AT318009B - Verfahren zum Herstellen einer Metallschicht aus mehreren Metallfilmen auf Oberflächen von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Metallschicht aus mehreren Metallfilmen auf Oberflächen von Halbleiterbauelementen

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AT318009B
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4620215A (en) * 1982-04-16 1986-10-28 Amdahl Corporation Integrated circuit packaging systems with double surface heat dissipation
US4526807A (en) * 1984-04-27 1985-07-02 General Electric Company Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates
US4810463A (en) * 1986-09-12 1989-03-07 Syracuse University Process for forming sintered ceramic articles
US4789645A (en) * 1987-04-20 1988-12-06 Eaton Corporation Method for fabrication of monolithic integrated circuits
GB8909729D0 (en) * 1989-04-27 1990-04-25 Ici Plc Compositions
JPH05206134A (ja) * 1991-11-12 1993-08-13 Nec Corp 半導体装置とその製造方法
US20060108672A1 (en) * 2004-11-24 2006-05-25 Brennan John M Die bonded device and method for transistor packages

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2694016A (en) * 1950-06-01 1954-11-09 Du Pont Method of producing coated ceramic capacitor
US2805965A (en) * 1952-09-25 1957-09-10 Sprague Electric Co Method for producing deposits of metal compounds on metal
US3067315A (en) * 1960-02-08 1962-12-04 Gen Electric Multi-layer film heaters in strip form
GB930091A (en) * 1960-06-24 1963-07-03 Mond Nickel Co Ltd Improvements relating to the production of semi-conductor devices
US3287612A (en) * 1963-12-17 1966-11-22 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor contacts and protective coatings for planar devices
US3460003A (en) * 1967-01-30 1969-08-05 Corning Glass Works Metallized semiconductor device with fired-on glaze consisting of 25-35% pbo,10-15% b2o3,5-10% al2o3,and the balance sio2
US3616348A (en) * 1968-06-10 1971-10-26 Rca Corp Process for isolating semiconductor elements
US3549415A (en) * 1968-07-15 1970-12-22 Zenith Radio Corp Method of making multilayer ceramic capacitors
US3622322A (en) * 1968-09-11 1971-11-23 Rca Corp Photographic method for producing a metallic pattern with a metal resinate
US3635759A (en) * 1969-04-04 1972-01-18 Gulton Ind Inc Method of eliminating voids in ceramic bodies

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NL7102911A (de) 1971-09-15
GB1286433A (en) 1972-08-23

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