AT400848B - Vorrichtung zum züchten eines einkristalls - Google Patents
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---|---|---|---|---|
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JPS6389488A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-20 | Toshiba Corp | 単結晶の製造方法 |
DE3733487C2 (de) * | 1987-10-03 | 1997-08-14 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen |
WO1991005891A1 (fr) * | 1989-10-16 | 1991-05-02 | Nkk Corporation | Appareil destine a fabriquer des monocristaux de silicium |
JPH03183689A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置および引上方法 |
JP3016897B2 (ja) * | 1991-03-20 | 2000-03-06 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
US5363795A (en) * | 1991-09-04 | 1994-11-15 | Kawasaki Steel Corporation | Czochralski crystal pulling process and an apparatus for carrying out the same |
EP0530397A1 (en) * | 1991-09-04 | 1993-03-10 | Kawasaki Steel Corporation | Czochralski crystal pulling process and an apparatus for carrying out the same |
JP2862158B2 (ja) * | 1993-08-27 | 1999-02-24 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
JPH1179889A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ |
US6285011B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
KR101105526B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2012-01-13 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 잉곳 제조용 히터 및 이를 구비하는 단결정 잉곳 제조장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5645890A (en) * | 1980-06-30 | 1981-04-25 | Sony Corp | Crystal growing apparatus |
JPS5711897A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method of pulling up single crystal and device therefor |
EP0108259A2 (en) * | 1982-10-08 | 1984-05-16 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method for controlling vertically arranged heaters in a crystal pulling device |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2979386A (en) * | 1956-08-02 | 1961-04-11 | Shockley William | Crystal growing apparatus |
FR1316707A (fr) * | 1961-12-22 | 1963-02-01 | Radiotechnique | Perfectionnements aux dispositifs d'obtention de monocristaux par tirage |
DE1289950B (de) * | 1963-07-24 | 1969-02-27 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Ziehen von Halbleiterkristallen |
US3359077A (en) * | 1964-05-25 | 1967-12-19 | Globe Union Inc | Method of growing a crystal |
DE1769860A1 (de) * | 1968-07-26 | 1971-11-11 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Ziehen von versetzungsfreien Halbleitereinkristallstaeben |
JPS4921063A (en, 2012) * | 1972-06-15 | 1974-02-25 | ||
JPS6027464B2 (ja) * | 1976-09-28 | 1985-06-28 | 日本電気株式会社 | 高画素密度変換装置 |
DE2821481C2 (de) * | 1978-05-17 | 1985-12-05 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Vorrichtung zum Ziehen von hochreinen Halbleiterstäben aus der Schmelze |
US4277441A (en) * | 1979-01-15 | 1981-07-07 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Apparatus for monitoring crystal growth |
DE3005492C2 (de) * | 1980-02-14 | 1983-10-27 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung reinster Einkristalle durch Tiegelziehen nach Czochralski |
DE3027262A1 (de) * | 1980-07-18 | 1982-02-11 | Skf Kugellagerfabriken Gmbh, 8720 Schweinfurt | Im ziehverfahren hergestellte, duennwandige lagerbuechse |
JPH0244799B2 (ja) * | 1981-10-26 | 1990-10-05 | Sony Corp | Ketsushoseichohoho |
JPS5964591A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶引上装置 |
JPS59137399A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低転位密度単結晶の育成方法及びその装置 |
JPS60103097A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶引上装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711897A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method of pulling up single crystal and device therefor |
JPS5645890A (en) * | 1980-06-30 | 1981-04-25 | Sony Corp | Crystal growing apparatus |
EP0108259A2 (en) * | 1982-10-08 | 1984-05-16 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method for controlling vertically arranged heaters in a crystal pulling device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
IT8521977A0 (it) | 1985-08-23 |
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