden. Das Hintergrundleuchten ist so stark,
ίο daß es bei Projektion eines Bildes auf das Bildfeld
den Kontrast stark beeinträchtigt, weshalb der resultierende Kontrast in der Größenordnung von 10:1
oder weniger liegt. Dies bedeutet, daß das Verhältnis von abgegebenem Licht zum Hintergrundleuchten
ungefähr 10:1 beträgt. Ein derartiger Zustand verringert den in einem Bildspeicher möglichen Kontrast
und ist daher sehr unerwünscht.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Festkörper-Speichereinrichtung zu schaffen, die die
vorstehend- beschriebenen Nachteile nicht aufweist und Bilder mit starkem Kontrast liefert.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Elektrolumineszenzspeicher der eingangs genannten Art erfindungsgemäß
derart ausgebildet, daß die Leuchtfähigkeit innerhalb eines Teiles der elektrolumineszenten
Schicht verringert ist.
Ein nach der Erfindung ausgebildeter Elektrolumineszenzspeicher
zeichnet sich dadurch aus, daß er Bilder mit starkem Kontrast zwischen abgegebenem
bildlichen Licht und abgegebenem Hintergrundleuchten liefert. Dies ist möglich, weil die vorstehend
beschriebenen Randfelder bekannter Anordnungen durch die teilweise verringerte Leuchtfähigkeit der
elektrolumineszenten Schicht vermieden werden kön-
nen.
Es ist ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrolumineszenzspeichers vorstehend angegebener
Art vorgesehen, bei dem auf eine Unterlage eine Anzahl von Elektroden mit Abstand zueinander aufgebracht
wird, eine Schicht eines elektrolumineszenten Stoffes auf die Elektroden aufgebracht wird und
eine Schicht eines Stoffes mit veränderbarem Widerstand auf die elektrolumineszente Schicht aufgebracht
wird. Dieses Verfahren ist in Weiterbildung des Erfindungsgedankens derart ausgebildet, daß der
elektrolumineszente Stoff zur Verringerung semer Leuchtfähigkeit in bestimmten Schichtteilen gealtert
wird.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand der Figur beschrieben, die einen
vergrößerten Teilschnitt einer gemäß der Erfindung ausgebildeten elektrolumineszenten Anordnung zeigt.
Es sei darauf hingewiesen, daß in der Figur die
Schichtstärken, Elektroden usw. sowie andere Abmessungen sehr vergrößert dargestellt sind, um Einzelheiten
der konstruktiven Ausführung zu zeigen.
Die in der Figur dargestellte Bildplatte 10 besteht aus einer Anzahl mit Abstand zueinander angeordneter
Elektroden 11, die auf einer Unterlage 12 befestigt sind. Jede dieser Elektroden 11 steht mit
einem elektrolumineszenten Stoff 13 in Berührung, der eine auf den Elektroden 11 aufliegende Schicht
bildet. Es sind elektrische Verbindungen 15 zu den Elektroden 11 vorgesehen, die das Anlegen einer
Spannung ermöglichen. Die Elektroden sind abwechselnd mit jeweils einem Pol einer Wechselspannungsquelle
16 verbunden. Nach dem Alterungsprozeß, der noch beschrieben wird, ist eine Schicht 14 eines Stof-
fes mit veränderbarem Widerstand auf die elektrolumineszente
Schicht 13 aufgebracht.
Soll die Speicheranordnung von der anderen Seite der Schicht mit veränderbarem Widerstand betrachtet
werden, so sollen die Unterlage 12 und Elektroden 11 durchsichtig sein. Eine geeignete Kombination
besteht aus optisch transparentem Glas, das mit dünnen optisch transparenten Elektroden aus
Zinnoxyd überzogen ist. Die transparenten Elektroden können gebildet werden, indem Zinnoxyd, hergestellt
durch Reaktion von Dämpfen von Zinnsäure, Wasser und Methanol durch eine geeignete
Maske aufgebracht wird. Eine femer geeignete durchsichtige Unterlage kann unter Verwendung von
Polyäthylenterephthalat hergestellt werden.
SoIl das gespeicherte Bild von der Seite der Schicht mit veränderlichem Widerstand aus betrachtet
werden, so soll diese Schicht durchsichtig oder durchscheinend sein. Bei der tatsächlichen Ausführung
ist der Unterschied zwischen durchsichtiger und durchscheinender Eigenschaft infolge der geringen
Stärke der Schicht so gering, daß er unwesentlich ist. In dieser Ausführungsform kann die Bildplatte auf
einer undurchsichtigen, nichtleitenden Unterlage unter Verwendung undurchsichtiger, beispielsweise metallischer
Elektroden vorgesehen sein. Geeignete durchscheinende Stoffe mit veränderbarem Widerstand
sind dünne Schichten aus Zinkoxyd, Bleioxyd, Kadmiumoxyd, Rochellesalz usw.
Die elektrolumineszente Schicht 13 kann aus jedem bekannten elektrolumineszenten Leuchtstoff bestehen,
beispielsweise aus mit Mangan aktiviertem Zinksulfid, mit Kupfer aktiviertem Zinksulfid usw.
Der elektrolumineszente Stoff wird vorzugsweise mit einem durchsichtigen dielektrischen Bindemittel gemischt,
beispielsweise mit einem Epoxyd- oder Polyvinylchloridharz, wonach diese Mischung durch eines
der bekannten Verfahren als Schicht auf die zueinander mit Abstand angeordneten Elektroden auf gebracht
wird. Die Bildplatte wird dann einer hochfrequenten Wechselspannung ausgesetzt, die so lange
an den Elektroden anliegt, bis die Lichtabgabe der elektrolumineszenten Schicht an den Kanten der
Elektroden verringert ist. Die für diesen Alterungsprozeß erforderliche Zeit kann sich mit der Stärke
der elektrolumineszenten Schicht und dem jeweils verwendeten Stoff ändern. Im allgemeinen wird der
Alterungsprozeß jedoch eine bis zwei Stunden und bis zu zwei bis vier Tagen durchgeführt, was von den
genannten Faktoren sowie der angelegten Spannung und dem Grad der gewünschten Alterung abhängt.
Der Grad der Alterung ist proportional der Frequenz und der Stärke des Wechselstromes. Durch
eine getrennte oder gemeinsame Erhöhung dieser Größen kann der für die Alterung erforderliche Zeitraum
verkürzt werden. Wird eine niedrigere Spannung verwendet, so muß die Alterung länger durchgeführt
werden. Der Grad der Alterung ist ferner proportional dem Abstand zwischen den Elektroden.
Wird dieser Abstand erhöht, so muß zur Alterung desselben Stoffes in derselben Zeit die Spannung oder
zumindest einer der anderen Faktoren erhöht werden, um den Widerstandsanstieg zwischen benachbarten
Elektroden zu kompensieren. Der Alterungsprozeß kann durch Einwirken feuchter Atmosphäre
auf die Anordnung beschleunigt werden. Dies wird durch eine Alterung in einem geschlossenen Behälter
erreicht, in dem ein Wassergefäß vorgesehen ist, so daß sich eine Atmosphäre mit 100 % relativer Feuchtigkeit
ergibt.
Der Stoff mit veränderlichem Widerstand kann jetzt auf die gealterte elektrolumineszente Schicht mit
jedem bekannten Verfahren aufgebracht werden. Dieser Stoff kann ein ferroelektrischer Stoff beispielsweise
Rochellesalz, Bariumtitanat, Bariumstrontiumtitanat, ein Feldeffekt-Halbleiter wie z. B. Zinkoxyd,
Bleioxyd, Kadmiumoxyd und Kadmiumsulfid, ein Photoleiter wie z. B. Kadmiumselenid, Selen, Selenlegierungen mit geringeren Anteilen Arsen oder TeI-lur
und aktivierte oder sensitivierte Formen der vorstehend genannten Stoffe sein. Ferner kann jeder andere
Stoff verwendet werden, der als steuernde Schicht für die Herstellung einer elektrolumineszenten
Speicheranordnung wirkt.
Das folgende Beispiel dient der weiteren Erläuterung und dem besseren Verständnis der Erfindung
durch den Fachmann. Es soll keine Einschränkung des Grundgedankens der Erfindung, sondern ledig-Hch
ein Ausführungsbeispiel darstellen.
Eine Glasplatte mit ca. 30 cm Länge und ca. 30 cm Breite sowie 4,8 mm Stärke ist mit einem Gitter aus
durchsichtigen Elektroden in Form von leitenden Glasstreifen versehen. Jeder Elektrodenstreifen erstreckt
sich über die Breite der Platte und hat eine Breite von ca. 0,25 mm. Die Elektrodenstreifen sind
parallel zueinander in einem gegenseitigen Abstand von ca. 0,25 mm angeordnet. Auf den Elektrodenstreifen
ist eine Schicht von ca. 0,05 mm Stärke aus Zinksulfid-Leuchtstoff in einem Epoxydharz-Bindemittel
aufgebracht. Die leitenden Elektroden sind abwechselnd mit jeweils einem Pol einer Wechselspannungsquelle
verbunden. Vor dem Alterungsprozeß beträgt die durchschnittliche Leuchtdichte an den
Kanten bei 600Voltund600Hz mehr als l,0761m/m2.
Nun wird zwischen den Elektroden einige Tage lang eine Hochfrequenzspannung von ca. 600 Volt und
ca. 20. kHz angelegt, wobei die relative Feuchtigkeit in der Alterungskammer nahezu 100 % beträgt. Nach
diesem Alterungsprozeß ist das Hintergrundleuchten auf weniger als 0,1076 lm/m2 verringert. Die BiIdplatte
wird nun durch Ablagerung eines Zinkoxyd-Feldeffekt-Halbleiters in Form einer Schicht fertiggestellt.
Das Hintergrundleuchten in den nicht angeregten oder dunkel gefärbten Flächenteilen ist bemerkenswert
verringert, während die Lichtstärke in den hellen Flächenteilen den anfänglichen hohen. Pegel
hat. Wie aus den genannten Zahlen hervorgeht, wird der Kontrast zwischen bildhaften und nicht bildhaften
Flächenteilen zumindest um eine Größenordnung erhöht.
Zur Beschreibung der Funktion von Speicheran-Ordnungen mit elektrolumineszentem Bildfeld wird
auf die USA.-Patentschriften 2768 310 und 2905 849
verwiesen. Sie treffen teilweise auch für die Funktion der erfindungsgemäßen Speicheranordnung zu.
Die verwendeten Elektrodenstreifen dienen lediglieh als Anordnungen zur genauen Auswahl der
Länge und des Querschnittes für den Stromfluß. Durch Verringerung des Abstandes zwischen den
Elektroden und/oder Erhöhung der Stärke der Schicht mit variablem Widerstand kann der Stromfluß
für vorgegebene Bedingungen erhöht werden.
Ferner können die Elektrodenstreifen jede beliebige Konfiguration haben, solange die in der Widerstandsschicht
erfolgende Widerstandsänderung den Stromfluß zwischen den Elektroden steuert.
In bestimmten Fällen ist es vorteilhaft, eine Schicht eines undurchsichtigen Isolierstoffes zwischen dem
elektrolumineszenten Stoff und der Schicht mit variablem Widerstand vorzusehen. Der undurchsichtige
Isolierstoff wird beispielsweise aus Lampenruß in einem geeigneten Bindemittel gebildet und auf die
elektrolumineszente Schicht gesprüht. Die undurchsichtige Schicht verhindert eine Lichtrückkopplung
vom elektrolumineszenten Stoff in die Schicht mit veränderbarem Widerstand, wenn diese gleichfalls
aus einem Photoleiter besteht, der für das während der Lumineszenz abgegebene Licht empfindlich ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
209 535/487
Claims (15)
1. Elektrolumineszenzspeicher, bei dem auf mit
Abstand zueinander angeordneten Elektroden eine Schicht eines elektrolumineszenten Stoffes'
vorgesehen ist, auf die eine Schicht eines Stoffes mit veränderbarem Widerstand aufgebracht ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtfähigkeit innerhalb eines Teiles der elektrolumineszenten
Schicht (13) verringert ist.
2. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil
der elektrolumineszenten Schicht (13), dessen Leuchtfähigkeit verringert ist, sich im Bereich der
Kanten der Elektroden (11) befindet.
3. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stoff
mit veränderbarem Widerstand ein Photoleiter ist.
4. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stoff
mit veränderbarem Widerstand ein Feldeffekt-Halbleiter ist und daß eine ladungsaufnehmende
Fläche vorgesehen ist.
5. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekt-Halbleiter
Zinkoxyd ist.
6. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stoff
mit veränderbarem Widerstand ein ferroelektrischer Stoff ist.
7. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
(11) durchscheinend sind, mit Abstand zueinander auf der Oberfläche einer durchscheinenden
Unterlage (12) angeordnet und abwechselnd mit jeweils dem einen bzw. dem anderen
Pol einer Wechselstromquelle verbunden sind.
8. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
elektrolumineszente Stoff gealtert ist.
9. Verfahren zur Herstellung eines gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildeten
Elektrolumineszenzspeichers, bei dem auf eine Unterlage eine Anzahl von Elektroden mit
Abstand zueinander aufgebracht werden, eine Schicht eines elektrolumineszenten Stoffes auf die
Elektroden aufgebracht wird und eine Schicht eines Stoffes mit veränderbarem Widerstand auf
die elektrolumineszente Schicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrolumineszente
Stoff zur Verringerung seiner Leuchtfähigkeit in bestimmten Schichtteilen gealtert wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrolumineszente Stoff
vor dem Aufbringen des Stoffes mit veränderbarem Widerstand gealtert wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß der Stoff mit veränderlichem Widerstand vor der genannten Alterung aufgebracht
wird und während der Alterung in einem Zustand hohen Widerstandes gehalten wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Alterung
in der Einwirkung einer hochfrequenten Wechselspannung auf den Elektrolumineszenzspeicher
(10) besteht.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß während der Alterung eine
Atmosphäre hoher Feuchtigkeit erzeugt wird.
14. Verfahren zur Erzeugung eines Bildes mit einem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 und 6
bis 8 ausgebildeten Lumineszenzspeicher, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand zumindest
eines Teiles der Schicht (14) mit veränderbarem Widerstand geändert wird und daß
durch diese Schicht (14) und die elektrolumineszente Schicht (13) zwischen den Elektroden (11)
ein Stromfluß erzeugt wird, wodurch sich ein Licht-Schatten-Bild mit starkem Kontrast zwischen
abgegebenem bildlichen Licht und abgegebenem Hintergrundleuchten ergibt.
15. Verfahren zur Erzeugung eines Bildes mit einem gemäß einem der Ansprüche 4, 5, 7 oder 8
ausgebildeten Elektrolumineszenzspeicher, dadurch gekennzeichnet, daß auf zumindest einem
Teil der ladungsaufnehmenden Fläche ein elektrostatisches Ladungsbild erzeugt wird, das den
Stromfluß durch die Feldeffekt-Halbleiterschicht (14) beeinflußt, und daß zwischen den Elektroden
(11) in der Feldeffekt-Halbleiterschicht (14) und der elektrolumineszenten Schicht (13) ein Stromfluß
erzeugt wird, der eine Lumineszenz des in seinen Eigenschaften geänderten elektrolumineszenten
Stoffes bei Fehlen einer elektrostatischen Ladung auf der ladungsaufnehmenden Fläche erzeugt,
wodurch sich ein Bild mit starkem Kontrast zwischen abgegebenem bildlichen Licht und
abgegebenem Hintergrundleuchten ergibt.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US58286066A | 1966-09-29 | 1966-09-29 | |
US58286066 | 1966-09-29 | ||
DEX0000118 | 1967-09-29 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1549143A1 DE1549143A1 (de) | 1971-02-18 |
DE1549143B2 DE1549143B2 (de) | 1972-08-24 |
DE1549143C true DE1549143C (de) | 1973-04-12 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1497164B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Ladungsbildes auf einer isolierenden Oberfläche | |
DE1489986B1 (de) | Geschichteter Koerper mit durch Bestrahlung anregbarer elektrischer Leitfaehigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1489113C3 (de) | Festkörperbildwandler | |
DE1489105B1 (de) | Ladungspeicherndes festkoerperbauelement | |
DE1514472A1 (de) | Photoleitende Schicht und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1937208B2 (de) | Bildschirm fuer kathodenstrahlroehren | |
DE1549143C (de) | Elektrolumineszenzspeicher | |
DE1809749A1 (de) | Signalspeichervorrichtung | |
DE1549143B2 (de) | Elektrolumineszenzspeicher | |
DE1935730C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Festkorperspeicherplatte | |
DE1914912C3 (de) | Festkörper-Bildverstärker | |
DE1004301B (de) | Strahlungsverstaerker mit fotoleitendem und elektrolumineszierendem Material | |
DE1489322C3 (de) | Nachleuchtender Bildschirm | |
DE1808238C3 (de) | Elektrolumineszenzspeicher | |
DE1963615A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines elektrostatischen Bildes in der elektronischen Photographie und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens | |
DE2060332C3 (de) | Festkörper-Bildverstärker und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1639460C (de) | Festkörper Bildverstärker | |
DE2146672C3 (de) | Verfahren zur Koronaaufladung eines elektrofotografischen Materials | |
DE1597880C3 (de) | Verfahren zum Verstärken der Ladungsunterschiede eines Ladungsbildes | |
DE1522655C (de) | Elektrofotografisches Auf zeichnungsmatenal | |
CH334445A (de) | Festkörper-Bildverstärker | |
DE1549142C3 (de) | Elektrolumineszenzspeicher und Verfahren zu seiner Anwendung | |
DE1414742A1 (de) | Schaustellungsvorrichtung | |
DE1815216C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrolumineszenten Festkörperspeichervorrichtung | |
DE1597880B2 (de) | Verfahren zum verstaerken der ladungsunterschiede eines ladungsbildes |