CH236304A - Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von festen Stoffen im Hochfrequenzfeld. - Google Patents

Description

  Verfahren     und    Einrichtung zur Behandlung Ton festen Stoen im     Hoghfrequenzfeld.       Es ist bekannt, Stoffe der     versehiede@n-          sten    Art der Einwirkung eines elektrischen       Hochfrequenzfeld'es        auszus,etz'en,    beispiels  weise zum Zwecke :der Trocknung.  



  Dabei hat sich zum Beispiel gezeigt, dass  bei der Anwendung sehr grosser Feldstärken,  wie sie etwa bei der     Behandlung    mancher  Stoffe, vor allem von     Kleidungsstücken    und       Einrichtungsgegenständen    zur     Abtötung    von  Ungeziefer oder     bei.,der    Behandlung von Nah  rungsmitteln, wie Getreide, zur     Vernichtung     von Schädlingen in Stoffen der verschieden  sten Art     mitunter    notwendig sind, Entla  dungserscheinungen     auftreten,    die zu uner  wünschten und in manchen Fällen weitgehen  den Schädigungen, vor allem des zu behan  delnden     Gutes,    führen können.  



  Diese     Nachteile    lassen sich durch die Er  findung nunmehr vermeiden. Das     neue    Ver  fahren zeichnet sich dadurch aus, dass die  Einwirkung des     Hochfrequenzfeldes    auf das  zu     behandelnde    Gut unter     einem        gegenüber       dem äussern Luftdruck     veränderten        Druck     durchgeführt wird.  



  Die     erfindungsgemäss..    Einrichtung zur  Durchführung des Verfahrens zeichnet sich  dadurch aus, dass     -die        Behandlungseinrich-          tung    aus einem Hohlgefäss besteht, von dem  mindestens zwei     Begrenzungswände    durch  die Elektroden gebildet sind,     zwischen    denen  das elektrische     Hochfrequenzfeld    entsteht.  



  Zur Verhinderung der     unerwünschten     Entladungserscheinungen kann der jeweilige  Gasdruck in dem Behandlungsraum so ge  wählt werden,     dass    bei den für     die    vorge  sehene Behandlung erforderlichen     Hochfre-          quenzspannungen    Überschläge mit Sicherheit  vermieden werden.'  In der Zeichnung ist eine     Einrichtung    zur  Behandlung von     festen    Stoffen unter gegen  über dem     äussern        Luftdruck        erhöhtere        Druck     beispielsweise und in schematischer Form       dargestellt.         Die F 

  i-. 1 und 2 zeigen die     Vorrichtung     im Längs- und im Querschnitt. In der     Fig.    3  ist eine zweckmässige Ausbildung der     Ab-          diehtung    des Behandlungsraumes dargestellt.  



  Die Vorrichtung nach     Fig.    1 und 2 weist  einen Behälter auf, dessen Deck- und Boden  fläche von den Elektroden 1 und ? gebildet  werden,     zwischen    denen das elektrische Hoch  frequenzfeld sich ausbildet. Die andern  Wände 3, 4, 5, 6 bestehen aus einem Werk  stoff, der elektrisch nichtleitend ist und  zweckmässig     geringe        dielektrische    Verluste  und kleine     Dielektrizitätskonstante    aufweist.  Die Wände 3, 4, 5 und 6 sind mit den Seiten  kanten der Elektroden 1 und 2 dicht und  druckfest verbunden.

   Die Wand 4 ist um die  Achse 7, die in Augenlagern 8 gelagert ist,       schwenkbar.    Befestigt wird die     Seitenwand    4  durch einen     Verschlusshebel    9, der mit einem  Ansatz über die obere Kante der ersteren hin  weggreift und diese fest auf die Dichtungen  10 und 11 presst. Die Stromzuführungen für  die Elektroden sind mit den Bezugszeichen  12 und 13 versehen. Die eine der     zweckmässig     aus Kupfer bestehenden     Anschlussleitungen,     und zwar in der     Fig.    1 die Leitung 13, ist  hohl ausgebildet und dient     gleichzeitig    als  Zuführungsleitung für das Druckgas.  



  Die     Fig.    3 zeigt eine zweckmässige Aus  bildung der Abdichtung der beweglichen Be  grenzungswand 4. Die Elektrode 1 weist. an  ihrer einen     Stirnfläche    eine Aussparung     1-L     auf, in der die Dichtung 10 liegt. Die beweg  licht     Begren:zungswa.üd    4 trägt einen Dich  tungsa.nsa,tz 15, der beim Anpressen der  Wand 4 durch den Hebel 9 in die Ausspa  rung 14 eingreift und auf die Dichtung 10       gedrückt    wird. Auf diese W     eise    wird ein dich  ter und druckfester Abschluss des     Behand-          lun:gsraumes    erreicht.  



  Die Behandlung des Gutes kann unter.  gegenüber dem Atmosphärendruck veränder  ten     Luftdruck    des Behandlungsraumes oder  auch unter dem, gegenüber der Aussenatmo  sphäre, veränderten     Druck    eines andern, bei  spielsweise     inerten    Gases durchgeführt wer  den.

       Zur    Anzeige des jeweiligen     Gasdruckes     in dem     Behandlungsraum    sind geeignete Vor-         riclitungen,        wie    zum Beispiel Manometer 16  und zum     Ausäleich.    des     Druclzunterschiedes     zwischen dem     Behandlungsraum    und der       Aussenatmosphäre        absperrbare    Ausgleichs  organe 17 vorgesehen.

   Diese Organe können  mit der     Verschlusseinrichtung    des     Behand-          lung-:sraumes    so gekuppelt sein,     da-ss    der     Ver-          schluss    nur dann geöffnet werden- kann, wenn  ein Druckausgleich zwischen dem     Behand-          lunbsraum    und der Aussenatmosphäre statt  gefunden hat. Es ist auch möglich, die Elek  troden oder eine derselben im Innern des Be  handlungsraumes anzuordnen, zum Beispiel  den Kondensator als sogenannten     Zy        linder-          kondensator    auszubilden.

Claims (1)

1. PATEN TAN SPRVCIIE I. Verfahren zur Behandlung von festen StoffzAn im Hochfrequeuzfeld, dadurch ge- kennzeichnef, dass die Einwirkung des @och- frequenzfeldes auf das zii behandelnde Gut unter einem gegenüber dem äussern Luft druck veränderten Druck durchgeführt wird.

   1I. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach P'atentaüspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungseinrich- tung aus einem Holilgefä:ss besteht, von dem mindestens zwei Beärenzungswände durch die Elektroden, zwischen denen das elek trische Hochfrequenzfeld entsteht, gebildet sind. UN TERANSPRüCIIE 1.

   Verfahren naeli Patentanspruch I, da durch -ehenn-zeiebnet. dass die Behandlung dies Gutes in einem inerten Cra-s mit; gegen über dem äussern Luftdruck erhöhten Druck erfolgt.

   n. Verfahren nach Patentanspruch 1. da durch @ekemizeichnet, dass die Behandlun- des Gutes in einem inerten Gas mit gegen über dein äussern Luftdruck verminderten Druck erfolgt.

   3. Einrichtiiüg nach Patentanspruch 1I, dadurch gekennzeichnet, dass die Begren- zung'swände des Behandlungsbehälters finit Ausnahme der Elektroden aus einem nicht metallischen 'erlzstoff bestehen und mit den Elektroden druckfest verbunden sind. 4.

   Einrichtung nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Begren zungswand des Behälters abklappbar ausge- bildet ist. 5. Einrichtung nach Patentanspruch 1.I, dadurch gekennzeichnet, dass die Stirnflächen der Elektroden auf der Seite der abklappba- ren Begrenzungswand Aussparungen mit ein gesetzten Dichtungen aufweisen. 6.

   Einrichtung nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die seitlichen Begrenzungswände des Behandlungsraumes an die Stirnflächen .der Elektroden angepresst sind.