KR20110014168A - 광전지 및 이를 위한 기재 - Google Patents

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엠마뉴엘 피터
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쌩-고벵 글래스 프랑스
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Abstract

본 발명은 특히 카드뮴 기반인 흡광성 광전 재료를 구비하는 광전지(1)에 관한 것으로서, 상기 전지는, 특히 임의로 도핑된 아연 산화물 기반인 적어도 하나의 투명 전도성 층을 포함하는 박막 다층으로 이루어진 투명 전극 코팅(100)을 주 표면상에 구비하는 면판 기재(10), 특히 투명 유리 기재를 포함하고, 전극(100)은 적어도 하나의 평활화 층(22)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

광전지 및 이를 위한 기재{PHOTOVOLTAIC CELL AND SUBSTRATE FOR SAME}
본 발명은 광전지 면판 기재, 특히 투명 유리 기재 및 이러한 기재를 포함하는 광전지에 관한 것이다.
광전지에서, 입사 방사선의 효과를 통해 전기 에너지를 생성하는 광전 재료를 구비하는 광전 시스템은 배면판(backplate) 기재와 면판(faceplate) 기재 사이에 위치하는데, 이러한 면판 기재는 입사 방사선이 광전 재료에 도달하기 전에 통과하는 첫 번째 기재이다.
광전지에서, 입사 방사선의 주요 도달 방향이 상부를 경유하는 것으로 간주하는 경우 면판 기재는 아래에 배치된 광전 재료와 전기적으로 접촉하는 투명 전극 코팅을 일반적으로 광전 재료 쪽으로 놓인 주 표면 아래에 구비한다.
따라서, 이러한 면판 전극 코팅은 일반적으로 광전지의 네거티브 단자를 구성한다.
물론, 광전지는 광전지의 포지티브 단자를 구성하는 전극 코팅을 배면판 기재상에 또한 구비하지만, 일반적으로 배면판 기재의 전극 코팅은 투명하지 않다.
면판 기재의 투명 전극 코팅을 위하여 통상적으로 사용하는 물질은 일반적으로 TCO(투명 전도성 산화물) 기반인 물질인데, 예를 들어 인듐 주석 산화물(ITO) 기반 또는 알루미늄 도핑된 아연 산화물(ZnO:Al) 또는 붕소 도핑된 아연 산화물(ZnO:B), 또는 갈륨 도핑되거나 인듐 도핑되거나 티타늄 도핑되거나 바나늄 도핑된 아연 산화물 기반(본 발명의 맥락에서, 아연 산화물 기반인 상술한 화합물의 경우 도핑은 10% 미만의 질량 분율의 경우를 의미하는 것으로 이해된다) 또는 불소 도핑된 주석 산화물(SnO2:F) 기반, 또는 혼성 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하거나, 불소 도핑된 주석 산화물(SnO2:F) 기반인 물질이다.
이러한 물질은 화학적으로, 예를 들어 CVD(화학기상증착), 임의로 PECVD(플라즈마 증진 CVD)에 의해, 또는 물리적으로, 예를 들어 캐소드 스퍼터링, 임의로 마그네트론 스퍼터링(즉, 자기 증진 스퍼터링)에 의한 진공 증착에 의해 증착된다.
그러나, 원하는 전기 전도 또는 원하는 낮은 저항을 얻기 위하여, TCO 기반인 전극 코팅은 대략 500㎚ 내지 1000㎚ 및 심지어 때론 그 이상의 비교적 두꺼운 물리적 두께로 증착되어야 하는데, 이는 박막으로서 증착되는 이러한 물질의 비용을 고려할 때 비용이 많이 든다.
증착 공정이 열원을 필요로 하는 경우 제조 비용은 더욱 상승한다.
그러므로, TCO 기반인 물질을 포함하는 전극 코팅으로 전극 코팅의 전도도와 투명도를 독립적으로 최적화할 수는 없다.
종래기술인 국제특허출원 WO 2007/092120은 광전지의 제조 공정을 개시하는데, 투명 전극 코팅은 면판 기재의 주 면상에 증착되는 박막 다층으로 이루어지고, 이러한 코팅은 알루미늄 도핑된 아연 산화물(ZnO:Al) 또는 안티몬 도핑된 주석 산화물(SnO2:Sb) 기반인 TCO 타입의 적어도 하나의 층을 포함한다.
이러한 종래기술의 주요 단점은, 물질이 마그네트론 스퍼터링 기법을 이용하여 실온에서 증착되므로 수득된 층이 본질적으로 비정질이거나 고온 증착(hot deposition)으로 얻은 층보다 덜 결정질이어서 낮은 또는 중간 정도의 전기 전도도를 갖는다는 사실에 있다. 그러므로, 층을 예를 들어 강화 타입의 열 처리하여 층의 결정도를 증가시킬 필요가 있는데, 이는 광 투과율을 또한 개선한다.
그러나, 이러한 해결책은 더욱 개선할 수 있다.
종래기술은 카드뮴 기반인 흡광성 광전 재료를 구비하는 광전지에 관한 미국특허 US 6,169,246을 또한 포함하는데, 상기 전지는 투명 전도성 산화물 또는 TCO로 이루어진 투명 전극 코팅을 주 표면상에 구비하는 투명 유리 면판 기재를 포함한다.
상술한 문헌에 따르면, 주석산아연 버퍼층은 TCO 전극 코팅 위와 광전 재료 아래 둘 다에 개재되므로 상기 버퍼층은 TCO 전극 코팅의 일부를 형성하지 않고 광전 재료의 일부도 형성하지 않는다. 이러한 층은 본질적으로 낮은 전도도의 물질을 포함하는 타겟을 마그네트론 스퍼터링 기법으로 증착하는 것이 매우 어렵다는 단점도 있다. 그러므로, 마그네트론 스퍼터 코터에 이러한 타입의 절연 타겟을 사용하면 스퍼터링 동안 증착되는 층에 많은 결함을 야기하는 수많은 아크가 발생한다.
본 발명의 중요한 목적은 전극 코팅과 특히 카드뮴 기반인 광전 재료 간의 전하 이동을 쉽게 제어할 수 있고, 그 결과로서 전지의 효율을 개선할 수 있는 데 있다.
또 다른 중요한 목적은, 제조가 간단하고, 산업적으로 제조하는 데 비용이 가능한 한 저렴한 박막 기반인 투명 전극 코팅을 제조하는 데 있다.
그러므로, 본 발명의 한 주제는 포괄적으로는 흡광성 광전 재료, 특히 카드뮴 기반인 광전 재료를 구비하는 광전지인데, 상기 전지는, 특히 임의로 도핑된 아연 산화물 기반인 적어도 하나의 투명 전도성 층을 포함하는 박막 다층 및 적어도 하나의 전기 전도성 평활화 층으로 이루어진 투명 전극 코팅을 주 표면상에 구비하는 면판 기재, 특히 투명 유리 기재를 포함한다.
본 발명의 바람직한 또 다른 실시양태에서, 투명 전도성 층은 특히 알루미늄 또는 붕소 또는 티타늄 또는 인듐 또는 바나듐 기반인 임의로 도핑된 아연 산화물 기반이다.
투명 전도성 층의 물리적 두께는 바람직하게는 300㎚ 내지 900㎚, 더욱 바람직하게는 400㎚ 내지 700㎚이다. 투명 전도성 층은 증착되는 전도성 층의 적절한 결정 배향을 촉진하려는 의도인 타이(tie) 층상에 증착된다. 이러한 타이 층은 특히 혼성 아연 주석 산화물 기반 또는 혼성 인듐 주석 산화물(ITO) 기반이다.
본 발명의 또 다른 바람직한 다른 실시양태에서, 특히 임의적 열 처리, 특히 강화 처리 동안 화학 확산 장벽, 특히 기재로부터의 나트륨 확산에 대한 장벽의 역할을 하고, 따라서 전극을 형성하는 코팅, 및 더욱 특별하게는 전도성 층을 보호하는 층상에 투명 전도성 층이 증착되는데, 이러한 장벽 층의 물리적 두께는 30㎚ 내지 50㎚이다.
바람직하게는, (TCO와 광전 재료 사이의) 평활화 층은
- 예를 들어 SnO2:Sb 또는 SnO2:Al과 같은 임의로 도핑된 주석 산화물 SnO2 기반; 또는
- 혼성 인듐 주석 산화물 ITO 기반; 또는
- 인듐 산화물 InOx, 임의로 비화학양론적인 혼성 주석 아연 안티몬 산화물 SnxZnySbzOw, 혼성 주석 아연 알루미늄 산화물 SnxZnyAlzOw(여기서, 이러한 산화물은 임의로 비화학양론적임) 기반이다.
본 명세서에서 도핑은 0.5% 내지 10% 범위의 금속(산소 원소 제외)의 원자 비율로 적어도 하나의 다른 금속 원소가 층에 존재한다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 혼성 산화물은 금속 원소들의 산화물이고, 혼성 산화물의 각 금속 원소는 10% 초과의 금속(산소 원소 제외)의 원자 비율로 존재한다.
따라서, 전극 코팅은 투명해야 한다. 그러므로, 기재상에 증착되는 경우 전극 코팅은 300㎚ 내지 1200㎚ 파장 범위 내에서 65% 또는 심지어 75%, 더욱 바람직하게는 85% 및 더욱 더 특별하게는 적어도 90%의 최소 평균 광 투과율을 가져야 한다.
박막 다층이 증착된 후 면판 기재를 광전지에 통합하기 전에 면판 기재를 열 처리, 특히 강화 처리해야 하는 경우, 전극 코팅의 역할을 하는 다층으로 코팅된 기재는 열 처리 전에는 그다지 투명하지 않을 가능성이 있다. 예를 들어, 다층은 이러한 열 처리 전에는 가시 영역에서 65% 미만 또는 심지어 50% 미만의 광 투과율을 가질 수도 있다.
열 처리는 강화 공정으로부터 발생하는 것이 아니라 광전지 제조의 한 단계의 결과일 수도 있다.
따라서, 광전지 제조의 맥락 내에서, 광선으로부터 전기 에너지로의 에너지 전환을 보장하기 위해 광전지의 기능 층은 카드뮴 기반이고, 광전지의 제조 공정은 500℃ 내지 700℃ 온도 범위 내의 고온 증착 단계를 필요로 한다. 전극을 형성하는 다층상에 기능 층을 증착하는 동안 열원은 이러한 다층 내에 결정 구조 개질을 야기하는 물리-화학적인 변환을 유도하기에 충분하고, 결과적으로 전극의 광 투과율 및 전기 전도도가 개선된다.
전극 코팅은, 열 처리 후에 300㎚ 내지 1200㎚ 파장 범위 내에서 65% 또는 심지어 75%, 더욱 바람직하게는 85% 또는 더욱 더 특별하게는 적어도 90%의 최소 평균 광 투과율을 갖도록 열 처리 전에는 투명한 것이 중요하다.
더욱이, 본 발명의 범위에서, 다층은 반드시 가능한 최상의 광 투과율을 갖는 것은 아니지만, 본 발명에 따른 광전지의 맥락에서, 즉 논의중인 광전 재료의 양자 효율 QE 범위 내에서 가능한 최상의 광 투과율을 갖는다.
본 명세서에서 양자 효율 QE는 알려진 바와 같이 가로 좌표인 파장을 갖는 입사 광자가 전자-정공 쌍으로 변환되는 확률의 표현(0과 1 사이)임을 기억하게 될 것이다.
최대 흡수 파장 λm, 즉 양자 효율이 최대인 파장은 카드뮴 텔루라이드의 경우 약 600㎚이다.
투명 전도성 층은 바람직하게는 결정질 형태, 또는 비정질이지만 열 처리 후 결정질이 되는 형태로 얇은 유전체 층(이후, 유전체 층상에 증착되는 금속 층의 적절한 결정 배향을 촉진하기 때문에 "타이 층"으로 불림)상에 증착된다.
따라서, 투명 전도성 층은 바람직하게는 산화물 기반인 타이 층, 특히 임의로 아마도 알루미늄으로 도핑되는 아연 산화물 기반 또는 혼성 아연 주석 산화물 기반(도핑은 일반적으로 0.1 내지 10 몰중량%의 금속 원소의 양으로 원소가 층에 존재함을 의미하는 것으로 이해되고, "기반"이란 표현은 일반적으로 그 물질을 주로 함유하는 층을 의미하는 것으로 이해되고; 따라서 "기반"이란 표현은 또 다른 물질에 의한 이 물질의 도핑을 포괄함), 또는 하나 또는 두 개의 산화물이 임의로 도핑되는 아연 산화물 및 주석 산화물 기반인 타이 층 위 또는 심지어 타이 층상에 직접적으로 증착된다.
타이 층의 물리적(또는 실제) 두께는 바람직하게는 2㎚ 내지 30㎚, 더욱 바람직하게는 3㎚ 내지 20㎚이다.
이러한 타이 층은 바람직하게는 5 mΩ.㎝ < ρ < 200 Ω.㎝의 비저항 ρ(층의 표면 저항과 두께의 곱으로 정의됨)를 갖는 재료이다.
다층은 일반적으로 캐소드 스퍼터링, 임의로 마그네트론(자기 증진) 스퍼터링과 같은 진공 기법으로 수행하는 연속적인 증착 공정으로 얻는다.
투명 전도성 층 위의 평활화 층은 바람직하게는 특히 주석 산화물 또는 인듐 산화물(In2O3) 기반인 혼성 산화물 기반 또는 특히 혼성 주석 아연 안티몬 산화물 기반인 혼성 산화물 기반인 층을 포함한다. 이러한 평활화 층의 물리적 두께는 2㎚ 내지 50㎚이다. 평활화 층의 평활화 특성, 즉 투명 전도성 층의 결정화로부터 발생하는 공간을 충전함으로써 투명 전도성 층의 표면을 평활화하는 것 외에, 상기 평활화 층은 전극의 일 함수를 또한 조정할 수 있다.
이러한 평활화 층은 전면 전극과 기능 층 간의 전기 절연재로서 또한 작용하고, 이러한 두 개의 층 간의 단락 회로를 방지한다. 평활화 층은 바람직하게는 전도성 층보다 큰 정도의 비저항 ρ, 즉 5 mΩ.㎝ < ρ < 200 Ω.㎝의 재료로 제조한다.
기재는 광전 재료, 특히 카드뮴 기반인 코팅을 면판 기재로부터 떨어져 있는 측의 전극 코팅 위에 구비할 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 면판 기재의 바람직한 구조는 기재/전극 코팅/평활화 층/광전 재료 타입의 구조이다.
따라서, 광전 재료가 카드뮴 기반인 경우, "강화가능한" 글레이징 또는 "강화될" 글레이징으로 불리는, 강화 열 처리에 잘 견디는 차량 또는 건물 용품을 위한 건축 글레이징을 선택하는 것이 특히 유리하다.
전극 코팅의 모든 층은 바람직하게는 진공 증착 기법으로 증착하지만, 다층의 제1 층 또는 층들을 또 다른 기법, 예를 들어 열 분해 기법 또는 CVD로 임의로 진공에서 증착할 수 있는 것을 배제하지 않는다.
또한, 유리하게도 본 발명에 따른 전극 코팅은 특히 입사 방사선의 적어도 작은 부분이 광전지를 완전히 통과하는 것을 원하는 경우 배면판 전극 코팅으로서 또한 사용할 수 있다.
본 발명의 상세한 사항과 유리한 특징은 첨부한 도면으로 예시한 비제한적인 실시예를 통해 분명해질 것이다.
도 1은 투명 전도성 산화물을 갖는 전극 코팅으로 코팅되는 본 발명의 제1 실시양태에 따른 본 발명의 광전지 면판 기재를 예시한다.
도 2는 투명 전도성 산화물을 갖는 전극 코팅으로 코팅되고, 타이 층을 포함하는 본 발명의 제2 실시양태에 따른 광전지 면판 기재를 예시한다.
도 3은 투명 전도성 산화물을 갖는 전극 코팅으로 코팅되고, 알칼리 금속 장벽 층을 포함하는 본 발명의 제3 실시양태에 따른 광전지 면판 기재를 예시한다.
도 4는 투명 전도성 산화물을 갖는 전극 코팅으로 코팅되고, 타이 층과 알칼리 금속 장벽 층 둘 다를 포함하는 본 발명의 제4 실시양태에 따른 본 발명의 광전지 면판 기재를 예시한다.
도 5는 광전지의 단면도를 예시한다.
도 1, 2, 3, 4 및 5에서, 검토하기 더 용이하도록 다양한 코팅, 층 및 재료의 두께의 비율은 엄격하게 반영하지 않았다.
도 1은 흡광성 광전 재료(200)를 구비하는 본 발명에 따른 광전지 면판 기재(10)를 예시하는데, 상기 기재(10)는 주 표면상에 TCO(투명 전도성 산화물)로 이루어진 투명 전극 코팅(100)을 구비한다.
면판 기재(10)는, 면판 기재(10)가 입사 방사선(R)이 광전 재료(200)에 도달하기 전에 통과하는 첫 번째 기재가 되도록 광전지에 위치한다.
기재(10)는 투명 전도성 층(100)과 광전 재료(200) 사이에 평활화 층(22)을 또한 포함한다.
도 2는 전도성 층(100)과 기재(10) 사이에 타이 층(23)이 개재된다는 점이 도 1과 상이하다.
도 3은 전도성 층(100)과 기재(10) 사이에 알칼리 금속 장벽 층(24)이 개재된다는 점이 도 1과 상이하다.
도 4는 도 2 및 3에서 제공된 해결책의 요구 조건, 주로 투명 전도성 층은 알칼리 금속 장벽 층(24)상에 자체적으로 증착되는 타이 층(23)상에 증착된다는 점을 포함한다.
500㎚ 내지 700㎚의 두께를 갖는 전도성 층(100)은 알루미늄 도핑된 아연 산화물(ZnO:Al) 기반이다. 전도성 층은 2㎚ 내지 30㎚, 더욱 바람직하게는 3㎚ 내지 20㎚, 예를 들어 7㎚의 두께를 갖는, 혼성 주석 아연 산화물 기반인 타이 층상에 증착되고, 타이 층은 예를 들어 유전체 물질 기반인 알칼리 금속 장벽 층(24), 특히 단독으로 또는 혼합물로서 사용하는 규소 질화물, 산화물 또는 산질화물, 또는 알루미늄 질화물, 산화물 또는 산질화물 기반인 알칼리 금속 장벽 층상에 자체적으로 증착되는데, 알칼리 금속 장벽 층의 두께는 30㎚ 내지 50㎚이다.
투명 전도성 층(100)은, 예를 들어 SnO2:Sb 또는 SnO2:Al과 같은 임의로 도핑된 주석 산화물 SnO2 기반, 또는 혼성 인듐 주석 산화물 ITO 기반, 또는 인듐 산화물 InOx 기반 또는 혼성 주석 아연 안티몬 산화물 SnZnSbOx 기반이고, 5㎚ 내지 50㎚의 두께를 갖는 평활화 층(22)으로 코팅된다.
기능 또는 광전 층(200)은 카드뮴 텔루라이드 기반이다.
실시예 1은 종래기술로부터 알려진 전극 구조, 즉 카드뮴 기반인 광전지의 유리(매우 투명함, 3㎜ 두께)/Si3N4(50㎚)/ZnO:Al(600㎚)에 대응한다.
다음과 같은 전지의 동작 파라미터를 얻었다.
Figure pct00001
실시예 2는 본 발명에 따른 전극 구조, 즉 카드뮴 기반인 광전지의 유리(매우 투명함, 3㎜ 두께)/Si3N4(50㎚)/SnZnOx:Sb(7㎚)/ZnO:Al(600㎚)/SnZnOx:Sb(7㎚)에 대응한다.
다음과 같은 전지의 동작 파라미터를 얻었다.
Figure pct00002
알 수 있는 바와 같이, 전지의 모든 동작 파라미터는 종래기술의 전지의 동작 파라미터에 비해 개선된다.
도 5는 입사 방사선(R)이 침투하는 본 발명에 따른 면판 기재(10) 및 배면판 기재(20)를 구비한 광전지(1)를 단면도로 예시한다.
예를 들어 비정질 규소 또는 결정질 또는 미정질 규소, 또는 카드뮴 텔루라이드 또는 구리 인듐 디셀레나이드(CuInSe2 또는 CIS) 또는 구리 인듐 갈륨 셀레늄의 광전 재료(200)가 이러한 두 개의 기재 사이에 위치한다. 광전 재료는 n-도핑된 반도체 물질의 층(220) 및 p-도핑된 반도체 물질의 층(240)으로 이루어지는데, 층들은 전류를 생성한다. 한편으로는 면판 기재(10)와 n-도핑된 반도체 물질의 층(220) 사이에 삽입되고, 다른 한편으로는 p-도핑된 반도체 물질의 층(240)과 배면판 기재(20) 사이에 삽입되는 전극 코팅(100,300) 각각은 전기적 구조물을 완성한다.
전극 코팅(300)은 은 또는 알루미늄 기반일 수도 있거나, 적어도 하나의 금속 기능 층을 포함하는 본 발명에 따른 박막 다층으로 이루어질 수도 있다.
본 발명은 실시예로서 기술하였다. 본 기술분야의 숙련자는 특허청구범위에서 정의하는 특허의 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명의 또 다른 다양한 실시양태를 고려할 수 있음을 이해해야 한다.

Claims (11)

  1. 카드뮴 기반인 흡광성 광전 재료를 구비하는 광전지(1)로서,
    상기 전지는, 특히 도핑된 아연 산화물 기반인 적어도 하나의 투명 전도성 층을 포함하는 박막 다층으로 이루어진 투명 전극 코팅(100)을 주 표면상에 구비하는 면판 기재(10), 특히 투명 유리 기재를 포함하고,
    전극(100)은, Al로 도핑된 주석 산화물 SnO2, 임의로 비화학양론적인 혼성 주석 아연 안티몬 산화물 SnxZnySbzOw 또는 혼성 주석 아연 알루미늄 산화물 SnxZnyAlzOw 기반인 적어도 하나의 전기 전도성 평활화 층(22)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  2. 제1항에 있어서,
    기재(10)와 투명 전도성 층(100) 사이에 적어도 하나의 타이 층(23)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  3. 제2항에 있어서,
    타이 층(23)은 아연 산화물 기반 또는 혼성 아연 주석 산화물 기반 또는 혼성 인듐 주석 산화물(ITO) 기반인 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  4. 제1항에 있어서,
    기재(10)와 투명 전도성 층(100) 사이에 적어도 하나의 알칼리 금속 장벽 층(24)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  5. 제4항에 있어서,
    알칼리 금속 장벽 층(24)은 유전체 물질 기반, 특히 단독으로 또는 아연 산화물과의 혼합물로서 사용하는 규소 질화물, 산화물 또는 산질화물, 또는 알루미늄 질화물, 산화물 또는 산질화물 기반 또는 혼성 아연 주석 산화물 기반인 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  6. 제1항에 있어서,
    평활화 층(22)은 5 mΩ.㎝ 내지 200 Ω.㎝의 비저항 ρ를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    타이 층(23)은 5 mΩ.㎝ 내지 200 Ω.㎝의 비저항 ρ를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    특히 카드뮴 기반인 광전 재료(200) 기반인 코팅을 기재(10)로부터 떨어져 있는 측의 전극 코팅(100) 위에 구비하는 것을 특징으로 하는 광전지(1).
  9. 특히 건축 글레이징을 위한 기재, 특히 "강화가능한" 건축 글레이징 또는 "강화될" 건축 글레이징을 위한 기재인, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 광전지(1)를 위한 박막 다층으로 코팅된 기재(10).
  10. 특히 아연 산화물 기반인 적어도 하나의 투명 전도성 층을 포함하는 박막 다층 및 적어도 하나의 평활화 층으로 이루어진 투명 전극 코팅(100)을 구비하는, 광전지(1), 특히 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 광전지(1)의 면판 기재(10)를 제조하기 위한 박막 다층으로 코팅된 기재의 용도.
  11. 제10항에 있어서,
    전극 코팅(100)을 구비하는 기재(10)는 건축 글레이징을 위한 기재, 특히 "강화가능한" 건축 글레이징 또는 "강화될" 건축 글레이징을 위한 기재인, 기재의 용도.
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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US7855089B2 (en) 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008111B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US7910399B1 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) * 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
TW201101514A (en) * 2009-05-18 2011-01-01 First Solar Inc Silicon nitride diffusion barrier layer for cadmium stannate TCO
TW201101513A (en) * 2009-05-18 2011-01-01 First Solar Inc Cadmium stannate TCO structure with diffusion barrier layer and separation layer
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110100446A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-05 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including ion-beam treated layer for solar cells, and/or method of making the same
US8502066B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same
FR2947954A1 (fr) * 2009-12-11 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Cellule texturee a rendement de conversion eleve comportant une zone texturee recouverte par une bi-couche antireflet
WO2011087895A2 (en) * 2010-01-14 2011-07-21 Pilkington Group Limited Photovoltaic module and method for making the same
US11155493B2 (en) * 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
CN103384919A (zh) * 2010-03-18 2013-11-06 第一太阳能有限公司 具有结晶层的光伏器件
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
WO2011123528A2 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 First Solar, Inc Photovoltaic device barrier layer
JP2011222687A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Tosoh Corp 太陽電池
CN102893408B (zh) * 2010-05-13 2016-05-11 第一太阳能有限公司 光伏器件导电层
FR2961953B1 (fr) * 2010-06-25 2012-07-13 Saint Gobain Cellule comprenant un matériau photovoltaïque a base de cadmium
FR2961954B1 (fr) * 2010-06-25 2012-07-13 Saint Gobain Cellule comprenant un materiau photovoltaique a base de cadmium
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US20120067414A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Chungho Lee CdZnO OR SnZnO BUFFER LAYER FOR SOLAR CELL
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
EP2742533A2 (de) * 2011-08-10 2014-06-18 Saint-Gobain Glass France Solarmodul mit verringertem leistungsverlust und verfahren zu dessen herstellung
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
US20140370275A1 (en) * 2012-01-27 2014-12-18 Kaneka Corporation Substrate with transparent electrode and method for manufacturing same
KR101880153B1 (ko) 2012-04-05 2018-07-20 삼성전자주식회사 혼성 금속 산화물 및 그 형성 방법과 상기 혼성 금속 산화물을 포함하는 태양 전지
CN104617178B (zh) * 2015-02-03 2017-04-19 浙江大学 一种紫外探测器及其制备方法
US10672920B2 (en) 2015-03-12 2020-06-02 Vitro Flat Glass Llc Article with buffer layer
JP2021012949A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 Ａｇｃ株式会社 透明電極基板及び太陽電池
JP2021012948A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 Ａｇｃ株式会社 透明電極基板及び太陽電池
JP7160232B1 (ja) * 2020-11-30 2022-10-25 Ａｇｃ株式会社 透明電極基板及び太陽電池

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2974485B2 (ja) * 1992-02-05 1999-11-10 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造法
JP2756050B2 (ja) * 1992-03-03 1998-05-25 キヤノン株式会社 光起電力装置
JP2001060702A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光電変換装置用基板およびこれを用いた光電変換装置
DE60123714T2 (de) * 2000-08-15 2007-10-04 FUJI PHOTO FILM CO., LTD., Minamiashigara Photoelektrische Zelle und Herstellungsmethode
JP4229606B2 (ja) * 2000-11-21 2009-02-25 日本板硝子株式会社 光電変換装置用基体およびそれを備えた光電変換装置
AU2002259152A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-18 Bp Corporation North America Inc. Improved photovoltaic device
EP1462541B1 (en) * 2001-12-03 2015-03-04 Nippon Sheet Glass Company, Limited Method for forming thin film.
JPWO2003103085A1 (ja) * 2002-06-04 2005-10-06 新日本石油株式会社 光電変換素子
US20050257824A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Maltby Michael G Photovoltaic cell including capping layer
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US20080029152A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Erel Milshtein Laser scribing apparatus, systems, and methods
US20080047602A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US8124870B2 (en) * 2006-09-19 2012-02-28 Itn Energy System, Inc. Systems and processes for bifacial collection and tandem junctions using a thin-film photovoltaic device
JP2008091532A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080115821A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 Li Xu Multilayer transparent conductive oxide for improved chemical processing
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011522433A (ja) 2011-07-28
FR2932009A1 (fr) 2009-12-04
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WO2009156640A2 (fr) 2009-12-30
US20110139237A1 (en) 2011-06-16
FR2932009B1 (fr) 2010-09-17
WO2009156640A3 (fr) 2011-01-06
CN102047435A (zh) 2011-05-04
US20090293945A1 (en) 2009-12-03

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