DE2420788C3

DE2420788C3 - Ladungsspeicherplatte für eine elektronische Speicherröhre

Info

Publication number: DE2420788C3
Application number: DE2420788A
Authority: DE
Inventors: Steven R. Princeton N.J. Hofstein (V.St.A.)
Original assignee: Princeton Electronic Products Inc
Current assignee: Princeton Electronic Products Inc
Priority date: 1974-03-08
Filing date: 1974-04-29
Publication date: 1980-08-21
Also published as: FR2263598A1; DE2420788B2; JPS5530655B2; CA1007692A; IT1021130B; DE2420788A1; JPS50120961A; US3940651A; NL7407591A; GB1474762A; FR2263598B1

Description

Die Erfindung betrifft eine Ladungsspeicherplatte für eine elektronische Speicherröhre mit einer tilektronenstrahl-Erzeugungseinrichlung für einen zum Schreiben, Löschen und Lesen dienenden Elektronenstrahl und einer Ablenkeinrichtung zum Ablenken des Elektronenstrahls, die eine leitfähige Schicht aufweist, auf der im Abstand voneinander mehrere Sockel angeordnet sind, die je eine Isolierschicht tragen, wobei der Querschnitt der Sockel kleiner ist als die Fläche der darauf liegenden Isolierschichten, die Isolierschichten in einer zu der leitenden Schicht parallelen Ebene liegen und jeweils zwischen zwei Isolierschichten einen Zwischenraum freilassen, in dem die Oberfläche der leitfähigen Schicht freiliegt.

Eine solche Ladungsspeicherplatte ist aus der DE-OS 19 842 bekannt. Bei dieser bekannten Ladungsspeicherplatte besteht die leitende Schicht und die hiervon ausgehenden Sockel aus einem leitfähigen Material, beispielsweise leitfähigem Silizium.

Die sorgfältige Beobachtung von elektronischen Speicherröhren mit Ladungsspeicherplatten der eingangs genannten Art hat gezeigt, daß eine Bildabschwächung stattfindet. Es wurde gefunden, daß zusätzlich zu dem bekannten Abschwächungsmechanismus der Gasionenentladung der Isolatoroberflächenladung andere Effekte, beispielsweise eine durch lonisationsstrahlung induzierte Leitfähigkeit in dem isolierten Gitter, dabei eine wichtige Rolle spielen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Ladungsspeicherplatte der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß die Speicherzeit erheblich verbessert, die Löschgeschwindigkeit stark erhöht und eine hohe Auflösung erzielt wird.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß erfindungsgemäß die Sockel aus einem ersten Isoliermaterial bestehen, während die von den Sockeln getragenen Isolierschichten aus einem zweiten Isoliermaterial bestehen und daß die Leitfähigkeit eines der beiden Isoliennaterialien durch ionisierende Strahlung nicht beeinflußt wird.

Vorzugsweise besteht das strahlungsunempfindliche Isoliermaterial aus einem Isolierstoff der Gruppe Siliziumnitrid, Aluminiumoxid und Siliziumoxinitrid.

Mit einer Ladungsspeicherplatte dieser Art lassen sich verbesserte Speicherzeiten in der Größenordnung von einer Stunde erreichen. Ferner hat sich gezeigt, daß das Löschniveau über Stunden sehr stabil bleibt Ein weiterer Vorzug der Erfindung besteht darin, daß die Herstellung der Sockel aus Siliziumnitrid, Aluminiumoxid oder Siliziumoxinitrid unter Einhaltung genauer Maße für den Querschnitt der Sockel und einer geringen Höhe der Sockel wesentlich einfacher ist als die ätztechnisohe Herstellung von Siliziumsockeln.

Die E^rfindung wird nun an Hand von Ausführungsbeispielen und der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine vereinfachte Darstellung einer bekannten Speicherpla'te mit in einer Ebene liegendem Gitter und der zugehörigen Bauteile einer elektronischen Speicherröhre, welches zur Erläuterung der Betriebsweise ausreichend ist,

F i g. 2d ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer Speicherplatte gemäß der Erfindung,

Fig. 2a —2d Speicherplatten in verschiedenen Stadien der Herstellung und

Fig. 3a und 3b perspektivische Darstellungen anderer Ausführungsbeispiele der Erfindung.

F i g. 1 zeigt eine Speicherplatte 10 mit in einer Ebene liegendem Gitter, die eine leitfähige Siliziumunterlage 11 mit einem in einer Ebene liegenden Gitter aufweist, das aus mehreren, dünnen, länglichen Streifen 12 besteht, die so angeordnet sind, daß zwischen den nebeneinariderliegenden Kanten 12a der Streifen 12 Oberflächenbereiche 11;j des leitfähigen Siliziums freiliegen. Die Streifen 12 bestehen in typischen Fällen aus einem geeigneten Isoliermaterial, beispielsweise aus Siliziumdioxid. Das in einer Ebene liegende Gitter funktioniert in derselben Weise wie das Steuergitlcr einer Vakuumröhre (Triode), welches die Menge an Elektronen aus dem Elektronenstrahl 13 der elektronischen Speicherröhre steuert, die auf die Oberflächenbereiche Hader leitfähigen .Siliziumunterlage Il auftreffen kann. Das Steuergitter einer Triode steuert die Menge an Elektronen, die die Anode erreichen, durch Steuerung des an das Steuergitter angelegten .Spannungsniveaus in einer solchen Weise, daß wenn das Steuergitter mehr negativ gemacht wird, weniger Elektronen die Anode erreichen, bis ein Grenzpunkt erreicht wird. Wenn umgekehrt das Steuergitter mehr positiv gemacht wird, wird eine größere Zahl der Elektronen von der Kathode zu der Anode durchgelassen.

Eine analoge Funktion wird von dem in einer Ebene liegenden Gitter der vorliegenden Erfindung dadurch durchgeführt, daß ein Oberflächenpotential auf der riitteroberfläche durch Beschüß der Oberfläche mit i.luktronen in Verbindung mit dem Anlegen vorbestimmter Steuerspannungen erzeugt wird.

Die Elektronenspeicherröhre hat drei grundlegende Betriebsweisen, nämlich Lesen, Schreiben und Löschen. Beim Löschen wird eine Targetspannung Vte an den Anschluß 14 angelegt, die in typischen Fällen in der Größenordnung von + 20 V liegt. Der Elektronenstrahl 13 wird so gesteuert, daß er in der gewünschten Weise die Streifen 12 abtastet Die Elektronen von dem Elektronenstrahl 13 erzeugen ein Ladungsmuster auf den Oberflächen der Streifen 12, welches so lange aufgebaut wird, bis das Oberflächenpotential auf dasselbe Poientialniveau wie das der Kathode 15 der Elektronenstrahlquelle reduziert ist, die in typischen Fällen auf ihrem Potential gehalten wird. Auf diese Weise wird ein gleichförmiges Ladungsmuster erzeugt, welches ein Oberflächenpotential von OV bewirkt, wenn die Targetspannung bei + 20 V gehalten wird.

Um sicherzustellen, daß eine vollständige Löschung stattgefunden hat, wird die Targetspannung auf eine Spannung abgesenkt, die gewöhnlich als Lesespannungsniveau Vtr verwendet wird, und in typischen >o Fällen in der Größenordnung von + IO V liegt. Da die Streifen 12 als Kapazitäten wirken, kann ihr gespeicherter Ladungszustand sich nicht augenblicklich ändern, so daß das Oberflächenpotential entsprechend mit der Änderung in der Targetspannung auf einen Wert von -10 V absinkt Der Elektronenstrahl 13 wird dann so gesteuert, daß er die Speicherplatte abtastet, und der Targetstrom /_rwird überwacht. Da das Oberflächenpotential der Streifen 12 bei -10 V liegt, wobei dieses Potentialniveau unter dem Erd-Bezugspotential der jo Kathode 15 liegt, weist das in einer Ebene liege* de Gitter die Elektronen ab. Bei einer typischen Gitterform, bei der die freiliegende Siliziumfläche gleich groß wie die Fläche des Gitters ist, ist ein Oberflächenpotential auf dem Gitter gleich und entgegengesetzt (in der j·-, Polarität) zu der Targetspannung und ausreichend, um zu verhindern, daß Elektronen die freiliegende Fläche I la des Siliziums treffen, so daß ein Targetstrom gleich Null gemessen wird, der die vollständige Löschung anzeigt. _4II

Beim Schreiben wird die Targetspannung auf einen Wert V/w angehoben, der in typischen Fällen in der Größenordnung von +300V liegt. Die kapazitive Kopplung zu der Oberfläche der Gitterstreifen 12 bewirkt, daß das Oberflächenpotential um einen 4-, äquivalenten Betrag angehoben wird, so daß das Oberflächenpotential zu diesem Zeitpunkt in der Größenordnung von +280V liegt. Der Elektronenstrahl 13 wird so gesteuert, daß er die Speicherplatte abtastet, und gleichzeitig wird eine Modulationsspan- v> nung an den Anschluß Ci des Steuergitters 16 der Elektronenstrahlquelle angelegt. Das hohe Oberflächenpotential des in einer Ebene liegenden Gitters bewirkt eine erhebliche Beschleunigung der Elektronen in dem Elektronenstrahl 13, so daß die Elektronen quf ■-,-, die Oberflächen der Streifen 12 mit einer genügend hohen Geschwindigkeit auftreffen, um aus den Oberflächen eine erheblich größere Zahl an Elektronen herauszustoßen als Elektronen von dem Strahl von den Oberflächen der Streifen eingefangen werden. Dieser mi sekundäre Emissionseffekt bewirkt, daß die Streifen 12 Elektronen schneller abgeutu als die Oberflächen Elektronen annehmen, so daß das Oberflächenpotential auf ein positiveres Niveau gebracht wird. Die Erhöhung des Oberflächenpotentials ist eine Funktion der t,i Intensität des Strahls, der auf einer bestimmten Stelle auftrifft. Diese Strahlintensität wird durch die Modulationsspannung gesteuert, die an das Steuergitter G, angelegt wird. Das Oberflächenpotential liegt in typischen Fällen im Bereich von +280V bis +290V und stellt ein Bild der Daten oder einer anderen Information dar, die angezeigt werden soll.

Beim Lesen wird die Targetspannung auf das Lesespannungsniveau Vtr herabgesetzt, das in typischen Fällen in der Größenordnung von +10V liegt, wie oben erwähnt wurde. Der Elektronenstrahl 13 wird so gesteuert, daß er die Speicherplatte abtastet Der Strahl wird nicht moduliert, da die an das Steuergitter Gi angelegte Spannung auf einem konstanten Wert gehalten wird. Da die an die Speicherplatte angelegte Lesespannung in der Größenordnung von +10 V ist, ist das Oberflächenpotential des Targetgitters im Bereich von - 10 bis -5 V und in bestimmten Anwendungsfällen von -10 bis OV. Wenn der Strahl solche Stellen überstreicht, wo das Oberflächenpotentia! des Gitters auf einem minimalen Wert von —10 V ist, werden die Elektronen in den Strahl zurückgewiesen und dadurch daran gehindert, auf die freiliegende Fläche 11a der leitfähigen Siliziumunterlage 11, die zwischen den Gitterstreifen liegt, aufzutreffen, so daß kein Targetstrom /ran diesen Stellen gemessen wird. Während der Strahl 13 Bereiche abtastet, wo das Targetgitter mehr positiv ist (das heißt näher bei +0V liegt) wo die Abstoßung des Gitters herabgesetzt ist, können mehr Elektronen cuf die Bereiche 11a der Speicherplatte auftreffen, die neben den Positionen liegen, wo das Oberflächenpotential des Gitters näher bei dem Eidoder Bezugspotential liegt. Da das Oberflächenpotential des Gitters vorzugsweise immer kleiner als 0 V ist und da die Kathode 15 auf dem Bezugspotential gehalten wird, werden die Elektronen durch Abstoßung daran gehindert, auf die Oberfläche des Gitters aufzutreffen, so daß das darauf erzeugte Leitungsmuster selbst dann unverändert bleibt, nachdem Lesevorgänge wiederholt durchgeführt worden sind.

Das gespeicherte Bild kann dadurch sichtbar gemacht werden, daß der Targetstrom h verstärkt und an eine herkömmliche Anzeigeeinrichtung mit einer Kathodenstrahlröhre angekoppelt wird, die synchron mit der Abtastung der Speicherplatte 10 durch den Elektronenstrahl 13 abgetastet wird, so daß ein sichtbares Bild des gespeicherten Bildes erzeugt wird. Wenn es erwünscht ist, das gespeicherte Bild durch ein anderes Bild zu ersetzen, wird ein Löschvorgang durchgeführt, der in der oben beschriebenen Weise erfolgt.

Während eine herkömmliche Speicherplatte, wie sie durch die Speicherplatte 10 in F i g. 1 dargestellt ist, eine verhältnismäßig gute Speicherzeit hat, hat es sich dennoch gezeigt, daß das gespeicherte Bild nach wiederholten Lesevorgängen blasser wird. Daher wurden an Speicherröhren der in Fig. 1 gezeigten Art genaue Untersuchungen vorgenommen, um die Ursache für das Blasserwerden des Bildes zu bestimmen. Ein bekannter Effekt in diesem Zusammenhang rührt von den positiven Gasionen her, die in dem Kolben der elektronischen Speicherröhre vorhanden sind. Wie bei den von dem Gas erzeugten Gitterleckströmen in einer Vakuumröhre (Triode) werden positive Gasionen, die durch Zusammenstoß des Elektronenstrahls mit Restgasmolekülen erzeugt werden, von der negativ geladenen Oberfläche des Targetgitters angezogen und setzen sich eM. Dadurch wird das Oberflächenpotential langsam von einem negativen Wert nach oben zu einer Spannung gleich Null verschoben. Mit anderen Worten wird eine gelöschte oder »schwarze« Fläche langsam blasser und gleicht sich einer »weißen« Fläche an. Die

Geschwindigkeit, mit der der Gasionenstrom das Bild in Richtung auf »weiß« abschwächt, hängt auch von dem ionisierenden Strahlstrom und der Kapazität des Targetgitters ab. Je höher die Kapazität des Gitters ist, desto langsamer geht die Bildabschwächung vonstatten und desto gröC ⁿr ist die Bildspeicherzeit.

In der Praxis ist es jedoch erwünscht, die Löschzeit auf ein Minimum herabzusetzen, während die Speicherzeit maximal sein soll. Definiert man einen Qualitätsfaktor KaIs:

„ _ Speicherzeit _ r_r

Löschzeit

dann ergibt sich, daß, obwohl die Kapzität der Speicherplatte (die durch Änderung der Dicke der Streifen 12 variiert werden kann) ein Mittel zum Erhöhen oder Herabsetzen der Speicherzeit und der Löschzeit darstellt, diese Werte sich proportional ändern, während sich der Qualitätsfaktor nicht ändert.

Der Effekt des Restgases in der Röhre auf die Speicherzeit wurde genau untersucht, und es hat sich gezeigt, daß die Menge an Restgas um eine oder zwei Größenordnungen zu gering war, um als Hauptursache 2> für die Bildabschwächung in Betracht zu kommen. Während der Experimente hat es sich jedoch gezeigt, daß der Elektronenstrahl 13 beim Auftreffen auf ein Bremsgitter der elektronischen Speicherröhre (welches zur Vereinfachung nicht gezeigt ist) eine Ionisationsstrahlung (das heißt Röntgenstrahlung) erzeugt, die die Leitfähigkeit der Siliziumdioxidstreifen 12 erhöht. Die Berücksichtigung dieses Effektes hat dann zu der erfindungsgemäßen Anordnung geführt.

Anhand der Fig. 2a —2d wird die Herstellung einer erfindungsgemäßen Speicherplatte beschrieben.

F i g. 2a zeigt eine vielschichtige Anordnung 50, die aus einer Schicht aus leitfähigem Silizium 51, einer Schicht 52 aus Siliziumdioxid, einer Schicht 53 aus Siliziumnitrid und einer Schicht 54 aus Siliziumdioxid 4(1 besteht. Die Dicken der Schichten 52,53 und 54 liegen in typischen Fällen bei 1,0 μίτι, 0,2 μΐη bzw. 0,2 μπι, obwohl auch andere Dickenwerte angewendet werden können, die von den angegebenen Werten abweichen. Ein geeigneter Photolack 55 wird in einem Streifenmuster als Maske aufgebracht. Die Anordnung wird unter Verwendung eines gepufferten HF-Ätzmittels geätzt, welches die freiliegenden Teile des Siliziumdioxids in der Schicht 54 wegätzt, um Streifen zu bilden, wie in F i g. 2b gezeigt ist. Der Photolack 55 wird dann entfernt, und die Siliziumnitridschicht wird unter Verwendung einer heißen Phosphorsäure geätzt. Die Siliziumdioxidstreifen 54, die chemisch durch die Phosphorsäure nicht angegriffen werden, dienen als Maske, so daß das Ätzmittel (Phosphorsäure) nur die freiliegenden Bereiche der Siliziumnitridschicht wegätzen kann, um das in F i g. 2c gezeigte Muster zu bilden.

Unter Verwendung der bekannten Ätzgeschwindigkeit von Siliziumdioxid wird die Anordnung dann in einem HF-Ätzmittel geätzt, bis die Siliziumdioxidschicht bO 52 »hinterschnitten« ist, so daß der Hauptteil der Siliziumnitridschicht 53 isoliert ist Der Ätzvorgang wird fortgesetzt bis die Hinterschneidung die Sockel 52 bildet wie sie in F i g. 2d gezeigt sind. Es ist zu beachten, daß bei diesem Ätzvorgang gleichzeitig die maskieren- h-> de Oxidschicht 54 entfernt wird, so daß die Oberflächen des Siliziumnitrids ebenfalls freiliegen, wie in Fig.2d gezeigt ist Auf diese Weise wird die Speicherplatte von F i g. 2d hergestellt, die eine leitfähige Siliziumunterlag 51 aufweist, welche einen Sockel 52 aus Siliziumdioxi hat, der die Siliziumnitridstreifen 53 in der gezeigte Weise trägt. Das beschriebene Verfahren gestattet ein genaue Kontrolle über die Dicke G des Spaltes, in den man einfach die Dicke der Schicht 52 steuert

Obwohl in der Anordnung gemäß F i g. 2d die Streife 53 aus Siliziumnitrid bestehen, ist zu beachten, daß auc ein anderes, im wesentlichen gegen eine lonisierungs strahlung unempfindliches Isoliermaterial verwende werden kann. Andere geeignete Isoliermaterialien sin Aluminiumoxid und Siliziumoxynitrid. Alternativ kön nen die Streifen 53 von F i g. 2d aus einem Isoliermate rial gebildet sein, das nicht beständig gegen lonisie rungsstrahlung ist, beispielsweise aus Siliziumdioxid. I diesen Fällen müssen die Sockel aus einem gegen dl· Strahlung unempfindlichen Isoliermaterial hergestell sein, um Streifen zu tragen, die ihrerseits aus einen gegenüber der Ionisierungsstrahlung empfindlichei Isoliermaterial bestehen. Obwohl die Streifen und dl· Sockel so dargestellt sind, daß sie jeweils aus einen einzigen Material bestehen, können sie jeweils aus mehreren Schichten oder aus Kombinationen mehrere Isoliermaterialien bestehen.

Während eine bevorzugte Anordnung des Targetgit ters darin besteht, daß die Streifen länglich sind unc unter Abständen parallel zueinander liegen, ist zi beachten, daß auch andere Anordnungen verwende werden können. Eine andere Anordnung besteh beispielsweise aus kleinen, rechteckigen oder quadrati sehen Feldern, die jeweils von einem getrennten Socke getragen werden und die in einer Matrixanordnung mi M Spalten und N Reihen angeordnet sind.

Die F i g. 3a und 3b zeigen weitere Ausführungsbei spiele. F i g. 3a zeigt eine perspektivische Darstellung einer Speicherplatte 60, die aus einem Substratteil 6 mit einer leitfähigen Schicht 62 auf einer Oberflächi besteht. Es ist zu beachten, daß die leitfähige Schicht 62 die beispielsweise aus Silizium bestehen kann, entwede einstückig mit dem Substratteil 61 (das heißt sowohl de Substrattei! 61 als auch die Schicht 62 bestehen au Silizium) ausgebildet sein können, oder der Substrattei kann aus einem anderen Material bestehen. Di< leitfähige Siliziumschicht 62 kann beispielsweise dl· Form einer Silizium-Dünnschicht haben, die über einem Substratteil 61 aufgebracht ist der aus einem Saphi besteht. Mehrere unter Abstand angeordnete, im wesentlichen parallele Sockel 63 sind auf der leitfähigen Schicht 62 in der gezeigten Weise angeordnet Nur zwei solche Sockel sind in F i g. 3a zur Vereinfachung gezeigt Jeder der schmalen Sockel 63 trägt jeweils einen Streifen 64, wobei die Streifen ebenfalls vorzugsweise unter Abständen und parallel zueinander angeordne sind, so daß ein Bereich 62a der leitfähigen Schien zwischen den nebeneinanderliegenden Kanten de Streifen frei liegt Die Streifen 64 dienen al Ladungsspeicherbereiche einer in einer Ebene Hegenden Gitteranordnung. Die Sockel können entweder aus einem für Strahlung empfindlichen Isoliermaterial dessen elektrische Leitfähigkeit in Anwesenheit von Ionisierungsstrahlung größer wird, oder alternativ aus einem gegen Strahlung unempfindlichen Isoliermaterial bestehen, dessen elektrische Leitfähigkeit in dei Anwesenheit von Ionisierungsstrahlung im wesentli chen unverändert bleibt Geeignete Isoliermaterialien können aus den oben erwähnten Isoliermaterialien ausgewählt werden. Entsprechend können die Streifen 64 auch aus einem Isoliermaterial bestehen, das

entweder gegen Strahlung empfindlich oder strahlungsunempfindlich ist.

F i g. 3b zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel, bei dem entsprechende Elemente wie in Fig.3a dieselben Bezugszahlen tragen. In dem Ausführungsbeispiel 60' von F i g. 3b haben die Sockel 63 die Form von Pfosten, die jeweils zur Abstützung eines Ladungsspeicherelementes dienen, das beispielsweise eine rechteckige Form haben kann, wie gezeigt ist. Es ist zu beachten, daß zum Zwecke der Vereinfachung nur zwei typische

Ausführungen des Sockels 63 und der Ladungsspeicherelemente 64' gezeigt sind, während die Speicherplatte mit einem Muster solcher Teile über ihrer gesamten Oberfläche versehen ist, die dem Elektronenstrahl ausgesetzt ist. Es ist ferner zu beachten, daß die einzelnen Ladungsspeicherelemente 64' verschiedene Formen haben und beispielsweise rechteckig, quadratisch, dreieckig, kreisförmig usw. ausgebildet sein können.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Paten tansprüch e:

1. Ladungsspeicherplatte für eine elektronische Speicherröhre mit einer Elektronenstrahl-Erzeugungseinrichtung für einen zum Schreiben, Löschen und Lesen dienenden Elektronenstrahl und einer Ablenkeinrichtung zum Ablenken des Elektronenstrahls, die eine leitfähige Schicht aufwsist, auf der im Abstand voneinander mehrere Sockel angeordnet sind, die je eine Isolierschicht tragen, wobei der Querschnitt der Sockel kleiner ist als die Fläche der daraufliegenden Isolierschichten, die Isolierschichten in einer zu der leitenden Schicht parallelen Ebene liegen und jeweils zwischen zwei Isolier- r> schichten einen Zwischenraum freilassen, in dem die Oberfläche der leitfähigen Schicht freiliegt, d a durch gekennzeichnet, daß die Sockel aus einem ersten Isoliermaterial bestehen, während die von den Sockeln getragenen Isolierschichten aus einem zweiten Isoliermaterial bestehen und daß die Leitfähigkeit eines der beiden Isoliermaterialien durch ionisierende Strahlung nicht beeinflußt wird.

2. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das strahlungsunemp- >5 findliche Isoliermaterial aus der Gruppe Siliziumnitrid, Aluminiumoxid und Siliziumoxynitrid gewählt ist.

3. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschichten und !< > die dazwischenliegenden freiliegenden Oberflächenbereiche der leitfähigen Schicht ein streifenförmiges Muster bilden.

4. Ladungsspeicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschichten r> inselartige Flächen bilden.