DE1945184A1 - Bildspeicherverfahren und Geraet zu seiner Durchfuehrung - Google Patents

Bildspeicherverfahren und Geraet zu seiner Durchfuehrung

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DE1945184A1
DE1945184A1 DE19691945184 DE1945184A DE1945184A1 DE 1945184 A1 DE1945184 A1 DE 1945184A1 DE 19691945184 DE19691945184 DE 19691945184 DE 1945184 A DE1945184 A DE 1945184A DE 1945184 A1 DE1945184 A1 DE 1945184A1
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Texas Instruments Inc
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Description

DR.-INQ. CIPL. -INQ M. IC. DCt1-PHYS. D R. OIPL.-PHYS.
HÖGER - STELLRECHT- GRIESSBACH - HAECKER
PATENTANWÄLTE IN STUTTGART
A 37 513 b·
9 6°
k - 71
Texas Instruments Incorporated I35OO North Central Expressway Dallas, Texas, U.S.A.
Bildspeicherverfahren und Gerät zu seiner Durchführung
Die Erfindung· betrifft ein Bildspeicherverfahren unter· Verwendung einer Halbleiterplatte, deren eine, erste Oberfläche mit dem z\x speichernden Bild belegt .wird, um die elektrische Ladung in diskreten Bereichen der gegenüberliegenden zweiten Oberfläche der Halbleiterplatte entsprechend diesem Bild zu verändern, und bei. dem die zweite Oberfläche mit einem Lesestrahl elektrischer Ladungsträger überstrichen wird und die Ladunysänderun ;;en zur Erzeugung eines Abfühlsignals in den diskreten Bereichen abgefühlt werden; ferner betrifft die Erfindung ein Gerät zur Durchführung dieses Verfahrens, insbesondere ein Gertit zur Rasterviniöotzung, mit einer Abführvorrichtung für die Halbleiterplatte zur Erzeugung des Ab-
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fühl signal s soide einer äußeren Ladungsquelle zürn Aufbringen elektrischer Ladungen auf die zweite Oberfläche.
Es sind elektrostatische Speicherröhren bekannt, die als Villiamsröhren, Trenngitterröhren und Selektrons, insbesondere zur Speicherung· digitaler Informationen Verwendung fanden.
Ein weiteres Anwendungsgebiet fanden die Speicherröhren zur Umsetzung eines Rastersysteins in ein anderes. So kann es beispielsweise notwendig werden, ein-Kreisrastersystem in ein horizontales Fernsehrastersystem umzusetzen. Eine bis jetzt allgemein benutzte Umsetzertype enthält eine der Bildspeicherung dienende Speicherplatte aus dünnem Kupf ergef J.echt, die teilweise mit Calciuinf luorid öder Zinksulfid versehen war. Die Speicherplatte befindet sich dabei in einem ausgepumpten Glasgefäß zwischen einem Paar entgegengesetzt angeordneter Elektronenstrahlsysteme, von denen das eine das Einschreiben eines Bildes auf der Speicherplatte durch entsprechende Änderung der elektrischen Ladungsdichte auf der Speicherplatte bewerksteiligte; das zweite Elektronenstrahlsystem wird darauf zur Abtastung des auf die Speicherplatte in Form örtlich verschiedener Ladungsdichten projizierten Bildes gebraucht, und zwar in dem ihm gemäßen Rastersystem der Strahlablenkung; ein Gitter sammelte die von der Speicherplatte entsprechend ihrer Ladungsverteilung reflektierten Elektronen ein, wodurch nun eine Bildwiedergabe ge.Tiäß dem vom Lesestrahl benutzten Rastersys tern zustande kam. Ein solches System wies jedoch den Nachteil auf, daß die beiden Elektronenstrahlen durch die maschenartig ausgebildete Speicherplatte hindurchreichen konnten, wodurch eine gegenseitige Beeinflussung und Störung in Form unerwünschten Übersprechens auftrat, das am Umsetzerausgang als Störsignal erschien. Des weiteren verursachte ein Auslesen des gespeicherten Bildes
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häufig deine teilweise Zerstörung, was wiederholtes Ablesen des Bildes unmöglich 'macht.
Zur Vermeidung solcher gegenseitiger Beeinflussungen baute
man Umsetzer mit photonischer Kopplung in der Speicherplatte. Dabei benutzte man eine Kathodenstrahlröhre, die einen glasfaseroptischen Schirmträger hatte,. wodurch das Kathodenstrahlbild an eine Vidiconröhre geleitet wird. Nun sind je-.doch solche glasfaseroptischen Schirmträger außerordentlich teuer, so daß in der Mehrzahl der Anwendungsfälle nicht auf sie zurückgegriffen werden kann. Andere Systeme mit Photonenkopplung verwenden eine Kathodenstrahlröhre, die direkt von einer Fernsehkamera aufgenommen wird; damit wird aber eine
für viele Anwendung:»fälle unzureichende Auflösung erzielt.
Kin weiterer Rastersysteniumsetzer wird im US-Patent 3 011 beschrieben. Hier wird eine Ilalbl oit erspei chcrpl iitte mit
einer Anordnung diskreter p-n-Übcrgänge verwendet, welche
einzeln kapazitiv be- und umgeladen werden, indem die Speichorplatte von der einen Seite mit bildmoduliertem Licht
und von der entgegengesetzten Seite mit einem Elektronenstrahl beaufschlagt wird. Solche Anordnungen erwiesen sich
jedoch in der Herstellung als schwierig und teuer; überdies war ihre Speicherzeit auf die Lebensdauer der Löcher begrenzt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Bildspeicherverfahren und eine Speicherröhre, insbesondere für die Rasterumsetzung zu entwickeln, deren Bildauflösung zu praktisch brauchbaren
Resultaten führt.
Diese Auf^aVe wird für ein V ei-fahr en und ein Gerät dar eingangs erwähnten Art gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch gelöst, dai'i der Lesestrahl nur atif die diskreten Bereiche
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der Halbleiterplatte gerichtet wird; und daß bei der Durchführung dieses Verfahrens für die zweite Oberfläche eine Vorrichtung zur Ausblendung oder Steuerung der von der Ladungsquelle aufgebrachten elektrischen Ladungen derart vor gesehen ist, daß die diskreten Bereiche eine andere elektrische Ladung als die übrigen Bereiche der Halbleiterplatte aufweisen.
Durch die Erfindung werden die Vorteile erzielt, daß solche Speicherplatten wirtschaftlich gefertigt werden können und eine genaue geometrische Zuordnung durch genau definierte Rasterpunkte erlauben.
Insbesondere ist auf der zweiten Oberfläche des Ilalbleiter-'plättchen^ eine isolierende Schicht aufgebracht, mittels der die diskreten Bereiche durch Bereiche verminderter Dicke dieser Schicht definiert werden, um so die elektrischen Ladungsänderungen im Halbleitermaterial zu bewerkstelligen.
13ei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist eine Schicht aus phosphoreszierendem Material auf die erste Oberfläche des Halbleiterplättchens aufgebracht, mittels der die Bildspeicherwirkung hinsichtlich der Speicherzeit der Speicherplatte erhöht wird.
Es ist also eine Speicherplatte zum Empfang und Zwischenspeichern bildhafter Information vorgesehen, welche im wesentlichen aus einem dünnen Ilalbleiterplättchen mit z\-/ei entgegengesetzten Oberflächen besteht. Eine Schicht aus isolierendem Material ist auf einer der Oberflächen angebracht und weist eine Vielzahl diskreter Be.reiche verminderter Dicke auf. Durch eine Schreibstrahlquelle werden bildhafte Informationen in die andere Oberfläche des Halbleiter-
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plättclions eingeschrieben, indem elektx-ische Ladungen in den diskreten Gebieten entsprechend der bildhaften Information geändert werden. Vermittels eines Elektronenstrahls aus einer Lesestrahlquelle wird die isolierende Schicht auf der einen Seite des Halbleiterplättchens entsprechend einem Leseablenkmuster derart abgetastet, daß die entsprechend dem Schreibstrahl und damit entsprechend der auf das Halbleiterplättchen übertragenen bildhaften Information umgeladenen diskreten Gebiete des Halbleiterplättchens deruentsprechende Lesesignale erzeugen. Eine Rasterumsetzung kann so erzielt lj^erden, daß Lose- und Schreibstrahl jeweils verschiedenen Ablenkmustern folgen, welche verschiedene Rastersysteme darstellen.
Die Erfindung bezieht sich also auf Bildspeicher und insbesondere auf solche zur Rasterumsetzung.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung können den beigefügten Ansprüchen und/oder der folgenden Beschreibung entnommen werden, die der Erläuterung in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele der Erfindung dient. Es zeigen:
Pig. 1 eine Ansicht eines Rasteruinsetzers gemäß
der Erfindung;
Pig. 2 einen schematischen Schnitt durch ein Teil einer Speicherplatte des Rasterumsetzers der
Fig. 1;
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Platte der Fig.2; Fig. k
und 5 eine Darstellung der 'Wirkungsweise der Speicherplatte beim Beschreiben mit und Auslesen von Informationen;
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Fi^;. 6 Gin zweites nusf iihrunjsbe isji i.el einer Speicherplatte;
Fig. 7 ein Diagramm über die ITachleuchtdauer phosphoreszierender Materialien, uuö
Fig. S eine Darstellung der Virkungsweise der Speichei'platte gemäß Fig. 6.
In Fig. 1 wird ein Rastersysteinumsetzer 10 gezeigt, der ein Elektroneristrahl-Schreibsystem 12 zur Erzeugung eines Schreibstrahls aufweist, welches eine Fokussierspule 1^1 und ein Ablenkjoch i6 enthält. In einem ausgepumpten Glasgefäß 20 befinden sich außer dem Schreibsystem 12 Sammellinsen (Kollimatoren) 18 zur Bündelung der Schireibstrahlelektronen. In der Mitte des Glasgefässes 20 ist eine Speicherplatte 22 angebracht, die als Fangelektrode dient; sie ist zwischen dem Schreibsystem 12 und einem entgegengesetzt angeordneten Elektronenstrahl-Lesesystem 2h angeordnet. Letzterem sind eine Fokussierspule 26, ein Ablenkjoch 28 und Kollimatoren 30 zur Fokussierung der Lesestrahlelektronen nachgeschaltet. Das Ablenkjoch 28 teilt dem Lesestrahl das Ablenkmuster .mit, mit welchem die Bildinformation versehen werden soll.
Der erfindungsgemäße Rastersystenumsetzer 10 hat eine gewisse Ähnlichkeit mit solchen Umsetzern, die Drahtmaschenspeicherplatten aufweisen; der wichtigste Unterschied zu diesen ist die Speicherplatte 22, bei welcher keine Kollektorelektroden ο.dgl. zum Lesen und Schreiben benötigt werden. Durch Verwendung der Speicherplatte 22 werden ferner Übersprechprobleir.e, die bei dem System mit Drahtmaschenspeicherplatten auftreten, vermieden. Ausführungsbeispiele geeigneter Lese- und Schreibstrahlsysteme für den erfindungsgemäßen Rastersysteniumsetzer findet man in den Modeilen H-1161 und II-1203 der Firma Hughes
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Aircraft Company, Los Angeles, Californien.
l Fir;. 2 und 3 besteht die Speicherplatte 22 aus einem relativ dünnen Ilalbl ei tcrpln ttchen 'jh ,vorzugswei se ans n-leitendoni Silicium. I; in« Ί isolierschicht 36, beispielsweise aus Siliciutnoxyd, liegt auf der einen, dem Lesestrahlsystem Zh zugekehrten Oberfläche des Ilalblej torplättchens 3^ der Speicherplatte 22. IJine Vielzahl diskreter Gebiete 38 von wesentlich geringerer Dicke als die übrige Schicht 36 liegt in symmetrischer Verteilung in dieser. In einem vorzugsveisen Ausführuiigsbcispiel sind die Gebiete 38 im wesentlichen rechteckig, es ist jedoch selbstverständlich möglich, andere Ausführungsformen zu wühlen. Lage, Größe und geometrische Form dor diskreten Gebiete 38 richten sich nach der gewünschten Auflösung der Speicherplatte 22. Ein Leseverstärker '(O dient der Verstärkung der Abfühl signale und sein Eingang ist mit dem n-lei tendon Teil des Ilalblei terplättchens 3'1 verbunden ,von dem die das HiId auf der Speicherplatte 22 repräsentierenden Signale kommen. Benutzt man die Speichorplatte 22 zur Rastcrunisetzuiiß, wird die Abtastung durch den Lesestrahl des Lesostrahlsysterns 2-Ί mit dem Leseverstärker -tO so synchronisiert, daß die erwünschte Kasterumsetzung erfolgt.
Die Speicherplatte 22 kann durch wchrcre bekannte Herstellungsverfahren erzeugt werden. Beispielsweise kann man eine Oxydschicht gleichmäßiger Dicke auf ein poliertes Siliciuniplättchon aufwachsen« Daraufhin können die diskreten Gebiete 38 definierende Löcher in die Oxydschicht eingeritzt werden, wonach man eine zweite relativ dünne Oxydschicht darüber wachsen läiit. Die Speicherplatte 22 ist normalerweise außerordentlich dünn und weist vorzugsweise eine Dicke im Mikrometerbereich auf.
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Die Wirktingsweise der Anordnung wird anhand der Fig. 4 und 5 erläutert. Ein Lesestrahl 44 konstanten Energieniveaus wird entsprechend' dem Leseraster über die Isolierschicht 36 bewegt. Die Schichtdicke in den diskreten Gebieten ist gering genug, daß die negativen Ladungen der Elektronen des Schreibstrahls 44 durch die Isolierschicht hindurchgelangen können, um hinter dieser im η-leitenden Gebiet des Halblei terplättchens "}h eine durch die gestrichelte Linie 46 angedeutete Verarinungs-■ zone bilden zu können. Die Dicke der übrigen Isolierschicht ist dagegen5so groß, daß hinter ihr aufgrund des Auftreffens des Lesestrahles keine solche Verarmungszone gebildet wird. Nach einem vollständigen Durchgang des Lesestrahls 44, d.h. nach einer vollständigen Abtastung der Speicherplatte 22
durch diesen, ist jedes diskrete Gebiet 38 der Speicherplatte 22 mit einer identischen Bezugsladung, d.h.mit einer gleichen Verarrautisszone 46 als Folge des Auftreffens des Lesestrahls auf diese Gebiete 38 versehen.
Im wesentlichen bilden diese Verarmungszonen diodenartige
Anordnungen mit einem p-n-Übergang. Die Speicherplatte 22
befindet sich nun in Schreibbereitschaft und kann gemäß
Fig. 5 ein vom Schreibstrahl 48 gezeichnetes Bild aufnehmen, wobei die Strahlablenkung dem Schreibrastersystem gehorcht
und der Schreibstrahl über die andere Oberfläche des HaIbleiterplättehens 34 geführt wird. Er wird während seiner Ablenkung der zu übertragenden Bildinformation entsprechend
moduliert und erzeug in der η-leitenden Schicht des Halb-
leiterplättchens 34 Paare aus einem Loch und einem Elektron,
wie dies in Fig..5 schematisch skizziert ist.
Natürlich ist die Zahl der Loeh-iilektron-Paäre, die so erzeugt werden, dem Energieniveau des Strahls 48 proportional. Die Löcher diffundieren dur*ch die η-leitende Schicht und
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werden von derjenigen Verarmungszone 46 eingesammelt, die dem Auftreffpunkt des Strahls 48 am nächsten liegt. Diese Einsammlung positiver Ladungsträger baut die Verarmungszone 46 in dem Maße ab,wie durch den Schreibstrahl 48 entsprechend der zu übertragenden Bildinformation Löcher erzeugt worden waren.
Nach einem vollständigen Rasterdurchgang des Schreibstrahls ist die zu übertragende Bildinformation vollständig auf der Speicherplatte 22 abgespeichert, indem die elektrischen Ladungen der Verarmungszonen 46 entsprechend der aufgenommenen bildhaften Information moduliert wurden.
Diese so abgespeicherte bildhafte Information' wird nun wiederum abgefühlt, indem der Lesestrahl 44 entsprechend dem Leseraster über die Isolierschicht 36 tastet. Wurde eine Verarraungszone 46 teilweise oder vollständig durch den Schreibstrahl 48 aufgehoben, so lädt der Lesestrahl 44 von der entgegengesetzten Seite der Speicherplatte 22 her diese Zone wieder auf den alten Zustand, d.h. auf demselben Bezugswert auf. Der dabei entstehende Ladestrom erzeugt ein Wechselsignal in der n-leitenden Schicht des Halbleiterplättchens 34, das vom Leseverstärker 40 abgefühlt wird. Da das Lesestrahlsystem Zh und der Leseverstärker 40 synchron arbeiten, wird damit eine genaue Anzeige der vorgefundenen Ladungsdichte eines jeden diskreten Gebietes 38 auf der Speicherplatte 22 durch den Leseverstärker 40 möglich.
Die Gröi3o des Wechselsignals ist dem Energieniveau des modulierten Schreibstrahls, weicher die bildhafte Infomation übertrug, direkt proportional. Jede gewünschte Stufung analoger Informationswerte kann auf solche Weise übertragen werden, da der Betrag der durch den Schreibstrahl geänderten
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Ladung eier Verarinun^szonen h6 unterhalb der diskreten Gebiete 3S zwischen 0 und einer vorgewählten Größe liegen kann. Durch eine geeignete Wahl der geometrischen Abmessungen der n-leitenden Schicht des Ilalbleiterplättchens "}h und der Abmessungen der Isolierschicht 36, insbesondere hinsichtlich ihrer Dicke und gegenseitigen Relation, kann ein beträchtliches Auflösungsvermögen der Speicherplatte 22 erzielt werden.
In manchen Fällen kann es wünschenswert sein, eine leitende Schicht, beispielsweise einen Metallfilm, auf die diskreten Gebiete 38 dünnerer Isolierschicht aufzubringen. Eine solche Anordnung ähnelt in gewisser Weise bestimmten MOS-Gebilden. Überdies könnte es vorteilhaft sein, die dickeren Gebiete der Oxydschicht so zu dotieren, daß dadurch eine Aufladung der hinter den dickeren Schichten liegenden Gebiete vermieden wird.
Bei Verwendung der oben beschriebenen Speicherplatte wird deren Speicherzeit im wesentlichen durch die Lebensdauer der erzeugten Ladungsträger auf Microsekunden begrenzt. Für bestimmte Anwendungsfälle ist es nun vorteilhaft, diese Speicherzjeit zur Erzielung einer größeren Flexibilität beinr Auslesen aus der Speicherplatte erheblich zu verlängern.' In Fig. 6 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der Speicherplatte 19 gezeigt, bei welcher das Halbleiterplättchen 3^ auf der der Isolierschicht 36" entgegengesetzten Seite zusätzlich eine phosphoreszierende Schicht 50 aufweist. Trifft nun der Schreibstrahl ^8 auf diese phosphoreszierende Schicht 5°, sendet diese aufgrund eines Sekundäremissionseffektes noch einige Zeit nach Auftreffen des Elektronenstrahls h8 Ladungsträger aus.
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Fig. 7 zeigt als Diagramm don Effekt der anhaltenden Sekundäremission von Phosphor; nach Einfall eines Lichtstrahls während der Zeit 0 bis t.. dauert die Sekundäremission auch nach Aufhören des Strahls einige Zeit an. Infolge der Sekundäremission der phosphoreszierenden Schicht 50 erzeugt die n-loitende Schicht dos Ilalbleiterplättchens 3'* Loch-Elektron-Paare in der zuvor beschriebenen Weise,wodurch der Bildupeichereffekt innerhalb des Halbleiterplättchens "}h hervor{jorufon ist. Dadurch, daß nun infolge der Sekundäremission die Erzeugung von Loch-Elektron-Paaren noch für ein längoi'es Zeitintervall nach dem Weggehen dos Schreibstrahls anhält, wird die Speicherzeit der Speicherplatte 19 erhöht.
Es können natürlich verschiedene phosphoreszierende Materialien für die erfindungsgenäße Vorrichtung verwendet werden, die entsprechend den gewünschten Speicherzeiten aufgrund ihrer Eigenschaft ausgewählt worden, in welchem Maße und wie lange sie eine Sckuudr.rui iisaion aufweisen. So können für verschiedene Anwendungsfälle verschiedene phosphoreszierende Materialien Anwendung finden. Beispielsweise können phosphoreszierende Materialien genommen werden, deren Sekundäremission schnell genug abklingt, um ein neues Einschreiben nach relativ kurzer Speicherte!t zu ermöglichen. Andererseits können riosphor.surtcn mit vcrhältnii>:::äi.U.g langer Speicherzeit t»oi erwünschter langer Zwischenspeicherung genommen werden. Beispiele geeigneter phosphoreszierender Materialien zum Gebrauch in der erfindungsgemäßen Vorrichtung bilden die P-22 Phosphorsorten, die üblicherweise für Fernsehgeräte Verwendung finden. Bleiaktiviertes Bariumsilikat könnte in manchen Fällen ebenso dienlich sein.
Auch eine Überlagerung zeitlich aufeinanderfolgender Bilder bei Benutzung dieser phosphoreszierenden Schicht durch Über-
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schreiben der noch mit bildhafter Information des vorhergehenden Bilds versehenen phosphoreszierenden Schicht mit neuer Information ist mög-lich, um einen integrierenden Effekt zu erzielen.
Beim normalen Gebrauch der Speicherplatte 22 wird der Schreibstrahl 12 moduliert und mit einem solchen Energieniveau versehen, \r±e dies ähnlich in üblichen Vidiconröhren geschieht.
Fig. -8 zeigt die Erzeugung von Ladungsträgern und insbesondere von Löchern durch einen solchen Strahl relativ niedriger Energie, wonach die Löcher'durch die Verarmungszohen in der vorbeschriebenen Weise eingesammelt werden. Gemäß Fig. 8 kann der Schreibstrahl h8 jedoch auch ein wesentlich höheres Energieniveau aufweisen, so daß er in der Lage ist, die phosphoreszierende Schicht 50 ohne nennenswerte Anregung dieser selbst zu dur clidringeri.
Bei solcher Durchdringung der phosphoreszierenden Schicht erfolgt fast keine Sekundäremission. Eine relativ hohe Anzahl von Ladungsträgern wird somit direkt in der η-leitenden Schicht des Halbleiterplättchens Jh erzeugt, die jedoch unmittelbar nach Ablauf der Lebensdauer der* Löcher wieder verschwindet.
Unter Benutzung des Ausführungsbeispiels der Fig. 8 und Schreibstrahlen verschiedenen Energieniveaus ist es also möglich, die Speicherzeit auf der Speicherplatte 19 zu steuern. Eine solche Steuerung kann bei Radarsystemen für Flughafen, vorteilhaft sein, wo die Echosignale der Flugkörper für eine längere Zeit gespeichert, bestimmte Merkmale oder Kennungen zur Identifizierung bestimmter Flugkörper jedoch nur kurz gespeichert werden sollen. Damit würden relativ niederenergetische Schreibstrahlen zur An-
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zeige der Plugkörper selbst verwendet, relativ hochenergetische Strahlen jedoch zur Identifizierung oder Kennung der Flugkörper Verwendung finden, wobei letztere die phosphoreszierende Schicht ohne Hervorrufung einer Sekundäremission durchdringen, damit nur kurzzeitig erscheinen und keine Störungen und Nachleuchteffekte auf dem Bildschirm hervor-' rufen.
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Claims (9)

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    Patentansprüche :
    Bildspeicherverfahren unter Verwendung einer Halbleiterplatte, deren eine, erste Oberfläche mit dem zu speichernden Bild belegt wird, um die elektrische Ladung in diskreten Bereichen der gegenüberliegenden zweiten Oberfläche der Halbleiterplatte entsprechend diesem Bild zu verändern-, und bei dem die zweite Oberfläche mit einem Lesestrahl elektrischer Ladungsträger überstrichen wird und die Ladungsänderungen zur Erzeugung eines Abfühlsignals in den diskreten Bereichen abgefühlt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Lesestrahl nur auf die diskreten Bereiche der Halbleiterplatte auftrifft.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch einen Sekundäremissionsvorgang das Bild vorübergehend gespeichert wird.
  3. 3. Gerät zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, insbesondere Gerät zur Rasterumsetzung, mit einer Abfüllvorrichtung für die Halbleiterplatte z.ur Erzeugung des Abfühlsignals sowie einer äußeren Ladungsquelle zum Aufbringen elektrischer Ladungen auf die zweite Oberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß für die zweite Oberfläche eine Vorrichtung (36, 38) zur Ausblendung oder Steuerung der von der Ladungsquelle (4-4) aufgebrachten elektrischen Ladungen derart vorgesehen ist, daß die diskreten Bereiche eine andere elektrische La- · dung als die übrigen Bereiche der Halbleiterplatte aufweisen.
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  4. 4. Gerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf die zweite Oberfläche der Halbleiterplatte eine Isolierschicht aufgebracht ist, die mehrere diskrete Bereiche geringer Dicke aufweint.
  5. 5. Gerät nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Isolierschicht in den diskreten Bereichen so gering ist, daß sie einen Elektronenstrahl als lesestrahl zu druchdringen vermag.
  6. 6. Gerät nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der aus n-leitendem Material bestehenden Halbleiterplatte so gering bemessen ist, daß durch das zu speichernde Bild an der ersten · Oberfläche erzeugte positive Ladungen bis in die diskreten Bereiche an der zweiten Oberfläche der Halbleiterplatte zu wandern vermögen.
  7. 7. Gerät nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Oberfläche der Halbleiterplatte ein zwischenspeicherndes Speicherinediura (50) zur Erzeugung einer Sekundäremission a'ufgrund des auftreffenden Bilds vorgesehen ist.
  8. .8. Gerät nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Oberfläche eine phosphoreszierende Schicht vorgesehen ist.
  9. 9. Gerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die phosphoreszierende Schicht so dick bemessen ist, daß Bilder mit einem Energieniveau unterhalb eines vorgegebenen Y/erts in dieser Schicht absorbiert werden, während Bilder mit einem höheren Energieniveau diese Schicht um wesentliche Absorptionen durchdringen.
    009812/1256
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