CH414570A - Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium - Google Patents

Verfahren zur Gewinnung von reinstem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium

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CH414570A
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silicon
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CH1344360A
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Reuschel Konrad Dr Dipl-Chem
Schink Norbert Dr Dipl-Chem
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Siemens Ag
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
JP5604803B2 (ja) 2008-03-28 2014-10-15 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン製造装置におけるポリマー不活性化方法
JP5552284B2 (ja) * 2009-09-14 2014-07-16 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造システム、多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法
US9315895B2 (en) 2010-05-10 2016-04-19 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus for producing polycrystalline silicon

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2120559A (en) * 1937-04-20 1938-06-14 Philadelphia And Reading Coal Absorption refrigeration
US2946668A (en) * 1954-05-28 1960-07-26 Metal Chlorides Corp Continuous high-temperature reaction apparatus
DE1054436B (de) * 1956-02-11 1959-04-09 Pechiney Prod Chimiques Sa Verfahren zur Herstellung von kompaktem Silicium hohen Reinheitsgrades
DE1061593B (de) * 1956-06-25 1959-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
US2909411A (en) * 1957-01-15 1959-10-20 Du Pont Production of silicon
US2912311A (en) * 1957-11-20 1959-11-10 Allied Chem Apparatus for production of high purity elemental silicon
US3030189A (en) * 1958-05-19 1962-04-17 Siemens Ag Methods of producing substances of highest purity, particularly electric semiconductors
DE1155759B (de) * 1959-06-11 1963-10-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke

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