ATE261503T1 - Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials

Info

Publication number
ATE261503T1
ATE261503T1 AT00941581T AT00941581T ATE261503T1 AT E261503 T1 ATE261503 T1 AT E261503T1 AT 00941581 T AT00941581 T AT 00941581T AT 00941581 T AT00941581 T AT 00941581T AT E261503 T1 ATE261503 T1 AT E261503T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
producing
single crystal
silicon single
electrical potential
silicon
Prior art date
Application number
AT00941581T
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Baba
Scott M Kirkland
Richard W Rudberg
Susumu Sonokawa
Mura
Darren M Taie
Akira Uchikawa
Original Assignee
Seh America Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seh America Inc filed Critical Seh America Inc
Application granted granted Critical
Publication of ATE261503T1 publication Critical patent/ATE261503T1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
AT00941581T 1999-07-28 2000-06-21 Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials ATE261503T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/362,103 US6228165B1 (en) 1999-07-28 1999-07-28 Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential
PCT/US2000/016956 WO2001009411A1 (en) 1999-07-28 2000-06-21 Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE261503T1 true ATE261503T1 (de) 2004-03-15

Family

ID=23424712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT00941581T ATE261503T1 (de) 1999-07-28 2000-06-21 Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6228165B1 (de)
EP (1) EP1200649B1 (de)
JP (1) JP2003505335A (de)
AT (1) ATE261503T1 (de)
AU (1) AU5627200A (de)
DE (1) DE60008880T2 (de)
DK (1) DK1200649T3 (de)
WO (1) WO2001009411A1 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6632277B2 (en) 1999-07-14 2003-10-14 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices
US6395085B2 (en) 1999-07-14 2002-05-28 Seh America, Inc. Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices
US6454852B2 (en) 1999-07-14 2002-09-24 Seh America, Inc. High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices
US6228165B1 (en) 1999-07-28 2001-05-08 Seh America, Inc. Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential
FR2799194B1 (fr) * 1999-10-05 2001-12-14 Corning Sa Billes d'un fluorure d'alcalin ou d'alcalino-terreux polycristallin, leur preparation et leur utilisation pour preparer des monocristaux
FR2810342B1 (fr) * 2000-06-20 2002-11-29 Commissariat Energie Atomique Procede de cristallogenese avec champ magnetique
US6514337B2 (en) * 2001-02-07 2003-02-04 Seh America, Inc. Method of growing large-diameter dislocation-free<110> crystalline ingots
US8124455B2 (en) * 2005-04-02 2012-02-28 Stats Chippac Ltd. Wafer strength reinforcement system for ultra thin wafer thinning
US7514192B2 (en) * 2005-12-12 2009-04-07 Xerox Corporation Photoconductive members
JP4788444B2 (ja) * 2006-04-04 2011-10-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の製造方法
JP5007596B2 (ja) * 2007-04-03 2012-08-22 信越半導体株式会社 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
US20100319613A1 (en) * 2008-02-18 2010-12-23 Sumco Corporation Silicon monocrystal growth method
JP4983705B2 (ja) 2008-04-10 2012-07-25 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の金属汚染評価方法
JP5169455B2 (ja) * 2008-05-08 2013-03-27 信越半導体株式会社 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
JP5047227B2 (ja) 2009-05-27 2012-10-10 ジャパンスーパークォーツ株式会社 シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置
JP5201083B2 (ja) * 2009-06-04 2013-06-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の育成方法及びシリコン半導体基板の製造方法
JP5668717B2 (ja) * 2012-04-19 2015-02-12 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
US10114039B1 (en) * 2015-04-24 2018-10-30 Johnstech International Corporation Selectively geometric shaped contact pin for electronic component testing and method of fabrication

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2842467A (en) * 1954-04-28 1958-07-08 Ibm Method of growing semi-conductors
DE1047390B (de) 1957-08-02 1958-12-24 Dr Joachim Lietz Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem Quarzglas
US4330359A (en) 1981-02-10 1982-05-18 Lovelace Alan M Administrator Electromigration process for the purification of molten silicon during crystal growth
US4548670A (en) * 1984-07-20 1985-10-22 Wedtech Corp. Silicon melting and evaporation method for high purity applications
GB8427915D0 (en) 1984-11-05 1984-12-12 Tsl Thermal Syndicate Plc Vitreous silica products
JPS62275087A (ja) 1986-05-21 1987-11-30 Kyushu Denshi Kinzoku Kk 結晶引上炉の湯漏れ検出装置
GB2198966A (en) 1986-12-09 1988-06-29 Westinghouse Electric Corp Method of growing silicon dendritic-web crystals
US4935046A (en) 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
JP2546736B2 (ja) 1990-06-21 1996-10-23 信越半導体株式会社 シリコン単結晶引上方法
JP3132094B2 (ja) 1991-10-22 2001-02-05 日立金属株式会社 単結晶の製造方法および単結晶製造装置
US5803977A (en) 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
DE4428743A1 (de) 1994-08-13 1996-02-22 Georg Prof Dr Mueller Verfahren und Vorrichtung zur Messung und Steuerung bzw. Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen
JP3824675B2 (ja) 1995-03-03 2006-09-20 有限会社デジタル・ウェーブ 結晶製造装置
JP3598634B2 (ja) 1996-01-30 2004-12-08 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
EP0798765A3 (de) 1996-03-28 1998-08-05 Shin-Etsu Handotai Company Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer Schicht zur Verhinderung der Verdampfung von Dotierstoffen auf der einen Oberfläche und einer epitaktischen Schicht auf der anderen Oberfläche
JP3491463B2 (ja) 1996-08-19 2004-01-26 信越半導体株式会社 シリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装置
DE19637182A1 (de) 1996-09-12 1998-03-19 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte
JPH1112079A (ja) 1997-06-19 1999-01-19 Komatsu Electron Metals Co Ltd 結晶体の引上げ方法およびその引上げ装置
WO1999057344A1 (fr) 1998-05-01 1999-11-11 Nippon Steel Corporation Plaquette de semi-conducteur en silicium et son procede de fabrication
US6077343A (en) 1998-06-04 2000-06-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Silicon single crystal wafer having few defects wherein nitrogen is doped and a method for producing it
DE19847101C1 (de) 1998-10-13 2000-05-18 Wacker Siltronic Halbleitermat CVD-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer mit einer epitaktischen Schicht versehenen Halbleiterscheibe
US6059875A (en) 1999-01-11 2000-05-09 Seh America, Inc. Method of effecting nitrogen doping in Czochralski grown silicon crystal
US6375749B1 (en) 1999-07-14 2002-04-23 Seh America, Inc. Susceptorless semiconductor wafer support and reactor system for epitaxial layer growth
US6228165B1 (en) 1999-07-28 2001-05-08 Seh America, Inc. Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential

Also Published As

Publication number Publication date
DK1200649T3 (da) 2004-07-12
WO2001009411A1 (en) 2001-02-08
JP2003505335A (ja) 2003-02-12
AU5627200A (en) 2001-02-19
US6228165B1 (en) 2001-05-08
US20020020340A1 (en) 2002-02-21
US6565651B2 (en) 2003-05-20
DE60008880T2 (de) 2005-03-03
EP1200649A1 (de) 2002-05-02
EP1200649B1 (de) 2004-03-10
DE60008880D1 (de) 2004-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE261503T1 (de) Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials
MY135877A (en) Tungsten doped crucible and method for preparing same
DE69833610D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silicium Einkristallen mit verringerten Kristalldefekten und danach hergestellte Silicium Einkristall und Siliciumwafer
DE69428284D1 (de) Verfahren zur herstellung von verbundenen wafern unter verwendung von diamant als isolator
ATE488474T1 (de) Verfahren zur herstellung von amorphen und keramischen stoffen mittels schmelzspinnen
DE50113041D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dünnen glasscheiben
DE60028492D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmen
DE50010492D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einzelglasscheiben
DE69730591D1 (de) Verfahren zur herstellung von polykristallinem dünnen film, verfahren zur herstellung von oxidsupraleitern und vorrichtung dafür
DE69916177D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristalls
DE69901115D1 (de) Verfahren zur herstellung fehlerfreier siliziumkristalle von willkürlichem grossen durchmesser
ATE450895T1 (de) Bevorzugte methode, elektrische leiterbahnen für die kontrolle eines elektronischen displays herzustellen
DE69802037D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von einkristallinem Diamant
DE69937803D1 (de) Verfahren zur herstellung eines czochralski silizium wafers ohne sauerstoffniederschlag
DE69120032D1 (de) Verfahren zur Feststellung der elektrischen Eigenschaften eines Silizium-Monokristalles
DE60105941D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumkarbidkristallen unter Verwendung von Quellgasen
DE60125689D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumkarbidkristallen unter Verwendung von Quellegasen
DE60015228D1 (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinem Silizium
DE60115951T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer siliziumschmelze von einem polykristallinen siliziumchargiergut
EP1087040A4 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von silicium einkristallen und damit hergestellte einkristalle und halbleiterplatten (wafer)
DE60009210D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Wasserstoff
DE60335616D1 (de) Verfahren zur herstellung von siliciumeinkristallen, und dadurch hergestellte siliciumeinkristallwafer und siliciumeinkristallstab
DE60045735D1 (de) Verfahren zur herstellung von silizium epitaktischem wafer
DE69939376D1 (de) Einkristallsiliziumwafer mit wenigen kristalldefekten und verfahren zu dessen herstellung
AU2003301326A1 (en) Method of measuring point defect distribution of silicon single crystal ingot

Legal Events

Date Code Title Description
UEP Publication of translation of european patent specification

Ref document number: 1200649

Country of ref document: EP

REN Ceased due to non-payment of the annual fee