DE1964058B2 - Speicherplatte fuer eine elektrostatische ladungsspeicherroehre - Google Patents

Speicherplatte fuer eine elektrostatische ladungsspeicherroehre

Info

Publication number
DE1964058B2
DE1964058B2 DE19691964058 DE1964058A DE1964058B2 DE 1964058 B2 DE1964058 B2 DE 1964058B2 DE 19691964058 DE19691964058 DE 19691964058 DE 1964058 A DE1964058 A DE 1964058A DE 1964058 B2 DE1964058 B2 DE 1964058B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
storage
areas
conductive
insulating
storage disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19691964058
Other languages
English (en)
Other versions
DE1964058A1 (de
Inventor
Steven R Princeton NJ Hofstein (V St A )
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Princeton Electronic Products Inc
Original Assignee
Princeton Electronic Products Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Princeton Electronic Products Inc filed Critical Princeton Electronic Products Inc
Publication of DE1964058A1 publication Critical patent/DE1964058A1/de
Publication of DE1964058B2 publication Critical patent/DE1964058B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39—Charge-storage screens
    • H01J29/41—Charge-storage screens using secondary emission, e.g. for supericonoscope
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02258—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/3167—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself of anodic oxidation
    • H01L21/31675—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself of anodic oxidation of silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

3. Speicherplatte nach Anspruch 1 oder 2, da- beschränkt.
durch gekennzeichnet, daß die isolierenden Be- Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, reiche (44) mittels der Schicht des Materials der 25 eine einfach herzustellende und betriebssichere Speileitenden Bereiche (43) gebildet sind. cherplatte dieser Art zu schaffen, die empfindlicher
4. Speicherplatte nach einem der Ansprüche 1 und vielseitiger anzuwenden ist. Dies wird erfindungsbis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden gemäß dadurch erreicht, daß die leitenden Bereiche und isolierenden Bereiche der opeicherplatte (22) aus Silizium bestehen.
abwechselnd als leitende (43) und isolierende 3° Diese Speicherplatte hat den Vorteil, daß durch die
Streifen (44) ausgebildet sind. Verwendung des Halbleiters Silizium an Stelle der
5. Speicherplatte nach Anspruch 4, dadurch ge- metallischen leitenden Bereiche der Anordnung nach kennzeichnet, daß die Speicherplatte (22) senk- der obenerwähnten USA.-Patentschrift die Speicherrecht zu den isolierenden Streifen (44) abtast- platte sowohl für Elektronenbeschießung als auch für bar ist. 35 den Einfall anderer elektromagnetischer Strahlung
6. Speicherplatte nach Anspruch 4, dadurch empfindlich wird, was Betriebsweisen ermöglicht, die gekennzeichnet, daß die Speicherplatte (22) ent- mit den bekannten Speicherplatten mit metallischer lang den isolierenden Streifen (44) abtastbar ist. Auffangelektrode nicht durchzuführen sind.
Eine solche Speicherplatte wirkt als aktives EIe-
40 ment, kann als lichtempfindliche Speicherplatte zum
Speichern optischer Bilder verwendet werden und er-
möglicht es, ein gespeichertes Ladungsbild ohne
Regenerierung über einen Zeitraum in der Größenordnung von 10 Minuten hinweg kontinuierlich aus-
45 zulesen oder für einen Zeitraum von mindestens einer
Die Erfindung bezieht sich auf eine Speicherplatte Woche zu speichern.
für eine elektrostatische Ladungsspeicherröhre mit Nach einer Ausgestaltung der Erfindung bestehen einer Vielzahl von Speicherbereichen aus dielek- die isolierenden Bereiche aus Siliziumdioxid. Die trischem Material und mit einer in unmittelbarer natürliche Verwandtschaft von Silizium und Silizium-Nachbarschaft der Speicherbereiche angeordneten 50 dioxid bewirkt eine höhere Auflösung und ermög-Und mit dem Ausgang der Ladungsspeicherröhre ver- licht größere Schreibgeschwindigkeiten, weil die bundenen, gitterförmigen Auffangelektrode, in wel- Kantenauflösung an den Grenzen zwischen den iso-Cher die Speicherbereiche und die Auffangelektrode lierenden und den leitenden Bereichen leichter zu Im wesentlichen innerhalb einer Ebene als raster- beherrschen ist und somit einfacher in kleinen ToIetörmig verteilte, abwechselnd isolierende und leitende 55 ranzgrenzen zu halten ist. Überdies lassen sich die Bereiche in dünnen Schichten ausgebildet und die isolierenden Bereiche in dieser Ausbildung überaus leitenden Bereiche elektrisch leitend miteinander ver- einfach herstellen.
bunden sind, Nach einer anderen Ausgestaltung der Erfindung
Elektrostatische Ladungsspeicherröhren zum Spei- sind die isolierenden Bereiche mittels der Schicht des
ehern eines ein Fernsehbild oder numerische Daten 60 Materials der leitenden Bereiche gebildet. Hierdurch
darstellenden Ladungsbildes bestehen im wesent- wird eine außerordentlich hohe und gleichförmige
liehen aus einer Speicherplatte zum Speichern der In- Sekundärelektronenausbeute erzielt. Diese über-
formation eines Schrcibsignals, einer Ablenkeinrich- raschende Eigenschaft verbessert das elektrische Ver-
tung zum Auslenken des Schreibsignals auf die halten der Speicherplatte ganz wesentlich. Überdies
Speicherplatte, das für gewöhnlich ein Elektronen- 65 vereinfacht sich die Herstellung der Speicherplatte
strahl ist, und einer Ableseeinrichtung für die ge- noch weiterhin.
speicherte Information am Ausgang der Ladungs- Die Empfindlichkeit und das Aufiösevermögen der
speicherröhre. Speicherplatte läßt sich nach einer weiteren Aus-
gestaltung der Erfindung noch dadurch beträchtlich Meinem, daß die leitenden und isolierenden Bereiche in an sich bekannter Weise als abwechselnd leitende und isolierende Streifen ausgebildet sind und daß die Speicherplatte sowohl senkrecht zu den isolierenden M reifen als aach entlang den isolierenden Streifen ;ihiastbar ist.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand einiger hi den Zeichnungen dargestellter Ausführungs-'vispiele näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch eine elektrostatische : ;idungsspeicherröhre mit einer Speicherplatte nach ;■■[" Erfindung.
F i g. ?. eine Draufsicht auf eine Speicherplatte mit abwechselnd leitenden und isolierenden Streifen,
F i g. 3 einen Schnitt entlang der Linie 3-3 nach Fig. 2.
Fig. 4 Schnittdarstellungen zur Erläuterung eines Verfahrens zum Herstellen der Speicherplatte nach der Erfindung,
F i g. 5 eine Draufsicht auf ein anderes Ausfiihlungsbeispiel der Erfindung,
F i g. 6 einen Schnitt entlang der Linie 6-6 nach V ig. 5 und
F i g. 7 und 8 einen Schnitt ähnlich dem nach F i g. 6 durch zwei weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung.
In Fig. 1 ist eine mit 10 bezeichnete elektrostatische Ladungsspeicherröhre dargestellt. Sie enthalt eine Umhüllung 12, ein Steuergitter 14, eine Kathode 16, eine Beschleunigungsanode 18, eine Wandanode 20, eine Speicherplatte 22, welche aus einer Unterlage 24 und einer Mosaikschicht 26 beicht. eine Ablenkspule 28, eine Fokussierspule 30, einen Ausr/ingsanschluß 32 und ein Gitter 34.
Das Schreibsignal wird entweder durch Ablenkung des von der Kathode 16 ausgesandten Elektronenstrahls in ΑΎ-Richtung oder durch Z-Achsen-Modulation eines Abtastrasterstrahles an die Speicherplatte 22 angelegt. Das Lesesignal ist in beiden Fällen ein normaler, auf die Speicherplatte 22 gerichteter Abtasirssterstrahl. Beim Lesen kann an dem Ausgangsanschluß 32 ein Strom entnommen werden, der dem Ladungsbild auf der Speicherplatte proportional ist, wenn der Abtastraste:strahl über die Speicherplatte 22 geführt wird.
Während des Lesens wirkt die isolierende Mosaikschicht 26 der Speicherplatte 22 im wesentlichen wie ein koplanares Gitter, so daß der Strom in den leitenden Bereichen um so niedriger ist, je negativer das Potential in den isolierenden Bereichen ist. Durch ein ausreichend hohes negatives Potential in den isolierenden Bereichen ist es möglich, den Strom zu den leitenden Bereichen vollständig zu unterdrücken.
Um das gespeicherte Signal zu löschen, ist es notwendig, in der isolierenden Mosaikschicht wieder eine gleichförmige Ladung zu erzeugen. Diese Ladung kann positiv, negativ oder Null sein, dies hängt von den Anforderungen des Schreibverfahrens ab. Für das eben beschriebene Schnellschreibverfahrcit ist es erforderlich, daß auf der isolierenden Mosaikschicht nach dem Löschen eine gleichförmige, stark negative Ladung vorhanden ist. Wenn das Langsamschreibverfahren, das sogenannte Gleichgcwichtsverfahren. verwendet wird, muß nach dem Löschen auf der isolierenden Mosaikschicht die Ladung Null oder eine leicht negative Ladung vorhanden sein.
In den F i g. 2 und 3 ist ein bevorzugtes Ausfüh
rungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Sie zeigen eine Speicherplatte 40, die aus einer leitenden Lnlerlage 42 und aus isolierenden Streifen 44 besteht. Die leitende Unterlage 42 kann aus einem Metall, wie Aluminium oder Tantal, oder aus einem dotierten Halbleiter, wie Silizium, bestehen. Das Silizium kann p- oder η-leitend sein. Die isolierenden Streifen bestehen vorzugsweise aus dem Oxid der leitenden Unterlage. Im Fall des Siliziums bestehen die isolie-
iQ renden Bereiche aus Siliziumdioxid.
Eine derartige Speicherplatte, in welcher die abwechselnd leitenden und isolierenden Bereiche als Streifen ausgebildet sind, hat gegenüber anderen Speicherplattenausführungen, wie sie z. B. in den
Fig. 5 bis 8 dargestellt sind, einige Vorteile. Wenn das Mosaik, wie in den F i g. 5 und 6 an einer Speicherplatte 50 dargestellt, aus J '.-senformigen, isolierenden Bereichen 54 auf einer leitenden Unterlage 52 ausgebildet ist, kann eine solche Speicherplatte nur
2r. mit bestimmten Einschränkungen betrieben werden. Die frei liegenden, leitenden Bereiche 52 bestehen aus einem sich kreuzenden Gitter von vertikalen und horizontalen Stteifen. Bei einem solchen, gewissermaßen doppelten Gitter ist die Möglichkeit von Stö- rungen durch Uberbrückungen oder Unterbrechungen der isolierenden Bereiche größer. Weiterhin wird durch die Struktur der Speicherplatte, und zwar durch die vertikalen und horizontalen Abstände, sowohl die horizontale als auch die vertikale Auflösung be stimmt.
Um eine möglichst große Auflösung in der Anordnung nach den Fi g. 5 und 6 zu erreichen, müssen die horizontalen Abmessungen A und B der leitenden und der isolierenden Bereiche so kloin wie möglich gemacht werden. Wenn die minimale, mit der Kantenauflösung verträgliche Abmessung mit C bezeichnet wird, muß A = C und B = C, also A = B = C gemacht werden. Dann ist jedoch das Verhältnis der leitenden Fläche zu der isolierenden Fläche 3:1, was für Speicherzwecke sehr ungünsüV ist. Diese Diskrepanz zwischen den leitenden Bereichen und den isolierenden Bereichen bewirkt eine ungleichförmige und relativ schlechte Steuerung des Lesestrahles durch das gespeicherte Ladungsbild.
Bei der verbesserten Struktur der Anordnung nach den F i g. 2 und 3 ist die Breite der isolierenden Streifen 44 und der leitenden Streifen 43 etwa gleich. Bei dieser streifenförmigcn Ausbildung können die Abmessungen zur Erzielung maximaler Auflösung gleich
und so klein v/ie möglich gemacht 'verden, während gleichzeitig ein Flächenverhältnis von 1 : 1 aufrechterhalten wird. Dieses Verhältnis ist für die Steuerung des Lesestrahles optimal. Darüber hinaus besteht ein wetterer Vorteil darin, daß die Auflösung in Längs richtung der Streifen nicht mehr durch die Struktur der Speicherplatte begrsnzt ist, wenn der Elektronenstrahl die Speicherplatte senkrecht zu der Längsrichtung der Streifen abtastet, wodurch eine noch höhere Auflösung erzielt wird. Da gewissermaßen nur
ein einziges Gitter verwendet wird, ist auch nur in einer Richtung das Auftreten von Unterbrechungen oder Überbrückungen möglich, nämlich quer zu den Streifen.
Vorzugsweise wird die Speicherplatte nach den
F i g. 2 und 3 aus dotiertem Silizium und Siliziumdioxid hergestellt. Die leitenden Bereiche bestehen dabei aus dotiertem Silizium, das entweder p- odti n-iei'cnd ut, und die isolierenden Bereiche aus SiIi-
ziumdioxid. Besonders ausgezeichnete Ergebnisse Zum Schreiben wird die Speicherplatte 22 auf werden mit Speicherplatten dieser Art erzielt, wenn etwa Λ 25OV und das Gitter 14 auf ungefähr 60 V die Siliziumdioxidschicht genetisch aus dem Silizium gehalten. Die zu speichernde Information wird dem gebildet wird. Unter emer genetisch gebildeten Gitter 14 als Signal mit ungefähr 10 V Spitzen-Schicht versteht man eine solche, in welcher die Iso- 5 spannung zugeführt. Unter diesen Umständen kann lierschicht aus dem leitenden Basis- oder Unterlagen- die gesamte Information einer Speicherplatte in einer material gebildet ist. Dies kann z. B. dadurch erfol- dreißigste! Sekunde geschrieben werden, so daß diese gen. daß das Silizium in eine chemische Lösung, wie gerade ein Fernsehbild speichern kann,
von n-Methyl-Azetamid oder einer ähnlichen Ver- Zum Lesen wird die Spannung an der Speicherbindung, getaucht und an das Silizium eine Spannung io platte 22 auf ungefähr (· 8 V herabgesetzt. Die angelegt wird, wodurch das Silizium anodisch oxy- Speicherplatte 22 wird dann mit einem üblichen diert wird. Zur genetischen Bildung der Isolierschicht Abtastraster abgetastet. Dabei wird die Spannung können aber auch andere Verfahren verwendet am Gitter 14 so eingestellt, daß an dem Ausgangswerden, anschluß 32 ein Ausgangsstrom von ungefähr 200 nA
In Fig. 4 ist ein Verfahren zum Herstellen einer 15 zur Verfügung steht. Unter diesen Umständen ist ein
Speicherplatte nach der Erfindung mit genetisch ge- kontinuierliches Lesen für einen Zeitraum von mehr
bildeter Isolierschicht dargestellt. Zunächst wird eine als 10 Minuten möglich. Wenn die Lesesignale
Scheibe aus dotiertem Silizium mit einem Lösungs- kleiner gewählt werden, ist eine noch längere
mittel sorgfältig gereinigt, um alle Oberflächenstör- Speicherzeit erzielbar. Wegen der hohen dielektri-
stellen und -verunreinigungen zu beseitigen. Dann ao sehen Relaxationszeit des Siliziumdioxids kann die
wird die Scheibe bei einer Temperatur zwischen 1100 Sprechzeit bei abgeschaltetem Elektronenstrahl mehr
und 1250° C anodisch oxydiert, so daß auf einer SiIi- als eine Woche betragen.
ziumunterlage 60 eine Siliziumdioxidschicht 62 hoher Das auf der Speicherplatte 22 gespeicherte Signal
Qualität gebildet wird. Die Schicht 62 ist ungefähr kann dadurch gelöscht werden, daß an die Speicher-
1 Mikron stark. »5 platte t.1 ungefähr + 20 V und an das Gitter 14 unge-
Die Oberfläche der Siliziumdioxidschicht 62 wird fähr 0 V angelegt werden, wodurch ein maximaler nun mit einem fotoempfindlichen Lack 64 abgedeckt. Strahlstrom erreicht wird und die zu löschende Dieser wird nun durch eine optische Maske mit dem Fläche abgetastet wird. Nunmehr ist die gelöschte gewünschten Muster belichtet und entwickelt, wobei Fläche ohne einen weiteren Vorbereitungstak 1 für die nicht belichteten Teile des fotoempfindlichen 30 die Aufnahme neuer Information bereit.
Lackes 64 entfernt werden. Die nun frei liegenden Während des Schreibens wird die Spannung an Teile der Siliziumdioxidschicht 62 werden dann mit der Speicherplatte 22 auf ungefähr +250 V gehalten verdünnter Flußsäure entfernt und die belichteten Bei dieser Spannung erzeugen die auf die Silizium-Teile des fotoempfindlichen Lackes 64 von den Ober- dioxidschicht 26 auftreffenden Elektronen des flächen der Siliziumdioxidstreifen abgezogen. Hier- 35 Elektronenstrahles Sekundärelektronen in einem durch ist die Unterlage aus leitendem Silizium mit Verhältnis von 5:1, so daß der resultierende einer Mosaikschicht aus isolierenden Siliziumdioxid- Elektronenstrom auf das Siliziumdioxid negativ ist. streifen versehen worden. In der Anordnung nach Wenn d«e Spannung an der Speicherplatte 22 weitet den F i g. 2 und 3 ist die Breite der Streifen 43 von erhöht wird, verringert sich die Sekundärelektronender Größenordnung 3 bis 7 Mikron. 40 ausbeute vviedei, v.eil die Sekundärelektronen tief im
Obwohl die Erfindung vorzugsweise mit streifen- Innern der Siliziv.mdioxidschicht gebildet werden und
förmigen Bereichen gemäß Fig. 2 und 3 durch- nur schwer aus dieser entweichen können. Da<
geführt wird, läßt sie sich vorteilhaft auch mit dem Schreiben wird im flachen Teil der Kennlinie durch-
in den F i g. 5 und 6 dargestellten Muster für das geführt, welche den Elektronenstrom zum Silizium
Silizium und das Siliziumdioxid auf der Speicher- 45 dioxid in Abhängigkeit von der Spannung an dei
platte anwenden. Speicherplatte darstellt, und zwar bei .ngefähi
In Fig. 7 ist eine Speicherplatte dargestellt, in +250 V. Zwischen 1000 und 2000 V weist die Kenn
welcher eine leitende Unterlage 70 mit einem Isolier- linie einen weiteren flachen Teil auf.
film 72 und dieser mit Öffnungen 73 versehen ist. Das Schreiben wird im flachen Teil der Kennlinie
Diese Öffnungen 73 bilden die leitenden Bereiche 50 durchgeführt, damit die Oberfläche des Silizium
und die verbliebenen Teile der Isolierschicht 72 die dioxids positiv geladen wird. Die positive Ladurh
isolierenden Teile der Speicherplatte. ist dabei der Anzahl der auf diesem Bereich ce
Im Gegensatz hierzu ist in Fig. 8 eine Unterlage Speicherplatte auftreffenden Elektronen proportional
74 dargestellt, die aus isolierendem Material besteht Hierdurch ergibt sich eine positive und linear·.
und eine leitende Schicht 76 trägt, die mit Öffnungen 55 Abhängigkeit zwischen dem Strahlstrom und de
77 versehen ist. Hier bilden die Öffnungen 77 die positiven Ladung auf der Speicherplatte,
isolierenden Bereiche und die verbliebenen Teile der Während des" Lesens wird die die Unterlage I-
leitenden Schicht 76 die leitenden Bereiche der bildende Siliziumscheibe und damit die leitender
Speicherplatte. Bereiche der Speicherplatte 22 auf ein Poteniia
Die Anordnungen nach den F i g. 7 und 8 können 60 herabgesetzt, welches die isolierenden Bereiche 2(
mit den in den F i g. 2 und 5 dargestellten Mustern gegenüber der Kathode 16 negativ werden läßt. Dl·:
oder mit anderen gewünschten Mustern verwendet Gebiete, die stark negativ sind, verhindern eir.ei
werden. Stromfluß zu dem Silizium völlis. was dem Schwarz
Die gemäß Vorstehendem ausgebildete Speicher- wert des Bildes entspricht. Die Gebiete, die nu
platte wird in eine elektrostatische Ladungsspeicher- 65 schwach negativ sind, ermöglichen jedoch einer
röhre bekannter Bauart eingesetzt. Im folgenden wird beträchtlichen Stromfluß zu dem Sihzium, was dam
die Arbeitsweise dei so gebildeten Anordnung kurz dem Weißwert entspricht. Da das Aussansssigna
beschrieben. der Speicherplatte 22 erforderlichenfalls" elektriscl
invertiert werden kann, können auch die stark negativen Gebiete, bei denen kein Strom fließt, dem VVeißwert und die schwach negativen Gebiete mit einem beträchtlichen Stromfluß dem Schwarzwert entsprechen.
Beim Löschen wird die Oberfläche der isolierei Bereiche gleichförmig auf einen negativen Wert ai laden, so daß wegen der abstoßenden Wirkung koplanaren isolierenden Gitters kein Elektronens auf die leitende Unterlage fließen kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Es ist bekannt, Speicherplatten für elektrostatische Patentansprüche· Ladungsspeicherröhren aus einem Gitter aus leiten- *' L ' dem Material herzustellen, das mit einem dünnen Isolierfilm bedeckt ist, oder aus einer kontinuierlichen
1. Speicherplatte für eine elektrostatische La- 5 Schicht aus dielektrischem Material, über die ein dungsspeicherröhre mit einer Vielzahl von Spei- Gitter aus leitendem Material gelegt wird. Diese cherbereichen aus dielektrischem Material und Speicherplatten haben den Nachteil, daß sie wegen mit einer in unmittelbarer Nachbarschaft der der Schichtdicke des Isolierfilmes bzw. des unver-Speicherbereiche angeordneten und mit dem Aus- meidbaren Abstandes des leitenden Gitters von der gang der Ladungsspeicherröhre verbundenen, io dielektrischen Schicht nur eine begrenzte Empfindgitterförmigen Auffangelektrode, in welcher die lHikeit und wegen des aus fertigungstechnischen Speicherbereiche und die Auffangelektrode im Grinden relativ großen Abstandes der einzelnen wesentlichen innerhalb einer Ebene als raster- Gitterdrähte untereinander nur ein begrenztes Aufförniig verteilte, abwechselnd isolierende und lei- lösungsvermögen aufweisen.
tende Bereiche in dünnen Schichten ausgebildet 15 In der USA.-Patentschrift 3 218 496 ist eine ver-
und die leitenden Bereiche elektrisch leitend mit- besserte Speicherplatte der eingangs genannten Art
einander verbunden sind, dadurch gekenn- gezeigt und beschrieben, welche einige Nachteile der
zeichnet, daß die leitenden Bereiche (43) aus bekannten Speicherplatten mildert und insbesondere
Silizium bestehen. ein höhere^ Auflösevermögen zeigt. Bei dieser Spei-
2. Speicherplatte nach Anspruch 1, dadurch ge- 20 cherplatte werden jedoch die leitenden Bereiche kennzeichnet, daß die isolierenden Bereiche (44) durch eine metallische Schicht gebildet, was ihre aus Siliziumdioxid bestehen. Empfindlichkeit begrenzt und ihre Anwendbarkeit
DE19691964058 1969-07-10 1969-12-22 Speicherplatte fuer eine elektrostatische ladungsspeicherroehre Withdrawn DE1964058B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84069869A 1969-07-10 1969-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1964058A1 DE1964058A1 (de) 1971-01-28
DE1964058B2 true DE1964058B2 (de) 1972-04-20

Family

ID=25282989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691964058 Withdrawn DE1964058B2 (de) 1969-07-10 1969-12-22 Speicherplatte fuer eine elektrostatische ladungsspeicherroehre

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3631294A (de)
CA (1) CA1006568A (de)
DE (1) DE1964058B2 (de)
FR (1) FR2034086A1 (de)
GB (1) GB1288049A (de)
NL (1) NL7000313A (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4490643A (en) * 1969-01-08 1984-12-25 Rca Corporation Storage device having a semiconductor target
US3886530A (en) * 1969-06-02 1975-05-27 Massachusetts Inst Technology Signal storage device
US4302703A (en) * 1969-11-10 1981-11-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Video storage system
US3737715A (en) * 1970-02-02 1973-06-05 Rca Corp Bistable storage device and method of operation utilizing a storage target exhibiting electrical breakdown
US3740465A (en) * 1971-06-14 1973-06-19 Rca Corp Television frame storage apparatus
US3892454A (en) * 1972-06-28 1975-07-01 Raytheon Co Method of forming silicon storage target
US4051406A (en) * 1974-01-02 1977-09-27 Princeton Electronic Products, Inc. Electronic storage tube target having a radiation insensitive layer
US3940651A (en) * 1974-03-08 1976-02-24 Princeton Electronics Products, Inc. Target structure for electronic storage tubes of the coplanar grid type having a grid structure of at least one pedestal mounted layer
JPS50137028A (de) * 1974-04-17 1975-10-30
JPS5136017A (ja) * 1974-09-20 1976-03-26 Matsushita Electronics Corp Nidenshijugatasosahenkankan
JPS5252519A (en) * 1975-10-27 1977-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pickup storage tube and camera equipment
US4389591A (en) * 1978-02-08 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Company, Limited Image storage target and image pick-up and storage tube

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2859376A (en) * 1955-05-19 1958-11-04 Bell Telephone Labor Inc Electron discharge storage device
GB881471A (en) * 1957-02-28 1961-11-01 Emi Ltd Improvements relating to colour-picture reproducing cathode ray tubes
US3293474A (en) * 1963-08-01 1966-12-20 Tektronix Inc Phosphor dielectric storage target for cathode ray tube
US3277333A (en) * 1963-12-13 1966-10-04 Itt Storage tube system and method
US3339099A (en) * 1966-05-31 1967-08-29 Tektronix Inc Combined direct viewing storage target and fluorescent screen display structure
US3401293A (en) * 1966-11-28 1968-09-10 Tektronix Inc Mesa type combined direct viewing storage target and fluorescent screen for cathode ray tube
US3428850A (en) * 1967-09-12 1969-02-18 Bell Telephone Labor Inc Cathode ray storage devices
US3480482A (en) * 1967-10-18 1969-11-25 Hughes Aircraft Co Method for making storage targets for cathode ray tubes

Also Published As

Publication number Publication date
GB1288049A (de) 1972-09-06
DE1964058A1 (de) 1971-01-28
FR2034086A1 (de) 1970-12-11
NL7000313A (de) 1971-01-12
CA1006568A (en) 1977-03-08
US3631294A (en) 1971-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69301275T2 (de) Kathodolumineszente Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren
DE1439707B2 (de) Kathodenstrahlroehre zur bistabilen elektrischen speicher ung von bildern
DE1964058B2 (de) Speicherplatte fuer eine elektrostatische ladungsspeicherroehre
DE2659247A1 (de) Elektronenstrahlenbuendel benutzendes, lithografisches system
DE2850369A1 (de) Kathodenstrahlroehre
DE1964058C (de) Speicherplatte für eine elektrostatische Ladungsspeicherröhre
DE2814391A1 (de) Farbbildroehre
DE2540909A1 (de) Fernsehaufnahmeroehre
DE69020627T2 (de) Supraleitende Einrichtung mit drei Anschlüssen und Prozess für deren Herstellung.
DE2351254B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Multidioden-Speicherplatte für eine Bildaufnahmeröhre
DE1299311B (de) Speicherelektrode fuer Vidicon-Bildaufnahmeroehren
DE2420788C3 (de) Ladungsspeicherplatte für eine elektronische Speicherröhre
DE2420789C3 (de) Ladungsspeicherplatte für eine elektronische Speicherröhre
DE2054411C2 (de) Ladungsspeicherschirm für eine Elektronenstrahl-Speicherröhre
DE2504187A1 (de) Halbleiteranordnung zum sichern und nichtdestruktiven auslesen von bildinformation und speichersystem mit einer solchen anordnung
DE1935730C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Festkorperspeicherplatte
DE1614891A1 (de) Leuchtschirm,insbesondere fuer Kathodenstrahl-Oszillographenroehren
DE2111031C (de) Vidikon als Mehrzweck-Röhre
DE2338902A1 (de) Speicher-targetelektrode
DE2616651A1 (de) Speicherbildeinrichtung
DE1015477B (de) Lichtempfindliche Bildspeicherroehre
DE2734078C2 (de) Speicherplatte für eine Kathodenstrahl-Speicherröhre und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2650567B2 (de) Verfahren zum Betrieb einer Speicherröhre mit nichtzerstörender Auslesung
DD150517A1 (de) Verfahren zur sichtbarmachung eines kraftfeldes und zur aufzeichnung der sichtbaren abbildung des kraftfeldes auf einem traeger
DE3211769C2 (de) Photoleitender Detektor

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee