BRPI0614240A2 - aparelho de iontoforese - Google Patents

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BRPI0614240A2
BRPI0614240A2 BRPI0614240-0A BRPI0614240A BRPI0614240A2 BR PI0614240 A2 BRPI0614240 A2 BR PI0614240A2 BR PI0614240 A BRPI0614240 A BR PI0614240A BR PI0614240 A2 BRPI0614240 A2 BR PI0614240A2
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doping
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Kiyoshi Kanamura
Takehiko Matsumura
Mizuo Nakayama
Hidero Akiyama
Akihiko Matsumura
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Abstract

APARELHO DE IONTOFORESE. é fornecido um dispositivo de lontoforese. No dispositivo, uma camada de dopagem é fornecida em um eletrodo em uma estrutura de eletrodo de trabalho ou estrutura de eletrodo de não trabalho do dispositivo. A camada de dopagem compreende uma substância que pode causar uma reação eletroquímica por dopagem ou dedoping de um ion (por exemplo, um íon de um polimero condutivo) . O dispositivo pode evitar ou pelo menos reduzir a geração de um gás ou íon indesejável que pode ser causada pela reação de eletrodo em uma estrutura de eletrodo ou a desnaturação de uma substância medicinal que pode ser causada por qualquer reação química durante energização do dispositivo.

Description

"APARELHO DE IONTOFORESE"
CAMPO DA INVENÇÃO
A presente invenção refere-se a um dispositivo deiontoforese. Em particular, a presente invenção refere-se aum dispositivo de iontoforese capaz de evitar ou suprimirreação não preferível de eletrodos em uma montagem de ele-trodo.
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
Iontoforese envolve acionar eletricamente uma dro-ga dissociada para ions positivos ou negativos em uma solu-ção por intermédio de uma voltagem para transferir, por viatransdérmica, a droga para um organismo, e tem vantagens co-mo carga reduzida para um paciente, e excelente capacidadede controle da quantidade da droga a ser administrada.
A figura 9 é uma vista de explanação mostrando aconstituição básica de um dispositivo de iontoforese como umdispositivo para executar iontoforese acima mencionado.
Como mostrado na figura, o dispositivo de iontofo-rese inclui: uma montagem de eletrodo de trabalho 110 tendoum eletrodo 111 e uma porção de retenção de solução de droga114 retendo uma solução de uma droga que dissocia em ions dedroga positivos ou negativos (uma solução de droga); umamontagem de eletrodo não de trabalho 120 tendo um eletrodo121 e uma porção de retenção de solução de eletrólito 122retendo uma solução de eletrólito; e uma fonte de energiaelétrica 130 com seus dois terminais conectados aos eletro-dos 111 e 121. Uma voltagem tendo o mesmo tipo de condutivi-dade daquela de um ion de droga é aplicada ao eletrodo 111 euma voltagem tendo um tipo de condutividade oposta àquela doion de droga é aplicada no eletrodo 121 em um estado onde aporção de retenção de solução de droga 114 e a porção de re-tenção de solução de eletrólito 122 são colocadas em contatocom a pele de um organismo, pelo que o ion de droga é admi-nistrado ao organismo.
Um dos problemas a serem resolvidos em tal dispo-sitivo de iontoforese são as várias reações de eletrodos queocorrem nas montagens de eletrodos 110 e 120.
Por exemplo, no caso onde uma droga é uma drogacatiônica que dissocia a ions de droga positivos, um ion dehidrogênio ou um gás oxigênio pode ser gerado no eletrodo111 e um ion de hidróxido ou um gás hidrogênio pode ser ge-rado no eletrodo 121 pela eletrólise de água. Além disso, adroga faz com que uma reação quimica próximo ao eletrodo 111altere após energização dependendo do tipo da droga e condi-ções de energização. Além disso, quando a porção de retençãode solução de droga 114 contém um ion de cloro, um gás decloro ou ácido hipocloroso pode ser gerado.
Similarmente, no caso onde uma droga é uma drogaaniônica que dissocia para ions de droga negativos, um ionde hidróxido ou um gás hidrogênio pode ser gerado no eletro-do 111 e um ion de hidrogênio ou um gás oxigênio pode sergerado no eletrodo 121 pela eletrólise de água. Além disso,a droga faz com que uma reação quimica próximo ao eletrodo111 altere após energização, dependendo do tipo da droga edas condições de energização. Além disso, quando a porção deretenção de solução de eletrólito 122 contém um ion de cio-ro, um gás de cloro ou ácido hipocloroso pode ser gerado.
Quando tal gás, como descrito acima, é gerado namontagem de eletrodo 110 ou 120, energização a partir do e-letrodo 111 ou 121 para a solução de droga ou a solução deeletrólito, é inibida. Quando um ion de hidrogênio, um ionde hidróxido, e ácido hipocloroso são gerados na montagem deeletrodo 110 ou 120, transferem para uma interface biológicapara ter um efeito prejudicial em um organismo. Além disso,a alteração de uma droga pode causar condições não preferi-veis, como a incapacidade de se obter um efeito inicial dedroga e a produção de uma substância tóxica.
0 documento de patente 1 revela, como um disposi-tivo de iontoforese capaz de resolver tais problemas comodescrito acima, um dispositivo de iontoforese no qual. um e-letrodo de prata é utilizado como um anódio, e um eletrodode cloreto de prata é utilizado como catódio.
No dispositivo de iontoforese, uma reação ocorrepreferivelmente, em que prata no anódio é oxidada por ener-gização para se tornar cloreto de prata insolúvel, enquantocloreto de prata é reduzido no catódio para se tornar pratametal. Como resultado, a geração de vários gases e a produ-ção de vários ions devido a tais reações de eletrodos, comodescrito acima, pode ser suprimida.
Entretanto, é dificil evitar a dissolução do ele-trodo de prata durante armazenagem do dispositivo de ionto-forese. Em particular, no caso onde o dispositivo é destina-do à administração de uma droga catiônica, o número de tiposde drogas aplicáveis é extremamente limitado. Além disso,uma mudança morfológica após produção de cloreto de prata apartir do eletrodo de prata é grande. Portanto, deve-se darconsideração especial para evitar que essa mudança morfoló-gica afete as propriedades do dispositivo. Como resultado,surge um problema em que uma restrição severa é imposta noformato do dispositivo (por exemplo, uma estrutura de Iami-nação não pode ser adotada). Adicionalmente, o dispositivode iontoforese é incapaz de resolver o problema da alteraçãode uma droga após energização.
O documento de patente 2 revela, como outro dispo-sitivo de iontoforese capaz de resolver os problemas acima,um dispositivo de iontoforese mostrado na figura 10.
Como mostrado na figura, o dispositivo de iontofo-rese é constituído por: uma montagem de eletrodo de trabalho210 incluindo um eletrodo 211, uma porção de retenção de so-lução de eletrólise 212 que retém uma solução de eletrólitoem contato com o eletrodo 211, uma membrana de permuta deion 213 de um segundo tipo de condutividade, a membrana depermuta de ion 213 sendo colocada no lado de superfíciefrontal da porção de retenção de solução de eletrólito 212,uma porção de retenção de solução de droga 214 que retém umasolução de droga contendo um ion de droga de um primeiro ti-po de condutividade, a porção de retenção de solução de dro-ga 214 sendo colocada no lado de superfície frontal da mem-brana de permuta de ion 213, e uma membrana de permuta deion 215 do primeiro tipo de condutividade, a membrana depermuta de ion 215 sendo colocada no lado de superfíciefrontal da porção de retenção de solução de droga 214; e umamontagem de eletrodo de não trabalho 220 e uma fonte de e-nergia elétrica 230, similares àquelas mostradas na figura 9.
No dispositivo de iontoforese, a solução de ele-trólito e a solução de droga são divididas pela segunda mem-brana de permuta de ions 213 do segundo tipo de condutivida-de. Como resultado, a composição da solução de eletrólitopode ser selecionada independentemente da solução de droga.
Por conseguinte, uma solução de eletrólito não contendo ionde cloro pode ser utilizada, e a seleção de um eletrólitotendo um potencial de redução ou oxidação mais baixo do quea eletrólise de água como o eletrólito na solução de eletró-lito, pode suprimir a produção de um gás oxigênio, gás hi-drogênio, ion de hidrogênio ou um ion de hidróxido resultan-do a partir da eletrólise de água. Alternativamente, o usode uma solução de eletrólito tampão na qual múltiplos tiposde eletrólitos são dissolvidos, pode suprimir uma alteraçãoem pH devido à produção de um ion de hidrogênio ou um ion dehidróxido. Além disso, no dispositivo de iontoforese, atransferência de um ion de droga para a porção de retençãode solução de eletrólito é bloqueada pela segunda membranade permuta de ion, de modo que um problema em que a droga sealtera devido a uma reação quimica após energização, é re-solvido.
Por outro lado, o dispositivo de iontoforese reve-lado no documento de patente 2 é constituído por um grandenúmero de elementos, e cada entre a porção de retenção desolução de eletrólito 212 e porção de retenção de solução dedroga 214 deve ser manipulado em um estado úmido (um estadocom elevado teor de água). Portanto, surge um problema emque a automação da produção do dispositivo e produção emmassa do dispositivo é dificil ou que um custo de produção épouco reduzido.
Documento de patente 1: US 4.744.787
Documento de patente 2: JP 3040517 B
Documento não patente 1: "KS Kagaku Senmonsho Do-densei Kobunshi" editado por Naoya Ogata, Kodansha, publica-do em janeiro de 1990
Documento não patente 2: "ShinZairyou series Do-densei Koubunshi no Saishin Ouyou Gijutsu" escrito por YukuoKobayashi, CMC Publishing Co., Ltd., publicado em julho de2004.
REVELAÇÃO DA INVENÇÃO
PROBLEMAS A SEREM RESOLVIDOS
Um objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese capaz de evitar ou suprimir a ge-ração de um gás oxigênio, um gás de cloro, ou um gás hidro-gênio em uma montagem de eletrodo.
Outro objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese capaz de evitar ou suprimir a ge-ração de um ion de hidrogênio, um ion de hidróxido, ou ácidohipocloroso em uma montagem de eletrodo.
Outro objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese capaz de evitar ou suprimir a al-teração de uma droga devido a uma reação quimica após ener-gização.Outro objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese que é capaz de evitar ou suprimira geração de tal gás ou ion, como descrito acima, ou a alte-ração de uma droga e que não cause uma grande alteração mor-fológica em um eletrodo devido à energização.
Outro objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese que é capaz de evitar ou suprimira geração de tal gás ou ion, como descrito acima, ou a alte-ração de uma droga e que tenha uma estrutura simplificada.
Outro objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese que é capaz de evitar ou suprimira geração de tal gás ou ion, como descrito acima, ou a alte-ração de uma droga e a automação da produção da qual ou aprodução em massa da qual é facilmente executada.
Outro objetivo da presente invenção é fornecer umdispositivo de iontoforese, que é capaz de evitar ou supri-mir a geração de tal gás ou ion, como descrito acima ou aalteração de uma droga e cujo custo de produção possa serreduzido.
MEIO PARA RESOLVER PROBLEMAS
De acordo com um aspecto da presente invenção, éfornecido um dispositivo de iontoforese caracterizado porincluir pelo menos uma montagem de eletrodo tendo um eletro-do no qual uma camada de dopagem feita de uma substância queefetua uma reação eletroquimica devido à dopagem ou desdopa-gem de um ion, é formada.
Na presente invenção, o eletrodo pertencente àmontagem de eletrodo, tem uma camada de dopagem como uma ca-mada de substância que efetua uma reação eletroquímica devi-do à dopagem ou desdopagem de um ion (doravante, um eletrodo!tendo essa camada de dopagem pode ser mencionado como o Ke-letrodo de dopagem").
Portanto, a energização a partir de uma fonte deenergia elétrica para uma solução de eletrólito ou uma solu-ção de droga é inteiramente ou na maior parte causada peladopagem de uma camada de dopagem com um ion ou desdopagem doion a partir da camada. Como resultado, uma reação de ele-trodos que gera um gás como um gás oxigênio, um gás de clo-ro, ou um gás hidrogênio, ou um ion não preferível, como ionde hidrogênio, um ion de hidróxido, ou ácido hipocloroso po-de ser evitada, ou pelo menos reduzida.
O termo "efetuar uma reação eletroquimica devido àdopagem de um ion" se refere ao fato de que, quando cargapositiva ou negativa é dada a uma camada de dopagem, a cama-da de dopagem captura um ion carregado na polaridade opostaà carga a partir de uma solução de eletrólito ou solução dedroga em contato com a camada de dopagem, e a camada é dopa-da com o ion (o ion se liga a uma substância constituindo acamada de dopagem), de modo que a carga dada é compensada. 0termo "efetuar uma reação eletroquimica devido à desdopagemde um ion", se refere ao fato de que, quando a carga positi-va é dada à camada de dopagem, um ion positivo com o qual acamada de dopagem é dopada, é desdopado e liberado a partirda camada de dopagem, de modo que a carga dada é compensada,ou o fato de que, quando carga negativa é dada à camada dedopagem, um ion negativo com o qual a camada de dopagem édopada, é desdopado e liberado da camada de dopagem, de modoque a carga dada é compensada.
Polianilina, polipirrol, politiofeno, poliacetile-no, como polimero condutivo, ou um derivado de cada um de-les, ou uma mistura dos mesmos, é utilizada tipicamente comomaterial para a camada de dopagem na presente invenção. Des-ses, polianilina é mais preferivelmente utilizado. Os docu-mentos não de patente 1 e 2 detalham os derivados de polia-nilina, polipirrol, politiofeno ou poliacetileno, que podemser utilizados para a camada de dopagem da presente invenção.
Vários métodos são conhecidos como método de pro-duzir um polimero condutivo ou um método de formar um poli-mero condutivo em um filme. Os exemplos dos métodos incluem:um método que envolve submeter um polimero condutivo seme-lhante a pó quimicamente sintetizado por intermédio de ummétodo de polimerização de oxidação para moldagem por com-pressão; um método que envolve colocar um polimero condutivoem um estado de tinta por intermédio de um solvente orgânicopolar como N-metil pirrolidona, moldar o polimero semelhanteà tinta, e remover o solvente; e um método que envolve imer-gir um material de base condutivo, apropriado, em uma solu-ção de um monômero para produzir um polimero condutivo e e-xecutar polimerização eletrolitica para formar uma camada depolimero condutivo no material de base. A camada de dopagemda presente invenção pode ser formada por intermédio dequalquer um desses métodos arbitrários.
Nesse caso, a totalidade da camada de dopagem podeser constituída somente pelo polímero condutivo, ou_a camadade dopagem pode conter um componente exceto o polímero con-dutivo. Por exemplo, para transmitir resistência mecânicacontra rasgadura ou ruptura à camada de dopagem, um tecidotrançado ou não trançado apropriado impregnado com o políme-ro condutivo pode ser utilizado, ou o polímero condutivo eum aglutinante de polímero apropriado podem ser misturadosentre si. Alternativamente, para melhorar a condutividade dopolímero condutivo, o polímero condutivo pode ser misturadocom uma carga condutiva, como carbono.
Como descrito abaixo, o polímero condutivo podeser dopado com um íon de droga a ser administrado a um orga-nismo, ou com um íon para substituir um íon de droga com oqual a primeira membrana de permuta de íons é dopada. Alémdisso, o polímero condutivo pode ser dopado com um íon comoum aceitador de elétrons ou um doador de elétrons, com a fi-nalidade de aperfeiçoar a condutividade do polímero condutivo.
Os exemplos de um material que pode ser utilizadopara a camada de dopagem da presente invenção, exceto o po-límero condutivo, incluem materiais de carbono, como plomba-gina e grafite.
Como descrito abaixo com relação à invenção, deacordo com a reivindicação 14, a montagem de eletrodo tendoo eletrodo de dopagem, pode ser diretamente utilizada comouma montagem de eletrodo não de trabalho. Simultaneamente, amontagem de eletrodo tendo o eletrodo de dopagem pode serutilizada também como uma montagem de eletrodo de trabalhopela dopagem da camada de dopagem com um ion de droga antesdo uso.
Isto é, a energização é executada por aplicação deuma voltagem tendo o tipo de condutividade oposta àquela deum ion de droga ao eletrodo de dopagem em um estado onde acamada de dopagem é imersa em uma solução de droga contendoo ion de droga apropriado, pelo que a camada de dopagem podeser dopada com o ion de droga.
Além disso, o ion de droga pode ser administrado aum organismo pela aplicação de uma voltagem tendo o mesmotipo de condutividade que aquele do ion de droga ao eletrodode dopagem em um estado onde a camada de dopagem dopada como ion de droga, é colocada em contato com a pele do organismo.
Nesse caso, energização a partir do eletrodo dedopagem para o organismo é total ou parcialmente causada pe-la desdopagem do ion de droga a partir da camada de dopagempara transferir para o organismo. Como resultado, a produçãodo gás acima descrito ou ion não preferivel, é evitada oupelo menos reduzida.
Adicionalmente, a camada de dopagem dopada com oion de droga funciona como uma membrana de permuta de ionsdo mesmo tipo de condutividade que aquele do ion de droga.Isto é, a dopagem da camada de dopagem com um ion de drogapositivo transmite à camada de dopagem, uma função de permu-ta de ions de permitir a passagem de um ion positivo e blo-quear a passagem de um ion negativo. Similarmente, a dopagemda camada de dopagem com um ion de droga negativo transmiteà camada de dopagem, uma função de permuta de ion de permi-tir a passagem de um ion negativo e bloquear a passagem deum ion positivo.
Portanto, após administração do ion de droga a umorganismo, a transferência de um contra-ion de organismo (umion presente na superficie do organismo ou no organismo, oion sendo carregado no tipo de condutividade oposto àqueledo ion de droga) para a camada: de dopagem é bloqueada, peloque a quantidade de uma corrente consumida pode ser reduzi-da, e a eficiência de administração de uma droga pode seraumentada.
A dopagem da camada de dopagem com o ion de drogano caso onde a montagem de eletrodo tendo o eletrodo de do-pagem é utilizada como uma montagem de eletrodo de trabalhono modo como aquele descrito acima, pode ser realizada aqualquer momento durante o periodo que se inicia no estágioda produção do dispositivo de iontoforese ou montagem de e-letrodo de trabalho e termina no estágio imediatamente antesde uso (a administração de uma droga a um organismo).
Como descrito acima, um dispositivo de iontoforeseinclui, tipicamente, uma montagem de eletrodo de trabalhoque contém uma droga a ser administrada a um organismo e umamontagem de eletrodo não de trabalho servindo como um con-tra-eletrodo da montagem de eletrodo de trabalho. Nesse ca-so, no dispositivo de iontoforese da presente invenção, pelomenos um entre a montagem de eletrodo de trabalho e a monta-gem de eletrodo não de trabalho é uma montagem de eletrodotendo um eletrodo dopante, ou cada uma das montagens de ele-trodos é preferivelmente uma montagem de eletrodo tendo umeletrodo dopante.
Dependendo do tipo de um dispositivo de iontofore-se, uma droga a ser administrada a um organismo pode ser re-tida por cada uma de duas montagens de eletrodos a serem co-nectadas em ambas as polaridades de uma fonte de energia e-létrica (nesse caso, cada uma das duas montagens de eletro-dos serve como uma montagem de eletrodo de trabalho e umamontagem de eletrodo não de trabalho), ou múltiplas monta-gens de eletrodos podem ser conectadas a cada polaridade deuma fonte de energia elétrica. Em tal caso, no dispositivode iontoforese da presente invenção, pelo menos uma das mon-tagens de eletrodos é uma montagem de eletrodo tendo um ele-trodo dopante, ou todas as montagens de eletrodos são prefe-rivelmente montagens de eletrodos, cada uma tendo um eletro-do dopante.
Uma montagem de eletrodo tendo um eletrodo dopan-te, tem uma estrutura extremamente simples. Portanto, a au-tomação da produção de um dispositivo de iontoforese inclu-indo uma montagem de eletrodo tendo um eletrodo dopante comopelo menos uma de uma montagem de eletrodo de trabalho e umamontagem de eletrodo de não trabalho e a produção em massado dispositivo pode ser facilmente executada, e o custo deprodução do dispositivo pode ser significativamente reduzido.
Na invenção, de acordo com qualquer uma das rei-vindicações 1 a 3, a montagem de eletrodo pode incluir, ain-da, uma porção de retenção de solução de droga, que retémuma solução de droga contendo um ^ion de droga do primeirotipo de condutividade, a porção de retenção de solução dedroga sendo colocada no lado de superfície frontal da camadade dopagem (reivindicação 4).
Tal montagem de eletrodo pode ser utilizada comouma montagem de eletrodo de trabalho em um dispositivo deiontoforese. Um ion de droga na porção de retenção de solu-ção de droga é administrado a um organismo pela aplicação deuma voltagem do primeiro tipo de condutividade ao eletrododopante em um estado onde a porção de retenção de solução dedroga é colocada em contato com a pele do organismo.
Nesse caso, a camada de dopagem captura um ion deum segundo tipo de condutividade a partir da porção de re-tenção de solução de droga, e a camada é dopada com o ion,pelo que ocorre a energização a partir do eletrodo dopantepara a porção de retenção de solução de droga. Portanto, ageração do gás ou ion não preferível, descrito acima, podeser suprimida.
A camada de dopagem pode ser dopada com um ion doprimeiro tipo de condutividade, antecipadamente. Nesse caso,a energização a partir do eletrodo dopante para a porção deretenção de solução de droga é causada pela dopagem com umion do segundo tipo de condutividade na porção de retençãode solução de droga e desdopagem de um ion do primeiro tipode condutividade a partir da camada de dopagem. Deve ser ob-servado que o mesmo é verdadeiro para a invenção de acordocom a reivindicação 7 ou similar nesse aspecto.
A camada de dopagem pode ser dopada com um ion doprimeiro tipo de condutividade através de energização comoresultado de aplicar uma voltagem do segundo tipo de volta-gem ao eletrodo dopante em um estado onde a camada de dopa-gem é imersa em uma solução de eletrólito contendo uma con-centração apropriada do ion do primeiro tipo de condutividade.
Na invenção de acordo com a reivindicação 4, amontagem de eletrodo inclui ainda preferivelmente, uma pri-meira membrana de permuta de ions do primeiro tipo de condu-tividade colocada no lado de superficie frontal da porção deretenção de solução de droga (reivindicação 5).
Na montagem de eletrodo desse modo constituída, oion de droga na porção de retenção de solução de droga é ad-ministrado a um organismo através da primeira membrana depermuta de ions pela aplicação de uma voltagem do primeirotipo de condutividade ao eletrodo dopante em um estado ondea primeira membrana de permuta de ions é colocada em contatocom a pele do organismo.
Nesse caso, um efeito adicional, isto é, um aumen-to em eficiência de administração do ion de droga pode serobtido porque a transferência de um contra-ion de organismopara a porção de retenção de solução de droga é bloqueadapela primeira membrana de permuta de ions.
Na invenção, de acordo com a reivindicação 4 ou 5,é preferível que: a montagem de eletrodo inclua ainda umasegunda membrana de permuta de ions do segundo tipo de con-dutividade colocada no lado de superficie frontal da camadade dopagem; e a porção de retenção de solução de droga sejacolocada no lado de superfície frontal da segunda membranade permuta de íons (reivindicação 6).
Na montagem de eletrodo desse modo constituída,uma droga é administrada a um organismo do mesmo modo comoaquele descrito acima. Além disso, a alteração da droga pró-ximo ao eletrodo de dopagem durante energização é evitada ousuprimida porque a segunda membrana de permuta de ions blo-queia a transferência de um ion de droga para o lado do ele-trodo dopante.
Nesse caso, a segunda membrana de permuta de ionse a camada de dopagem são preferivelmente unidas integral-mente entre si. A junção integral pode melhorar a proprieda-de de energização entre a camada de dopagem e a segunda mem-brana de permuta de ions e simplificar o trabalho de monta-gem da montagem de eletrodo. Portanto, a automação da produ-ção da montagem de eletrodo e a produção em massa da monta-gem de eletrodo podem ser facilmente realizadas, ou uma re-dução em custo de produção pode ser obtida.
A segunda membrana de permuta de ions e a camadade dopagem podem ser unidas entre si, por exemplo, por liga-ção por termocompressão. Alternativamente, a junção pode serexecutada pela formação da camada de dopagem por intermédiode qualquer um dos vários métodos descritos acima na segundamembrana de permuta de ions.
Na invenção de acordo com qualquer uma das reivin-dicações 1 a 3, a montagem de eletrodo pode incluir ainda:
uma porção de retenção de solução de eletrólito que retémuma solução de eletrólito, a porção de retenção de soluçãode eletrólito sendo colocada no lado de superfície frontalda camada de dopagem; e uma primeira membrana de permuta deions do primeiro tipo de condutividade que é colocada no la-do de superfície frontal da porção de retenção de solução deeletrólito e que é dopada com um íon de droga do primeirotipo de condutividade (reivindicação 7).
Tal montagem de eletrodo pode ser utilizada comouma montagem de eletrodo de trabalho em um dispositivo deiontoforese. Um íon de droga com o qual a primeira membranade permuta de íons é dopada pode ser administrado a um orga-nismo aplicando uma voltagem do primeiro tipo de condutivi-dade ao eletrodo dopante em um estado onde a primeira mem-brana de permuta de íon é colocada em contato com a pele doorganismo.
Aqui, a solução de eletrólito da porção de reten-ção de solução de eletrólito serve para fornecer um íon doprimeiro tipo de condutividade para substituir o íon de dro-ga na primeira membrana de permuta de íons (doravante, o íondo primeiro tipo de condutividade na solução de eletrólito émencionado como o "primeiro íon eletrolitico") e para forne-cer um íon do segundo tipo de condutividade com o qual a ca-mada de dopagem deve ser dopada (a seguir, o íon do segundotipo de condutividade na solução de eletrólito é. mencionadocomo o "segundo íon eletrolitico").
Isto é, a camada de dopagem captura o segundo íoneletrolitico, e a camada é dopada com o íon, pelo que a e-nergização a partir do eletrodo dopante para a porção de re-tenção de solução de eletrólito ocorre. Além disso, o íon dedroga na primeira membrana de permuta de ions é substituídopelo primeiro ion eletrolitico a partir da porção de reten-ção de solução de eletrólito, de modo que possa transferirpara um organismo.
Na presente invenção, a primeira membrana de per-muta de ions pode ser dopada com um ion de droga pela imer-são da primeira membrana de permuta de ions em uma soluçãode droga contendo uma concentração apropriada de ion de dro-ga por um periodo de tempo predeterminado. A quantidade doion de droga com a qual a primeira membrana de permuta deion deve ser dopada pode ser controlada pelo ajuste da con-centração do ion de droga, um tempo de imersão, e o númerode tempos de imersão nesse caso.
Quando o primeiro ion eletrolitico tem uma mobili-dade maior do que aquela de um ion de droga, uma prioridademais elevada pode ser colocada na transferência do primeiroion eletrolitico para um organismo do que aquela na transfe-rência do ion de droga para o organismo, de modo que a efi-ciência de administração de uma droga pode ser reduzida.Portanto, a composição na qual o primeiro ion eletroliticotem uma mobilidade comparável com ou menor do que aquela doion de droga é preferivelmente selecionada para a solução deeletrólito da porção de retenção de solução de eletrólito.Alternativamente, tal redução em eficiência de administra-ção, como descrito acima, pode ser evitada pelo uso do ionde droga como o primeiro ion eletrolitico da porção de re-tenção de solução de eletrólito.
Na presente invenção, a eficiência de administra-ção de um ion de droga pode ser aumentada porque a primeiramembrana de permuta de ion bloqueia a transferência de umcontra-ion de organismo para a porção de retenção de soluçãode eletrólito. Além disso, a eficiência de administração doion de droga pode ser adicionalmente aumentada porque o ionde droga é retido pela primeira membrana de permuta de ioncomo um membro a ser colocado em contato direto com a pelede um organismo.
Além disso, a estabilidade do ion de droga durantearmazenagem é aperfeiçoada, e a quantidade de um estabiliza-dor, um agente antimicrobiano, um anti-séptico, ou similar aser utilizado, pode ser reduzida ou o periodo de armazenagemdo dispositivo pode ser prolongado porque a primeira membra-na de permuta de ions retém o ion de droga por ser dopadocom o ion (isto é, o ion de droga se liga a um grupo de per-muta de ions na membrana de permuta de ions). Além disso, aestabilidade da administração de uma droga pode ser aperfei-çoada porque a quantidade do ion de droga com a qual a pri-meira membrana de permuta de ions deve ser dopada, pode serestritamente ajustada. Além disso, o trabalho de montagem damontagem de eletrodo pode ser simplificado porque a primeiramembrana de permuta de ions com a qual o ion de droga é do-pado é utilizada em vez da porção de retenção de solução dedroga que deve ter sido convencionalmente utilizada em umestado úmido. Portanto, a automação da produção da montagemde eletrodo e a produção em massa da montagem de eletrodopodem ser facilmente realizadas, ou uma redução em custo deprodução pode ser obtida.Na invenção, de acordo com a reivindicação 7, épreferivel que: a montagem de eletrodo inclua ainda uma se-gunda membrana de permuta de ions do segundo tipo de condu-tividade colocada no lado de superfície frontal da porção deretenção de solução de eletrólitos; e a primeira membrana depermuta de ions seja colocada no lado de superfície frontalda segunda membrana de permuta de ions (reivindicação 8).
Em tal montagem de eletrodo, uma droga é adminis-trada a um organismo do mesmo modo como aquele descrito aci-ma. Além disso, um efeito adicional, isto é, a prevenção daalteração da droga após energização é obtida porque a segun-da membrana de permuta de ions bloqueia o movimento de umion de droga para a porção de retenção de solução de eletró-lito.
Deve ser observado que a segunda membrana de per-muta de ions a ser utilizada na presente invenção deve terum número de transporte levemente baixo (por exemplo, um nú-mero de transporte de 0,7 a 0,95) porque o primeiro ion ele-trolitico não pode transferir para a primeira membrana depermuta de ions a fim de substituir o ion de droga quando onúmero de transporte da segunda membrana de permuta de ionsé 1. Entretanto, mesmo o uso da segunda membrana de permutade ions tendo tal número de transporte baixo pode evitar,suficientemente, a transferência do ion de droga para a por-ção de retenção de solução de eletrólito.
O termo "número de transporte", como utilizado a-qui, é definido como uma razão de uma quantidade de cargatransferida pela passagem de um contra-ion de droga atravésda segunda membrana de permuta de ions para a carga totaltransferida através da segunda membrana de permuta de ionsquando uma voltagem do primeiro tipo de condutividade é a-plicada ao lado de uma solução de eletrólito retida pelaporção de retenção de solução de eletrólito em um estado on-de a segunda membrana de permuta de ions é colocada entre asolução de eletrólito e uma solução de droga contendo con-centrações apropriadas de ion de droga e contra-ion de droga(por exemplo, uma solução de droga utilizada para dopar aprimeira membrana de permuta de ion com o. ion de droga).
Na invenção, de acordo com a reivindicação 8, aeletrólise de água ocorre em uma interface entre as, primei-ra e segunda, membranas de permuta de ion em alguns casosdependendo das condições de energização e similares. Portan-to, uma membrana semipermeável capaz de permitir a passagempelo menos do primeiro ion eletrolitico, pode ser dispostaentre as, primeira e segunda, membranas de permuta de ionpara evitar a eletrólise.
A segunda membrana de permuta de ion, na reivindi-cação 8, pode ser substituída por uma membrana semipermeá-vel. 0 mesmo efeito que aquele da invenção, de acordo com areivindicação 8, pode ser obtido utilizando, como a membranasemipermeável, uma membrana semipermeável tendo propriedadede corte de peso molecular com a qual a passagem do primeiroion eletrolitico pode ser permitida enquanto a passagem deum ion de droga é bloqueada.
A interface entre a segunda membrana de permuta deion e a primeira membrana de permuta de ion, cada interfaceentre a segunda membrana de permuta de ion, a membrana semi-permeável, e a primeira membrana de permuta de ion, e/ou ainterface entre a membrana semipermeável e a primeira mem-brana de permuta de ion podem ser unidas integralmente porintermédio, por exemplo, de ligação por termocompressão. Ajunção integral pode obter o mesmo efeito que aquele descri-to acima com relação à reivindicação 6.
Na invenção, de acordo com a reivindicação 7,épreferivel que: a montagem de eletrodo inclua ainda, uma se-gunda membrana de permuta de ions do segundo tipo de condu-tividade colocada no lado de superficie frontal da camada dedopagem; e a porção de retenção de solução de eletrólito se-ja colocada no lado de superficie frontal da segunda membra-na de permuta de ions (reivindicação 9).
Em tal montagem de eletrodo, uma droga é adminis-trada a um organismo do mesmo modo que na invenção de acordocom a reivindicação 7. Além disso, um efeito adicional, istoé, a prevenção da alteração da droga após energização é ob-tida porque a segunda membrana de permuta de ions bloqueia atransferência de um ion de droga para o eletrodo dopante.
A segunda membrana de permuta de ions, na reivin-dicação 9, pode ser substituída por uma membrana semipermeá-vel. 0 mesmo efeito que aquele da invenção, de acordo com areivindicação 9, pode ser obtido utilizando, como a membranasemipermeável, uma membrana semipermeável tendo propriedadede corte de peso molecular com a qual a passagem do primeiroion eletrolitico pode ser permitida enquanto a passagem deum ion de droga é bloqueada.A interface entre o eletrodo dopante e a segundamembrana de permuta de ion ou a interface entre o eletrododopante e a membrana semipermeável pode ser unida integral-mente do mesmo modo como aquele descrito acima, com relaçãoà reivindicação 6. A junção integral pode obter o mesmo e-feito como aquele descrito acima com relação à reivindicação 6.
Na invenção, de acordo com qualquer uma das rei-vindicações 1 a 3, é preferivel que: a montagem de eletrodoinclua ainda uma primeira membrana de permuta de ions doprimeiro tipo de condutividade que é colocado no lado de su-perfície frontal da camada de dopagem e que é dopado com umíon de droga do primeiro tipo de condutividade; e a camadade dopagem seja dopada com um íon do primeiro tipo de condu-tividade (reivindicação 10).
Tal montagem de eletrodo pode ser utilizada comouma montagem de eletrodo de trabalho em um dispositivo deiontoforese. Uma voltagem do primeiro tipo de condutividadeé aplicada ao eletrodo dopante em um estado onde a primeiramembrana de permuta de íons é colocada em contato com a pelede um organismo, pelo que um íon do primeiro tipo de condu-tividade na camada de dopagem transfere para a primeira mem-brana de permuta de íons, e um íon de droga na primeira mem-brana de permuta de íon substituída pelo íon transfere parao organismo.
Nesse caso, energização a partir do eletrodo do-pante para a primeira membrana de permuta de íons é causadapela transferência de um íon do primeiro tipo de condutivi-dade na camada de dopagem para a primeira membrana de permu-ta de ions. Portanto, a geração do ion não preferível ougás, acima descrito, pode ser suprimida.
Na presente invenção, um ion de droga é adminis-trado a um organismo a partir da membrana de permuta de iondo primeiro tipo de condutividade dopado com o ion de droga.Por conseguinte, os mesmos efeitos como aqueles da invençãode acordo com a reivindicação 7, como aumento em eficiênciade administração de uma droga e aperfeiçoamento da estabili-dade do ion de droga, são obtidos.
Além disso, na presente invenção, a camada de do-pagem é dopada com um ion do primeiro tipo de condutividadepara substituir um ion de droga. Portanto, a porção de re-tenção de solução de eletrólito na invenção, de acordo com areivindicação 7, pode ser omitida, de modo que a necessidadede manipular um elemento úmido pode ser totalmente eliminadaapós montagem da montagem de eletrodo. Além disso, a monta-gem da montagem de eletrodo requer somente dois elementos: oeletrodo dopante e a primeira membrana de permuta de ions.
Por conseguinte, na presente invenção, o trabalho de monta-gem da montagem de eletrodo é extremamente simplificado. A-lém disso, a automação da produção da montagem de eletrodo ea produção em massa da montagem de eletrodo podem ser execu-tadas de forma extremamente fácil, ou o custo de produção damontagem de eletrodo pode ser significativamente reduzido.
Na presente invenção, a camada de dopagem pode serdopada com um ion do primeiro tipo de condutividade do mesmomodo como aquele descrito acima com relação à reivindicação4, e a primeira membrana de permuta de ion pode ser dopadacom um ion de droga do mesmo modo como aquele descrito acimacom relação à reivindicação 7.
0 ion do primeiro tipo de condutividade, com oqual a camada de dopagem deve ser dopada, é preferivelmenteum ion tendo uma mobilidade comparável com ou menor do queaquela do ion de droga devido ao mesmo motivo como aqueledescrito acima com relação à reivindicação 7.
A interface entre o eletrodo de dopagem e a pri-meira membrana de permuta de ion pode ser unida integralmen-te por intermédio, por exemplo, de ligação por termocompres-são. A junção integral pode obter o mesmo efeito que aqueledescrito acima com relação à reivindicação 6.
Na invenção, de acordo com a reivindicação 10, épreferível que: a montagem de eletrodo inclua ainda, uma se-gunda membrana de permuta de ions do segundo tipo de condu-tividade colocado no lado de superfície frontal da camada dedopagem; e a primeira membrana de permuta de ions seja colo-cada no lado de superfície frontal da segunda membrana depermuta de ions (reivindicação 11).
Em tal montagem de eletrodo, o mesmo efeito queaquele da invenção, de acordo com a reivindicação 10, é ob-tido. Além disso, um efeito adicional, isto é, a prevençãoda alteração da droga durante energização é obtida porque asegunda membrana de permuta de ions bloqueia a transferênciade um ion de droga para a camada de dopagem.
Deve ser observado que a segunda membrana de per-muta de ions a ser utilizada na presente invenção, tem umnúmero de transporte levemente baixo (por exemplo, um númerode transporte de 0,7 a 0,95) do mesmo modo como na reivindi-cação 7, devido ao mesmo motivo que aquele descrito acima,com relação à reivindicação 7.
A segunda membrana de permuta de ions na invenção,de acordo com a reivindicação 10, pode ser substituída poruma membrana semipermeável. 0 mesmo efeito que aquele da in-venção, de acordo com a reivindicação 10, pode ser obtidoutilizando, como a membrana semipermeável, uma membrana se-mipermeável tendo propriedade de corte de peso molecular coma qual a passagem do primeiro ion eletrolitico pode ser per-mitida enquanto a passagem de um ion de droga é bloqueada.
A interface entre o eletrodo de dopagem e a segunda membrana de permuta de ion ou a membrana semipermeávele/ou a interface entre a segunda membrana de permuta de ionou a membrana semipermeável e a primeira membrana de permutade ion pode ser unida integralmente por intermédio, por e-xemplo, de ligação por termocompressão. A junção integralpode obter o mesmo efeito como aquele descrito acima, comrelação à reivindicação 6.
Na invenção de acordo com qualquer uma das reivin-dicações 1 a 3, a camada de dopagem pode ser dopada com umion de droga do primeiro tipo de condutividade (reivindica-ção 12).
Tal montagem de eletrodo pode ser utilizada comomontagem de eletrodo de trabalho em um dispositivo de ionto-forese. Um ion de droga na camada de dopagem pode ser admi-nistrado a um organismo pela aplicação de uma voltagem doprimeiro tipo de condutividade ao eletrodo dopante em um es-tado onde a camada de dopagem é colocada em contato com apele do organismo.
Nesse caso, energização a partir do eletrodo do-pante na pele do organismo é causada pela desdopagem do ionde droga com a qual a camada de dopagem é dopada para trans-ferir para o organismo. Portanto, a geração do ion não pre-ferível ou gás, acima descrita, pode ser suprimida.
Com essa constituição, uma montagem de eletrodo detrabalho pode ser constituída por um único elemento (o ele-trodo dopante). Por conseguinte, uma etapa de produção podeser significativamente simplicidade, e a produção em massa ea redução em custo de produção podem ser facilmente realizadas.
A camada de dopagem dopada com um ion de droga doprimeiro tipo de condutividade funciona como uma membrana depermuta de ion do primeiro tipo de condutividade. Portanto,a transferência de um contra-ion de organismo para a camadade dopagem após administração de uma droga é bloqueada, demodo que se pode obter excelente propriedade em termos deeficiência de administração de uma droga.
A camada de dopagem pode ser dopada com um ion dedroga através da energização como resultado de aplicação deuma voltagem do segundo tipo de condutividade no eletrododopante em um estado onde a camada de dopagem é imersa emuma solução de droga contendo uma concentração apropriada deion de droga.
Na invenção, de acordo com qualquer uma das rei-vindicações 1 a 3, a montagem de eletrodo pode incluir, ain-da, uma primeira membrana de permuta de ions do primeiro ti-po de condutividade colocada no lado de superficie frontalda camada de dopagem (reivindicação 13).
Tal montagem de eletrodo pode ser utilizada comouma montagem de eletrodo de trabalho em um dispositivo deiontoforese pela dopagem da primeira membrana de permuta deions, ou a primeira membrana de permuta de ions e a camadade dopagem, com um ion de droga. O ion de droga com o qual aprimeira membrana de permuta de ions é dopada, ou a primeiramembrana de permuta de ions e a camada de dopagem são dopa-das, pode ser administrado a um organismo pela aplicação deuma voltagem do primeiro tipo de condutividade no eletrododopante em um estado onde a primeira membrana de permuta deions é colocada em contato com a pele do organismo.
A primeira membrana de permuta de ions pode serdopada com um ion de droga através da energização como re-sultado de aplicação de uma voltagem do segundo tipo de con-dutividade no eletrodo dopante em um estado onde a camada dedopagem é imersa em uma solução de droga contendo uma con-centração apropriada de ion de droga.
Nesse caso, um ion positivo ligado a um grupo depermuta de ions na primeira membrana de permuta de ions esubstituído pelo ion de droga a partir da solução de drogatransfere para a camada de dopagem, de modo que a camada édopada com o ion. Alternativamente, a camada de dopagem édopada com o ion de droga da solução de droga bem como de-pendendo das condições para realizar a dopagem.A energização a partir do eletrodo de dopagem paraa primeira membrana de permuta de íons após administração deuma droga é causada pela transferência do ion positivo ouion de droga com a qual a camada de dopagem é dopada, comodescrito acima, na primeira membrana de permuta de ions.
Portanto, a geração do ion não preferível ou gás, acima des-crita, pode ser evitada. 0 ion de droga, com o qual a pri-meira membrana de permuta de ions é dopada, é substituídopor um ion transferindo a partir da camada de dopagem, paradesse modo transferir para um organismo.
Na presente invenção, a eficiência de administra-ção de uma droga pode ser aumentada porque a primeira mem-brana de permuta de ions bloqueia a transferência de um con-tra-ion de organismo para a camada de dopagem.
Além disso, na presente invenção, ao contrário dainvenção de acordo com a reivindicação 12, nenhuma constitu-ição é adotada, na qual a camada de dopagem é colocada emcontato direto com a pele de um organismo. Portanto, umadroga pode ser administrada de forma segura mesmo quando umacamada de dopagem que não é colocada, de preferência, emcontato com a pele de um organismo, é utilizada.
Na presente invenção, a montagem de eletrodo écomposta somente de dois membros: o eletrodo dopante e aprimeira membrana de permuta de ion. Além disso, não há ne-cessidade de manipular um elemento úmido após montagem deuma montagem de eletrodo de trabalho. Portanto, na presenteinvenção, o trabalho de montagem da montagem de eletrodo éextremamente simplificado. Como resultado, a automação daprodução da montagem de eletrodo e a produção em massa damontagem de eletrodo podem ser executadas de forma extrema-mente fácil, ou o custo de produção da montagem de eletrodopode ser significativamente reduzido.
A dopagem da primeira membrana de permuta de ionscom o ion de droga pode ser executada a qualquer momento du-rante o periodo que se inicia no estágio da produção de umdispositivo de iontoforese e termina no estágio imediatamen-te antes do uso (a administração de uma droga a um organismo).
A interface entre o eletrodo dopante e a primeiramembrana de permuta de ions pode ser unida integralmente porintermédio, por exemplo, de ligação por termocompressão. Ajunção integral pode obter o mesmo efeito que aquele descri-to acima com relação à figura 6.
De acordo com outro aspecto da presente invenção,é fornecido um dispositivo de iontoforese incluindo: umamontagem de eletrodo de trabalho que retém um ion de drogade um primeiro tipo de condutividade; e uma montagem de ele-trodo de não trabalho como um contra-eletrodo da montagem deeletrodo de trabalho, caracterizado pelo fato de que a mon-tagem de eletrodo de não trabalho inclui um eletrodo no qualuma camada de dopagem feita de uma substância que efetua umareação eletroquimica devido à dopagem ou desdopagem de umion, é formada (reivindicação 14).
Em tal dispositivo de iontoforese, uma voltagem dosegundo tipo de condutividade é aplicada no eletrodo dopanteda montagem de eletrodo de não trabalho após administraçãode uma droga, porém a geração de: um gás como gás hidrogê-nio, um gás oxigênio, ou um gás de cloro; ou um ion não pre-ferível como ion de hidrogênio, um ion de hidróxido, ou áci-do hipocloroso na montagem de eletrodo de não trabalho nessemomento, pode ser evitada.
Isto é, quando a camada de dopagem não é dopadacom nenhum ion do segundo tipo de condutividade, a energiza-ção na montagem de eletrodo de não trabalho é causada pelatransferência de um ion do primeiro tipo' de condutividade napele de um organismo ou no organismo para a camada de dopa-gem de tal modo que a camada seja dopada com o ion. Quando acamada de dopagem é dopada com um ion do segundo tipo decondutividade, a energização é causada pela desdopagem doion do segundo tipo de condutividade a partir da camada dedopagem para transferir para o lado do organismo além da do-pagem da camada de dopagem com o ion do primeiro tipo decondutividade.
A montagem de eletrodo de trabalho na presente in-venção pode reter um ion de droga em uma porção de retençãode solução de droga que retém uma solução de droga como ainvenção, de acordo com a reivindicação 4 ou similar. Alter-nativamente, a montagem de eletrodo de trabalho pode reter oion de droga com o qual a primeira membrana de permuta deion ou a camada de dopagem é dopada como a invenção, de a-cordo com a reivindicação 7, 10, 12 ou similar. Além disso,a montagem de eletrodo de trabalho da presente invenção nãoprecisa, necessariamente, ter um eletrodo dopante.
Na invenção, de acordo com a reivindicação 14, amontagem de eletrodo de não trabalho inclui ainda, preferi-velmente, uma terceira membrana de permuta de ion do primei-ro tipo de condutividade colocada no lado de superficiefrontal da camada de dopagem (reivindicação 15).
Em tal montagem de eletrodo, a energização é exe-cutada em um estado onde a terceira membrana de permuta deions é colocada em contato com a pele de um organismo. Por-tanto, um dispositivo de iontoforese capaz de administrar umion de droga sem colocar a camada de dopagem em contato di-reto com a pele, é realizado.
Deve ser observado que a energização na montagemde eletrodo de não trabalho é causada principalmente pelatransferência de um ion do primeiro tipo de condutividade napele de um organismo ou no organismo para a camada de dopa-gem de tal modo que a camada é dopada com o ion.
Na invenção, de acordo com a reivindicação 14, épreferível que: a montagem de eletrodo de não trabalho in-clua ainda uma terceira membrana de permuta de ion do segun-do tipo de condutividade que é colocado no lado de superfi-cie frontal da camada de dopagem; e a camada de dopagem sejadopada com um ion do segundo tipo de condutividade (reivin-dicação 16).
Tal montagem de eletrodo realiza um dispositivo deiontoforese capaz de administrar um ion de droga sem colocara camada de dopagem em contato direto com uma pele do mesmomodo que na invenção, de acordo com a reivindicação 15.
Deve ser observado que a energização na montagemde eletrodo de não trabalho é causada principalmente peladesdopagem de um íon do segundo tipo de condutividade a par-tir da camada de dopagem para transferir • para o lado de umorganismo.
A interface entre o eletrodo de dopagem e a ter-ceira membrana de permuta de ion na invenção, de acordo coma reivindicação 15 ou 16, pode ser unida integralmente porintermédio, por exemplo, de ligação por termocompressão. Ajunção integral pode obter o mesmo efeito como aquele des-crito acima, com relação à reivindicação 6.
Na invenção de acordo com a reivindicação 14, amontagem de eletrodo de não trabalho pode incluir, ainda,uma segunda porção de retenção de solução de eletrólito queretém uma solução de eletrólito, a segunda porção de reten-ção de solução de eletrólito sendo colocada no lado de su-perfície frontal da camada de dopagem. Nesse caso, a energi-zação é causada, por exemplo, pela transferência do primeiroion eletrolitico na segunda porção de retenção de solução deeletrólito para a camada de dopagem de tal modo que a camadaseja dopada com o ion e a transferência do segundo ion ele-trolitico para um organismo.
É preferível que: o eletrodo de dopagem, de acordocom qualquer uma das reivindicações 1 a 16 inclua ainda ummaterial de base condutivo; e a camada de dopagem seja empi-lhada no material de base condutivo (reivindicação 17).
Como descrito acima, a condutividade da camada dedopagem pode ser melhorada pela dopagem da camada com um íoncomo um aceitador de elétrons ou um doador de elétrons. Al-ternativamente, um dispositivo de iontoforese capaz de admi-nistrar uma droga com eficiência aperfeiçoada, pode ser rea-lizado colocando a camada de dopagem no material de basecondutivo para reduzir a resistência superficial do eletrododopante de tal modo que a energização possa ser realizada apartir da camada de dopagem em uma densidade de corrente u-niforme.
A camada de dopagem pode ser formada no materialde base condutivo por intermédio, por exemplo, de um métodoque envolve: aplicar, no material de base condutivo, um po-límero condutivo semelhante a pó misturado com um aglutinan-te de polímero apropriado ou uma solução de um polímero con-dutivo em um solvente orgânico polar apropriado; e submetero resultante à cura, remoção de solvente, ou similar, ou ummétodo envolvendo: imergir o material de base condutivo emuma solução de um monômero para produzir um polímero condu-tivo; e executar polimerização eletrolítica.
Na invenção de acordo com a reivindicação 17, omaterial de base condutivo é preferivelmente, uma folha con-dutiva feita de uma fibra de carbono ou papel de fibra decarbono (reivindicação 18).
Nesse caso, o eletrodo dopante pode ser formadosem utilizar um elemento metálico. Como resultado, um íon demetal eluído a partir desse elemento metálico pode ser impe-dido de se transferir para um organismo e causar dano á saú-de. Além disso, a energização pode ocorrer a partir do ele-trodo dopante em uma densidade de corrente uniforme porque afibra de carbono ou papel de fibra de carbono é um materialque tem uma baixa resistência superficial. Um dispositivo deiontoforese, incluindo uma montagem de eletrodo tendo flexi-bilidade suficiente para seguir as irregularidades da pelede um organismo ou o movimento do organismo pode ser forne-cido, porque a fibra de carbono ou papel de fibra de carbonoé um material com elevada flexibilidade.
Nesse caso, um eletrodo descrito em JP 2004-317317A ou JP 2005-222892 A pelo requerente da presente invenção,pode ser utilizado.
Isto é, na invenção de acordo com a reivindicação18, o eletrodo pode incluir ainda um elemento terminal comcarbono misturado em uma matriz de polimero, o elemento ter-minal sendo fixado à folha condutiva (reivindicação 19). Al-ternativamente, o eletrodo pode incluir ainda uma porção deextensão que é formada integralmente com a folha condutiva eque é feita de uma fibra de carbono ou papel de fibra decarbono.
O termo "droga", como utilizado aqui, se refere auma substância que pode ser ou não preparada, que tenha umcerto efeito de droga ou efeito farmacológico, e que sejaaplicável a um organismo para fins incluindo a terapia, re-cuperação, e prevenção de uma doença e a promoção e manuten-ção da saúde.
O termo "ion de droga", como utilizado aqui, serefere a um ion que é produzido pela dissociação de uma dro-ga em ions e que é responsável por um efeito de droga ou umaação farmacológica, e o termo "contra-ion de droga", comoutilizado aqui, se refere a um contra-ion do íon de droga. Adissociação da droga em um ion de droga pode ocorrer comoresultado da dissolução da droga em um solvente como água,álcool, ácido, ou um álcali, ou pode ocorrer como resultado,por exemplo, da aplicação de uma voltagem ou adição de umagente de ionização.
O termo "pele", como utilizado aqui, se refere àsuperfície de um organismo na qual uma droga pode ser admi-nistrada por iontoforese, e inclui uma mucosa em uma cavida-de oral. O termo "organismo", como utilizado aqui, se referea um ser humano ou um animal.
0 termo "primeiro tipo de condutividade", como u-tilizado aqui, se refere à polaridade elétrica positiva ounegativa, e o termo "segundo tipo de condutividade", comoutilizado aqui, se refere à polaridade elétrica (negativa oupositiva) oposta ao primeiro tipo de condutividade.
Cada um do primeiro ion eletrolitico e segundo ioneletrolitico na solução de eletrólito da porção de retençãode solução de eletrólito na presente invenção, não necessitaser de um único tipo, e um ou ambos os ions podem ser demúltiplos tipos. Similarmente, cada um entre o ion de drogana porção de retenção de solução de droga e ion de droga como qual a primeira membrana de permuta de ion ou a camada dedopagem é dopada, não necessita ser de um tipo único, e podeser de múltiplos tipos.
Exemplos conhecidos de uma membrana de permuta deion incluem várias membranas de permuta de ions como (1) umamembrana de permuta de ion heterogênea obtida por: dispersãode uma resina de permuta de ion em um polimero aglutinante;e formação do resultante em um filme através, por exemplo,de moldagem sob calor e (2) uma membrana de permuta de íonhomogênea obtida por: impregnação e enchimento de um materi-al de base como pano, uma rede, ou um filme poroso com umasolução preparada pela dissolução de uma composição compostade um monômero, um monômero reticulável, um iniciador de po-limerização, ou similar, no qual um grupo de permuta de ionspode ser introduzido ou uma resina tendo um grupo funcionalno qual um grupo de permuta de ions pode ser introduzido emum solvente; submeter o resultante à polimerização ou remo-ção de solvente; e submeter o resultante a um tratamento pa-ra introduzir um grupo de permuta de ions bem como uma resi-na de permuta de ions formada em um formato de membrana.Qualquer uma daquelas membranas de permuta de ions arbitrá-rias pode ser utilizada para a membrana de permuta de ionsda presente invenção. Dessas, uma membrana de permuta de i-ons de um tipo no qual os poros de um filme poroso são chei-os de uma resina de permuta de ion, é particularmente utili-zada preferivelmente.
Mais especificamente, uma membrana de permuta deions na qual um grupo de permuta de cátion é introduzido co-mo NEOSEPTA (CM-I, CM-2, CMX, CMX, ou CMB) fabricado por To-kuyama Co., Ltd., pode ser utilizada para a membrana de per-muta de cátion. Uma membrana de permuta de ion na qual umgrupo de permuta de ânion é introduzido como NEOSEPTA (AM-1,AM-3, AMX, AHA, ACH ou ACS) fabricada por Tokuyama Co., Ltd.Pode ser utilizada para a membrana de permuta de ânions.
O termo "membrana de permuta de ions do primeirotipo de condutividade", como utilizado aqui, se refere a umamembrana de permuta de ions tendo uma função de passar sele-tivamente um ion do primeiro tipo de condutividade. Isto é,a "membrana de permuta de ion do primeiro tipo de condutivi-dade" é uma membrana de permuta de cátion quando o primeirotipo de condutividade é positivo, enquanto a "membrana depermuta de ion do primeiro tipo de condutividade" é uma mem-brana de permuta de ânion quando o primeiro tipo de conduti-vo é negativo.
Similarmente, o termo "membrana de permuta de ionsdo segundo tipo de condutividade", como utilizado aqui, serefere a uma membrana de permuta de ions tendo uma função depassar seletivamente um ion do segundo tipo de condutivida-de. Isto é, a "membrana de permuta de ions do segundo tipode condutividade" é uma membrana de permuta de cátion quandoo segundo tipo de condutividade é positivo, enquanto a "mem-brana de permuta de ions do segundo tipo de condutividade" éuma membrana de permuta de ânions quando o segundo tipo decondutividade é negativo.
Os exemplos de um grupo de permuta de cátion a serintroduzido na membrana de permuta de cátion incluem um gru-po sulfônico, um grupo carboxilico, e um grupo fosfórico. Onúmero de transporte de uma membrana de permuta de ion podeser controlado dependendo do tipo de um grupo de permuta decátion a ser introduzido. Por exemplo, o uso de um gruposulfônico como um grupo acidico forte provê uma membrana depermuta de cátion tendo um elevado número de transporte.
Os exemplos de um grupo de permuta de ânion a serintroduzido na membrana de permuta de ânion incluem um grupoamino primário, um grupo amino secundário, um grupo aminoterciário, um grupo amônio quaternário, um grupo piridila,um grupo imidazol, um grupo de piridinio quaternário e umgrupo imidazólio quaternário. 0 número de transporte de umamembrana de permuta de ions pode ser controlado dependendodo tipo de um grupo de permuta de ânion a ser introduzido.Por exemplo, o uso de um grupo amônio quaternário ou um gru-po de piridinio quaternário como um grupo básico forte provêuma membrana de permuta de ânion tendo um elevado número detransporte.
Exemplos conhecidos de um tratamento para introdu-zir um grupo de permuta de cátion incluem várias abordagenscomo sulfonação, clorossulfonação, fosfonação e hidrólise.Exemplos conhecidos de um tratamento para introduzir um gru-po de permuta de ânion incluem várias abordagens como amina-ção e alquilação. O número de transporte de uma membrana depermuta de ion pode ser ajustado pelo ajuste de condiçõessob as quais um tratamento para introduzir um grupo de per-muta de ions é executado.
Além disso, o número de transporte de uma membranade permuta de ions pode ser ajustado dependendo, por exem-plo, da quantidade de uma resina de permuta de ions na mem-brana de permuta de ions e o tamanho de poro da membrana.Por exemplo, no caso de uma membrana de permuta de ions deum tipo no qual um filme poroso é cheio de uma resina depermuta de ions, uma membrana de permuta de ions obtida peloenchimento de um filme poroso com uma resina de permuta deions em uma razão de enchimento de preferivelmente 5 a 90%massa, mais preferivelmente 10 a 90% massa, ou particular-mente preferivelmente 20 a 60% massa pode ser utilizado, ofilme proso tendo formado no mesmo um grande número de porospequenos tendo um tamanho médio de poro de preferivelmente0, 05 a 5,0 jxm, mais preferivelmente 0,01 a 2,0 ^im, ou maispreferivelmente 0,02 a 0,2 jim (um tamanho médio de poro defluxo medido em conformação com o método de ponto de bolha(JIS K3832-1990)) em uma porosidade, preferivelmente, de 20a 95%, mais preferivelmente 30 a 90%, ou mais preferivelmen-te 30 a 60%, e tendo uma espessura de preferivelmente 5 a140 um, mais preferivelmente 10 a 120 jam, ou mais preferi-velmente 15 a 55 jorn. O número de transporte da membrana depermuta de ions pode ser ajustado dependendo também do tama-nho médio de poro dos poros pequenos e da porosidade do fil-me poroso, e razão de enchimento da resina de permuta de ions.
O termo "bloqueio da passagem de um ion" a serdescrito para uma membrana de permuta de ions do primeirotipo de condutividade ou segundo tipo de condutividade norelatório descritivo, nem sempre significa o bloqueio dapassagem de todos os ions. 0 termo inclui o caso onde, mesmoquando a passagem de um ion ocorre com certa velocidade, ograu da passagem é tão pequeno que a passagem de um ion dedroga é suprimida até o ponto em que nenhuma alteração deuma droga ocorra próxima a um eletrodo mesmo se o dispositi-vo for armazenado durante um periodo praticamente suficien-te, ou a passagem de um contra-ion de organismo é suprimidaaté o ponto em que a eficiência de administração da drogapode ser suficientemente aumentada.
Similarmente, o termo "permissão da passagem de umion" a ser descrito para uma membrana de permuta de ion doprimeiro tipo de condutividade ou segundo tipo de condutivi-dade no relatório descritivo, não significa que nenhuma res-trição é imposta sobre a passagem de um ion. O termo incluio caso onde um ion é deixado passar com uma quantidade ouvelocidade suficientemente elevada em comparação com um iontendo um tipo de condutividade oposto àquele do ion anteriormesmo quando a passagem do ion é restrita até certo ponto.
Os termos "bloqueio da passagem de um ion" e "per-missão da passagem de um ion" a serem descritos para umamembrana semipermeável no relatório descritivo, têm os mes-mos significados como aqueles descritos acima, e não signi-ficam o bloqueio da passagem de todos os ions ou que nenhumarestrição é imposta sobre a passagem de um ion.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
Figura 1 - uma vista de explanação mostrando aconstituição esquemática de um dispositivo de iontoforese,de acordo com uma modalidade da presente invenção.
Figuras 2 - as figuras 2 (A) a 2 (D) são vistas emseção de explanação, cada uma mostrando a constituição deuma montagem de eletrodo de trabalho de um dispositivo deiontoforese, de acordo com uma modalidade da presente invenção.
Figuras 3 - as figuras 3 (A) a 3 (D) são vistas emseção de explanação cada uma mostrando a constituição de umamontagem de eletrodo de trabalho de um dispositivo de ionto-forese, de acordo com uma modalidade da presente invenção.
Figuras 4 - as figuras, 4(A) e 4 (B), são vistas emseção de explanação cada uma mostrando a constituição de umconjunto de eletrodos de trabalho de um dispositivo de ion-toforese, de acordo com uma modalidade da presente invenção.
Figuras 5 - as figuras, 5(A) e 5(B), são vistas emseção de explanação cada uma mostrando a constituição de umamontagem de eletrodo de trabalho de um dispositivo de ionto-forese de acordo com uma modalidade da presente invenção.
Figuras 6 - As figuras 6 (A) a 6 (D) são vistas emseção de explanação cada uma mostrando a constituição de umamontagem de eletrodo de não trabalho de um dispositivo deiontoforese, de acordo com uma modalidade da presente invenção.
Figuras I-A figura 7 (A) é uma vista plana de umeletrodo a ser utilizado para um dispositivo de iontoforesede acordo com uma modalidade da presente invenção.
A figura 7(B) é uma vista em seção tomada ao longoda linha A-A da figura 7 (A) , e a figura 7 (C) é uma vista emseção mostrando uma modificação da figura 7(B) .
Figuras 8 - A figura 8 (A) é uma vista plana de umeletrodo, de acordo com outro aspecto a ser utilizado paraum dispositivo de iontoforese, de acordo com uma modalidadeda presente invenção, a figura 8(B) é uma vista em seção to-mada ao longo da linha A-A da figura 8(A), e a figura 8(C) éuma vista em seção mostrando um estado onde o eletrodo é a-lojado em um recipiente.
Figura 9 - uma vista de explanação mostrando aconstituição de um dispositivo de iontoforese convencional.
Figura 10 - uma vista de explanação mostrando aconstituição de outro dispositivo de iontoforese convencional.
MELHOR MODO PARA REALIZAR A INVENÇÃO
A seguir, uma modalidade da presente invenção serádescrita com referência aos desenhos.
A figura 1 é uma vista de explanação mostrando aconstituição esquemática de um dispositivo de iontoforese X,de acordo com a presente invenção.
A seguir, para conveniência de descrição, um dis-positivo de iontoforese para administrar uma droga cujo com-ponente de droga dissocia em ions de droga positivos (porexemplo, cloridrato de lidocaina ou cloridrato de morfina) ,será exemplificado. Um dispositivo de iontoforese para admi-nistrar uma droga cujo componente de droga dissocia em ionsnegativos (por exemplo, ácido ascórbico), o dispositivo sen-do capaz de obter substancialmente o mesmo efeito que aqueleda modalidade a seguir, pode ser constituído pela reversãoda polaridade de uma fonte de energia elétrica, o tipo decondutividade de cada membrana de permuta de ion, e o tipode condutividade de um ion com o qual uma camada de dopagemou uma membrana de permuta de cátion é dopada na descrição aseguir.
Como mostrado na figura, o dispositivo de iontofo-rese X inclui: uma fonte de energia elétrica 30; uma monta-gem de eletrodo de trabalho 10 conectada ao pólo positivo dafonte de energia elétrica 20 conectada ao pólo negativo dafonte de energia elétrica 30 através de uma linha de forne-cimento elétrico 32.
A montagem de eletrodo de trabalho 10 / a montagemde eletrodo de não trabalho 20 é um recipiente 16/26 compos-to de uma parede superior 16u/26u e uma parede periféricaexterna 16s/26s. Um espaço capaz de alojar várias estruturasa serem descritas posteriormente, é formado no recipiente16/26, e uma superficie inferior 26b/26b do recipiente 16/26é aberta.
O recipiente 16 ou 26 pode ser formado de um mate-rial arbitrário como plástico, porém é formado, preferivel-mente de um material flexivel capaz de: evitar a evaporaçãode água. a partir do interior do recipiente e a penetração dematéria estranha a partir do exterior; e seguir as irregula-ridades da pele de um organismo ou o movimento do organismo.Além disso, um revestimento removivel composto de um materi-al apropriado para evitar a evaporação de água e a misturade matéria estranha durante armazenagem . do dispositivo deiontoforese X pode ser preso na superficie inferior 16b/26bdo recipiente 16/26. Uma camada adesiva para melhorar a ade-rência a uma pele após administração de uma droga pode serdisposta em uma porção extrema inferior 16e/26e da paredeperiférica externa 16s/26s.
O recipiente 16 ou 26 não é necessariamente dis-posto na ausência de um elemento úmido como uma porção deretenção de solução de droga ou uma porção de retenção desolução de eletrólito (um elemento com um teor elevado deágua) como montagens de eletrodo de trabalho 10H a 10K emontagens de eletrodo de não trabalho 20A a 20C a serem des-critas posteriormente.
Uma bateria, um dispositivo de voltagem constante,um dispositivo de corrente constante, um dispositivo de cor-rente/voltagem constante, ou similar pode ser utilizado comoa fonte de energia elétrica 30. É preferível utilizar umdispositivo de corrente constante cuja corrente possa serajustada na faixa de 0,01 a 1,0 mA/cm2, ou preferivelmente0,01 a 0,5 mA/cm2, e que opere sob condições de voltagem se-guras, especificamente em 50 V ou menos, ou pref erivelmente30 V ou menos.
As figuras 2(A) a 2(D) são vistas em seção de ex-planação mostrando as constituições das montagens de eletro-dos de trabalho 10A a 10D cada uma das quais pode ser utili-zada como a montagem de eletrodo de trabalho 10 do disposi-tivo de iontoforese X.
A montagem de eletrodo de trabalho 10A inclui: umeletrodo 11 tendo um material de base condutivo lia conecta-do à linha de fornecimento elétrico 31 e uma camada de dopa-gem Ilb formada em uma superfície do material de base lia ecomposta de polianilina; e uma porção de retenção de soluçãode droga 14 que retém uma solução de droga em contato com acamada de dopagem 11b.
0 eletrodo 11 pode incluir, por exemplo, o materi-al de base lia formado de uma folha de carbono e uma camadade dopagem Ilb formada pela aplicação de uma solução de po-lianilina na qual um sal de polianilina é misturado em umasolução de NMP (N-metil pirrolidona) contendo PVDF (fluoretode polivinilideno) sobre o material de base lia seguido porsecagem.
200 mg da solução de polianilina contendo o sal depolianilina, PVDF, e NMP na razão em peso de 1: 1: 9, naqual o sal de polianilina foi preparado pela adição de ácidoclorídrico I-N à base de polianilina-corante de cor ver-escura seguido por filtração e secagem, foram aplicados so-bre a folha de carbono com a espessura de 300 jam e um diâme-tro de 17 mm. O resultado foi seco a vácuo a 100°C por 1 ho-ra para produzir o eletrodo 11 de forma experimental. A cro-nopotenciometria e a medição de voltamograma ciclico foramrealizadas utilizando a célula de medição mostrada na figura 3 (A).
A figura 3 (B) mostra o resultado de medição para acapacitância de capacitor de eletrodo 11 sob a condição decorrente constante de 0,3 mA/cm2 por cronopotenciometria.Foi confirmado que o eletrodo 11 teve capacitância de capa-citor extremamente grande.
A figura 3 (C) mostra os resultados de medição dovoltamograma ciclico (a) no caso onde um tecido não trançadoimerso em uma solução contendo 0,9% NaCl e 2% HPC (hidróxipropil celulose) foi utilizado como uma camada de solução deeletrólito na célula de medição e (b) no caso onde um tecidonão trançado imerso com uma solução contendo cloridrato delidocaina a 10% e HPC a 2% foi utilizado como uma camada desolução de eletrólito na célula de medição. Observe que afaixa de varredura potencial foi ajustada em -1,2 a +1,2 Vno caso de (a) e a faixa de varredura potencial foi ajustadaem -0,8 a +0,8 V no caso de (b) , e a taxa de varredura po-tencial foi ajustada em 10 mV/s nos dois casos de (a) e (b)para realizar a medição. A figura 3 (C) mostra que o eletrodo11 é excelente em propriedades de carga e descarga e tem e-levada resistência à deterioração e similar, causada pelociclo de redução de oxidação.
A solução de droga é uma solução de uma droga cujocomponente de droga dissocia em ions de droga positivos. Aporção de retenção de solução de droga 14 pode reter a solu-ção de droga em um estado liquido, ou pode reter a soluçãode droga pela impregnação de um veiculo absorvente como ga-ze, filtro de papel, ou um gel com a solução de droga.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10A, uma vol-tagem positiva é aplicada ao eletrodo 11 em um estado onde aporção de retenção de solução de droga 14 é colocada em con-tato com a pele de um organismo, pelo que um ion de droga naporção de retenção de solução de droga 14 é administrado aoorganismo. Nesse caso, a energização a partir do eletrodo 11para a porção de retenção de solução de droga 14 é total ouparcialmente causada pela transferência de um ion negativona solução de droga à camada de dopagem Ilb de tal modo quea camada seja dopada com o ion. Portanto, a geração de umgás oxigênio ou um gás de cloro ou a produção de um ion dehidrogênio ou ácido hipocloroso devido à energização, podeser evitada ou pelo menos reduzida.
A camada de dopagem Ilb tem uma espessura tipica-mente de 10 nm a 100 ^m, ou particularmente preferivelmente1 a 10 fim.A montagem de eletrodo de trabalho IOB inclui: oeletrodo 11 e a porção de retenção de solução de droga 14idênticos àqueles da montagem de eletrodo de trabalho 10A; eainda a membrana de permuta de cátion 15 colocada no lado desuperfície frontal da porção de retenção de solução de droga 14.
A montagem de eletrodo de trabalho IOB obtém omesmo efeito que aquele da montagem de eletrodo de trabalhoIOA com relação à prevenção de: a geração de um gás; ou aprodução de um ion não preferível após energização. A monta-gem de eletrodo de trabalho IOB obtém um efeito adicional,isto é, um aumento em eficiência de administração de um ionde droga porque a transferência de um contra-ion de organis-mo para a porção de retenção de solução de droga 14 é blo-queada pela membrana de permuta de cátion 15.
A montagem de eletrodo de trabalho 10C inclui: oeletrodo 11 e a porção de retenção de solução de droga 14idênticos àqueles da montagem de eletrodo de trabalho 10A; euma membrana de permuta de ânion 13 colocada entre o eletro-do 11 e a porção de retenção de solução de droga 14.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10C, a energi-zação a partir do eletrodo 11 para a porção de retenção desolução de droga 14 é causada pela transferência de um ionnegativo na porção de retenção de solução de droga 14 para acamada de dopagem Ilb através da membrana de permuta de â-nion 13 de tal modo que a camada seja dopada com o ion. Por-tanto, a montagem de eletrodo de trabalho 10C obtém o mesmoefeito que aquele da montagem de eletrodo de trabalho 10A emrelação à prevenção de: geração de um gás; ou a produção deum ion não preferível após energização.
Além disso,, a montagem de eletrodo de trabalho IOCobtém'um efeito adicional, isto é, a prevenção da decomposi-ção e alteração de uma droga após energização porque atransferência de um ion de droga na porção de retenção desolução de droga 14 para a camada de dopagem Ilb é bloqueadapela membrana de permuta de ânion 13.
A montagem de eletrodo de trabalho IOD inclui: oeletrodo 11 e a porção de retenção de solução de droga 14idênticos àqueles da montagem de eletrodo de trabalho 10A; amembrana de permuta de ânion 13 colocada entre o eletrodo 11e a porção de retenção de solução de droga 14; e a membranade permuta de cátion 15 colocada no lado de superfície fron-tal da porção de retenção de solução de droga 14.
Portanto, a montagem de eletrodo de trabalho IODobtém o mesmo efeito que aquele da montagem de eletrodo detrabalho IOA em relação à prevenção de: geração de um gás;ou a produção de um ion não preferível após energização. Amontagem de eletrodo de trabalho IOD obtém efeitos adicio-nais, isto é, a prevenção da decomposição e alteração de umadroga após energização e aumento em eficiência de adminis-tração da droga como no caso das montagens de eletrodo detrabalho 10B e 10C.
Em cada uma das montagens de eletrodo de trabalho10C e 10D, o eletrodo 11 e a membrana de permuta de ânion 13podem ser unidos e integrados entre si por intermédio de umaabordagem como ligação por termocompressão. Essa ação podemelhorar um estado de energização a partir do eletrodo 11para a membrana de permuta de ânion 13 ou simplificar o tra-balho de montagem de cada uma das montagens de eletrodo detrabalho IOC e 10D.
As figuras 3 (A) a 3 (C) são vistas em seção de ex-planação mostrando as constituições das montagens de eletro-do de trabalho IOE a 10G, de acordo ainda com outro aspecto,cada uma das quais pode ser utilizada como a montagem de e-letrodo de trabalho 10 do dispositivo de iontoforese X.
A montagem de eletrodo de trabalho IOE inclui: oeletrodo 11 idêntico àquele da montagem de eletrodo de tra-balho 10a; uma porção de retenção de solução de eletrólito12 retendo uma solução de eletrólito em contato com a camadade dopagem 11b; e a membrana de permuta de cátion 15 coloca-da no lado de superfície frontal da porção de retenção desolução de eletrólito 12 e dopada com um ion de droga positivo.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10E, uma vol-tagem positiva é aplicada ao eletrodo 11 em um estado onde amembrana de permuta de cátion 15 é colocada em contato com apele de um organismo, pelo que o ion de droga com o qual amembrana de permuta de cátion 15 é dopada, é administrado aoorganismo.
Nesse caso, uma droga pode ser administrada comelevada eficiência porque a membrana de permuta de cátion 15bloqueia a transferência de um contra-ion de organismo paraa porção de retenção de solução de eletrólito 12.
Além disso, a energização a partir do eletrodo 11para a porção de retenção de solução de eletrólito 12 é to-tal ou parcialmente causada pela transferência de um ion ne-gativo na solução de eletrólito para a camada de dopagem Ilbde tal modo que a camada seja dopada com o ion. Portanto, ageração de um gás oxigênio ou um gás de cloro ou a produçãode um ion de hidrogênio ou ácido hipocloroso devido à ener-gização, pode ser evitada ou pelo menos reduzida.
A energização a partir da porção de retenção desolução de eletrólito 12 para a membrana de permuta de cá-tion 15 é causada pela transferência de um ion positivo naporção de retenção de solução de eletrólito 12 para a mem-brana de permuta de cátion 15. 0 ion positivo é substituídopor um ion de droga que se transferiu para um organismo, pa-ra desse modo ligar-se a um grupo de permuta de ions na mem-brana de permuta de cátion 15.
A porção de retenção de solução de eletrólito 12da montagem de eletrodo de trabalho IOE pode reter a soluçãode eletrólito em um estado liquido, ou pode reter a soluçãode eletrólito pela impregnação de um veiculo absorvente comogaze, filtro de papel, ou um gel com a solução de eletrólito.
Quando um ion positivo na porção de retenção desolução de eletrólito 12 tem uma mobilidade maior do que a-quela de um ion de droga, a transferência do ion positivopara um organismo pode ocorrer preferivelmente, de modo quea eficiência de administração de uma droga pode ser reduzi-da. Portanto, a solução de eletrólito da porção de retençãode solução de eletrólito 12 tem, preferivelmente, uma cons-tituição livre de um íon positivo cora uma mobilidade compa-rável com ou maior do que aquela de um ion de droga.
A membrana de permuta de cátion 15 pode ser dopadacom um ion de droga pela imersão da membrana de permuta decátion 15 em uma solução de droga contendo uma concentraçãoapropriada do ion de droga.
A montagem de eletrodo de trabalho IOF inclui: oeletrodo 11, a porção de retenção de solução de eletrólito12, e a membrana de permuta de cátion 15 idêntica àqueles damontagem de eletrodo de trabalho 10E; e ainda a membrana depermuta de ânion 13 colocada entre a porção de retenção desolução de eletrólito 12 e a membrana de permuta de cátion 15.
A montagem de eletrodo de trabalho IOF obtém omesmo efeito que aquele da montagem de eletrodo de trabalhoIOE em relação à prevenção de: geração de um gás; ou a pro-dução de um ion não preferível após energização. A montagemde eletrodo de trabalho IOF obtém um efeito adicional, istoé, a prevenção da alteração de uma droga próximo ao eletrodo11 após energização porque a transferência do ion de drogacom o qual a membrana de permuta de cátion 15 é dopada paraa porção de retenção de solução de eletrólito 12, é bloquea-da pela membrana de permuta de ânion 13.
A ação de causar energização a partir da porção deretenção de solução de eletrólito 12 para a membrana de per-muta de cátion 15 na montagem de eletrodo de trabalho IOFrequer que um ion positivo na porção de retenção de soluçãode eletrólito 12 passe através da membrana de permuta de â-nion 13 para transferir para a membrana de permuta de cátion15. Portanto, uma membrana de permuta de ânion tendo um nú-mero de transporte levemente baixo é utilizada para a mem-brana de permuta de ânion 13.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10F, a eletró-lise de água ocorre em uma interface entre a membrana depermuta de ânion 13 e a membrana de permuta de cátion 15 emalguns casos dependendo das condições de energização e simi-lares. Portanto, uma membrana semipermeável capaz de permi-tir a passagem de pelo menos um ion positivo na porção deretenção de solução de eletrólito 13 e embrana de permutade cátion 15 para evitar a eletrólise. A interface entre amembrana de permuta de ânion 13 e a membrana de permuta decátion 15 ou cada interface entre a membrana de permuta deânion 13, a membrana semipermeável, e a membrana de permutade cátion 15 podem ser unidas por intermédio de uma aborda-gem como ligação por termocompressão. Essa ação pode melho-rar a propriedade de energização entre as mesmas e capacida-de de manipulação das mesmas.
A membrana de permuta de ânion 13 na montagem deeletrodo de trabalho IOF permite a passagem de um ion posi-tivo na porção de retenção de solução de eletrólito 12. En-quanto isso, o mesmo efeito que aquele descrito acima, podeser obtido mesmo quando a membrana é substituída com umamembrana semipermeável capaz de bloquear a passagem de umion de droga.
A montagem de eletrodo de trabalho IOG inclui: oeletrodo 11, a porção de retenção de solução de eletrólito12, e a membrana de permuta de cátion 15 idênticos àquelesda montagem de eletrodo de trabalho 10E; e a membrana depermuta de ânion 13 colocada entre o eletrodo 11 e a porçãode retenção de solução de eletrólito 12.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10G, a energi-zação a partir do eletrodo 11 para a porção de retenção desolução de eletrólito 12 é causada pela transferência de umion negativo na porção de retenção de solução de eletrólito12 para a camada de dopagem através da membrana de permutade ânion, de tal modo que a camada seja dopada com o ion.Portanto, a montagem de eletrodo de trabalho IOG obtém omesmo efeito que aquele da montagem de eletrodo de trabalhoIOE em relação à prevenção de: geração de um gás; ou a pro-dução de um ion não preferível após energização.
A energização a partir da porção de retenção desolução de eletrólito 12 para a membrana de permuta de cá-tion 15 ocorre do mesmo modo que no caso da montagem de ele-trodo de trabalho 10E. Além disso, um efeito adicional, istoé, a prevenção da decomposição e alteração de uma droga apósenergização é obtida porque a transferência do ion de drogacom o qual a membrana de permuta de cátion 15 é dopada paraa camada de dopagem Ilb é bloqueada pela membrana de permutade ânion 13.
0 eletrodo 11 e a membrana de permuta de ânion 13são unidos e integrados entre si por intermédio de uma abor-dagem como ligação por termocompressão, pelo que a proprie-dade de energização entre os mesmos, e a capacidade de mani-pulação dos mesmos, podem ser aperfeiçoadas.As figuras, 4 (A) e 4 (B) , são vistas em seção deexplanação mostrando as constituições de montagens de ele-trodo de trabalho IOH e 101, de acordo ainda com outro as-pecto, cada uma das quais pode ser utilizada como a montagemde eletrodo de trabalho 10 do dispositivo de iontoforese X.
A montagem de eletrodo de trabalho 10H inclui: oeletrodo 11 tendo o material de base condutivo 1.1a conectadoà linha de fornecimento elétrico 31 e a camada de dopagem11b formada em uma superfície do material de base lia e do-pada com um ion positivo; e a membrana de permuta de cátioncolocada no lado de superfície frontal da camada de dopa-gem 11b e dopada com um ion de droga.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10H, uma vol-tagem positiva é aplicada ao eletrodo 11 em um estado aondea membrana de permuta de cátion 15 é colocada em contato coma pele de um organismo, pelo que o ion de droga com o qual amembrana de permuta de cátion 15 é dopada é administrado aoorganismo. Como resultado, uma droga pode ser administradacom elevada eficiência do mesmo modo que no caso da montagemde eletrodo de trabalho 10E.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10H, a energi-zação a partir do eletrodo 11 para a membrana de permuta decátion 15 é causada pela transferência do ion positivo com oqual a camada de dopagem Ilb é dopada, para a membrana depermuta de cátion 15. Portanto, a geração de um gás oxigênioou um gás de cloro ou a produção de um ion de hidrogênio ouácido hipocloroso devido à energização, é evitada ou pelomenos reduzida. O ion positivo que se transferiu da camadade dopagem Ilb para a membrana de permuta de cátion 15 ésubstituído por um ion de droga que se transferiu para umorganismo, para desse modo ligar-se a um grupo de permuta deion na membrana de permuta de cátion 15.
Como mostrado na figura, a montagem de eletrodo detrabalho IOH tem uma estrutura extremamente simples compostasomente do eletrodo 11 e membrana de permuta de cátion 15, enão há necessidade de manipular um elemento úmido após mon-tagem da montagem de eletrodo de trabalho 10H. Portanto, aautomação da produção da montagem de eletrodo de trabalhoIOH e a produção em massa da montagem de eletrodo de traba-lho IOH podem ser realizadas de forma extremamente fácil, eo custo de produção da montagem de eletrodo de trabalho 10pode ser significativamente reduzido.
O eletrodo 11 e a membrana de permuta de cátion 15são unidos e integrados entre si por intermédio de uma abor-dagem como ligação por termocompressão, pelo que a proprie-dade de energização entre os mesmos, e a capacidade de mani-pulação dos mesmos, podem ser aperfeiçoadas.
A camada de dopagem Ilb da montagem de eletrodo detrabalho IOH pode ser dopada com um ion positivo através deenergização com o eletrodo 11 como um pólo negativo em umestado onde a camada de dopagem Ilb é imersa em uma soluçãode eletrólito apropriada. Além disso, a membrana de permutade cátion 15 pode ser dopada com um ion de droga do mesmomodo como aquele descrito acima, com relação à montagem deeletrodo de trabalho 10E.
A camada de dopagem Ilb é dopada, preferivelmente,com um ion positivo tendo uma mobilidade menor do que aquelade um ion de droga, devido ao meso motivo que aquele descri-to acima, com relação à montagem de eletrodo de trabalhoIOE. O ion positivo pode ser um ion de droga idêntico a oudiferente do ion de droga com o qual a membrana de permutade cátion 15 é dopada.
A montagem de eletrodo de trabalho 101 inclui: oeletrodo 11 e a membrana de permuta de cátion, idênticos à-queles da montagem de eletrodo de trabalho 10H; e a membranade permuta de ânion 13 colocada entre o eletrodo 11 e a mem-brana de permuta de cátion 15.
Na montagem de eletrodo de trabalho 101, como nocaso da montagem de eletrodo de trabalho 10H, a geração deum gás oxigênio ou um gás de cloro ou a produção de um ionde hidrogênio ou ácido hipocloroso após administração de umadroga é evitada, e não há necessidade de manipular um ele-mento úmido após montagem. Além disso, um efeito adicional,isto é, a prevenção da decomposição e alteração de uma drogaapós energização é obtida porque a transferência do ion dedroga com o qual a membrana de permuta de cátion 15 é dopadapara a porção de retenção de solução de eletrólito 12, ébloqueada pela membrana de permuta de ânion 13.
A ação de causar energização a partir do eletrodo11 para a membrana de permuta de cátion 15 na montagem deeletrodo de trabalho 101 requer que o ion positivo com oqual a camada de dopagem Ilb é dopada, passe através da mem-brana de permuta de ânion 13 para transferir para a membranade permuta de cátion 15. Portanto, uma membrana de permutade ânion com um número de transporte levemente baixo, é uti-lizada para a membrana de permuta de ânion 13.
0 eletrodo 11, a membrana de permuta de ânion 13,e a membrana de permuta de cátion são unidos e integradosentre si por intermédio de uma abordagem como ligação portermocompressão, pelo que a propriedade de energização entreos mesmos, e a capacidade de manipulação dos mesmos, podemser aperfeiçoadas.
0 mesmo efeito, como aquele descrito acima, podeser obtido mesmo quando a membrana de permuta de ânion 13 namontagem de eletrodo de trabalho 101 é substituída com umamembrana semipermeável que bloqueia a passagem de um ion dedroga enquanto permite a passagem de um ion positivo na por-ção de retenção de solução de eletrólito 12.
As figuras, 5 (A) e 5 (B) , são vistas em seção deexplanação mostrando as constituições de montagens de ele-trodo de trabalho IOJ e 10K, de acordo ainda com outro as-pecto, cada uma das quais pode ser utilizada como a montagemde eletrodo de trabalho 10 do dispositivo de iontoforese X.
A montagem de eletrodo de trabalho 10J inclui oeletrodo 11 com o material de base condutivo lia conectado àlinha de fornecimento elétrico 31 e a camada de dopagem Ilbformada em uma superfície do material de base 11a.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10J, a camadade dopagem Ilb é dopada com um ion de droga, e então umavoltagem positiva é aplicada no eletrodo 11 em um estado on-de a camada de dopagem Ilb é colocada em contato com a pelede um organismo, pelo que o ion de droga com o qual a camadade dopagem Ilb é dopada, é administrado ao organismo.
A energização a partir da camada de dopagem Ilbpara a pele do organismo é causada pelo movimento do ion dedroga. Portanto, a geração de um gás oxigênio ou um gás decloro ou a produção de um ion de hidrogênio ou ácido hipo-cloroso devido à energização é evitada ou pelo menos reduzida.
Além disso, a camada de dopagem Ilb dopada com oion de droga como um ion positivo, tem uma função de permutade cátion, de modo que a transferência de um contra-ion deorganismo a partir do lado da pele para a camada de dopagemIlb após administração de uma droga é bloqueada e a drogapode ser administrada com elevada eficiência.
Como mostrado na figura, a montagem de eletrodo detrabalho IOJ tem uma estrutura extremamente simples compostasomente do eletrodo 11. Portanto, a automação da produção damontagem de eletrodo de trabalho IOJ e a produção em massada montagem de eletrodo de trabalho IOJ podem ser realizadasde forma extremamente fácil, e o custo de produção da monta-gem de eletrodo de trabalho pode ser significativamente re-duzido.
A camada de dopagem Ilb pode ser dopada com o ionde droga através da energização com o eletrodo 11 como umpólo minimo em um estado onde a camada de dopagem Ilb é i-mersa em uma solução de droga contendo uma concentração a-propriada de ion de droga. A dopagem pode ser realizada noestágio da produção do dispositivo de iontoforese X ou amontagem de eletrodo de trabalho 10J, ou pode ser realizadaimediatamente antes da administração de uma droga.
A montagem de eletrodo de trabalho 10K inclui: oeletrodo 11 tendo o material de base condutivo 11 a conectadoà linha de fornecimento elétrico 31 e a camada de dopagem11b formada em uma superficie do material de base 11a; e amembrana de permuta de cátion 15 colocada no lado de super-ficie frontal do eletrodo 11.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10K, a membra-na de permuta de cátion 15 é, ou a membrana de permuta decátion 15 e a camada de dopagem 11b são dopadas com um ionde droga, e então uma voltagem positiva é aplicada ao ele-trodo 11 em um estado onde a membrana de permuta de cátioné colocada em contato com a pele de um organismo, peloque o ion de droga com o qual a membrana de permuta de cá-tion 15 é, ou a membrana de permuta de cátion 15 e a camadade dopagem Ilb são dopadas, é administrado ao organismo a-través da membrana de permuta de cátion 15.
Na montagem de eletrodo de trabalho 10K, a energi-zação a partir do eletrodo 11 para a membrana de permuta decátion 15 é causada pela transferência do ion com a camadade dopagem 11b dopada para a membrana de permuta de cátion.Portanto, a geração de um gás oxigênio ou um gás de cloro oua produção de um ion de hidrogênio ou ácido hipocloroso de-vido à energização é evitada ou pelo menos reduzida.
Além disso, a droga pode ser administrada com ele-vada eficiência porque a transferência de um contra-ion deorganismo a partir de um organismo para a camada de dopagem11b é bloqueada pela membrana de permuta de cátion 15.A montagem de eletrodo de trabalho IOK tem uma es-trutura extremamente simples composta somente do eletrodo 11e membrana de permuta de cátion 15. Portanto, a automação daprodução da montagem de eletrodo de trabalho IOK e a produ-ção em massa da montagem de eletrodo de trabalho IOK podemser realizadas de forma extremamente fácil, e o custo deprodução da montagem de eletrodo de trabalho pode ser signi-ficativamente reduzido.
Além disso, a montagem de eletrodo de trabalho IOKé estruturada de tal modo que a camada de dopagem Ilb nãocontate diretamente uma pele. Portanto, uma droga pode seradministrada sem a possibilidade de causar dano, ou similar,à saúde de um organismo mesmo quando é utilizada a camada dedopagem Ilb feita de uma substância que não é colocada pre-ferivelmente em contato com o organismo.
A membrana de permuta de cátion 15, ou a membranade permuta de cátion 15 e a camada de dopagem 11b, podem serdopadas com o ion de droga através de energização com o ele-trodo 11 como um pólo negativo em um estado onde a membranade permuta de cátion 15 é imersa em uma solução de drogacontendo uma concentração apropriada de ion de droga. A do-pagem pode ser realizada no estágio da produção do disposi-tivo de iontoforese X ou a montagem de eletrodo de trabalho10K, ou pode ser realizada imediatamente antes da adminis-tração de uma droga.
0 eletrodo 11 e a membrana de permuta de cátion 15são unidos e integrados entre si por intermédio de uma abor-dagem como ligação por termocompressão, pelo que a proprie-dade de energização entre os mesmos e a capacidade de mani-pulação dos mesmos pode ser melhorada.
As figuras 6 (A) a 6 (D) são vistas em seção de ex-planação mostrando as constituições de montagens de eletrodode não trabalho 20A e 20D, cada uma das quais pode ser uti-lizada com a montagem de eletrodo de não trabalho 20 do dis-positivo de iontoforese X.
A montagem de eletrodo de não trabalho 20A incluium eletrodo 21 tendo um material de base condutivo 21a co-nectado à linha de fornecimento elétrico 32 e uma camada dedopagem 21b formada no material de base 21a.
Na montagem de eletrodo de não trabalho 20A, quan-do uma voltagem negativa é aplicada ao eletrodo 21 em um es-tado onde a camada de dopagem 21b é colocada em contato comum organismo, a energização é causada pela transferência deum ion positivo a partir da pele do organismo para a camadade dopagem 21b de tal modo que a camada seja dopada com oion. Portanto, a geração de um gás hidrogênio ou a produçãode um ion de hidróxido após energização é evitada ou pelomenos reduzida.
Quando uma camada dopada com um ion negativo ante-cipadamente é utilizada como a camada de dopagem 21b da mon-tagem de eletrodo de não trabalho 20A, a energização é cau-sada pela transferência do ion negativo para a pele de umorganismo e a transferência de um ion positivo a partir dapele do organismo para a camada de dopagem 21b. Mesmo nessecaso, a geração de um gás hidrogênio ou a produção de um ionde hidróxido é evitada ou pelo menos reduzida.A montagem de eletrodo de não trabalho 20A tem amesma constituição que aquela da montagem de eletrodo detrabalho 101, de modo que a montagem de eletrodo de não tra-balho 2OA e a montagem de eletrodo de trabalho IOJ podem serproduzidas por meio do mesmo processo. Como resultado, oprocesso de produção de um dispositivo de iontoforese podeser significativamente simplificado. Além disso, a automaçãoda produção do dispositivo de iontoforese e a produção emmassa do dispositivo de iontoforese podem ser facilmente re-alizadas, e o custo de produção do dispositivo de iontofore-se pode ser significativamente reduzido.
A montagem de eletrodo de não trabalho 20B tem oeletrodo 21 idêntico àquele da montagem de eletrodo de nãotrabalho 20A e uma membrana de permuta de cátion 25C coloca-da no lado de superfície frontal da camada de dopagem 21b.
Na montagem de eletrodo de não trabalho 20B, a e-nergização é causada pela transferência de um ion positivo apartir da pele de um organismo para a camada de dopagem 21batravés da membrana de permuta de cátion 25C de tal modo quea camada seja dopada com o ion. Portanto, a geração de umgás hidrogênio ou a produção de um ion de hidróxido após e-nergização é evitada ou pelo menos reduzida.
Além disso, a montagem de. eletrodo de não trabalho20B é estruturada de tal modo que a camada de dopagem 21bnão contate diretamente uma pele. Portanto, uma droga podeser administrada de forma segura mesmo quando a camada dedopagem 21b feita de uma substância que não é colocada, pre-ferivelmente, em contato com um organismo, é utilizada.O eletrodo 21 e a membrana de permuta de cátion25C podem ser unidos e integrados entre si por intermédio deuma abordagem como ligação por termocompressão. Essa açãopode melhorar a propriedade de energização entre os mesmos ea capacidade de manipulação dos mesmos.
A montagem de eletrodo de não trabalho 20B tem amesma constituição que aquela da montagem de eletrodo detrabalho 10K, desse modo a montagem de eletrodo de não tra-balho 20B e a montagem de eletrodo de trabalho IOK podem serproduzidas por meio do mesmo processo. Como resultado, oprocesso de produção de um dispositivo de iontoforese podeser significativamente simplificado. Além disso, a automaçãoda produção do dispositivo de iontoforese e a produção emmassa do dispositivo de iontoforese podem ser facilmente re-alizadas, e o custo de produção do dispositivo de iontofore-se pode ser significativamente reduzido.
A montagem de eletrodo de não trabalho 20C inclui:o eletrodo 21 tendo o material de base condutivo 21a conec-tado à linha de fornecimento elétrico 32 e a camada de dopa-gem 21b formada no material de base 21a e dopada com um ionnegativo; e uma membrana de permuta de ânion 25A colocada nolado de superfície frontal da camada de dopagem 21b.
Na montagem de eletrodo de não trabalho 20C, quan-do uma voltagem minima é aplicada ao eletrodo 21 em um esta-do onde a membrana de permuta de ânion 25A é colocada emcontato com um organismo, um ion negativo com o qual a cama-da de dopagem 21b é dopada, se transfere para a membrana depermuta de ânion 25A, e o ion negativo se transfere adicio-nalmente para o organismo, ou um contra-íon ligado a um gru-po de permuta de ions na membrana de permuta de ânion 25A esubstituído pelo ion negativo se transfere para o organismo,pelo que ocorre energização. Portanto, a geração de um gáshidrogênio ou a produção de ion de hidróxido após energiza-ção, é evitada.
0 eletrodo 21 e a membrana de permuta de ânion 25Apodem ser unidos e integrados entre si por intermédio de umaabordagem como ligação por termocompressão. Essa ação podemelhorar a propriedade de energização entre os mesmos e acapacidade de manipulação dos mesmos.
A montagem de eletrodo de não trabalho 20D inclui:o eletrodo 21 idêntico àquele da montagem de eletrodo de nãotrabalho 20A; uma porção de retenção de solução de eletróli-to 22 retendo uma solução de eletrólito em contato com a ca-mada de dopagem 21b; e a membrana de permuta de ânion 25Acolocada no lado de superfície frontal da porção de retençãode solução de eletrólito 22.
Na montagem de eletrodo de não trabalho 20D, quan-do uma voltagem negativa é aplicada ao eletrodo 21 em um es-tado onde a membrana de permuta de ânion 25A é colocada emcontato com um organismo, a energização é causada pelatransferência de um ion positivo na porção de retenção desolução de eletrólito 22 para a camada de dopagem 21b de talmodo que a camada seja dopada com o ion. Portanto, a geraçãode um gás hidrogênio ou a produção de um ion de hidróxidoapós energização, é suprimida.
A energização entre a porção de retenção de solu-ção de eletrólito 22 e a pele do organismo é causada pelatransferência de um ion negativo na porção de retenção desolução de eletrólito 22 para a pele do organismo através damembrana de permuta de ânion 25A.
A figura 7 (A) é uma vista plana de um eletrodo 40a ser particularmente utilizado de preferência como eletrodo11 de cada uma das montagens de eletrodo de trabalho IOA aIOK ou como o eletrodo 21 de cada uma das montagens de ele-trodo de não trabalho 20A a 20D, e a figura 7(B) é uma vistaem seção tomada ao longo da linha A-A da figura 7(A).
Nas figuras, o numerai de referência 41 indica ummaterial de base condutivo composto de uma fibra de carbono,e uma camada de dopagem 42 feita de um polimero condutivo ousimilar é formada em uma superfície do material de base 41.Um elemento terminal 43 composto de uma porção de encaixemacho 43a, uma porção de corpo 43b, e uma porção de junção43c, é fixado na outra superfície do material de base 41.
0 elemento terminal 43 é obtido por cura, em umamatriz colocada no material de base 41, uma composição, queé preparada por mistura de uma matriz de polimero como bor-racha de silicone com grafite, plombagina, negro de fumo, ouuma carga de carbono como pó fino de carbono semelhante avidro ou uma fibra curta obtida pelo corte de uma fibra decarbono, através de aquecimento e vulcanização. A composiçãoé endurecida em um estado onde é impregnada em uma fibra decarbono constituindo o material de base 41, pelo que o mate-rial de base 41 e o elemento terminal 43 são integrados en-tre si na porção de junção 43c.O eletrodo 40 permite a energização a partir dacamada de dopagem 42 em uma densidade de corrente uniformeporque uma fibra de carbono tem elevada condutividade e ele-vada flexibilidade. Como resultado, as montagens de eletrodode trabalho IOA a IOK e as montagens de eletrodo de não tra-balho 2OA a 20D tendo, cada uma, flexibilidade suficientepara seguir as irregularidades da pele de um organismo ou omovimento do organismo, podem ser realizadas.
Além disso, a conexão a partir da fonte de energiaelétrica 30 com as linhas de fornecimento elétrico 31 e 32pode ser executada por intermédio de um conector tendo umaporção de encaixe fêmea que encaixa na porção de encaixe ma-cho 43a. Mesmo quando um material metálico é utilizado paraa porção de encaixe fêmea, o metal do conector é impedido deeluir para se transferir para um organismo porque a porçãode encaixe macho 43a é separada do material de base 41 pelaporção de corpo 43b.
O elemento terminal 43 pode ser fixado ao materialde base 41 por intermédio de um método arbitrário. Por exem-pio, como mostrado na figura 7(C), a fixação pode ser reali-zada por: formação de porções de engate 43d e 43e no elemen-to terminal 43; e inserção da porção de engate 43e em um po-ro pequeno disposto no material de base 41.
A figura 8(A) é uma vista plana de um eletrodo 50,de acordo com outro aspecto a ser particularmente utilizadopreferivelmente como o eletrodo 11 de cada uma das montagensde eletrodo de trabalho 10A a 10K ou como o eletrodo 21 decada uma das montagens de eletrodo de não trabalho 20A a20D, e a figura 8(B) é uma vista em seção tomada ao longo dalinha A-A da figura 8(A).
Nas figuras, o numerai de referência 51 indica ummaterial de base composto de uma fibra de carbono tendo umaporção de.folha condutiva, circular, 51a e uma porção de ex-tensão alongada 51b se estendendo a partir da porção de fo-lha condutiva 51a. Uma camada de dopagem 52 é formada em umasuperfície da porção de folha condutiva 51a.
O eletrodo 50 permite energização a partir da ca-mada de dopagem 52 em uma densidade de corrente uniforme co-mo no caso do eletrodo 40. Como resultado, as montagens deeletrodo de trabalho 10A a 10K e as montagens de eletrodo denão trabalho 20A a 20D tendo, cada uma, flexibilidade sufi-ciente para seguir as irregularidades da pele de um organis-mo ou o movimento do organismo, podem ser realizadas.
Como mostrado na figura 8 (c), o eletrodo 50 é uti-lizado em combinação com o recipiente 16/26 tendo uma aber-tura 16h/26h formada na parede periférica externa 16s/26s ouparede superior 16u/26u, e é alojado no recipiente 16/26 emum estado onde a porção de extensão 51b é conduzida a partirda abertura 16h/26h.
A conexão a partir da fonte de energia elétrica 30às linhas de fornecimento elétrico 31 e 32 pode ser executa-da na porção de extensão conduzida 51b por intermédio de umconector como um clipe jacaré fixado na ponta de cada umadas linhas de fornecimento elétrico 31 e 32.
No caso de um dispositivo de iontoforese alojandono mesmo um elemento tendo um teor elevado de água como aporção de retenção de solução de eletrólito 12 ou 22, ou aporção de retenção de solução de droga 14 como as montagensde eletrodo de trabalho IOA a IOE e a montagem de eletrodode não trabalho 20D, uma porção repelente à água 51c impreg-nada com uma resina à base de flúor, uma resina à base desilicone, uma resina à base de silano, ou similar, para for-necer repelência à água é disposta na porção de extensão 51bcolocada na abertura 16h ou 26h. Como resultado, água podeser impedida de vazar a partir de uma montagem de eletrodode trabalho ou uma montagem de eletrodo de não trabalho. Al-ternativamente, guando um elemento metálico é utilizado parao conector como um clipe jacaré, um ion de metal eluido apartir do elemento pode ser impedido de penetrar em uma mon-tagem de eletrodo de trabalho ou uma montagem de eletrodo denão trabalho.
Cada um dos materiais de base 41 e 51 dos eletro-dos 40 e 50 pode obter o mesmo efeito gue aquele descritoacima, mesmo quando cada um dos materiais é formado de papelde fibra de carbono. A fibra de carbono ou papel de fibra decarbono do material de base 41 ou 41 é impregnada com um po-límero macio como borracha de silicone ou poliuretano termo-plástico, pelo que uma redução em qualidade de um eletrododevido à queda de uma fibra de carbono pode ser evitada, e acapacidade de manipulação do eletrodo 40 ou 50 pode ser a-perfeiçoada.
A presente invenção foi descrita acima por meio devárias modalidades. Entretanto, a presente invenção não élimitada a essas modalidades, e pode ser alterada de formavariada no escopo das reivindicações.
Por exemplo, o formato e dimensões especificas deuma montagem de eletrodo, um eletrodo, ou similares, sãomostrados simplesmente como exemplos em cada modalidade. Apresente invenção não é limitada aos formatos, dimensões esimilares mostrados nas modalidades.
Além disso, em cada uma das modalidades acima, adescrição foi dada do caso onde um material de base conduti-vo tendo formado no mesmo uma camada de dopagem, é utilizadocomo eletrodo. Entretanto, o material de base não é necessa-riamente condutivo, e um eletrodo pode ser formado somentede uma camada de dopagem sem o uso de um material de base.
O dispositivo de iontoforese da presente invenção,pode ser constituído pela combinação de uma ou mais das mon-tagens de eletrodo de trabalho IOA a IOK e uma ou mais dasmontagens de eletrodo de não trabalho 20A a 20D. Além disso,o dispositivo de iontoforese da presente invenção pode serconstituído pela combinação de uma ou mais das montagens deeletrodo de trabalho 10A a IOK e a montagem de eletrodo denão trabalho 120 ou 210 mostradas na figura 9 ou 10, ou pelacombinação de uma ou mais das montagens de eletrodo de nãotrabalho 20A a 20D e a montagem de eletrodo de trabalho 110ou 210 mostrada na figura 9 ou 10.
Alternativamente, uma droga pode ser administradacomo a seguir. Embora qualquer uma das montagens de eletrodode trabalho 10A a 10K seja utilizada, o próprio dispositivode iontoforese não é dotado de nenhuma montagem de eletrodode não trabalho e, por exemplo, uma voltagem é aplicada àmontagem de eletrodo de trabalho em um estado onde a monta-gem de eletrodo de trabalho é colocada em contato com a pelede um organismo e uma parte do organismo é colocada em con-tato com um elemento para servir como terra. Mesmo nesse ca-so, o efeito básico da presente invenção, isto é, a preven-ção de: a geração de um gás oxigênio, um gás hidrogênio, umgás de cloro, ou similar; ou a produção de um ion de hidro-gênio, um ion de hidróxido, ou ácido hipocloroso em uma mon-tagem de eletrodo de trabalho após energização, é obtido.
Portanto, tal dispositivo de iontoforese também é incluidono escopo da presente invenção.
Além disso, em cada uma das modalidades acima, foifeita descrição do caso onde a montagem de eletrodo de tra-balho, a montagem de eletrodo de não trabalho e a fonte deenergia elétrica são constituídas separadamente. Também épossível que esses elementos sejam incorporados em um únicoinvólucro ou um dispositivo inteiro incorporando os mesmos éformado em um. formato de folha ou um formato adesivo, peloque a capacidade de manipulação do mesmo é aumentada, e taldispositivo de iontoforese também é incluido no escopo dapresente invenção.

Claims (20)

1. Dispositivo de iontoforese, CARACTERIZADO porcompreender pelo menos uma montagem de eletrodo tendo um e-letrodo no qual uma camada de dopagem feita de um materialque efetua uma reação eletroquimica devido à dopagem ou des-dopagem de um ion, é formada.
2. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato de que a camada dedopagem contém um polimero condutivo.
3. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 2, CARACTERIZADO pelo fato de que o polimerocondutivo compreende polianilina, polipirrol, politiofeno oupoliacetileno, ou um derivado do mesmo ou uma mistura domesmo.
4. Dispositivo de iontoforese, de acordo com qual-quer uma das reivindicações 1 a 3, CARACTERIZADO pelo fatode que a montagem de eletrodo compreende, ainda, uma porçãode retenção de solução de droga que retém uma solução dedroga contendo um ion de droga de um primeiro tipo de condu-tividade, a porção de retenção de solução de droga sendo co-locada em um lado de superfície frontal da camada de dopagem.
5. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 4, CARACTERIZADO pelo fato de que a montagemde eletrodo compreende ainda uma primeira membrana de permu-ta de ions do primeiro tipo de condutividade colocada em umlado de superfície frontal da porção de retenção de soluçãode droga.
6. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 4 ou 5, CARACTERIZADO pelo fato de que:a montagem de eletrodo compreende ainda uma segun-da membrana de permuta de ion de um segundo tipo de conduti-vidade colocada no lado de superfície frontal da camada dedopagem; ea porção de retenção de solução de droga é coloca-da em um lado de superfície frontal da segunda membrana depermuta de ion.
7. Dispositivo de iontoforese, de acordo com qual-quer uma das reivindicações 1 a 3, CARACTERIZADO pelo fatode que a montagem de eletrodo compreende ainda:uma porção de retenção de solução de eletrólitoque retém uma solução de eletrólito, a porção de retenção desolução de eletrólito sendo colocada em um lado de superfí-cie frontal da camada de dopagem; euma primeira membrana de permuta de ion do primei-ro tipo de condutividade que é colocada em um lado de super-fície frontal da porção de retenção de solução de eletrólitoe que é dopada com um ion de droga do primeiro tipo de con-dutividade.
8. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 7, CARACTERIZADO pelo fato de que:a montagem de eletrodo compreende ainda uma segun-da membrana de permuta de ion do segundo tipo de condutivi-dade colocada no lado de superfície frontal da porção de re-tenção de solução de eletrólito; ea primeira membrana de permuta de ion é colocadaem um lado de superfície frontal da segunda membrana de per-muta de íon.
9. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 7, CARACTERIZADO pelo fato de que:a montagem de eletrodo compreende ainda uma segun-da membrana de permuta de íon do segundo tipo de condutivi-dade colocada no lado de superfície frontal da camada de do-pagem; ea porção de retenção de solução de eletrólito écolocada em um lado de superfície frontal da segunda membra-na de permuta de íon.
10. Dispositivo de iontoforese, de acordo comqualquer uma das reivindicações 1 a 3, CARACTERIZADO pelofato de que:a montagem de eletrodo compreende ainda uma pri-meira membrana de permuta de íon do primeiro tipo de condu-tividade que é colocada em um lado de superfície frontal dacamada de dopagem e que é dopada com um íon de droga do pri-meiro tipo de condutividade; ea camada de dopagem é dopada com um íon do primei-ro tipo de condutividade.
11. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 10, CARACTERIZADO pelo fato de que:a montagem de eletrodo compreende ainda uma segun-da membrana de permuta de íon do segundo tipo de condutivi-dade colocada em um lado de superfície frontal da camada dedopagem; ea primeira membrana de permuta de íon é colocadaem um lado de superfície frontal da segunda membrana de per-muta de Ion.
12. Dispositivo de iontoforese, de acordo comqualquer uma das reivindicações 1 a 3, CARACTERIZADO pelofato de que a camada de dopagem é dopada com um ion de drogado primeiro tipo de condutividade.
13. Dispositivo de iontoforese, de acordo comqualquer uma das reivindicações 1 a 3, CARACTERIZADO pelofato de que a montagem de eletrodo compreende ainda uma pri-meira membrana de permuta de ion do primeiro tipo de condu-tividade colocada em um lado de superfície frontal da camadade dopagem.
14. Dispositivo de iontoforese, compreendendo:uma montagem de eletrodo de trabalho que retém umion de droga de um primeiro tipo de condutividade; euma montagem de eletrodo de não trabalho como umcontra-eletrodo da montagem de eletrodo de trabalho,CARACTERIZADO pelo fato de que a montagem de ele-trodo de não trabalho compreende um eletrodo no qual uma ca-mada de dopagem feita de um material que efetua uma reaçãoeletroquimica devido à dopagem ou desdopagem de um ion, éformada.
15. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 14, CARACTERIZADO pelo fato de que a montagemde eletrodo de não trabalho compreende ainda uma terceiramembrana de permuta de ion do primeiro tipo de condutividadecolocada em um lado de superfície frontal da camada de dopagem.
16. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 14, CARACTERIZADO pelo fato de que:a montagem de eletrodo de não trabalho compreendeainda uma terceira membrana de permuta de ion do segundo ti-po de condutividade que é colocada no lado de superfíciefrontal da camada de dopagem; ea camada de dopagem é dopada com um ion do segundotipo de condutividade.
17. Dispositivo de iontoforese, de acordo comqualquer uma das reivindicações 1 a 16, CARACTERIZADO pelofato de que:o eletrodo compreende ainda um material de basecondutivo; ea camada de dopagem é empilhada no material de ba-se condutivo.
18. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 17, CARACTERIZADO pelo fato de que o materialde base condutivo compreende uma folha condutiva feita deuma fibra de carbono ou papel de fibra de carbono.
19. Dispositivo de iontoforese, de acordo com areivindicação 18, CARACTERIZADO pelo fato de que o eletrodocompreende ainda um elemento terminal com carbono misturadoem uma matriz de polimero, o elemento terminal sendo fixadona folha condutiva.
20. Dispositivo de iontoforese, de acordo, com areivindicação 18, CARACTERIZADO pelo fato de que o eletrodocompreende ainda uma porção de extensão que é formada inte-gralmente com a folha condutiva e que é feita de uma fibrade carbono ou papel de fibra de carbono.
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