BRPI0616268A2 - substrato transparente, utilizaÇço do substrato, e, cÉlula solar - Google Patents
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Abstract
SUBSTRATO TRANSPARENTE, UTILIZAÇçO DO SUBSTRATO, E, CÉLULA SOLAR. Substrato transparente, notadamente em vidro, associado a um eletrodo, notadamente adaptado para células solares, caracterizado pelo fato de que o eletrodo compreende uma primeira camada eletrocondutora transparente composta de um óxido mineral não dopado, a referida primeira camada estando revestida por uma segunda camada eletrocondutora transparente composta do mesmo óxido mineral, o referido óxido mineral sendo, no entanto, dopado.
Description
"SUBSTRATO TRANSPARENTE, UTILIZAÇÃO DO SUBSTRATO, E, CÉLULA SOLAR"
A invenção se refere a um substrato transparente, notadamentede vidro, que é munido de um eletrodo. Este substrato condutor é, muitoparticularmente, destinado a fazer parte de células solares.
Com efeito, de maneira conhecida, as células solares à base decamadas finas de silício (Si) ou de telureto de cádmio (CdTe) integram estetipo de substrato condutor.
Para as células que incorporam o Si ou o CdTe em camadafina, utiliza-se camadas finas transparentes condutoras eletricamentedenominadas geralmente TCO para «Transparent Conductive Oxide» à basede Sn02:F, Sn02:Sb, ZnOiAl ZnOiGA. Elas são utilizadas tipicamente comoeletrodo frontal para as células solares à base de camadas finas de silício. OSnO2IF é depositado por CVD e o ZnO:Al é depositado por pulverizaçãomagnetrônica. Este último necessita um pós-tratamento de ataque ácido a fimde torná-lo rugoso, enquanto que o SnO2:F é naturalmente rugoso apósdeposição. Esta rugosidade permite gerar um efeito «de light-trapping» ou decaptura de luz a fim de aumentar a absorção da luz pelo silício que constitui aparte ativa da célula solar. Este parâmetro é um dos critérios de desempenhode uma camada TCO em face deste efeito de light-trapping, este critériosendo caracterizado pela intensidade da nebulosidade (ou névoa) obtida.
Nesta investigação da melhoria da nebulosidade para camadasTCO destinadas a aplicações do domínio fotovoltaico, conhece-se diversasvias ilustradas notadamente pelo documento FR2832706 que descreveestruturas de camadas condutoras transparentes rugosas, de rugosidade RMS> 3 nm e tamanho de motivos >50 nm que permitem induzir a nebulosidade.
O documento EP 1422761 divulga a utilização noempilhamento de uma subcamada irregular Sn02/Si0C ou SiOC ou SiSnO.
Conhece-se, além disso, pelo documento EP 1056136 orecurso a uma subcamada SnCVSiC^ sobre um substrato vítreo à base de Napara gerar furos de cristais NaCL
Qualquer que seja a via conhecida da técnica anterior, arealização de uma estrutura de empilhamento com nebulosidade requer, sejauma subcamada SiSnxOyCy, seja a texturização do substrato antes dadeposição da camada TCO, o que induz etapas de fabricação suplementares.
Outro critério correntemente encontrado que permiteapreender o desempenho de uma camada TCO para uma aplicação aosfotovoltaicos reside na relação transmissão luminosa/resistência elétrica.
A esse respeito, o documento EP290345 descreve umempilhamento de camadas finas de tipo TCO à base de uma bi-camadaSn02/Sn02: F para a qual a relação transmissão luminosa/resistência elétrica é otimizada.
A invenção tem por objetivo a obtenção de um substratomunido de um eletrodo, destinado a células solares, que seja de umafabricação mais simples e/ou menos cara do que os eletrodos conhecidos, ecujos desempenhos ao mesmo tempo em termos do produto da nebulosidadepela transmissão luminosa, e da relação transmissão luminosa/resistênciaelétrica, da relação nebulosidade/resistência elétrica, e nebulosidade sejammelhorados de maneira concomitante.
A invenção tem, em primeiro lugar, por objeto um substratotransparente, notadamente de vidro, associado a um eletrodo, notadamenteadaptado para células solares, caracterizado pelo fato de que o eletrodocompreende uma primeira camada eletrocondutora transparente composta de um óxido mineral não dopado, a referida primeira camada sendo revestida poruma segunda camada eletrocondutora transparente composta do mesmo óxidomineral, o referido óxido mineral sendo, no entanto, dopado.
Na acepção da invenção, entende-se por camada seja umacamada contínua, seja uma camada descontínua, apresentando notadamentemotivos (seja por gravura de uma camada contínua, seja por deposiçãodiretamente da camada descontínua ao motivo desejado, por um sistema demáscara, por exemplo). Isso se aplica a todas as camadas que estão emquestão no presente pedido.
Em modos de realização preferidos da invenção, pode-seeventualmente recorrer, além disso, a uma e/ou a outra das seguintesdisposições:
- o eletrodo possui uma nebulosidade compreendida entre 5%e 25% e, de preferência, compreendida entre IOe 20%,
- o eletrodo possui um fator produto da nebulosidade (H) pelatransmissão luminosa (Tl) expresso em um gráfico H(Tl) que esteja acima deuma linha definida pelos seguintes bi-pontos (15; 82); (10;84); (6; 85)
- o eletrodo possui um produto de absorção luminosa pelaresistência de superfície elétrica inferior a 0,6 Ω/quadrado
- o eletrodo tem uma resistência por quadrado (R quadrado)inferior ou igual a 15 Ω/quadrado, notadamente inferior ou igual a 12Ω./quadrado, de preferência, inferior ou igual a 10 ou 12 Ω/quadrado.
- a espessura da primeira camada à base de óxido mineral nãodopado é compreendida entre 150 e 900 nm
- a primeira camada é à base de óxido de estanho (SnO2) e asegunda camada é à base de óxido de estanho dopado ao flúor (SnO2: F),
- o eletrodo é depositado sobre uma subcamada que possuipropriedades de barreira aos alcalinos de tipo nitreto ou oxinitreto de silício,nitreto ou oxinitreto de alumínio, óxido ou oxicarbeto de silício, de acordocom uma espessura compreendida entre 20 e 150 nm,
- a subcamada barreira comporta uma alternância de camadascom elevado índice de refração, compreendido entre 1,9 e 2,3, e camadas combaixo índice de refração, compreendido entre 1,4 e 1,7, notadamente deacordo com as seqüências Si3N4/Sn02 ou SisN4ZSnOaZSisN4.- a primeira camada é à base de óxido de zinco (ZnO) e asegunda camada é à base de óxido de zinco dopado ao alumínio (ZnO: Al),
- o óxido de estanho dopado e/ou não dopado é(são)depositado(s) a elevada temperatura notadamente a uma temperatura superiora 600°C,
- Utilização do substrato tal como precedentemente descrevecomo eletrodo de célula fotovoltaica à base de Si ou de CdTe5
- o substrato é um vidro extra-claro do tipo «Albarino» e/ou«Diamant»
- uma das faces do substrato é revestida por um empilhamentoque traz uma funcionalidade do tipo anti-reflexo ou hidrófobo oufotocatalítico.
A presente invenção será melhor compreendida na leitura dadescrição detalhada a seguir de exemplos de realização não limitativos efiguras 1 e 2 que ilustram pontos de comparação entre uma estrutura deempilhamento mono-camada e de bi-camadas de SnO2: F, por um lado, e deSnO2ZSnO2: F, por outro lado.
Para realizar o eletrodo de bi-camadas à base de Sn02/Sn02: F,após ter procedido a uma elevação de temperatura do substrato a umatemperatura superior a 600°C, decompõe-se uma mistura de vapor(CnH2n+i)4Sn com η = 1 a 4, (CH3)2SnH2, (C4H9 3 SnH,(C4H9)2Sn(COOCH3)2, SnCl4, (CH3)2SnCl2 ou ainda de monobutilatricloreto de estanho (MBTC1), e de vapor de água, de oxigênio e denitrogênio.
E depois aquece-se novamente o substrato parcialmenterevestido e coloca-se o mesmo em contato com um composto de estanhofluorado ou com um composto de estanho e um composto fluorado para obtera segunda camada SnO2: F.
Para depositar a camada SnO2:F pode-se utilizar todos oscompostos de estanho pré-citados com a condição de fazer um aporte dedoador de flúor: CF3COOH, HF, CH3CH2F2, CHClF2, CH3CClF2, CHF3,CF2Cl2, CF3Cl, CF3Br.
Para colocar estes compostos de estanho em contato comsubstratos transparentes aquecidos e para provocar a oxidação e adecomposição térmica, utiliza-se o método de deposição química em fasegasosa (método CVD) pelo qual se coloca um vapor de compostos de estanhoe um gás oxidante em contato com um substrato transparente a elevadatemperatura, ou ainda o método de pulverização pelo qual pulveriza-se umasolução do composto de estanho, sobre o substrato transparente a elevadatemperatura com a ajuda de um pulverizador.
Utiliza-se, de preferência, o método CVD pelo qual se colocauma mistura de vapor de compostos de estanho, de gás oxidante, etc... emcontato com o substrato transparente aquecido a uma temperatura de 400 a700°C, de preferência próximo da gama de temperatura compreendida entre600 a 680°C. Deposita-se assim um filme eletrocondutor transparente comduas camadas, ou seja, uma camada SnO2 e depois uma outra camada Sn02:F,depositada em recobrimento.
De acordo com a presente invenção, a espessura do filme comduas camadas Sn02/Sn02: F é de 0,6 a 1,5 mícron.
Exemplos
Realiza-se sobre um substrato vítreo de tipo «Albarino» e/ou«Diamant», Diamant e Albarino sendo marcas depositadas pela empresarequerente do presente pedido de patente para substratos vítreosrespectivamente de tipo extra-claro e tipo que possui relevos em superfícieuma série de deposições de acordo com as seguintes modalidades.
A primeira série de deposições compreende somente umacamada de SnO2: F, depositada a elevada temperatura (pelo menos superior a600°C) por CVD, por decomposição de precursores à base de tais comoaqueles precedentemente citados + ar + H2O + um composto fluorado.
As medidas Tl e de nebulosidade (H) foram realizadas comum medidor de nebulosidade. Obtêm-se as seguintes séries de amostras:
<table>table see original document page 7</column></row><table>
Realiza-se em seguida sobre um substrato vítreo de tipo«albarino» e/ou «diamant», nas mesmas condições operacionais queprecedentemente, uma série de deposições de camadas do tipo com duplacamada SnO2ZSnO2: F (espessuras respectivas que vão de 25%/75% a75%/25% para espessuras totais de 750 a 1000 nm) obtêm-se as seguintesamostras:
<table>table see original document page 7</column></row><table> As medidas mostram que para o conjunto das amostras, tem-seainda melhores desempenhos (nebulosidade e Tl mais elevados de maneiraconcomitante) com as bi-camadas do que com as monocamadas. Esta situaçãoé ilustrada pelo gráfico da figura 1.
Para as segundas amostras, obtêm-se os seguintes valores demobilidade e densidade de portadores, de nebulosidade e Tl medidos porespectrofotômetro, mostrando que os desempenhos são bastante satisfatóriosde maneira concomitante (mobilidade elevada, densidade moderada, elevada
TL, elevada nebulosidade):
<table>table see original document page 8</column></row><table>
Para as amostras da segunda série de deposição (amostras 6 a12), propõe-se definir um segundo critério que exprime a relação entre H ounebulosidade e a transmissão luminosa. Como aparece no nível da figura 2,todas as amostras estão acima da curva definida pelos bi-pontos (15; 82);(10;84); (6; 85) (zona não hachurada).
Dá-se a seguir outros exemplos comparativos que mostram ainfluência da dopagem sobre o valor da nebulosidade obtida e a influência datemperatura de realização sobre a nebulosidade (as medidas óticas sendorealizadas com ajuda de um medidor de nebulosidade).
Assim, o primeiro exemplo abaixo mostra a diferença entreuma camada clássica de SnO2: F depositada a elevada temperatura Tl(superior a 600°C) e a mesma camada realizada sem dopagem.
<table>table see original document page 8</column></row><table>
O segundo exemplo abaixo mostra o efeito da temperaturasobre a geração de nebulosidade. A camada clássica foi realizada a umatemperatura T2 superior de pelo menos 30°C a T1.
<table>table see original document page 8</column></row><table>
O valor de nebulosidade é quase multiplicado por 2 passandode Tl a T2.
O terceiro exemplo mostra a relação entre a vazão de dopantee a nebulosidade para uma camada espessa depositada a elevada temperatura(superior a 600°C)
<formula>formula see original document page 9</formula>
Pode-se observar que a dópagem diminui a TL. Quanto mais sedopa a camada, maior a absorção pelos portadores de carga.
Em conclusão, o fato de não dopar a camada aumenta anebulosidade. Por outro lado, a temperatura tem, igualmente, por efeito,aumentar a nebulosidade.
Na estratégia dupla-camada, utiliza-se, então, a subcamadaSnO2 para criar as condições favoráveis à nebulosidade. Ao mesmo tempo, asubcamada SnO2 favorece uma transmissão luminosa elevada. A sobrecamadaSnO2: F está presente para ajustar a resistência por quadrado do TCO.
Para realizar uma bi-camadas de ZnO /ZnO: Al, deposita-se,pelo menos, uma camada dielétrica sobre o substrato por pulverizaçãocatódica, notadamente assistida por campo magnético e preferivelmente sereativa em presença de oxigênio e/ou de nitrogênio, em um ambiente depulverização.
A camada de ZnO é obtida a partir de um cátodo de um metaldopado, ou seja, que contém um elemento minoritário: a título de ilustração, écorrente utilizar cátodos de zinco que contêm uma proporção menor de umoutro metal tal como o alumínio ou o gálio. Os parâmetros de ajuste são osseguintes: P [kw] = 4.0; I [A] = 40; U [V] = 360; Gás [sccm] = 350 (Ar). Noentanto, a fim de criar a nebulosidade na bi-camada no ZnO/ZnO:Al, énecessário texturizar a primeira camada de ZnO por um ataque ácido.Em variante, pode-se depositar em retomada por uma via depulverização magnétron sobre a bi-camada Sn02/Sn02: F, uma sobrecamadade ZnO5 esta sobrecamada sendo uma camada de proteção contra os ataquesde plasma hidrogenado e que possuem uma espessura compreendida entre 10e 50 nm e de preferência próxima de 20 nm.
Resulta que de acordo com a presente invenção, pode-se obterfilmes eletrocondutores transparentes de baixa resistência elétrica e queautorizam uma importante transmissão luminosa bem como um valor denebulosidade ou de "Nebulosidade" importante.
De acordo com uma variante da invenção, pode ser judiciosofuncionalizar a outra face do substrato (aquela que não é revestida pela bi-camada de acordo com a invenção).
Deposita-se assim à superfície camadas finas destinadas a lheconferir uma propriedade particular, como por exemplo, aquela que consisteem permitir ao substrato continuar o mais próximo possível,independentemente das agressões ambientais, ou seja, visando a permanênciano tempo propriedades de aspecto e de superfície, e permitindo notadamenteespaçar as limpezas, chegando a eliminar progressivamente as sujeiras que sedepositam progressivamente à superfície do substrato, notadamente assujeiras de origem orgânica como as marcas de dedos ou produtos orgânicosvoláteis presentes na atmosfera, ou mesmo as sujeiras do tipo fuligem, poeirasde poluição.
Ora, sabe-se que existem alguns materiais semicondutores, àbase de óxido metálico, que estão aptos, sob o efeito de uma radiação decomprimento de onda adequado, a iniciar reações radicalares que provocam aoxidação de produtos orgânicos: fala-se em geral de materiais"fotocatalíticos" ou ainda "fotorreativos".
Conhece-se, no domínio de substratos com função devidraçaria, a utilização de revestimentos fotocatalíticos sobre substrato, queapresentam um efeito «antisujeiras» marcado e que se possa fabricar demaneira industrial. Estes revestimentos fotocatalíticos comportam geralmenteo óxido de titânio, pelo menos parcialmente cristalizado, incorporado aomencionado revestimento sob forma de partículas, notadamente de tamanhocompreendido entre alguns nanômetros (3 ou 4) e 100 nm, de preferênciavizinhos de 50 nm essencialmente cristalizadas sob forma anatásio ouanatásio/rutilo.
O óxido de titânio faz, com efeito, parte dos semicondutoresque, sob a ação da luz no domínio visível ou ultravioletas, degradam produtosorgânicos que se depositam a sua superfície.
Assim de acordo com um primeiro exemplo de realização, orevestimento com propriedade fotocatalítica resulta de uma solução à base denanopartículas de TIO2 e de um ligante de sílica (SnO2) mesoporosa.
De acordo com um segundo exemplo de realização, orevestimento com propriedade fotocatalítico resulta de uma solução à base denanopartículas de TIO2 e um ligante de sílica (SnO2) não estruturada.
Qualquer que seja a forma de realização do revestimento fotocatalítico, no nível das partículas de óxido de titânio, a escolha é levada, alémdisso, sobre o óxido de titânio que é, pelo menos parcialmente cristalizadoporque se mostrou que era muito mais eficiente em termos de propriedadefotocatalítica que o óxido de titânio amorfo. Preferivelmente, ele écristalizado sob forma anatásio, sob forma rutilo ou sob forma de uma misturade anatásio e de rutilo.
A fabricação do revestimento é operada de modo que o óxidode titânio cristalizado que ele contém se encontra sob forma de «cristalitos»,ou seja, de monocristais, tendo um tamanho compreendido entre 0,5 e 100nm, de preferência 3 a 60 nm. É, com efeito, nesta gama de dimensão que oóxido de titânio parece ter um efeito fotocatalítico ótimo, provavelmenteporque os cristalitos deste tamanho desenvolvem uma superfície ativaimportante.
O revestimento com propriedade fotocatalítico podecomportar, igualmente, para além do óxido de titânio, pelo menos outro tipode material mineral, notadamente sob forma de um óxido amorfo ouparcialmente cristalizado, por exemplo, em óxido de silício (ou mistura deóxidos), de titânio, de estanho, de zircônio ou de alumínio. Este materialmineral pode também participar no efeito fotocatalítico do óxido de titâniocristalizado, apresentando, ele próprio, certo efeito fotocatalítico, mesmobaixo em relação o este último do T1O2 cristalizado, o que é o caso do óxidode titânio amorfo ou parcialmente cristalizado.
Pode-se também aumentar o número de portadores de cargapor dopagem da rede cristalina do óxido de titânio, inserindo aí pelo menosum dos seguintes elementos metálicos: nióbio, tântalo, ferro, bismuto,cobalto, níquel, cobre, rutênio, cério, molibdênio.
Esta dopagem pode também se fazer por dopagem desuperfície somente do óxido de titânio ou do conjunto do revestimento,dopagem de superfície realizado recobrindo pelo menos uma parte dorevestimento de uma camada de óxidos ou de sais metálicos, o metal sendoescolhido entre o ferro, o cobre, o rutênio, o cério, o molibdênio, o vanádio eo bismuto.
Por fim, pode-se amplificar o fenômeno fotocatalíticoaumentando rendimento e/ou cinética das reações foto catalíticas, recobrindoo óxido de titânio ou pelo menos uma parte do revestimento que o incorporapor um metal nobre sob forma de camada fina do tipo platina, ródio, prata.
O revestimento com propriedade fotocatalítica apresenta,igualmente, uma superfície externa de caráter hidrófila e/ou oleófilapronunciada, notadamente se o ligante for mineral, o que conduz a duasvantagens não negligenciáveis: um caráter hidrófilo permite uma molhagemperfeita da água que pode se depositar sobre o revestimento, facilitando assima limpeza.
Conjuntamente a um caráter hidrófila, pode-se tambémapresentar um caráter oleófila, permitindo a «molhagem» das sujeirasorgânicas que, como para a água, tendem então a se depositar sobre orevestimento sob forma de um filme contínuo menos visível que «manchas»bem localizadas. Obtêm-se assim um efeito «anti-sujeiras orgânicas» que seopera em dois tempos: logo que se deposita sobre o revestimento, a sujeira jáé pouco visível. Em seguida, progressivamente, ela desaparece pordegradação radicalar iniciada por fotocatálise.
A espessura do revestimento é variável, ela é compreendidaentre alguns nanômetros e alguns micrômetros, tipicamente compreendidaentre 50 nm e 10 μm.
Com efeito, a escolha da espessura pode depender dediferentes parâmetros, notadamente da aplicação encarada do substrato, ouainda do tamanho dos cristalitos de TiO2 no revestimento. O revestimentopode, igualmente, ser escolhido de superfície mais ou menos lisa: uma baixarugosidade de superfície pode, com efeito, ser vantajosa, se ela permitedesenvolver uma superfície fotocatalítica ativa maior. No entanto, muitopronunciada, pode ser prejudicial favorecendo a incrustação, a acumulaçãodas sujeiras.
De acordo com variante, a funcionalidade que é trazida sobre aoutra face do substrato pode ser constituída por um revestimento anti-reflexoque permite assim maximizar o rendimento de conversão energético.
São dadas a seguir as gamas preferidas das espessurasgeométricas e índices das quatro camadas de empilhamento anti-reflexo deacordo com a invenção, este empilhamento sendo designado A:
- n1 e/ou n3 estão compreendidos entre 2,00 e 2,30,notadamente entre 2,15 e 2,25, e de preferência próximos a 2,20.
- n2 e/ou n4 estão compreendidos entre 1,35 e 1,65.- β! está compreendido entre 5 e 50 nm, notadamente entre 10e 30 nm, ou entre 15 e 25 nm.
- Q2 está compreendido entre 5 e 50 nm, notadamente inferiorou igual a 35 nm ou 30 nm, sendo compreendido notadamente entre 10 e 35nm.
- e3 está compreendido entre 40 e 180 nm e, de preferência,entre 45 e 150 nm.
- e4 está compreendido entre 45 e 110 nm e, de preferência,entre 70 e 105 nm.
Os materiais mais apropriados para constituir a primeira e/ou aterceira camada do empilhamento A que é de tipo anti-reflexo, aquelas comelevado índice, são à base de nitreto mista de silício e de zircônio ou de umamistura destes nitretos mistos. Em variante, estas camadas com elevado índicesão à base de nitretos mistos de silício e de tântalo ou de uma mistura destesúltimos. Todos esses materiais podem ser, eventualmente, dopados paramelhorar suas propriedades de resistência química e/ou mecânica e/ouelétrica.
Os materiais mais apropriados para constituir a segunda e/ou aquarta camada do empilhamento A, aquelas com baixo índice, são à base deóxido de silício, de oxinitreto e/ou de oxicarbeto de silício ou ainda à base deum óxido misto de silício e de alumínio. Tal óxido misto tende a ter umamelhor durabilidade, notadamente química, do que do SnÜ2 puro (umexemplo é dado na patente EP- 791.562). Pode-se ajustar a proporçãorespectiva de dois óxidos para obter a melhoria de durabilidade descontadasem o aumentar muito o índice de refração da camada.
Uma forma preferida de realização deste empilhamento anti-reflexo é da forma substrato/SÍ3N4/Si02/SÍ3N4/Sn02 entendendo-se que aescolha das diferentes espessuras e notadamente no nível das espessuras deterceira e quarta camadas é otimizada de modo que, a transmissão luminosaesteja situada na maior parte do espectro (a saber, no visível e noinfravermelho).
Claims (15)
1. Substrato transparente, notadamente em vidro, associado aum eletrodo, notadamente adaptado para células solares, o referido eletrodocompreendendo uma primeira camada eletrocondutora transparente compostade um óxido mineral não dopado, a referida primeira camada sendo revestidapor uma segunda camada eletrocondutora transparente composta do mesmoóxido mineral, o referido óxido mineral, sendo, no entanto, dopado,caracterizado pelo fato de que o eletrodo possui um fator produto leve (H)pela transmissão luminosa (Tl) expresso em um gráfico H (TL), ou seja,acima de uma linha definida pelos seguintes bi-pontos (15; 82); (10;84) ; (6; 85)
2. Substrato de acordo com a reivindicação 1, caracterizadopelo fato de que o eletrodo possui uma leveza compreendida entre 5% e 25%e preferivelmente compreendida entre IOe 20%.
3. Substrato de acordo com a reivindicação 1, caracterizadopelo fato de que o eletrodo possui um produto absorção luminosa pelaresistência de superfície elétrica inferior a 0,6 Ω/quadrado.
4. Substrato de acordo com a reivindicação 1, caracterizadopelo fato de que a espessura da primeira camada à base de óxido mineral nãodopado está compreendida entre 150 e 900 nm.
5. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesprecedentes, caracterizado pelo fato de que a primeira camada é à base deóxido de estanho (SnO2) e a segunda camada é à base de óxido de estanhodopado ao flúor (SnO2: F).
6. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicações 1a 4, caracterizado pelo fato de que a primeira camada é a base de óxido dezinco (ZnO) e a segunda camada é à base de óxido de zinco dopado aoalumínio (ZnO:Al).
7. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesprecedentes, caracterizado pelo fato de que ele é munido, de pelo menos, umacamada-barreira, notadamente em face dos alcalinos, inserida entre o referidosubstrato e o referido eletrodo.
8. Substrato de acordo com a reivindicação 7, caracterizadopelo fato de que a camada-barreira é à base de material dielétrico, escolhidodentre pelo menos um dos seguintes compostos: nitreto ou oxinitreto silício,óxido ou oxicarbeto de silício.
9. Substrato de acordo com a reivindicação 7, caracterizadopelo fato de que a camada-barreira faz parte de um revestimentomulticamadas com objetivo ótico, constituído, de pelo menos, duas camadasde materiais dielétricos de índices de retração diferentes.
10. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesprecedentes, caracterizado pelo fato de que o óxido de estanho dopado e/ounão dopado é(são) depositado(s) à elevada temperatura notadamente a umatemperatura superior a 600°C, por via CVD.
11. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicações-1 a 5 e 7 a 10, caracterizado pelo fato de que ele é munido, de pelo menos,uma sobre-camada à base de óxido de zinco, esta sobre-camada estandodepositada sobre a segunda camada à base de óxido de estanho dopado aoflúor (SnO2: F)
12. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesprecedentes, caracterizado pelo fato de que o substrato é um vidro extra-clarodo tipo "albarino" ou "diamante".
13. Substrato de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesprecedentes, caracterizado pelo fato de que uma das faces do substrato érevestida por um empilhamento que traz uma funcionalidade do tipo anti-reflexo ou hidrófobo ou fotocatalítico.
14. Utilização do substrato de acordo com uma dasreivindicações 1 a 13 , caracterizada pelo fato de que é como eletrodo decélula solar.
15. Célula solar, caracterizada pelo fato de que compreende osubstrato de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 13.
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