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Magnetisches Schieberegister
Die Erfindung bezieht sich auf ein magnetisches Schieberegister, in dem die Trägerlaufzeit von
Transistoren zur Zwischenspeicherung einer einem Kern entnommenen Information benutzt wird.
Eine bekannte Einrichtung ist so aufgebaut, dass zu einer bestimmten Zeit Kerne eines Schieberegisters die Information L und andere Kerne die Information 0 speichern. Zur Weiterleitung dieser Informationen im magnetischen Schieberegister tragen die Kerne eine gemeinsame Verschiebewicklung. Dieser wird ein Impuls aufgedrückt, wodurch die Information dem entsprechenden Kern entnommen wird. Als notwendige
Folge dieses Impulses nimmt der Kern den der Information 0 entsprechenden Magnetisierungszustand an, wenn die Information L gespeichert war. Gleichzeitig wird die entnommene Information dem nächsten
Kern zugeführt, indem dessen Magnetisierungszustand umgekehrt wird, wenn er die Information L speichern soll. Da aber eine Information einem Kern nicht gleichzeitig eingezeichnet und entnommen werden kann, ist eine vorübergehende Speicherung dieser Information erforderlich.
Zu diesem Zweck wird ein Transistor so angeordnet, dass seine Basis in Reihe mit einer am Erdpotential liegenden Ausgangswicklung eines Kernes, sein Emitter über einen Widerstand mit der Erdleitung und sein Kollektor mit der Eingangswicklung des folgenden Kernes verbunden ist. Die Wicklungen auf dem Kern und die Arbeitspotentiale des Transistors sind derart gewählt, dass beim Eintreffen eines Verschiebeimpulses derTraMistor in das Sättigungsgebiet gesteuert wird, um den Strom im Kollektorstromkreis, dem die Eingangswicklung des folgenden Kernes einbezogen ist, nach Abklingen des Verschiebeimpulses kurzzeitig aufrechtzuhalten.
Wird also durch den verschiebeimpuls aut der Verschiebewicklung der Magnetisierungszustand des ersten Kernes umgekehrt, beginnt im Kollektorstromkreis Strom zu fliessen, der über die zugehörige Eingangswicklung den nächsten Kern in den umgekehrten Magnetisierungszustand überführt. Dies erfolgt aber immer erst dann, wenn der Verschiebeimpuls in der Verschiebewicklung abklingt. Der Transistor arbeitet demnach in der Weise, dass er eine dem ersten Kern entnommene Information so lange speichert, bis der Verschiebeimpuls in der Verschiebewicklung des zweiten Kernes zu wirken aufhört. Somit kann eine einzelne Information L durch fortwährendes Aufdrücken von Verschiebeimpulsen und laufender Zwischenspeicherung in den Transistoren und Verstärkung zu allen Kernen des Schieberegisters fortschreiten.
Der Nachteil dieser Einrichtung tritt dann hervor, wenn Informationen der Reihe 0 oder L gespeichert werden sollen, denn dann wird die Information nur in jedem zweiten Kern des Schieberegisters gespeichert, während die ändern Kerne stets im Null-Zustand sind. Ist also ein Kern in seinem Ein-Zustand, ist der sich vor ihm befindliche und der ihm nachfolgende Kern im Null-Zustand. Das hängt unmittelbar damit zu- sammen, dass bei aufeinanderfolgenden positiven und negativen. an die Basis der Transistoren gelangenden Impulsen durch den positiven Impuls eine wesentliche Verminderung der Ladungsträgerspeicherung auftritt, so dass die Transistoren nicht lange genug im Sättigungszustand gehalten werden können und die Information die nächsten Kerne erreicht, wenn der Verschiebeimpuls noch anliegt.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, die Trägerlaufzeit von Transistoren in magnetischen Schieberegistern so zu stabilisieren, dass in aufeinanderfolgenden Kernen Informationen gleichen Wertes gespeichert werden können.
Erfindungsgemäss lässt sich das dadurch erreichen, dass der Basis eines mit der Ausgangswicklung eines
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ihm vorangegangenen und mit der Eingangswicklung eines ihm nachfolgenden Kerns verbundener Transi- stor eine Diode vorgeschaltet ist, deren Rekombinationszeit kleiner als die der Eingangsdiode des Transi- stors ist, die die Trägerlaufzeit in Transistoren durch Unterdrücken der Störimpule vergrössert.
Die Erfindung soll mittels Zeichnungen beschrieben werden : Fig. l zeigt das erfindungsgemässe Schie- I beregister, Fig. 2 die im Schieberegister auftretenden Informationen.
Das magnetische Schieberegister nach Fig. l besteht beispielsweise aus den Kernen 1 und 2, von de- nen der Kern 1 die Eingangswicklung 3, die Verschiebewicklung 5 und die Ausgangswicklung 4 trägt. In
Reihe mit der Ausgangswicklung 4 des Kernes 1 liegt eine Diode 7, die mit der Basis eines Transistors 8 verbunden ist. An dem Kollektor des Transistors 8 ist die Eingangswicklung 6 des Kernes 2 angeschlossen, deren anderes Ende an negativem Potential liegt. Wie der Kern 1 besitzt auch der Kern 2 die Verschiebe- wicklung 5 und die Ausgangswicklung 4, die wieder über Diode 7 mit dem Transistor 8 in Reihe liegt.
Gleichzeitig ist die Ausgangswicklung 4 an das Erdpotential E angeschlossen.
Speichern in ihrem Anfangszustand der Kern 1 die Information L, der Kern 2 die Information 0, kann durch Eingabe eines Verschiebeimpulses an die Verschiebewicklung 5 die Information L vom Kern 1 zum
Kern 2 übertragen werden. Dabei wird der Magnetisierungszustand des Kernes 1 umgekehrt. Als Folge
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Arbeitspotential des Transistors 8 so festgelegt sind, dass durch den negativen Impuls an der Basis des Transistors 8 dieser bis zur Sättigung ausgesteuert wird, fliesst auch nach Abschalten des Verschiebeimpulses noch ein Kollektorstrom zur Wicklung 6 des Kernes 2, wodurch die Information L des Kernes 1 in den Kern 2 eingetragen worden ist.
Tritt danach an der Eingangswicklung 3 des Kernes 1 eine neue Information L (Fig. 2b). auf, ändert sich wieder der Magnetisierungszustand des Kernes 1. so dass jetzt an der Diode 7 ein positiver Impuls anliegt. Für diesen befindet sich aber die Diode 7 im Sperrzustand, so dass dieser an der Basis des Transistors 8 nicht wirksam werden kann.
Wird dagegen das Schieberegister nach Fig. l ohne Dioden 7 aufgebaut, treten fortwährend an der Basis des Transistors 8 Impulszüge alternierender Polarität (Fig. 2c) auf, durch deren positiven Anteil der Ladungsspeichereffekt der Transistoren herabgesetzt und die Verzögerungszeit der Schiebekette vermindert wird. Um das bei einer Speicherung von Informationen der Reihe 0 oder L zu vermeiden, darf nur jeder zweite Kern die Information L speichern, während bei dem Schieberegister nach Fig. l. durch Zwischenschalten der Dioden 7 jeder Kern zur Speicherung von Informationen der Reihe 0 oder L verwendet wird.
Durch die Dioden 7 im Schieberegister nach Fig.1 ist dafür gesorgt, dass vom Impulszug (Fig. 2c) bei einer Speicherung von Informationen der Reihe 0 oder L immer nur der negative Anteil an der Basis des Transistors 8 wirksam wird, so dass keine Verminderung der Ladungsträgerspeicherung erfolgen kann und eine Information ohne Energieverluste über beliebig viele Kerne 1, 2 (Fig. l) an den Ausgang des Schieberegisters gelangt. Dabei ist bei Beachtung der Polarität der Dioden 7 und der Eingangswicklungen 6 die Verwendung von Transistoren des Types p-n-p oder des Types n-p-n für das Schieberegister nach Fig. l nicht entscheidend.
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:1.
Magnetisches Schieberegister mit zwischen den Kernen zur zeitweiligen Speicherung von Informationen und Verstärkung angeordneten Transistoren, dadurch gekennzeichnet, dass mit den Ausgangswicklungen (4), der Kerne (1, 2) eines Schieberegisters in Reihe liegende Dioden (7) mit der Basis von Transistoren (8) verbunden sind, so dass die beim Entnehmen einer Information L aus den Kernen (1, 2) an der Ausgangswicklung (4) auftretenden negativen Signale zur Basis des Transistors (8) weitergeleitet werden, während beim Eingeben einer Information 0 oder L in einen Kern (1. 2) an der Ausgangswicklung (4) auftretende positive Impulse durch die Dioden (7) unterdrückt werden, um in jedem der Kerne (1, 2) eines Schieberegisters Informationen gleichen Wertes speichern zu können.