AT344283B - Transistorisierter gegentaktwandler - Google Patents

Description

  



   PATENTANSPRUCH : 
Transistorisierter Gegentaktwandler, bei dem die einen Transistorelektroden zweier Transistoren gemeinsam an den einen Pol der Eingangs-Gleichspannungsquelle angeschlossen sind, wogegen die beiden andern Elektroden der Schaltstrecke der beiden Transistoren je an ein anders Ende der Primärwicklung eines den Ausgang bildenden Übertragers angeschlossen sind, wobei eine Mittenanzapfung dieser Primärwicklung an den zweiten Pol der Gleichspannungsquelle geführt ist und eine kapazitive Verbindung zwischen zwei Elektroden dieser Transistoren,   z. B.   den beiden Kollektoren besteht,   dadurch     gekennzeichnet,   dass zur Unterbindung von um den Faktor 10 oder 100 möglicher erhöhter 

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  Schwingfrequenz bei sprunghafter Änderung seiner Schwingungsart diese kapazitive Verbindung eine Serienschaltung von ohmschen Widerstand und Kapazität zwischen beiden Kollektoren und/oder zwischen beiden Basen oder/und eine reine Kapazität zwischen der Basis und dem Emitter zumindest eines Transistors umfasst.

Claims (1)

1. <Desc/Clms Page number 1>

   Die Erfindung betrifft einen transistorisierten Gegentaktwandler, bei dem die einen Transistorelektroden zweier Transistoren gemeinsam an den einen Pol der Eingangs-Gleichspannungsquelle angeschlossen sind, wogegen die beiden andern Elektroden der Schaltstrecke der beiden Transistoren je an ein anders Ende der Primärwicklung eines den Ausgang bildenden Übertragers angeschlossen sind, wobei eine Mittenanzapfung dieser Primärwicklung an den zweiten Pol der Gleichspannungsquelle geführt ist und eine kapazitive Verbindung zwischen zwei Elektroden dieser Transistoren, z. B. den beiden Kollektoren besteht.

   Solche nach dem Durchflussprinzip meist als DC-Wandler mit transformatorischer Übertragung der elektrischen Energie arbeitende Wandler haben, besonders bei grösserer Streuinduktivität des Übertragers zwischen Primär-und Sekundärwicklung, unter bestimmten Belastungsverhältnissen, vor allem bei höherer Belastung, die Tendenz, die Schwingungsart sprunghaft zu ändern, wobei die Leistungsfähigkeit stark zurückgeht. Die sprunghafte Änderung im Schwingungszustand spielt sich derart ab, dass die Schwingfrequenz schlagartig ganz erheblich ansteigt (z. B. um einen Faktor 10 oder 100), wobei die Primär- und die Sekundärwicklung des Übertragers infolge der Streuinduktivität entkoppelt werden.

   Daraus folgen verschiedene schwerwiegende Nachteile, etwa die erhebliche Verminderung der übertragbaren Leistung, sowie ein Ansteigen der Schaltverluste in den Transistoren sowie der Verluste im Kernmaterial des Übertragers.

   Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, auch bei hohen Grenzfrequenzen, deren wilde Schwingungen im UHF Bereich liegen, eine bewusst gesteigerte Wirkung der Unterbindung von diesen Schwingungen zu schaffen.

   Erfindungsgemäss ist der eingangs genannte transistorisierte Gegentaktwandler dadurch gekennzeichnet, dass zur Unterbindung von um den Faktor 10 oder 100 möglicher erhöhter Schwingfrequenz bei sprunghafter Änderung seiner Schwingungsart diese kapazitive Verbindung eine Serienschaltung von ohmschen Widerstand und Kapazität zwischen beiden Kollektoren und/oder zwischen beiden Basen oder/und eine reine Kapazität zwischen der Basis und dem Emitter zumindest eines Transistors umfasst.

   Durch die Erfindung ist es erstmals möglich, Gegentaktwandler ohne Bedachtnahme auf die erkannte Möglichkeit wilder Schwingungen für den normalen Betrieb möglichst günstig auszulegen und eine sich ergebende unerwünschte Schwingneigung zu unterdrücken.

   Die Zeichnung zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Gegentaktwandlers, der drei verschiedene erfindungsgemässe Beschaltungsvarianten gleichzeitig aufweist, was jedoch nicht bedeutet, dass nicht auch für eine oder zwei Anwendungen finden können.

   Die beiden an die Enden der Primärwicklung des Übertragers angeschlossenen Transistoren sind mit - -T 1 und T 2-- bezeichnet. Sie sind mit einer nicht gezeichneten Selbststeuerung versehen. Einer bestehenden Tendenz zu einer spontanen starken Steigerung der Schwingfrequenz wird durch folgende, auch einzeln anwendbare Massnahmen entgegengewirkt : Zwischen die Basen der beiden im Gegentakt arbeitenden Transistoren --T1, T2-- ist die Serienschaltung einer Kapazität-Ci--und eines Widerstandes-R-geschaltet.

   Zwischen die Kollektoren der beiden Transistoren --T1, T2-- ist die Serienschaltung einer Kapazität - Cn--und eines Widerstandes-R --geschaltet.

   Die Basis-Emitter-Strecke eines einzelnen oder beider bzw. aller Transistoren ist mit (je) einer Kapazität --C3, C4-- überbrückt. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.