AT318007B - Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden Metallschicht auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden Metallschicht auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe

Info

Publication number
AT318007B
AT318007B AT128971A AT128971A AT318007B AT 318007 B AT318007 B AT 318007B AT 128971 A AT128971 A AT 128971A AT 128971 A AT128971 A AT 128971A AT 318007 B AT318007 B AT 318007B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
producing
well
metal layer
semiconductor wafer
adhering metal
Prior art date
Application number
AT128971A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT318007B publication Critical patent/AT318007B/de

Links

Classifications

    • H10P95/00
    • H10W20/40
    • H10W74/47
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/112Cellulosic
AT128971A 1970-03-13 1971-02-15 Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden Metallschicht auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe AT318007B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702012063 DE2012063A1 (de) 1970-03-13 1970-03-13 Verfahren zum Herstellen von aus Alu minium Legierungen bestehenden Kontakt metallschichten an Halbleiterbauelementen
DE19702012031 DE2012031A1 (de) 1970-03-13 1970-03-13 Verfahren zum Herstellen von aus Chrom oder Molybdän bestehenden Kontaktmetallschichten in Halbleiterbauelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT318007B true AT318007B (de) 1974-09-25

Family

ID=25758815

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT128971A AT318007B (de) 1970-03-13 1971-02-15 Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden Metallschicht auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe
AT01776/71A AT318008B (de) 1970-03-13 1971-03-02 Verfahren zum herstellen von aus aluminium-,silber-oder titan-legierungen bestehenden kontaktmetallschichten auf den oberflaechen von halbleiterbauelementen

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT01776/71A AT318008B (de) 1970-03-13 1971-03-02 Verfahren zum herstellen von aus aluminium-,silber-oder titan-legierungen bestehenden kontaktmetallschichten auf den oberflaechen von halbleiterbauelementen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3723178A (de)
AT (2) AT318007B (de)
CH (1) CH522045A (de)
DE (2) DE2012031A1 (de)
FR (2) FR2081909A1 (de)
GB (2) GB1286426A (de)
NL (2) NL7103362A (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2108849C3 (de) * 1971-02-25 1979-03-01 E W Wartenberg Verfahren zum Herstellen dünner, farbiger Lusteruberzüge auf Körpern aus glasiertem Porzellan, glasierter Keramik, Glas oder Emaille
FR2412164A1 (fr) * 1977-12-13 1979-07-13 Radiotechnique Compelec Procede de creation, par serigraphie, d'un contact a la surface d'un dispositif semi-conducteur et dispositif obtenu par ce procede
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
JP3724592B2 (ja) * 1993-07-26 2005-12-07 ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド 半導体基板の平坦化方法
DE102006021410B4 (de) * 2006-05-09 2009-07-16 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtgebildes und Verwendung des Verfahrens
KR20210038576A (ko) 2018-07-27 2021-04-07 우미코레 아게 운트 코 카게 반도체 소자 또는 전자 메모리 제조용 유기 금속 화합물
EP3599241A1 (de) * 2018-07-27 2020-01-29 Umicore Ag & Co. Kg Metallorganische verbindungen zur herstellung eines halbleiterelements oder eines elektronischen speichers

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3434871A (en) * 1965-12-13 1969-03-25 Engelhard Ind Inc Method for preparing chromium-containing films
GB1107700A (en) * 1966-03-29 1968-03-27 Matsushita Electronics Corp A method for manufacturing semiconductor devices
US3477872A (en) * 1966-09-21 1969-11-11 Rca Corp Method of depositing refractory metals

Also Published As

Publication number Publication date
AT318008B (de) 1974-09-25
US3723178A (en) 1973-03-27
FR2081914A1 (de) 1971-12-10
DE2012031A1 (de) 1971-09-23
NL7103357A (de) 1971-09-15
FR2081909A1 (de) 1971-12-10
CH522045A (de) 1972-04-30
NL7103362A (de) 1971-09-15
GB1291209A (en) 1972-10-04
DE2012063A1 (de) 1971-09-30
GB1286426A (en) 1972-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH505473A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
CH495842A (de) Verfahren zum Herstellen eines Schichtbauteils
CH540099A (de) Verfahren zum Beschichten einer Fläche
AT307590B (de) Verfahren zum Herstellen einer anorganischen Beschichtung auf einer Unterlage
ATA774874A (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung aus silizium
AT300850B (de) Verfahren zum kontinuierlichen Erzeugen einer lithographischen Oberfläche
AT318932B (de) Verfahren zum Herstellen metallkeramischer Gegenstände
CH498490A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
AT318007B (de) Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden Metallschicht auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe
CH497793A (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium- oder Germaniumstickstoff- Verbindung an der Oberfläche einer Halbleiterkristalls
CH510937A (de) Verfahren zum Herstellen einer Isolierschicht auf der Oberfläche eines Halbleiterkristalls
CH526848A (de) Verfahren zum Herstellen einer Spule
CH516476A (de) Verfahren zum Herstellen eines Kristalls einer Halbleiterverbindung
AT310252B (de) Verfahren zum Herstellen eines Magnesium-Aluminium-Spinellsubstrates zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterialschichten
IT974327B (it) Metodo per indurire la superficie di oggetti metallici
CH525027A (de) Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterverbindung
IT974644B (it) Metodo per il trattamento superfi ciale di articoli
AT318009B (de) Verfahren zum Herstellen einer Metallschicht aus mehreren Metallfilmen auf Oberflächen von Halbleiterbauelementen
AT348474B (de) Vorrichtung zum aufbringen einer ebenen schicht
AT337779B (de) Verfahren zum kontaktieren einer halbleiterscheibe
CH500592A (de) Verfahren zum Herstellen epitaktischer Halbleiterschichten auf einem Substratkörper
CH530093A (de) Verfahren zur Herstellung einer dünnen Halbleiterscheibe
AT324426B (de) Verfahren zum herstellen eines pnp-silizium-transistors
AT338592B (de) Verfahren zum unterplattierungs-rissfreien auftragschweissen
CH532128A (de) Verfahren zum Aufdampfen einer dünnen Schicht

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee