CH497538A - Verfahren zum Herstellen einer Niobschicht durch schmelzflusselektrolytische Abscheidung auf einem Kupferträger - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Niobschicht durch schmelzflusselektrolytische Abscheidung auf einem Kupferträger

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CH497538A
CH497538A CH287670A CH287670A CH497538A CH 497538 A CH497538 A CH 497538A CH 287670 A CH287670 A CH 287670A CH 287670 A CH287670 A CH 287670A CH 497538 A CH497538 A CH 497538A
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copper substrate
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niobium layer
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Lugscheider Walter D Dipl-Phys
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Siemens Ag
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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