AT231008B - Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais - Google Patents

Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais

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AT231008B
AT231008B AT580261A AT580261A AT231008B AT 231008 B AT231008 B AT 231008B AT 580261 A AT580261 A AT 580261A AT 580261 A AT580261 A AT 580261A AT 231008 B AT231008 B AT 231008B
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    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
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Description


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  Schaltungsanordnung für   transistorgeschaltete Ausgangsglieder,   insbesondere Relais 
Die zur Zeit üblichen Germanium-Transistoren haben eine maximal zulässige Kollektorspitzenspan- nung von-30 V. Sollen Transistorschaltungen von höheren Gleichspannungen betrieben werden, so ist es üblich, diese an normale ohmsche Spannungsteiler anzuschliessen. Eine solche Schaltungsanordnung zeigt Fig.   l   der Zeichnung. Der Transistor ist im nicht angeregten   21stand   gesperrt und wird erst nach Ansprechen der Vorschaltung leitend. Das Ausgangsglied, beispielsweise ein Relais, kann hiebei sowohl, wie in Fig.   l   dargestellt, im Kollektorkreis als auch im Emitterkreis des Transistors liegen.

   Eine Schaltung dieser Art ist brauchbar, solange die Stromaufnahme der gesamten Schaltung im angesprochenen Zustand nicht sehr von der im nicht angesprochenen Zustand abweicht, da sonst die Spannung am Ausgangsglied so weit zusammenbrechen kann, dass die Funktion der gesamten Schaltung gefährdet ist. Diese Bedingung wird aber in den meisten Fällen, wo als Ausgangsglied ein Relais, magnetischer   Verstarker od. ähnl. verwendet   wird, nicht erfüllt. Soll aber trotzdem ein normaler Spannungsteiler verwendet werden. so muss er niederohmiger gemacht werden, damit die abgegriffene Spannung nach dem Ansprechen der Schaltung nicht zu weit zusammenbricht. Dies bedeutet aber eine wesentliche Erhöhung der Verlustleistung im nicht angesprochenen Zustand. 



   Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung für durch Transistoren geschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais, bei der durch Spannungsteiler die Kollektorspannung der Transistoren auf einen zulässigen Wert herabgesetzt wird. Erfindungsgemäss ist das durch den Transistor zu schaltende Ausgangsglied selbst ein Teil des Spannungsteilers, der im nicht erregten Zustand des Ausgangsgliedes durch die   Emitterkóllektorstrecke   eines aufgesteuerten Transistors kurzgeschlossen ist. 



   Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung ist in Fig. 2der Zeichnung dargestellt : als Ausgangsglied, welches durch den Transistor geschaltet wird, ist nach dem Ausführungsbeispiel wieder ein Relais vorgesehen. Dieses Relais ist direkt über einen Vorwiderstand an die Betriebsspannung Ub   angeschlossen, so dass   der Spannungsteiler durch den Vorwiderstand und den Wicklungswiderstand dieses Relais gebildet wird, Der Relaiswicklung ist die Emitter-Kollektorstrecke des Schalttransistors parallelgeschaltet, welcher im Normalzustand aufgesteuert ist. Das Relais selbst ist auf diese Weise im Normalzustand kurzge schlossen und kann nur erregt werden, wenn die nicht dargestellte Vorschaltung den Transistor zusteuert. 



   Die Verlustleistung diesererfindungsgemässenSchaltungsanordnung ist im Vergleichzu derjenigen der bekannten Schaltungsanordnung nach Fig. 1 sehr wesentlich geringer, was an Hand des Diagramms nach Fig. 3 näher erläutert werden soll. Dieses Diagramm zeigt das Verhältnis der Verlustleistung   N   der bekannten Schaltung im Vergleich zur Verlustleistung    N     dererfindungsgemässenSchaltungfürden   Fall, dass das Ausgangsglied nicht erregt ist, in Abhängigkeit von der Differenz der Spannungen, welche im er- 
 EMI1.1 
 tritt. 



   Das Diagramm gilt für eine Nenngleichspannung Ub = 220 V und eine Spannung von 24 V am Widerstand R2 der Schaltung nach Fig. 1 im nicht angesprochenen Zustand. Die Spannung von 24 V wurde deshalb gewählt, damit auch bei   20'ho   Überspannung die maximal zulässige Kollektorspitzenspannung von 

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 30 V nicht überschritten wird. Vorausgesetzt ist, dass der Leistungsverbrauch der   Ausgangsglipder   in beiden miteinander verglichenen Schaltungen der gleiche ist.

   Aus dem Diagramm ist beispielsweise ersichtlich, dass die Verlustleistung der Schaltung nach Fig.   l   im nicht erregten Zustand des Ausgangsgliedes 9, 5 - mal so gross ist wie diejenige der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung, wenn der   Spannungstei-   ler in der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 so bemessen ist, dass die Spannung am Widerstand    R   bei Erregung des Relais um 2 V gegenüber der Spannung am gleichen Widerstand im nicht erregten Zustand absinkt.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Schaltungsanordnung für durch Transistoren geschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais, die in Anordnungen mit einer Spannung betrieben werden, die ein Mehrfaches der Kollektorspitzenspannung des Transistors beträgt und bei der durch Spannungsteiler die Kollektorspannung der Transistoren auf einen zulässigen Wert herabgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das durch den Transistor EMI2.1
AT580261A 1960-07-28 1961-07-27 Schaltungsanordnung für transistorgeschaltete Ausgangsglieder, insbesondere Relais AT231008B (de)

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