KR101210974B1 - 비정질 산화아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막 및 그 제조방법 - Google Patents

비정질 산화아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

열 방사 방지막은, 기판; 상기 기판 상의 제1 비정질 산화아연층; 상기 제1 비정질 산화아연층 상의 단열층; 및 상기 단열층 상의 제2 비정질 산화아연층을 포함하여 구성된다. 열 방사 방지막 제조방법은, 기판 상에 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계; 상기 제1 비정질 산화아연층 상에 단열층을 형성하는 단계; 및 상기 단열층 상에 제2 비정질 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.

Description

비정질 산화아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막 및 그 제조방법{Low Thermal Emissivity Film Using Amorphous ZnO structure and Method for Manufacturing the same}
실시예는 비정질 산화아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지고갈 문제나 탄소 에너지원을 사용함에 따라 수반되는 다양한 오염 문제에 대한 관심이 커지면서 친환경 기술이 큰 관심을 받고 있다. 이미 독일, 일본, 미국 등 여러 나라에서는 친환경 소재의 사용이 법제화됨에 따라 이에 따른 새로운 소비시장이 형성되어 많은 연구가 진행되고 있다.
이와 관련하여 에너지 효율을 높일 수 있는 방법 중에서도 광 스펙트럼을 선택적으로 방사, 차단하는 저 방사율(low emissivity) 코팅 연구가 큰 관심을 받고 있다. 즉, 저 방사율 층인 은(Ag) 기반의 코팅층은 단열 특성에 더하여 상당한 태양광 조절 가능성을 가지는 것으로 인식되고 있다. 특히 단일 Ag 층 코팅은 가시광선 영역의 상당히 높은 반사율을 가지고 있지만, 내마모성 등이 나빠질 수 있기 때문에 Ag 코팅막 주위에 유전체막(산화주석, 산화아연, 질화규소 등)을 코팅하는 다중 코팅 방법을 이용하고 있다. 이러한 다중 코팅방법은 코팅막을 균일하게 형성시키기 때문에 방사율이 낮아 건축물의 창호부분 열관유율을 개선할 수 있다. 저 방사 코팅은 코팅방법에 따라 스퍼터링공법(sputtering process)에 의한 소프트 저방사(soft low emissivity)와 파이롤리틱 방법(pyrolytic process)에 의한 하드 저방사(hard low emissivity)로 구분된다.
이미 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막의 사이에 Ag 층을 도입하여, 귀금속(noble metal)의 특징 중 하나인 표면 플라스몬(Plasmon)에 의한 상대적인 가시광 영역의 투과율을 향상시키고, Ag 층의 적외선 영역의 투과율을 감소시킴으로써, 열의 이동을 제한하는 연구가 상당히 진행되고 상용화되고 있다. 다만 상기 다층 박막 구조에서 Ag 층이 상업화되면 상당히 가격적인 경쟁력을 저하시킬 수 있다. 따라서 현재 Ag 층의 두께를 낮추기 위해 다방면의 연구가 진행되고 있다.
특히 상기 Ag를 기반으로 한 저방사 다중 코팅은 양쪽 ZnO 박막 사이에 인접한 계면이 균일하고 평편해야 한다. 그러나 현재 이용되는 Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 박막을 이용한 하지층 및 보호층은 결정질을 가지고 있고, 저방사층인 Ag 층의 형성은 하지층 및 보호층의 결정질에 따른 결정 입계(grain boundary), 거칠기(roughness), 결점(defect) 등에 의해 상당한 영향을 받는다. 그 결과 상기 요소들에 의한 영향으로 Ag 층을 일정 두께이상 유지해야 하므로 가격이 상승하게 됨과 동시에 가시광선 영역의 투과율을 상당히 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 종래의 은(Ag) 기반의 결정질 투명다층막에 의한 결정 입계(grain boundary), 거칠기(roughness), 결점(defect) 등으로부터 자유로운 비정질 산화아연막을 이용함으로써, 종래의 Ag 층보다 얇은 두께를 가지면서도 높은 전도성 및 저방사율을 가질 수 있는 비정질 산화아연막 구조를 이용한 열 방사 방지막 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 열 방사 방지막은, 기판; 상기 기판 상의 제1 비정질 산화아연층; 상기 제1 비정질 산화아연층 상의 단열층; 및 상기 단열층 상의 제2 비정질 산화아연층을 포함하여 구성된다.
상기 열 방사 방지막은, 상기 제1 비정질 산화아연층, 상기 단열층 및 상기 제2 비정질 산화아연층이 복수 번 반복하여 적층될 수 있다.
일 실시예에 따른 열 방사 방지막 제조방법은, 기판 상에 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계; 상기 제1 비정질 산화아연층 상에 단열층을 형성하는 단계; 및 상기 단열층 상에 제2 비정질 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
상기 열 방사 방지막 제조방법은, 상기 제1 비정질 산화아연층, 상기 단열층 및 상기 제2 비정질 산화아연층을 복수 번 반복하여 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 열 방사 방지막 및 그 제조방법은, 종래의 Ag 기반의 결정질 투명다층막에 의한 결정 입계(grain boundary), 거칠기(roughness), 결점(defect) 등으로부터 자유로운 비정질 산화아연막을 이용함으로써, 종래의 Ag 층보다 얇은 두께를 가지면서도 높은 전도성 및 저방사율을 가질 수 있어서, 에너지 효율을 높일 수 있으며 친환경 기술로써 이용될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조의 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조의 전자현미경 사진이다.
도 3은 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 단일 비정질 산화아연막의 AFM(atomic forced measurement) 사진이다.
도 4는 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조의 투과도(transmittance)를 나타내는 그래프이다.
도 5는 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 제조방법의 순서도이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 살펴본다.
먼저, 실시예들에 대한 이해를 돕기 위하여, 실시예의 기술의 전제로서 방사율, 열전달율 및 단열성의 관계에 대해서 기술하기로 한다. 일반적으로 물체의 표면 방사율이 낮아지면, 표면 열전달율이 낮아지므로 단열성이 높아지게 된다. 따라서 방사율이 낮은 물질을 사용하고 반사율(ρλ)이 높은 표면구조로 표면처리를 하면, 표면의 방사 손실이 적어지고 열 전달율은 떨어지게 되므로 단열성이 더욱 우수해진다. 이를 더욱 자세히 설명하면 다음과 같다. 복사에너지가 어느 물체에 입사 되었을 때 에너지 보존법칙에 의해 다음과 같은 수학식이 성립한다.
Figure 112010042991583-pat00001
여기에서 ρλ는 반사율, αλ는 흡수율, τλ는 투과율, T는 온도이다. 물체의 두께가 어느 정도 이상이면 투과율(τλ)은 매우 낮으므로 무시할 수 있다. 따라서 다음과 같은 수학식이 도출된다.
Figure 112010042991583-pat00002
키르히호프(Kirchhoff) 법칙에 의하면 온도 T에서 물체의 복사 스펙트럼 방사율(ε)은 같은 온도에서 흑체가 방사한 복사에 대한 물체의 흡수율(α)과 같다. 즉, 다음과 같은 수학식으로 나타낼 수 있다.
Figure 112010042991583-pat00003
즉, 풀어쓰면 다음과 같은 수학식으로 나타낼 수 있다.
Figure 112010042991583-pat00004
따라서 반사율(ρλ)을 변화시키면, 흡수율(즉, 방사율)도 조절이 가능하다. 이것이 표면에서 일어나므로 표면 방사율이라 하고 이에 따른 열전달 메카니즘은 아래의 수학식과 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112010042991583-pat00005
즉, 표면 방사율이 낮아지면, 표면 열전달율이 낮아지고, 이것은 단열성이 높아진다는 의미이다. 이를 통해서 방사율이 낮은 물질을 사용하고 반사율(ρλ)이 높은 표면구조로 표면처리를 하면, 표면의 방사손실이 적어지고 열전달율이 떨어진다. 따라서 열 방사 효율이 더욱 좋아지는 것을 알 수 있다.
일반적으로 산화물은 고방사 특성을 갖는 것으로 알려져 있다. 특히 산화아연(ZnO) 박막의 경우 가시광영역에서 약 80 %이상의 투과율을 보이고 도핑을 통한 전도성도 탁월하다.
일 실시예는 저방사층, 단열층 역할을 하는 Ag 박막층을 포함하는 다층 ZnO 산화물층을 제공하며, 상기 ZnO 층은 다양한 도핑 물질 및 조성을 이용하여 비정질 구조를 가지고 있고 위의 다층구조는 반복 구조로 이루어질 수도 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 열 방사 방지막은, 기판(101), 기판(101) 상의 제1 비정질 산화아연층(102), 제1 비정질 산화아연층(102) 상의 단열층(103) 및 단열층(103) 상의 제2 비정질 산화아연층(104)을 포함하여 구성될 수 있다.
도 1에서는 기판(101) 상에 제1 비정질 산화아연층(102), 단열층(103) 및 제2 비정질 산화아연층(104)이 한번 적층된 것으로 도시되어 있으나, 다른 일 실시예에 따른 열 방사 방지막은, 제1 비정질 산화아연층(102), 단열층(103) 및 제2 비정질 산화아연층(104)이 복수 번 반복하여 적층되는 반복구조를 가질 수도 있다.
기판(101)은 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조가 적층되는 기판이다. 예컨대, 기판(101)은 유리(glass) 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(101)은 제1 비정질 산화아연층(102), 단열층(103) 및 제2 비정질 산화아연층(104)의 적층이 이루어지기 전에 세척될 수 있다.
단열층(103)은 저방사층으로서 방사율이 낮아 적외선 영역의 투과율을 감소시킴으로써, 열의 이동을 제한하는 층이다. 예를 들어, 단열층(103)은 Ag 박막층일 수 있다. 단열층(103)의 증착은 스퍼터링(sputtering) 방법 또는 열증착법(thermal evaporation)으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 단열층(103)의 두께는 수 나노미터에서 수 십 나노미터일 수 있다. 예를 들어, 단열층(103)의 두께는 약 1nm 내지 20nm일 수도 있다.
제1 비정질 산화아연층(102)은 단열층(103)의 하지층으로서, X?Y?ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 Y는 인듐(In) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 여기서 비정질 구조는, 결정질 구조가 아닌 구조를 뜻한다. 일반적으로 고체는 내부구조에서 보아 결정질과 비정질로 대별된다. 결정질에서는 원자나 분자의 배열상태가 주기적 규칙성을 가지고 있는 데 비해, 비정질은 일반적으로 이와 같은 규칙성이 결여되어 있다. 따라서 비정질은 결정질에 비해 균일하고 편평한 표면을 형성할 수 있어서 결정 입계(grain boundary), 거칠기(roughness), 결점(defect) 등의 영향을 많이 받지 않는다. 따라서 이러한 비정질 산화아연층을 이용함으로써 일 실시예에 따른 열 방사 방지막은 단열층(103)을 상대적으로 얇게 하면서도 상대적으로 높은 전도성 및 저방사율을 가질 수 있게 되는 것이다.
제1 비정질 산화아연층(102)은 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착이 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 제1 비정질 산화아연층(102)의 두께는 수 십 나노미터에서 수 백 나노미터일 수 있다. 예를 들어, 제1 비정질 산화아연층(102)의 두께는 약 10nm 내지 1000 nm일 수 있다.
제2 비정질 산화아연층(103)은 단열층(103)의 보호층으로서, 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 내마모성을 향상시키기 위한 층이며, 제1 비정질 산화아연층(102)과 마찬가지로, 비정질 산화아연층을 이용함으로써 일 실시예에 따른 열 방사 방지막이 높은 전도성 및 저방사율을 가질 수 있게 한다. 제2 비정질 산화아연층(103)은 제1 비정질 산화아연층(102)과 마찬가지로 X?Y?ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X는 Si, Al, Ga, Hf 및 Zr로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 Y는 In 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 제2 비정질 산화아연층(103)의 두께는 수 십 나노미터에서 수 백 나노미터일 수 있다. 예를 들어, 제2 비정질 산화아연층(102)의 두께는 약 10nm 내지 1000 nm일 수 있다. 이 때, 제1 비정질 산화아연층(102) 및 제2 비정질 산화아연층(103)의 두께는 서로 동일하거나 또는 서로 상이할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조의 전자현미경 사진이다.
도 2에 도시된, 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조를 제작하기 전, 증착 기판(201)을 아세톤, 메탄올, 탈이온수(Deionized water; DI-water) 순으로 초음파세척을 진행하였고, 질소(N2) 건(gun)을 이용하여 기판 상에 남은 탈이온수를 제거하였다. 증착 기판(201)은 유리 기판이 사용되었다.
제1 비정질 산화아연층(202) 및 제2 비정질 산화아연층 (204)은 각각 하지층 및 보호층으로서 적층되었으며 In?Ga?ZnO(IGZO)이 사용되었다. 제1 비정질 산화아연층(202) 및 제2 비정질 산화아연층(204)은 스퍼터링 방법을 이용하여 증착을 하였고, 각 층은 200 nm의 두께로 증착하였다. 일 실시예에서 제1 비정질 산화아연층(202) 및 제2 비정질 산화아연층(204)의 두께는 수 십 나노미터에서 수 백 나노미터일수 있다. 예를 들어, 제1 비정질 산화아연층(202) 및 제2 비정질 산화아연층(204)의 두께는 약 10nm 내지 1000nm일 수 있고, 각층의 두께가 상이한 구조일 수도 있다.
또한, 단열층(203)은 Ag 층이 사용되었다. 단열층(203)은 열증착법(thermal evaporation)으로 증착하였으며, 수정진도자 센서를 이용하여 약 10 nm의 두께로 증착하였다. 이때, 단열층(203) 두께는 수 나노미터에서 수 십 나노미터일 수 있다. 예를 들어, 단열층(203) 두께는 약 1nm 내지 20nm일 수 있다. 단열층(203)은 비정질 산화아연층과 마찬가지로 스퍼터링 방법으로도 증착이 가능하다.
도 3은 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 단일 비정질 산화아연막의 AFM(atomic forced measurement) 사진이다.
도 3에 도시된 AFM 결과를 이용하여 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 단일 비정질 산화아연막의 표면의 거칠기(roughness)를 알 수 있다. AFM 사진은 표면을 원자 단위로 촬영하여 표면의 굴곡을 알 수 있게 한다. 표면의 굴곡의 평균값(mean)은 0이 되는데 사인(sine) 파형 또는 코사인(cosine) 파형의 위아패 평균을 구하면 0이 나오기 때문이다. 따라서 평균값만으로는 실질적 굴곡에 대한 정확한 값을 얻기 힘들므로 제곱 평균(root mean square; RMS)을 통해 0을 기준으로 하여 아래쪽이 아닌 위쪽만의 평균을 구함으로써 실제 거칠기가 어떠한지 알 수 있다. 도 3에서, 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 단일 비정질 산화 아연막의 제곱 평균은 0.308 nm로 상당히 평평한 표면을 가지고 있음을 알 수 있다. 이러한 결과는 결정질 투명산화물층에 비해 결정 입계, 거칠기, 결점 등의 영향을 덜 받고 있음을 보여주고 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연막 구조의 투과도(transmittance)를 나타내는 그래프이다.
도 4에 도시된 실시예에서도 단열층은 Ag 층을 사용하였다. 도 4에서 그래프(401, 402, 403, 404, 405, 406)는 각각 단열층의 두께가 2nm, 5nm, 8nm, 10nm, 12nm, 15nm일 때의 다층 비정질 산화아연막 구조의 투과도를 도시하고 있다. 도 4를 참조하면, 단열층의 두께가 약 8nm일 때의 그래프(403)의 경우 적외선 영역이 시작되는 750nm에서 약 57%의 투과도를 보이고, 900nm에서 약 42%의 투과도를 보인다. 또한, 단열층의 두께가 약 15nm 일 때의 그래프(406)의 경우 750nm에서 약 74%의 투과도를 보이고, 900nm에서 약 54%의 투과도를 보인다. 이로써 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 다층 비정질 산화아연층 구조가 열 방사 방지 역할을 함을 알 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 제조방법의 순서도이다.
일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 제조방법은 기판 상에 제1 비정질 산화아연층을 형성(S501)함으로써 시작된다. 기판은 유리 기판일 수 있다. 또한, 제1 비정질 산화아연층은 스퍼터링 방법을 이용하여 적층될 수 있다. 도시되지는 않았으나 기판은 제1 비정질 산화아연층이 형성되기 전에 세척을 거칠 수 있다.
제1 비정질 산화아연층이 형성되고 난 다음에는, 상기 제1 비정질 산화아연층 상에 단열층을 형성(S502)한다. 단열층은 Ag 층일 수 있다. 또한, 상기 단열층의 형성은 스퍼터링 방법 또는 열증착법으로 이루어질 수 있다.
단열층이 형성되고 난 다음에는, 상기 단열층 상에 제2 비정질 산화아연층을 형성(S503)한다. 제2 비정질 산화아연층도 제1 비정질 산화아연층과 마찬가지로 스퍼터링 방법을 이용하여 적층될 수 있다.
도 5에서는 기판 상에 제1 비정질 산화아연층, 단열층 및 제2 비정질 산화아연층이 한번 적층되는 단계들만이 도시되어 있으나, 다른 일 실시예에 따른 열 방사 방지막의 제조방법은, 제1 비정질 산화아연층, 단열층 및 제2 비정질 산화아연층이 적층되는 단계가 반복하여 수행될 수 있다.
전술한 열 방사 방지막의 제조방법은 도면에 제시된 순서도를 참조로 하여 설명되었다. 간단히 설명하기 위하여 상기 방법은 일련의 블록들로 도시되고 설명되었으나, 본 발명은 상기 블록들의 순서에 한정되지 않고, 몇몇 블록들은 다른 블록들과 본 명세서에서 도시되고 기술된 것과 상이한 순서로 또는 동시에 일어날 수도 있으며, 동일한 또는 유사한 결과를 달성하는 다양한 다른 분기, 흐름 경로, 및 블록의 순서들이 구현될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 기술되는 방법의 구현을 위하여 도시된 모든 블록들이 요구되지 않을 수도 있다.
이상 본 발명의 특정 실시예를 도시하고 설명하였으나, 본 발명의 기술사상은 첨부된 도면과 상기한 설명내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형이 가능함은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이며, 이러한 형태의 변형은, 본 발명의 정신에 위배되지 않는 범위 내에서 본 발명의 특허청구범위에 속한다고 볼 것이다.

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 제1 비정질 산화아연층;
    상기 제1 비정질 산화아연층 상의 단열층; 및
    상기 단열층 상의 제2 비정질 산화아연층을 포함하되,
    상기 제1 비정질 산화아연층은 X1?Y1?ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X1은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y1은 주석(Sn)이며,
    상기 제2 비정질 산화아연층은 X2?Y2?ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X2는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y2는 주석(Sn)인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 비정질 산화아연층, 상기 단열층 및 상기 제2 비정질 산화아연층이 복수 번 반복하여 적층되는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단열층은 은(Ag)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단열층의 두께는 1nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 비정질 산화아연층의 두께는 10nm 내지 1000nm 인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 비정질 산화아연층의 두께는 10nm 내지 1000nm 인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막.
  9. 기판 상에 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 비정질 산화아연층 상에 단열층을 형성하는 단계; 및
    상기 단열층 상에 제2 비정질 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 제1 비정질 산화아연층은 X1?Y1?ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X1은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y1은 주석(Sn)이며,
    상기 제2 비정질 산화아연층은 X2?Y2?ZnO의 비정질 구조를 가지며, 상기 X2는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 Y2는 주석(Sn)인 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 비정질 산화아연층을 형성하는 단계 전에,
    상기 기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 단열층을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법 또는 열증착법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 비정질 산화아연층, 상기 단열층 및 상기 제2 비정질 산화아연층을 복수 번 반복하여 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열 방사 방지막 제조방법.
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