CH188431A - Selengleichrichter. - Google Patents

Selengleichrichter.

Info

Publication number
CH188431A
CH188431A CH188431DA CH188431A CH 188431 A CH188431 A CH 188431A CH 188431D A CH188431D A CH 188431DA CH 188431 A CH188431 A CH 188431A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
selenium
rectifier
added
cerium
layer
Prior art date
Application number
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Apparate-Fabrik G Sueddeutsche
Original Assignee
Sueddeutsche Apparate Fabrik G
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sueddeutsche Apparate Fabrik G filed Critical Sueddeutsche Apparate Fabrik G
Publication of CH188431A publication Critical patent/CH188431A/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01—Manufacture or treatment
    • H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/043—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination

Landscapes

  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
CH188431D 1935-04-11 1936-04-02 Selengleichrichter. CH188431A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE466917X 1935-04-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH188431A true CH188431A (de) 1936-12-31

Family

ID=6540616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH188431D CH188431A (de) 1935-04-11 1936-04-02 Selengleichrichter.

Country Status (7)

Country Link
AT (1) AT148674B (instruction)
BE (1) BE414822A (instruction)
CH (1) CH188431A (instruction)
DK (1) DK52692C (instruction)
FR (1) FR804811A (instruction)
GB (1) GB466917A (instruction)
NL (1) NL43013C (instruction)

Also Published As

Publication number Publication date
NL43013C (instruction)
FR804811A (fr) 1936-11-03
GB466917A (en) 1937-06-08
BE414822A (instruction)
AT148674B (de) 1937-02-25
DK52692C (da) 1937-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1960047A1 (de) Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung einer Goldlegierung und waessriges Abscheidungsbad zur Ausfuehrung des Verfahrens
CH188431A (de) Selengleichrichter.
DE2255799A1 (de) Batterie-elektrolytenzusammensetzung, die das reaktionsprodukt eines amins und eines aldehyds enthaelt
AT149626B (de) Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit.
DE659207C (de) Verfahren zur Erhoehung der elektrischen Leitfaehigkeit von Zinnbronzen
DE1811928A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung
DE720445C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial und nach diesem Verfahren hergestellter Trockenplattengleichrichter
DE1201562C2 (de) Verfahren zur herstellung von porenarmen, warmrissunempfindlichen druckfussteilen aus almgsi-legierungen
AT158544B (de) Elektrische Kontaktstoffe für Schaltkontakte und Elektroden für das Punktschweißverfahren.
DE526891C (de) Mit einer Elektrode aus Silizium versehener elektrolytischer Gleichrichter
DE557481C (de) Verfahren zur Herstellung galvanischer Zinn-Blei-Niederschlaege
US1966481A (en) Homogeneous antimony-bismuth alloy
DE740349C (de) Tiegel zum Schmelzen von Aluminium und dessen Legierungen
DE895039C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern
DE363129C (de) Harte Metallegierungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE869382C (de) Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern
AT155923B (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial.
DE1266510B (de) Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einem Kontakt und Verfahren zum Herstellen
DE1608159C3 (de) Verwendung von porenarmen, warmriBunempfindlichen GuOteilen aus AlMgSi-Legierungen mit hoher Fließfähigkeit
DE639131C (de) Verfahren zur Herstellung von borhaltigen Legierungen
DE406369C (de) Thermostatisches Element
AT157102B (de) Gegenstände aus Eisen oder Stahl, die mit schmelzflüssigem Zink in Berührung kommen.
DE823522C (de) Nickelanode
DE632774C (de) Verfahren zur Herstellung metallischer UEberzuege auf Aluminium
DE479742C (de) Verfahren zur Herstellung unterteilter Magnetkerne aus mit einer durch Galvanisationauf elektrolytischem Wege hergestellten Schicht leicht schmelzbaren Metalls bedeckten magnetischen Einzelteilchen