AT231008B - Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais - Google Patents
Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere RelaisInfo
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais Die zur Zeit üblichen Germanium-Transistoren haben eine maximal zulässige Kollektorspitzenspan- nung von-30 V. Sollen Transistorschaltungen von höheren Gleichspannungen betrieben werden, so ist es üblich, diese an normale ohmsche Spannungsteiler anzuschliessen. Eine solche Schaltungsanordnung zeigt Fig. l der Zeichnung. Der Transistor ist im nicht angeregten 21stand gesperrt und wird erst nach Ansprechen der Vorschaltung leitend. Das Ausgangsglied, beispielsweise ein Relais, kann hiebei sowohl, wie in Fig. l dargestellt, im Kollektorkreis als auch im Emitterkreis des Transistors liegen. Eine Schaltung dieser Art ist brauchbar, solange die Stromaufnahme der gesamten Schaltung im angesprochenen Zustand nicht sehr von der im nicht angesprochenen Zustand abweicht, da sonst die Spannung am Ausgangsglied so weit zusammenbrechen kann, dass die Funktion der gesamten Schaltung gefährdet ist. Diese Bedingung wird aber in den meisten Fällen, wo als Ausgangsglied ein Relais, magnetischer Verstarker od. ähnl. verwendet wird, nicht erfüllt. Soll aber trotzdem ein normaler Spannungsteiler verwendet werden. so muss er niederohmiger gemacht werden, damit die abgegriffene Spannung nach dem Ansprechen der Schaltung nicht zu weit zusammenbricht. Dies bedeutet aber eine wesentliche Erhöhung der Verlustleistung im nicht angesprochenen Zustand. Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung für durch Transistoren geschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais, bei der durch Spannungsteiler die Kollektorspannung der Transistoren auf einen zulässigen Wert herabgesetzt wird. Erfindungsgemäss ist das durch den Transistor zu schaltende Ausgangsglied selbst ein Teil des Spannungsteilers, der im nicht erregten Zustand des Ausgangsgliedes durch die Emitterkóllektorstrecke eines aufgesteuerten Transistors kurzgeschlossen ist. Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung ist in Fig. 2der Zeichnung dargestellt : als Ausgangsglied, welches durch den Transistor geschaltet wird, ist nach dem Ausführungsbeispiel wieder ein Relais vorgesehen. Dieses Relais ist direkt über einen Vorwiderstand an die Betriebsspannung Ub angeschlossen, so dass der Spannungsteiler durch den Vorwiderstand und den Wicklungswiderstand dieses Relais gebildet wird, Der Relaiswicklung ist die Emitter-Kollektorstrecke des Schalttransistors parallelgeschaltet, welcher im Normalzustand aufgesteuert ist. Das Relais selbst ist auf diese Weise im Normalzustand kurzge schlossen und kann nur erregt werden, wenn die nicht dargestellte Vorschaltung den Transistor zusteuert. Die Verlustleistung diesererfindungsgemässenSchaltungsanordnung ist im Vergleichzu derjenigen der bekannten Schaltungsanordnung nach Fig. 1 sehr wesentlich geringer, was an Hand des Diagramms nach Fig. 3 näher erläutert werden soll. Dieses Diagramm zeigt das Verhältnis der Verlustleistung N der bekannten Schaltung im Vergleich zur Verlustleistung N dererfindungsgemässenSchaltungfürden Fall, dass das Ausgangsglied nicht erregt ist, in Abhängigkeit von der Differenz der Spannungen, welche im er- EMI1.1 tritt. Das Diagramm gilt für eine Nenngleichspannung Ub = 220 V und eine Spannung von 24 V am Widerstand R2 der Schaltung nach Fig. 1 im nicht angesprochenen Zustand. Die Spannung von 24 V wurde deshalb gewählt, damit auch bei 20'ho Überspannung die maximal zulässige Kollektorspitzenspannung von <Desc/Clms Page number 2> 30 V nicht überschritten wird. Vorausgesetzt ist, dass der Leistungsverbrauch der Ausgangsglipder in beiden miteinander verglichenen Schaltungen der gleiche ist. Aus dem Diagramm ist beispielsweise ersichtlich, dass die Verlustleistung der Schaltung nach Fig. l im nicht erregten Zustand des Ausgangsgliedes 9, 5 - mal so gross ist wie diejenige der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung, wenn der Spannungstei- ler in der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 so bemessen ist, dass die Spannung am Widerstand R bei Erregung des Relais um 2 V gegenüber der Spannung am gleichen Widerstand im nicht erregten Zustand absinkt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Schaltungsanordnung für durch Transistoren geschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais, die in Anordnungen mit einer Spannung betrieben werden, die ein Mehrfaches der Kollektorspitzenspannung des Transistors beträgt und bei der durch Spannungsteiler die Kollektorspannung der Transistoren auf einen zulässigen Wert herabgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das durch den Transistor EMI2.1
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE231008T | 1960-07-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT231008B true AT231008B (de) | 1964-01-10 |
Family
ID=29721672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT580261A AT231008B (de) | 1960-07-28 | 1961-07-27 | Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT231008B (de) |
-
1961
- 1961-07-27 AT AT580261A patent/AT231008B/de active
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