DE1058103B - Schaltung zur Umwandlung von einem Transistorkreis zugefuehrten Eingangsimpulsen in Ausgangsimpulse mit praktisch unveraenderlicher Breite und Amplitude - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer Reihe von einem Transistorkreis zugeführten Eingangsimpulsen mit einem einen bestimmten Wert überschreitenden Energieinhalt, wobei die Impulse z. B. durch das Umkippen von Gedächtniskernen erzeugt werden, in eine entsprechende oder komplementäre Reihe von Ausgangsimpulsen mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude.

Es sind viele Formen solcher »Impulsbildner« bekannt, die gewöhnlich einen Eingangsschwellwert und eine Ausgangsbegrenzung haben oder die eine regenerative Rückkopplung benutzen, z. B. Schaltungen mit einem normalerweise gesperrten Sperrschwinger oder mit einer gesteuerten, bistabilen oder monostabilen Kippschaltung.

Die Erfindung bezweckt, eine besonders einfache Impulsbildnerschaltung zu schaffen, bei der auf geeignete Weise die anderweitig bereits beschriebene Erscheinung der Speicherung freier Ladungsträger in ao der Basiszone eines Grenzschichttransistors benutzt wird. Dabei werden die Eingangsimpulse zwischen der Basis- und der Emitterelektrode dieses Transistors zugeführt, und sein Kollektor wird mit solchen Prüfimpulsen gespeist, daß jeder Eingangsimpuls vor einem entsprechenden Prüfimpuls anfängt und vor diesem Impuls endet, während die mit den entsprechenden Prüfimpulsen anfangenden Ausgangsimpulse dem Kollektorkreis des Transistors entnommen werden.

Es ist bekannt, daß die Zeit T, während der die von einem Eingangsimpuls erzeugte Ladung gespeicherter freier Ladungsträger in der Basiszone eines Transistors bestehenbleibt, mit der Diffusionszeitkonstante T_d der Minderheitsladungsträger in der Basiszone zusammenhängt, welche Zeitkonstante ihrerseits in enger Beziehung zu der Grenzkreisfrequenz des Stromverstärkungsfaktors des angewandten Transistors steht. Bei einer Schaltungsanordnung mit geerdeter Emitterelektrode ist also z. B. die Zeit T_d von der gleichen Größenordnung wie der Reziprokwert der Grenzkreisfrequenz des Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktors a des verwendeten Transistors.

Um Ausgangsimpulse mit einer unveränderlichen Amplitude zu erzeugen, müssen die Prüfimpulse jedenfalls kurzer sein als die Speicherzeitkonstante T des Transistors in der angewandten Grundschaltung. Da die Eingangsimpulse erheblich kürzer und gegebenenfalls auch langer als die Prüfimpulse sein können, bedeutet dies, daß die Prüfimpulse kurzer sein müssen als die genannte Zeitkonstante. So

Demgemäß hat die Schaltungsanordnung nach der Erfindung das Merkmal, daß ein Transistor mit einem Stromverstärkungsfaktor angewandt wird, dessen Grenzfrequenz kleiner ist als diejenige Frequenz, Schaltung zur Umwandlung

von einem Transistorkreis zugeführten

Eingangsimpulsen in Ausgangsimpulse

mit praktisch unveränderlicher Breite

und Amplitude

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 1. Februar 1957

Herman Jacob Heijn, Johannes Arnoldus Samwel
und Theodorus Joannes TuIp,

Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden

welche dem Reziprokwert der Breite der Prüfimpulse entspricht, und daß ein Trenngleichrichter mit derselben Durchlaßrichtung wie die der Emitter-Basis-Diodenstrecke des Transistors im Eingangskreis in Reihe eingefügt ist. Unter diesen Umständen und infolge der durch jeden Eingangsimpuls hervorgerufenen Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone des Transistors endet jeder Ausgangsimpuls erst mit dem entsprechenden Prüfimpuls.

Diese Schaltungsanordnung ermöglicht es, eine gute Diskrimmation in bezug auf den Energieinhalt der Eingangsimpulse zu erzielen. Wenn ein Störimpuls mit umgekehrter Polarität oder mit geringerem Energieinhalt zwischen den Basis- und Emitterelektroden des Transistors zugeführt wird, wird die Basiszone tatsächlich nicht oder nicht mit der vollen »Ladung« gespeicherter freier Ladungsträger versehen, und der entsprechende Ausgangsimpuls wird stark geschwächt und/oder gekürzt und bei hinreichender Verzögerung des Prüfimpulses gegenüber dem Eingangsimpuls praktisch vollkommen unterdrückt.

Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung eignet sich vorzüglich zum Ablesen der Information in min-

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destens einem Gedächtniskern mittels eines durch eine Wicklung des Kernes geleiteten Ableseimpulses, der in einer zweiten Wicklung des Speicherkernes einen Eingangsimpuls mit einem von dem magnetischen Zustand des Kernes abhängigen Energieinhalt erzeugt. Für diese Anwendung ist die zweite Wicklung des Kernes mit dem Gleichrichter und dem Basis-Emitter-Kreis des Transistors vorzugsweise über einen Transformator gekoppelt, wodurch die Quelle der Ableseimptilse beim Übergang des Kernes von einer Sättigungslage in die andere an den Eingangskreis angepaßt ist. Bei Sättigung des Kernes ist diese Quelle mit dem Eingangskreis jedoch verhältnismäßig schwach gekoppelt, so daß die Amplitude der Eingangsimpulse, die durch Ableseimpulse erzeugt werden, die den Kern nicht von einem Sättigungszustand in den anderen überführen, erheblich geschwächt wird. Man kann somit mittels des Anpassungstransformators und im Falle des Ablesens von Speicherkernen eine noch bessere Diskrimination in bezug auf systematisch oder nicht systematisch erzeugte Störimpulse erzielen.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung nach der Erfindung schematisch darstellt,

Fig. 2 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Ausführungsbeispiele nach Fig. 1 und 3 zeigt,

Fig. 3 schematisch ein zweites Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung nach der Erfindung zeigt und

Fig. 4 eine Abart der Ausführungsbeispiele der Fig. 1 und 3 zeigt.

Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 dient zum Ablesen der Information in mindestens einem magnetisehen Speicherkern. Fig. 1 zeigt einen magnetischen Kern 1, in dem Nachrichten mittels einer nicht dargestellten Wicklung in Form eines bestimmten magnetischen Zustands aufgezeichnet werden können. Um diese Information wieder abzulesen und außerdem zu löschen, ist eine Wicklung 2 durch den Speicherkern geführt. Durch diese Wicklung wird ein sogenannter Ableseimpuls geschickt, beispielsweise und wie links in Fig. 1 dargestellt, ein positiver Impuls hinreichender Amplitude, um den Speicherkern 1 von einem bestimmten magnetischen Sättigungszustand in den entgegengesetzten magnetischen Sättigungszustand überzuführen.

Der Kern 1 ist mit einer zweiten Wicklung 3 versehen, die an die Primärwicklung 4 eines Transformators 5 angeschlossen ist. Die Sekundärwicklung 6 dieses Transformators ist einerseits über einen Gleichrichter 7 an die Basiselektrode eines p-n-p-Transistors 8 angeschlossen und andererseits über eine Schwellwertspannungsquelle mit der Emitterelektrode dieses Transistors verbunden. Die Schwellwertspannungsquelle enthält eine Batterie 9, deren Minusklemme unmittelbar mit der Emitterelektrode und mit Erde verbunden ist. während ihre Plusklemme mit dem nicht geerdeten Ende eines regelbaren Spannringstellers 10 verbunden ist. Das andere Ende dieses Spannungsteilers ist geerdet, und seine Anzapfung ist mit der Sekundärwicklung 6 des Transformators 5 verbunden und durch einen Kondensator 11 entkoppelt. Schließlich enthält der Eingangskreis der Schaltung noch einen sehr großen Ableitungswiderstand 12^ der zwischen der Basis des Transistors 8 und der Anzapfung des Spannungsteilers 10 eingeschaltet ist. Die Durchlaßrichtungen der miteinander in Reihe geschalteten Emitter-Basis-Diodenstrecke des Transistors 8 und der Diode 7 sind dieselben, und die Basis des Transistors 8 wird durch die Schwellwertspannungsquelle 9, 10 in der Sperrichtung polarisiert. Wenn ein Leckstrom durch den Basis-Emitter- und/oder Kollektorelektrodenweg des Transistors 8 fließt, wird die Diode 7 infolge des Spannungsabfalles über den Ableitwiderstand 12 auch in der Sperrichtung polarisiert. Der Kollektorkreis des Transistors 8 enthält einen Belastungswiderstand 13 in Reihe mit einer Quelle von Prüfimpulsen 15. Die Ausgangsklemmen 17 der Schaltung sind über einen Trennkondensator 16 mit der Kollektorelektrode des Transistors 8 bzw. direkt mit Erde verbunden.

Die Quellen der Ablese- und der Prüfimpulse sind derart synchronisiert, daß jeder Eingangs- oder Ableseimpuls vor einem entsprechenden Prüfimpuls anfängt und endet. Mit entsprechenden Prüfimpulsen anfangende Ausgangsimpulse können den Ausgangsklemmen 17 entnommen werden.

In Abhängigkeit von der Richtung der Magnetisierung des Speicherkernes wird dieser Kern von einem Ableseimpuls durch die Wicklung 2 weitergesättigt, wobei der Kern am Ende des Ableseimpulses in seinen ursprünglichen Zustand zurückkehrt oder hingegen ummagnetisiert und in den entgegengesetzten magnetischen Sättigungszustand übergeführt wird. Im ersteren Falle treten nur sehr kleine Flußänderungen auf, so daß ein Paar sehr kleine Spannungsimpulse entgegengesetzter Polarität über der Wicklung 3 erzeugt werden. Im zweiten Falle ist die Änderung des Flusses in dem magnetischen Speicherkern praktisch gleich dem Zweifachen des Sättigungsflusses, so daß ein einziger Spannungsimpuls erheblich größerer Amplitude über der Wicklung 3 erzeugt wird. Dieser Stromimpuls durchfließt die Primärwicklung 4 des Transformators 5. Er wird von diesem Transformator etwas verschärft übertragen, so daß ein Eingangsimpuls Vi der auf der oberen Zeile der Fig. 2 gezeigten Form an den Klemmen der Sekundärwicklung 6 auftritt. Diese Zeile fängt links an mit einem großen Ummagnetisierungsimpuls, dem zwei kleine Störimpulspaare folgen, die durch Ableseimpulse erzeugt werden, die den Kern nicht ummagnetisieren, und endet mit zwei weiteren, größeren Ummagnetisierungsimpulsen. Ein großer Impuls bedeutet also, daß der Speicherkern sich in einem solchen Zustand befindet, daß er von dem Ableseimpuls ummagnetisiert wird, während das Fehlen eines großen Impulses der Information entspricht, daß der Speicherkern sich in einem solchen magnetischen Zustand befindet, daß er von dem Ableseimpuls nicht ummagnetisiert wird. Während der Ummagnetisierung weist der Kern zeitlich eine große Permeabilität auf, so daß die Ablesewicklung 2 mit der zweiten Wicklung 3 stark gekoppelt ist. Wird der Speicherkern hingegen nicht ummagnetisiert, so ist die Kopplung zwischen der Wicklung2 und der Wicklung 3 sehr schwach, da während des Ableseimpulses die Permeabilität des Kernes sehr gering bleibt. Das Verhältnis zwischen den betreffenden Anzahlen der Windungen der Wicklungen 4 und 6 des Transformators 5 ist derart gewählt, daß, falls der Speicherkern von einem Ableseimpuls von einem Sättigungszustand in den anderen überführt wird, die Quelle der Ableseimpulse angepaßt ist an den Eingangskreis, der die Reihenschaltung des Emitter-Basis-Elektrodenweges des Transistors 8, der Diode 7 und der Schwellwert-Spannungsquelle 9,10 und weiter den Ableitungswiderstand 12 enthält. Demgegenüber ist, falls ein Ableseimpuls den Speicherkern 1 nicht ummagnetisiert, die auf die Klemmen der Wicklung 4 transformierte

Eigenimpedanz der Quelle von Ableseimpulsen verhältnismäßiggroß. Infolgedessen werden die schwachen Störimpulse bei Übertragung über den Transformator 5 noch stark geschwächt, so daß sie unterhalb des Schwellwertes der Spannungsquelle 9, 10 liegen. Die zweite Zeile der Fig. 2 zeigt die Stromimpulse I₀ durch den Basiskreis des Transistors 8. Es ist ersichtlich, daß nur die verhältnismäßig großen Eingangsimpulse Vi über der Sekundärwicklung 6 des Transformators 5 Stromimpulse I₀ erzeugen. Die dritte Zeile zeigt die regelmäßigen, negativen Prüfimpulse V_t, die von der Quelle 15 von Prüfimpulsen erzeugt werden. Wie gesagt, fängt jeder Ableseimpuls V₁₁ vor einem entsprechenden Prüfimpuls V_t an und endet auch vor diesem Impuls. Die Ausgangsimpulse am Kollektor des Transistors 8 sind auf der fünften Zeile der Fig. 2 angegeben. In Anwesenheit eines Eingangsimpulses Vi hat der entsprechende Ausgangsimpuls V₀ nur eine sehr kleine Amplitude, während bei Abwesenheit eines solchen Eingangsimpulses und bei etwaiger Anwesenheit eines kleinen Störeingangsimpulses ein großer negativer Ausgangsimpuls erzeugt wird; die Reihe von Ausgangsimpulsen ist also komplementär zu der Reihe von Eingangsimpulsen. Die vierte Zeile der Fig. 2 zeigt noch die Stromimpulse durch den Kollektorkreis, der aus dem Widerstand 13 und der Prüfimpulsquelle 15 besteht. Es ist ersichtlich, daß die Reihe von Stromimpulsen I_c zu der Reihe von Eingangsimpulsen nicht komplementär ist, sondern mit dieser übereinstimmt. Die kleinen Ausgangsimpulse V₀, die bei Anwesenheit eines Eingangsimpulses V₁ erzeugt werden, sind auf die Tatsache zurückzuführen, daß sogar, wenn er von einem Eingangsimpuls leitend gemacht wird, der Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 8 dennoch eine geringe Impedanz aufweist, über der ein Spannungsabfall auftritt.

Die Eingangsstromimpulse I₀, die an der Basis des Transistors 8 angelegt werden, sind nur kurze, negative Spitzen, und es ist erwünscht, Ausgangsimpulse konstanter Breite zu erzeugen. Dazu wird eine von jedem Eingangsimpuls mit hinreichendem Energieinhalt hervorgerufene Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone des Transistors benutzt. Die Diode 7 bezweckt, ein Wegfließen dieser Ladung durch die niederohmige Sekundärwicklung des Transformators 5 zu verhindern. Diese Ladung kann jedoch nach einer verhältnismäßig langen Zeit über den Widerstand 12 und einen Teil des Spannungsteilers 10 abfließen und wird normalerweise von dem erzeugten Kollektorstromimpuls weggesogen. Für bestimmte Zwecke, z. B. wenn das Anlegen eines Prüfimpulses an den Kollektor des Transistors von irgendeiner Funktion abhängig gemacht wird, ist es gewünscht, den Widerstand 12 derart zu bemessen, daß die von einem Eingangsimpuls in der Basiszone des Transistors 8 erzeugte Ladung vor dem Anfang des, auf den entsprechenden Prüfimpuls folgenden, etwaigen Prüfimpulses über diesen Widerstand praktisch vollkommen abgeleitet ist; wird diese Bedingung nicht erfüllt, so kann ein Eingangsimpuls auch in Abwesenheit eines entsprechenden Prüfimpulses einen Ausgangsimpuls zur Zeit des nachfolgenden Prüfimpulses erzeugen und somit die Anwesenheit eines etwa fehlenden, weiteren Eingangsimpulses vortäuschen. Die gespeicherte Menge freier Ladungsträger muß jedoch möglichst groß sein, um eine sehr zweckdienliche Steuerung des Transistors zu erzielen und durch Kollektorstromsättigung begrenzte Stromimpulse I_c mit praktisch flachem Scheitel zu erzeugen. Dies wird dadurch erzielt, daß ein Transistor 8 mit einem Stromverstärkungsfaktor verwendet wird, dessen Grenzkreisfrequenz kleiner ist als diejenige Frequenz, welche dem Reziprokwert der Breite des Prüfimpulses V_t entspricht. Anders gesagt ist der Transistor 8 ein solcher mit verhältnismäßig niedriger Grenzfrequenz des Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktors a. Ein derartiger Transistor kann die kurzen Eingangsstromimpulse I₀ nicht unverformt wiedergeben. Jeder solcher Eingangsimpulse erzeugt in der Basiszone eine Speicherung freier Ladungsträger, wodurch der Transistor kurzzeitig als Gedächtnis arbeitet, bis der Ladungsinhalt der Basiszone durch einen Ausgangsstromimpuls weggesogen wird oder abgeflossen ist. Dieses Wegsaugen erfolgt jeweils kurzzeitig nach dem Eintreffen eines Eingangsimpulses mittels eines Prüfimpulses der den Kollektor in die Sperrichtung polarisiert. Dies hat zur Folge, daß jeder Ausgangsstromimpuls erst mit dem entsprechenden Prüfimpuls endet, so daß an den Ausgangsklemmen 17 eine komplementäre Reihe von Ausgangsimpulsen mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude erzeugt wird.

Das zweite, in Fig. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel ist eine »Und«-Schaltung. Die Ablesewicklung 2 ist durch zwei Gedächtniskerne 1 und 1' gezogen, wobei die bezüglichen zweiten Wicklungen 3 und 3' miteinander in Reihe geschaltet sind. Anstatt der Basis des Transistors 8 ist die Diode 7 mittels der Schwellwertquelle 9, 10 polarisiert, und ein Kondensator 18 ist zwischen der Basis- und der Emitterelektrode des Transistors eingeschaltet. Dieser Kondensator dient dazu, eine größere Basiskapazität des Transistors 8 nachzuahmen, wodurch die Gedächtniswirkung langer dauert. Die Polarisation der Diode 7 mit einer Schwellwertspannung statt einer Polarisation des Basis-Emitter-Kreises des Transistors 8 führt keinen großen Unterschied in der Wirkungsweise der Schaltung herbei. Auch in diesem Falle wird die Basis-Emitter-Diodenstrecke des Transistors 8 beim Auftreten eines etwaigen Leckstromes über die Diode 7 durch den Spannungsfall über den Widerstand 12 in der Sperrichtung polarisiert. Um eine noch bessere Diskrimination gegenüber etwaigen scharfen und kurzen Störimpulsen mit verhältnismäßig geringem Energieinhalt zu erzielen, können Kondensatoren 19 bzw. 20 mit der Primärwicklung 4 des Transformators 5 und/oder mit der Sekundärwicklung 6 dieses Transformators parallel geschaltet werden. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel enthält der Kollektorkreis des Transistors 8 auch einen Belastungswiderstand 13 in Reihe mit der Sekundärwicklung 23 eines Prüfimpulstransformators 22, dessen Primärwicklung 21 an die Prüfimpulsquelle 15 angeschlossen ist. Der Widerstand 13 ist einerseits an Erde angeschlossen, so daß die über diesem Widerstand erzeugten Ausgangsspannungsimpulse V₀ (s. sechste Zeile von Fig. 2) mit den Stromimpulsen I₀ übereinstimmen. Man erhält somit eine der Reihe von Eingangsimpulsen entsprechende Reihe von Ausgangsimpulsen mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude.

Eine Abart der Schaltungen der Fig. 1 und 3 ist in Fig. 4 veranschaulicht. Bei dieser Abart ist der Transistor 8 mit geerdeter Basis geschaltet, und die Eingangsimpulse werden über die Diode 7 der Emitterelektrode zugeführt. Dabei sind die Durchlaßrichtung der Diode 7 und die Polarität der Eingangsimpulse V{ und I_e gegenüber V₁ und I₀ umgewechselt. Außerdem ist die Schwellwertspannungsquelle 9, 10 weggelassen. Mit dieser Schaltung ist die Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone bedeutend weniger wirksam, da die Zeit T, während der die von einem

lngangsimpuls erzeugte Ladung freier Ladungsträger estehen bleibt, in diesem Falle von gleicher Größenrdnung ist wie der Reziprokwert der Grenzkreisrequenz des Emitter-Kollektor-Stromverstärkungsaktors ζ des angewandten Transistors. Bei einem S irenzschichttransistor liegt diese Grenzfrequenz bedeutend höher als die Grenzkreisfrequenz seines Basis- ^ollektor-Stromverstärkungsfaktors a, so daß sich lie Abart nach Fig. 4 nur für kurze Eingangsimpulse ignet und nur zur Erzeugung verhältnismäßig kurzer ^.usgangsimpulse anwendbar ist. Außerdem ist sie beleutend weniger empfindlich als die Schaltung mit geerdeter Emitterelektrode; sie kann jedoch durch sehr ;urze Eingangsimpulse gesteuert werden und kann .omit unter Umständen besser geeignet sein als die schaltung mit geerdetem Emitter, z. B. in Rechennaschinen mit sehr hoher Arbeitsfrequenz oder bei ;ehr hoher Wiederholungsfrequenz der Prüfimpulse.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Schaltung zur Umwandlung einer Reihe von Eingangsimpulsen mit einem einen bestimmten Wert überschreitenden Energieinhalt in eine entsprechende oder komplementäre Reihe von Ausgangsimpulsen mit praktisch unveränderlicher Breite und Amplitude, wobei die Eingangsimpulse zwischen der Basis- und der Emitterelektrode eines Transistors zugeführt werden und der Kollektor dieses Transistors mit solchen Prüfimpulsen gespeist wird, daß jeder Eingangsimpuls vor einem entsprechenden Prüfimpuls anfängt und endet, während die mit den entsprechenden Prüfimpulsen anfangenden Ausgangsimpulse dem Kollektorkreis des erwähnten Transistors entnommen werden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor angewandt wird, der einen Stromverstärkungsfaktor besitzt, dessen Grenzkreisfrequenz kleiner ist als diejenige Frequenz, welche dem Reziprokwert der Breite der Prüfimpulse entspricht, und daß ein Trenngleichrichter mit der gleichen Durchlaßrichtung wie die der Emitter-Basis-Diodenstrecke des Transistors im Eingangskreis in Reihe eingefügt ist, so daß infolge der durch jeden Eingangsimpuls hervorgerufenen Speicherung freier Ladungsträger in der Basiszone des Transistors jeder Ausgangsimpuls erst mit dem entsprechenden Prüfimpuls endet.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des erwähnten Transistors mit seiner Emitterelektrode verbunden ist über einen Ableitwiderstand (12) solcher Größe, daß die in der Basiszone des Transistors durch den Eingangsimpuls gespeicherten freien Ladungsträger vor dem Anfang des auf den entsprechenden Prüfimpuls etwa folgenden Prüfimpulses über diesen Widerstand praktisch vollkommen abgeflossen sind.

3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Gleichrichter oder die erwähnte Emitter-Basis-Diodenstrecke durch eine Schwellwertspannungsquelle (9,10) in der Sperrichtung derart polarisiert ist, daß die Schaltung gegen Eingangsimpulse mit einer die Schwellwertspannung unterschreitenden Amplitude unempfindlich wird.

4. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, zum Ablesen der Information in mindestens einem magnetischen Gedächtniskern mittels eines durch eine Wicklung des Gedächtniskernes geleiteten Ablesestromimpulses, der in einer zweiten Wicklung des Gedächtniskernes einen Eingangsimpuls mit einem von dem magnetischen Zustand des Kernes abhängigen Energieinhalt erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Wicklung des Kernes mit dem Gleichrichter und dem Basis-Emitter-Kreis des Transistors über einen Transformator (5) gekoppelt ist, wodurch die Quelle der Ableseimpulse beim Umkippen des Kernes von einem Sättigungszustand in den anderen an den Eingangskreis angepaßt ist, während sie bei Sättigung des Kernes mit dem Eingangskreis verhältnismäßig schwach gekoppelt ist, so daß die Amplitude der Eingangsimpulse, die von Ableseimpulsen erzeugt werden, die den Kern nicht von einem Sättigungszustand in den anderen überführen, ansehnlich geschwächt wird.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (19 bzw. 20) mit mindestens einer der Wicklungen des erwähnten Transformators parallel geschaltet ist.

6. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Transistor mit geerdetem Emitter geschaltet ist, so daß die Breite der Prüfimpulse durch den Reziprokwert der Grenzkreisfrequenz seines Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktors beschränkt wird.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erniedrigung der erwähnten Grenzkreisfrequenz ein Kondensator (18) zwischen der Basis- und der Emitterelektrode des erwähnten Transistors eingeschaltet ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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