AT235903B - Geregelter Transistorverstärker - Google Patents

Description

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  Geregelter Transistorverstärker 
 EMI1.1 
 

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 EMI2.1 
 
 EMI2.2 
 
<tb> 
<tb> Transistoren <SEP> Widerstände <SEP> Kondensatoren <SEP> Selbstinduktion
<tb> 4 <SEP> =OC <SEP> 171 <SEP> 8 <SEP> =50 <SEP> kQ <SEP> 9 <SEP> = <SEP> 0, <SEP> 5fiF <SEP> 3 <SEP> = <SEP> 2 <SEP> mH <SEP> 
<tb> 5=OCl71 <SEP> 10 <SEP> = <SEP> 1 <SEP> kQ <SEP> 11 <SEP> = <SEP> 0, <SEP> 1/l <SEP> F <SEP> 
<tb> 12 <SEP> = <SEP> 1,2 <SEP> kQ <SEP> 14 <SEP> = <SEP> 0, <SEP> lpF <SEP> 
<tb> 13 <SEP> = <SEP> 3, <SEP> 9 <SEP> kQ
<tb> 
 
 EMI2.3 
 wendbar ist. Sie kann dann z. B. in der   Hochfrequenzverstärkerstufe eines   Fernsehempfängers verwendet werden. In diesem Falle wird man die Impedanz der Eingangsquelle dem Eingangswiderstand des Transistors 4 anpassen.

   Die genannte Impedanz ist bei diesen hohen Frequenzen in der Regel grösser als diejenige der   Basis-Emitter-Kapazität   des Transistors. 



   Zur weiteren Verstärkungsregelung kann die Verbindungsleitung 15 zwischen dem Kollektor des Transistors 4 und dem Emitter des Transistors 5 über eine spannungsabhängige Impedanz mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden werden.   Als spannungsabhängige Impedanz   kann   z. B.   eine spannungabhängige Kapazität, etwa eine in Sperrichtung betriebene Diode 16 dienen. Mit zunehmender Regelung wird die Sperrspannung über dieser Diode kleiner, wodurch die Kapazität der Diode, welche parallel zum Transistor 4 liegt, sich vergrössert. Hiemit kann der Regelbereich noch um einige db ausgedehnt werden, insbesondere, wenn die Vorrichtung bei hohen Frequenzen verwendet wird.

Claims (1)

1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Geregelter Transistorverstärker, bei dem das zu verstärkende Signal zwischen Basis-und Emitterelektrode einem ersten Transistor zugeführt wird und das verstärkte Signal dem Kollektor eines zweiten Transistors entnommen wird und bei dem die Emitterelektrode des zweiten Transistors mit der Kollektorelektrode des ersten Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstärkungsregelung durch Änderung der Basisgleichspannung des zweiten Transistors (5) erfolgt und dass der Emittergleichstrom des ersten Transistors (4) mittels Emitterwiderstandes (10) und festgehaltener Basisgleichspannung festgehalten wird, so dass durch die Regelung der Kollektorgleichstrom dieses Transistors auf einen Wert absinken kann, der beträchtlich kleiner ist als dessen Emitterstrom.

   2. Geregelter Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung (15) zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (4) und dem Emitter des zweiten Transistors (5) über eine spannungsabhängige Impedanz (16), z. B. eine spannungsabhängige Kapazität, mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist.