AT502233A1 - Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe - Google Patents

Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe Download PDF

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Description


  P r r f ( r
Vorrichtung zum Lösen eines Trägers von einer Halbleiterscheibe
B e s c h r e i b u n g
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Lösen eines temporär auf einer ersten Oberfläche einer Halbleiterscheibe befestigten Trägers von der Halbleiterscheibe. Der Begriff Halbleiterscheibe umfasst erfindungsgemäss alle Arten von Trägerplatten oder Substrat-Scheiben.
Insbesondere sehr dünne und/oder grosse Halbleiterscheiben (Wafer) sind schwierig zu handhaben.

   Soll beispielsweise ein Wafer mit einer Dicke < 100 um hergestellt und/oder bearbeitet werden, ist es bekannt, zunächst von einem "Rohling" grösserer Dicke (beispielsweise 600 um) auszugehen, und diesen anschliessend wie folgt weiter zu behandeln (Figuren 5) :
4[iota] Zunächst werden auf eine Oberfläche des Wafers elektrische/elektronische Strukturen S aufgebracht (Fig. 5a) .
Anschliessend wird auf diese Oberfläche eine Schutz-/ Klebeschicht K aufgebracht (sogenannter "protective resist") (Fig. 5b) .
Im Weiteren wird ein sogenannter Träger C (carrier) über die genannte Schutz-/Klebeschicht mit dem Wafer verbunden (sogenannter bonding process) (Fig. 5c) . Dabei kann der Träger alternativ oder kumulativ mit einer korrespondierenden Klebefläche F ausgebildet sein.

   Der Träger dient dazu, die so gebildete Baueinheit aus Wafer und Träger (sogenannter "Stack") besser handhaben zu können.
Der Wafer kann jetzt in seinem Strukturfreien Bereich auf die gewünschte Enddicke abgearbeitet (reduziert) werden, beispielsweise durch Schleifen, Ätzen und/oder Polieren (sogenanntes: Rückdünnen) -Fig. 5d - . Dieses Rückdünnen erfolgt bis in den Bereich der zuvor ausgebildeten Strukturen S.
Im nächsten Verfahrensschritt werden elektrische Verbindungen E beziehungsweise weitere Strukturen auf die jetzt freiliegende zweite Oberfläche des Wafers aufgebracht (Fig. 5e) . " * er ( r f c
- 3 -
Für die weiteren Bearbeitungs-/Transportschritte ist es notwendig, den Träger wieder von der Halbleiterscheibe zu lösen. Dies ist deshalb ausserordentlich schwierig, weil der auf beispielsweise < 100 [mu]m in seiner Dicke reduzierte Wafer extrem empfindlich ist.

   Dies gilt insbesondere für spröde Halbleiterwerkstoffe, beispielsweise Wafer auf Basis Galliumarsenid.
Es ist zwar bekannt, für die genannte Klebeverbindung zwischen Wafer und Träger Klebstoffe oder Klebebänder zu verwenden, die ihre Klebewirkung unter Anwendung von Wärme verlieren. Der Träger kann dann mechanisch vom Wafer gelöst werden. Es verbleibt jedoch das Problem, den sehr dünnen Wafer anschliessend sicher zu den nächsten Bearbeitungsstufen zu transportieren.

   Mechanische Greifeinrichtungen bieten keine Lösung, weil sie mechanische Spannungen im Wafer induzieren, die bis zum Bruch des Wafers führen können.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, eine Möglichkeit aufzuzeigen, einen temporär auf einer ersten Oberfläche einer Halbleiterscheibe befestigten Träger nicht nur sicher von der Halbleiterscheibe wieder zu lösen, sondern die Halbleiterscheibe anschliessend zerstörungsfrei weiteren Bearbeitungsschritten zuführen zu können.
Grundgedanke der Erfindung ist es, die Baueinheit von Wafer und Träger (den "Stack") vor dem Lösen des Trägers auf einer weiteren "Trägereinrichtung" anzuordnen, und dabei den Wafer auf seiner dem Träger gegenüberliegenden o
- 4 -
Oberfläche erneut temporär festzuhalten.

   Hierdurch wird einerseits das Lösen des Trägers vom Wafer erleichtert, andererseits steht der Wafer anschliessend unmittelbar in einer konfektionierten und definierten Ausrichtung für weitere Bearbeitungsschritte, einschliesslich eines Transports, zur Verfügung.
Konkret ist dazu vorgesehen, den stack innerhalb eines Rahmens zu positionieren und gegenüber dem Rahmen auszurichten sowie im Weiteren eine Folie zuzuführen, die mittig mit der dem Träger gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des Wafers sowie aussenseitig mit dem Rahmen verklebt wird.
Wird der Träger anschliessend, auf bekannte Art und Weise, vom Wafer gelöst, steht der Wafer unmittelbar in der beschriebenen weiteren Behandlungs- und Transporteinrichtung, die vom Rahmen und der Folie gebildet wird, für weitere Prozessschritte zur Verfügung.

   Er lässt sich, ohne dass der Wafer selbst mechanisch beansprucht wird, mit dem Rahmen transportieren, beispielsweise zu einer nachfolgenden Schneideeinrichtung, in der der Wafer, der immer noch auf der Folie aufliegt, in sogenannte Chips geschnitten wird.
Diese Chips, die in der Regel eine Grösse von maximal einigen cm<2>aufweisen, weisen aufgrund ihrer geringen Grösse eine ausreichende Biegesteifigkeit auf, um sie anschliessend mechanisch von der Folie abziehen zu können. c r * c
- 5 -
Soweit dies erforderlich ist, kann die dem Träger zugewandte Oberfläche des Wafers zuvor gereinigt werden.

   Auch für diesen Prozessschritt erweist sich die Konfektioniereinheit aus Rahmen und Folie als hilfreich.
In ihrer allgemeinsten Ausführungsform betrifft die Erfindung danach eine Vorrichtung zum Lösen eines temporär auf einer ersten Oberfläche einer Halbleiterscheibe befestigten Trägers von der Halbleiterscheibe, mit folgenden Merkmalen:
- einer 1. Einrichtung zum Zuführen eines Rahmens mit einer Ober- und Unterseite,
- einer 2. Einrichtung zum Zuführen der Halbleiterscheibe mit Träger in den vom Rahmen begrenzten Raum,
- einer 3. Einrichtung zur fluchtenden Ausrichtung der inneren, randnahen Oberfläche des Rahmens mit der vom Träger abgewandten 2. Oberfläche der Halbleiterscheibe,
- einer 4. Einrichtung zur Zuführung einer Folie, die zumindest auf einer ihrer Hauptflächen mindestens partiell eine Haftschicht aufweist,
- einer 5.

   Einrichtung zur Ausbildung einer Haftverbindung zwischen der die Haftschicht aufweisenden Hauptfläche der Folie mit der 2. Oberfäche der Halbleiterscheibe und der inneren, randseitigen Oberseite des Rahmens,
- einer 6. Einrichtung zum Lösen des Trägers von der Halbleiterscheibe . rrc r t c
- 6 -
Es liegt im Rahmen der Erfindung, mindestens eine der genannten Einrichtungen mit mindestens einer Funktion mindestens einer weiteren Einrichtung auszubilden. So kann zum Beispiel eine der Einrichtungen 1 bis 3 so ausgebildet sein, dass sie mindestens eine Funktion einer weiteren dieser Einrichtungen übernimmt. So kann die 2.

   Einrichtung zum Zuführen des Wafers mit Träger (Stack) in den vom Rahmen begrenzten Raum gleichzeitig dazu genutzt werden, den inneren, randnahen Oberflächenbereich des Rahmens mit der vom Träger abgewandten zweiten Oberfläche des Wafers fluchtend auszurichten, also gleichzeitig die Funktion der 3. Einrichtung zu übernehmen.
Ebenso können beispielsweise die 4. und 5. Einrichtung miteinander kombiniert werden, also mit einer Einrichtung beide Funktionen erfüllt werden.
Nach einer Ausführungsform besteht mindestens eine der Einrichtungen 1, 2 oder 6 aus einer Greifeinrichtung. Mit dieser Greifeinrichtung kann der Rahmen oder die Baueinheit aus Halbleiterscheibe und Träger zum Beispiel auf einem Tisch abgelegt werden. Dies kann gleichzeitig unter Erfüllung der Funktion der 3.

   Einrichtung erfolgen, so dass die korrespondierenden Oberflächen von Rahmen und Wafer fluchtend zueinander verlaufen. Die 4.. Einrichtung kann aus einer Abzugseinheit bestehen, die die Folie von einer Rolle über Rahmen und Wafer führt und selbst oder mit Hilfe einer weiteren Einrichtung die Folie anschliessend auf die genannten Oberflächenabschnitte von Rahmen und Wafer drückt (rollt) sowie gegebenenfalls die Folie abschneidet. Die Folie ist zumindest auf ihrer dem Wafer und Rahmen zugewandten Oberfläche mindestens partiell haftend ausgebildet.

   Sie besteht beispielsweise aus einem KunststoffBasismaterial, beispielsweise aus PVC und einer Klebebeschichtung.
Sobald die Folie mit dem Rahmen beziehungsweise der zweiten Waferoberfläche verbunden ist, kann der Träger auf an sich bekannte Art und Weise, wie vorstehend beschrieben, vom Wafer gelöst werden, zum Beispiel mit Wärme, UV-Licht oder einem Lösungsmittel. Er bleibt dabei, aufgrund der Klebeverbindung mit der Folie, die selbst am Rahmen fixiert ist, an der Folie haften.
Um den Träger zu lösen, kann die gesamte Einheit aus Rahmen, Folie, Wafer und Träger zuvor um 180[deg.] gedreht werden, wenn dies verfahrenstechnisch gewünscht wird. Die Unterseite liegt dann oben.
Um eine Positionierung des Wafers in der Rahmenöffnung zu erleichtern, sieht eine Ausführungsform vor, den Wafer mit Abstand zum inneren Rand des Rahmens anzuordnen.

   Mit anderen Worten: bei einem üblicherweise runden Wafer ist der Durchmesser des Wafers kleiner als der Innendurchmesser des Rahmens.
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche sowie den sonstigen Anmeldungsunterlagen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Dabei zeigen - jeweils in stark schematisierter Darstellung Figur 1: ein Blockbild einer erfindungsgemässen Vorrichtung
Figur 2: die Anordnung von Wafer und Träger in einem Rahmen auf einer Folie
Figur 3: das Lösen des Trägers vom Wafer
Figur 4 : die Anordnung des Wafers alleine auf der Folie im Rahmen.
Figur 1 zeigt einen Greifer 10, der einen Rahmen 12 (Figuren 2 bis 4) aus einer Kassette 14 in einer Einheit 16 auf einem Tisch T ablegt. Hierbei erfüllt der Greifer 10 die Funktion der 1.

   Einrichtung gemäss vorstehender Beschreibung.
Der Greifer 10 erfüllt gleichzeitig die Funktion der 2. Einrichtung und dient dazu, aus einem Depot 18 einen sogenannten stack (Baueinheit aus Wafer und Träger) der Einheit 16 zuzuführen und, wie in Figur 2 dargestellt, in einem vom Rahmen 12 umschlossenen kreisringförmigen Raum 20 abzulegen.
Der Greifer 10 übernimmt ebenfalls die Funktion der erwähnten 3. Einrichtung und richtet eine innere randnahe Oberfläche 12o des Rahmens 12 fluchtend mit der dem Träger 22 abgewandten zweiten Oberfläche 24o des Wafers fluchtend innerhalb der Einheit 16 auf dem erwähnten Tisch aus. t. ^ < t c r r r
- 9 -
Der Greifer 10 entnimmt anschliessend eine kreisförmige Folie 26 aus einem Stapel 28 und legt diese auf der Oberfläche 24o des Wafers 24 und dem inneren randnahen Bereich des Rahmens 12 ab.

   Eine schematisch in Figur 2 mit 30 gekennzeichnete Rolle, die die Funktion der 5. Einrichtung hat, fährt anschliessend über die Folie 26, die auf ihrer Hauptfläche, die dem Wafer 24 und dem Rahmen 12 zugewandt ist, eine Klebebeschichtung aufweist. Auf diese Weise wird die Folie 26 mit dem Rahmen 12 beziehungsweise der Waferoberfläche 24o (temporär) verbunden.
Der Greifer 10 übernimmt anschliessend auch die Funktion der 6. Einrichtung und überführt die in Figur 2 dargestellte Wafer-/Träger-Kombination, die im Rahmen 12 auf der Folie 26 aufgeklebt ist, in einen Vorrichtungsteil 32 (sogenannnter "debonder") , wobei sich der Greifarm auf dem Transportweg um 180[deg.] dreht.
Nach dem Lösen des Greifers liegen die Folie 26 beziehungsweise der Rahmen 12 auf einem Tisch auf und der Träger 22 steht nach oben vor.

   Er wird im Vorrichtungsteil 32 anschliessend erwärmt, so dass die Klebeverbindung zwischen Träger 22 und Wafer 24 aufgehoben wird. Der Greifer 10 kann anschliessend den Träger 22 greifen (Pfeile G) und nach oben abheben (Pfeile H in Figur 3) .
Es verbleibt der Rahmen 12 mit der anhaftenden Folie 26 und dem auf der Folie 26 anhaftenden Wafer 24 (Figur 4) . Anschliessend kann die erste Oberfläche 24u des Wafers von etwaigen Resten des Klebstoffes befreit werden. Danach steht die in Figur 4 dargestellte Einheit für weitere Behandlungsschritte zur Verfügung. So kann der Greifer 10 nunmehr den Rahmen 12 ergreifen und damit den Wafer 24 zu einer nachfolgenden Schneideinrichtung führen, wo er in Chips geschnitten wird, die anschliessend von der Folie 26 gelöst werden.

Claims (10)

Vorrichtung zum Lösen eines Trägers von einer Halbleiterscheibe P a t e n t a n s p r ü c h e
1.6 eine 6. Einrichtung (10), die anschliessend den Träger (22) von der Halbleiterscheibe (24) löst.
1.5 eine 5. Einrichtung (30), die eine Haftverbindung zwischen der die Haftschicht aufweisenden Hauptfläche der Folie (26) mit der zweiten Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24) und der inneren, randseitigen Oberseite (12o) des Rahmens (12) ausbildend ausgestaltet ist,
1.4 einer 4. Einrichtung (10) zur Zuführung einer Folie (26) , die zumindest auf einer ihrer Hauptflächen mindestens partiell eine Haftschicht aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass folgende weitere Merkmale vorgesehen sind:
NACHGERBCHT <EMI ID=15.1>
1.3 einer 3. Einrichtung (10) zur fluchtenden Ausrichtung der inneren, randnahen Oberseite (12o) des Rahmens (12) mit der vom Träger (22) abgewandten 2. Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24),
1.2 einer 2. Einrichtung (10) zum Zuführen der Halbleiterscheibe (24) mit Träger (22) in den vom Rahmen (12) begrenzten Raum (20),
1.1 einer 1. Einrichtung (10) zum Zuführen eines Rahmens (12) mit einer Ober- und Unterseite (12o, 12u) ,
1. Vorrichtung zum Lösen eines temporär auf einer ersten Oberfläche (24u) einer Halbleiterscheibe (24) befestigten Trägers (22) von der Halbleiterscheibe (24), mit folgenden Merkmalen:
1.6 einer 6. Einrichtung (10) zum Lösen des Trägers (22) von der Halbleiterscheibe (24) .
1.5 einer 5. Einrichtung (30) zur Ausbildung einer Haftverbindung zwischen der die Haftschicht aufweisenden Hauptfläche der Folie (26) mit der zweiten Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24) und der inneren, randseitigen Oberseite (12o) des Rahmens (12),
1.4 einer 4. Einrichtung (10) zur Zuführung einer Folie (26) , die zumindest auf einer ihrer Hauptflächen mindestens partiell eine Haftschicht aufweist. P ft rt r[pi]
1.3 einer 3. Einrichtung (10) zur fluchtenden Ausrichtung der inneren, randnahen Oberfläche (12o) des Rahmens (12) mit der vom Träger (22) abgewandten 2. Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24),
1.2 einer 2. Einrichtung (10) zum Zuführen der Halbleiterscheibe (24) mit Träger (22) in den vom Rahmen (12) begrenzten Raum (20) ,
1.1 einer 1. Einrichtung (10) zum Zuführen eines Rahmens (12) mit einer Ober- und Unterseite (12o, 12u) ,
1. Vorrichtung zum Lösen eines temporär auf einer ersten Oberfläche (24u) einer Halbleiterscheibe (24) befestigten Trägers (22) von der Halbleiterscheibe (24), mit folgenden Merkmalen:
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der 1. bis 6. Einrichtungen (10, 30) mindestens eine Funktion mindestens einer weiteren Einrichtung (30, 10) übernimmt.
- 2 -
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der mindestens eine der 1. bis 6. Einrichtungen (10, 30) mindestens eine Funktion mindestens einer weiteren Einrichtung (30, 10) übernimmt.
- 2 -
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der 1. bis 3. Einrichtungen (10) so ausgebildet ist, dass sie mindestens eine Funktion einer weiteren dieser Einrichtungen (10) übernimmt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der mindestens eine der 1. bis 3. Einrichtungen (10) so ausgebildet ist, dass sie mindestens eine Funktion einer weiteren dieser Einrichtungen (10) übernimmt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine der 4. oder 5. Einrichtungen (10) die Funktion der jeweils anderen Einrichtung (10) übernimmt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der eine der 4. oder 5. Einrichtungen (10) die Funktion der jeweils anderen Einrichtung (10) übernimmt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der 1., 2. oder 6. Einrichtung (10) eine Greifeinrichtung ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der mindestens eine der 1., 2. oder 6. Einrichtung (10) eine Greifeinrichtung ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die 5. Einrichtung (30) eine Andrückrolle umfasst.
N[Lambda]Ötf !
BÖCHT - 3 -
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die 5. Einrichtung
(30) eine Andrückrolle umfasst.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die 3. Einrichtung (10) die Halbleiterscheibe (24) mit Abstand zum inneren Rand des Rahmens (12) in diesen zuführt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die 3. Einrichtung (10) die Halbleiterscheibe (24) mit Abstand zum inneren Rand des Rahmens (12) in diesen zuführt. - 3 -
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die 1. und 2. Einrichtung (10) den Rahmen (12) beziehungsweise die Halbleiterscheibe (24) mit Träger
(22) auf einem Tisch (T) ablegen.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die 1. und 2. Ein richtung (10) den Rahmen (12) beziehungsweise die Hal
(TV leiterscheibe (24) mit Träger (22) auf einem Tisch /ablegen.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die 4. Einrichtung (10) die Folie (26) von oben in Richtung auf den Rahmen (12) und die zweite Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24) zuführt.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei dem die 4. Einrichtung (10) die Folie (26) von oben in Richtung auf den Rahmen (12) und die zweite Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24) zuführt.
10. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die 5. Einrichtung (30) die Folie (26) von oben auf den Rahmen (12) und die zweite Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24) auf rückt .
886/2001
Vorrichtung zum Lösen eines Trägers von einer Halbleiterscheibe
P a t e n t a n s p r ü c h e
10. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die 5. Einrichtung (30) die Folie (26) von oben auf den Rahmen (12) und die zweite Oberfläche (24o) der Halbleiterscheibe (24) aufdrückt.
-^^iRÜcHf
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2290679A1 (de) * 2009-09-01 2011-03-02 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat
US8443864B2 (en) 2009-03-18 2013-05-21 Ev Group Gmbh Device for stripping a wafer from a carrier
US8536020B2 (en) 2006-01-03 2013-09-17 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US9272501B2 (en) 2010-04-23 2016-03-01 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP4405246B2 (ja) * 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
US20050247039A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Textron Inc. Disposable magnetic bedknife
US20060162850A1 (en) * 2005-01-24 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for releasably attaching microfeature workpieces to support members
US7169248B1 (en) * 2005-07-19 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Methods for releasably attaching support members to microfeature workpieces and microfeature assemblies formed using such methods
US7749349B2 (en) 2006-03-14 2010-07-06 Micron Technology, Inc. Methods and systems for releasably attaching support members to microfeature workpieces
US7675606B2 (en) * 2006-05-05 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
EP2118669B1 (de) 2007-03-09 2013-01-30 Nexus Biosystems, Inc., Vorrichtung und verfahren zur entfernung eines abziehbaren siegels
US20090017323A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
JP4964107B2 (ja) * 2007-12-03 2012-06-27 東京応化工業株式会社 剥離装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
KR20120027237A (ko) * 2009-04-16 2012-03-21 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 웨이퍼 가접합 및 분리를 위한 개선된 장치
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
TWI395281B (zh) * 2009-07-23 2013-05-01 Epistar Corp 晶粒分類裝置
US9018308B2 (en) * 2009-12-01 2015-04-28 Pbi Performance Products, Inc. Polybenzimidazole/polyacrylate mixtures
US9064686B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
US20120083129A1 (en) 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for focusing plasma
US9478428B2 (en) 2010-10-05 2016-10-25 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode
KR102061359B1 (ko) 2011-10-31 2019-12-31 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 본딩된 웨이퍼 구조물 절개를 위한 클램핑 장치 및 절개 방법
DE102014205885B3 (de) * 2014-03-28 2015-03-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden von Substraten und anschließendem Lösen der stoffschlüssigen Verbindung, Verbundsystem und dessen Verwendung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE244233C (de)
JPS546456A (en) * 1977-06-17 1979-01-18 Hitachi Ltd Separating method into semiconductor pellet
JPS5931027A (ja) * 1982-08-13 1984-02-18 Seiko Epson Corp Ｘ線マスクの製造方法
JPS6060800A (ja) * 1983-09-13 1985-04-08 日東電工株式会社 リングと薄板の貼着装置
JPS60100450A (ja) * 1983-11-07 1985-06-04 Disco Abrasive Sys Ltd 半導体ウエーハ装着及び切断装置
DD244233A1 (de) * 1985-12-23 1987-03-25 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten von hl-scheiben
JPH05121543A (ja) * 1991-08-09 1993-05-18 Teikoku Seiki Kk ウエハーマウンタのウエハー支持方法、その装置及びその装置を備えるウエハーマウンタ
US5494549A (en) * 1992-01-08 1996-02-27 Rohm Co., Ltd. Dicing method
JP3156344B2 (ja) * 1992-03-13 2001-04-16 富士通株式会社 半導体ウェーハへのテープ添着方法とその装置
US5268065A (en) * 1992-12-21 1993-12-07 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JP3888754B2 (ja) * 1997-12-08 2007-03-07 日東電工株式会社 半導体ウエハの自動貼付け装置
JP3560823B2 (ja) * 1998-08-18 2004-09-02 リンテック株式会社 ウェハ転写装置
JP2000174100A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd チップ移載装置
JP3348700B2 (ja) * 1999-08-19 2002-11-20 株式会社東京精密 エッチング装置
JP2003152058A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Lintec Corp ウェハ転写装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8802542B2 (en) 2006-01-03 2014-08-12 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US8536020B2 (en) 2006-01-03 2013-09-17 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US8664082B2 (en) 2006-01-03 2014-03-04 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US8905111B2 (en) 2009-03-18 2014-12-09 Ev Group Gmbh Device for releasing an interconnect layer that provides connection between a carrier and a wafer
US8443864B2 (en) 2009-03-18 2013-05-21 Ev Group Gmbh Device for stripping a wafer from a carrier
US8603294B2 (en) 2009-03-18 2013-12-10 Ev Group Gmbh Method for stripping a wafer from a carrier
US8894807B2 (en) 2009-09-01 2014-11-25 Ev Group Gmbh Device and method for detaching a semiconductor wafer from a substrate
EP2706562A3 (de) * 2009-09-01 2014-09-03 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat mittels Kippens eines Filmrahmens
EP2290679A1 (de) * 2009-09-01 2011-03-02 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat
WO2011026570A1 (de) * 2009-09-01 2011-03-10 Ev Group Gmbh Vorrichtung und verfahren zum ablösen eines halbleiterwafers von einem trägersubstrat
US8986496B2 (en) 2009-09-01 2015-03-24 Ev Group Gmbh Device and method for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9186877B2 (en) 2009-09-01 2015-11-17 Ev Group Gmbh Method for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9381732B2 (en) 2009-09-01 2016-07-05 Ev Group Gmbh Device for stripping a product substrate from a carrier substrate
US9272501B2 (en) 2010-04-23 2016-03-01 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
US9381729B2 (en) 2010-04-23 2016-07-05 Ev Group Gmbh Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
US9457552B2 (en) 2010-04-23 2016-10-04 Ev Group Gmbh Method for detaching a product substrate off a carrier substrate

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