DE1171649B - Binaeres Impulsschieberegister - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Internat. Kl.: G06f;

H03k

Deutsche Kl.: 42 m-14

Nummer: 1171649

Aktenzeichen: E15815 IX c / 42 m

Anmeldetag: 30. April 1958

Auslegetag: 4. Juni 1964

Die Erfindung bezieht sich auf ein binäres Impulsschieberegister, das in Informationsverarbeitungsvorrichtungen Verwendung finden kann.

Es ist bereits ein Schieberegister vorgeschlagen worden, das eine Serie von Kernen aus magnetischem Material enthält, die jeweils mit mehreren Wicklungen versehen sind. Dabei wird der Rücksetzwicklung aller Kerne periodisch ein Impuls zugeführt, der den Kern im Zustand »0« zu halten sucht. Weiterhin wird von der Ausgangswicklung eines jeden Kernes beim Übergang vom Zustand »1« in den Zustand »0« ein Impuls geliefert, der über einen Transistorverstärker an die Eingangswicklung des nächsten Kernes angelegt wird, und der länger gespeichert wird, als der Dauer der periodischen Impulse entspricht.

Bei Schieberegistern der vorgenannten Art ist es schwierig, die über den Transistorverstärker laufenden Impulse zeitlich so zu begrenzen, daß sie vor dem Auftreten des nächsten periodischen Impulses beendet sind. Hierzu ist bislang erforderlich gewesen, die einzelnen Schaltkomponenten eng zu tolerieren und eine verhältnismäßig langsame Taktfrequenz zu verwenden, um die Gefahr einer Fehlschaltung des Registers mit Sicherheit auszuschließen.

Demgegenüber wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß dem Transistorverstärker Abschaltimpulse zugeleitet werden, die seine Übertragung in dem Zwischenraum zwischen den periodischen Impulsen beenden. Dadurch gelingt es, die Dauer der über den Transistorverstärker übertragenen Impulse sehr sicher und genau zu bemessen.

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden nachfolgend in Ausführungsbeispielen an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Dabei stellt dar

Fig. 1 zwei Stufen eines Schieberegisters gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 2 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Vorrichtung gemäß Fi g. 1,

Fig. 3 zwei Stufen eines Schieberegisters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 4 eine Modifikation des Ausführungsbeispiels gemäß F i g. 2,

Fig. 5 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Vorrichtung gemäß F i g. 3 und 4,

Fig. 6 und 7 Modifikationen des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 1,

Fig. 8 ein Ausführungsbeispiel eines Schieberegisters mit Hemmschaltung.

In F i g. 1 sind zwei Stufen eines Schieberegisters gezeigt, von denen die erste Stufe durch den Magnetkern 1 und die zweite Stufe durch den Magnetkern 12 Binäres Impulsschieberegister

Anmelder:

Electric & Musical Industries Limited,

Hayes, Middlesex (Großbritannien)

Vertreter:

Dr. K. R. Eikenberg,

Hannover, Am Klagesmarkt 10-11

Als Erfinder benannt:
Godfrey Newbold Hounsfield,
Sutton-on-Trent, Newmark, Nottinghamshire
(Großbritannien)

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 30. April 1957 (13 799),
vom 22. April 1958

gebildet ist. Es sei nun angenommen, daß der Magnetkern 1 in den Zustand »1« gesetzt worden ist und daß der Kernwicklung 3 über die Leitung 2 ein Vorrückimpuls zugeführt wird, der den Kern 1 in den Zustand »0« setzt. Beim Umschalten des Kernes 1 tritt in der Kemwicklung 4 ein Ausgangsimpuls auf, der über die Diode 5 zum Kondensator 6 läuft und diesen negativ auflädt. Der Kondensator 6 legt daraufhin über den Widerstand 9 eine negative Spannung an die Basis des Transistors 7, dessen Emitter über den Widerstand 8 geerdet ist. Dadurch wird der Transistor 7 in den leitenden Zustand geschaltet, wobei ein Stromfluß von einer Polarisierungsquelle 13 aus über den Widerstand 10 und die dem Kern 12

4" zugeordnete Wicklung 11 durch den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 7 zur Erde entsteht. Dieser Stromfluß, der hauptsächlich durch den Widerstand 10 bestimmt ist, setzt den Kern 12 in den Zustand »1«, so daß im Ergebnis eine Verschiebung des Zustandes des Kernes 1 zum Kern 12 auftritt. Der Kondensator 6 wird während dieses Vorganges über den Parallelwiderstand 14, an den die Vorspannungsquelle 15 für den Transistor 7 angeschlossen ist, entladen. Die Widerstände 8 und 9 dienen dazu, den Antrieb für den Transistor 7 ausreichend gering zu halten, damit keine nennenswerte Minoritätsträgerspeicherung im Transistor entsteht.

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Die Vorrückimpulse, die über die Wicklung 3 den angenommen sei, daß er sich im Zustand »1« befindet) Kern 1 in den Zustand »0« schalten, werden ebenfalls durch einen Vorrückimpuls, der über die Leitung 21 der Wicklung 16 zugeführt. Ihre Amplitude reicht aus, der Wicklung 22 zugeführt wird, in den Zustand »0« um dem Strom in der Wicklung 11 entgegenzuwirken, gesetzt wird, entsteht in der Wicklung 23 ein negaso daß an sich die Verschiebung des Zustandes des 5 tiver Ausgangsimpuls, der durch die Diode 24 läuft Kernes 1 zum Kern 12 behindert wird. Da jedoch der und den Transistor 25 sehr stark in den leitenden Zuleitende Zustand des Transistors 7 durch den Einfluß stand drückt. Die den Transistoren anhaftende Eigendes Kondensators 6 und des Widerstandes 14 noch schaft der Minoritätsträgerspeicherung bewirkt dabei, eine gewisse Zeit nach Beendigung der Vorrück- daß der Transistor noch eine Zeitlang nach Beendiimpulse aufrechterhalten bleibt, besitzen die in der io gung des Ausgangsimpulses aus der Wicklung 23 Kernwicklung 11 auftretenden Impulse eine längere weiterleitet, wenn er sehr stark in den leitenden ZuDauer als die Vorrückimpulse. Daher erfolgt erst nach stand gebracht worden ist. Auf diese Weise kann der Beendigung der Vorrückimpulse eine Umschaltung Kern 26 in den Zustand »1« geschaltet werden, sodes Kernes 12 in den Zustand »1«. Im wesentlichen bald der Vorrückimpuls in der Leitung 21, der über ist der Kondensator 6 dabei über den Widerstand 14 15 die Wicklung 29 auf den Kern 26 einwirkt, beendet ist. wieder entladen, wenn der nächste Vorrückimpuls Die vorangehend beschriebene Betriebsweise des auftritt. Transistors 25 beim Übertragen der Information aus

Beim Umschalten des Kernes 12 in den Zustand »1« dem Kern 20 zum Kern 26 ist in dem Diagramm der tritt selbstverständlich ein Ausgangsimpuls in der Fig. 5 näher erläutert. Dort stellt das Bezugszeichen ^l Kernwicklung 17 auf. Entsprechend tritt auch ein 20 einen den Kernen 20 und 26 zugeführten Vorrück-Ausgangsimpuls in der Wicklung 4 des Kernes 1 auf, impuls und das Bezugszeichen B im gleichen Maßstab wenn der Kern 1 wieder durch Verschiebung von den Ausgangsimpuls aus dem Transistor 25 dar. Der einer vorhergehenden Stufe oder durch eine unab- schraffierte Teil C gibt den Energieanteil des Vorhängige neue Eingabe in den Zustand »1« gesetzt rückimpulses A an, der in der Wicklung 29 zum wird. Die Polarität dieser Ausgangsimpulse ist jedoch 25 Rücksetzen des Kernes 26 in den Zustand »0« verentgegengesetzt der Polarität der beim Übergang des fügbar ist. Entsprechend stellt der schraffierte Teil D betreffenden Kernes in den Zustand »0« erzeugten die zum Setzen des Zustandes »1« nach Beendigung Impulse. Deshalb werden diese Ausgangsimpulse des Vorrückimpulses verfügbare Energie dar. durch die Diode 5 (bzw. die entsprechende Diode in Der Stromfluß durch die Wicklung 27 und den der Verbindung vom Kern 12 zum nachfolgenden 30 Transistor 25 wird analog dem Ausführungsbeispiel Kern) blockiert, so daß sie keine Störung bei der nach Fig. I durch den strombegrenzenden WiderBetätigung des Schaltkreises verursachen können. stand 28 bestimmt. Dieser Widerstand ist mit einer

Um sicherzustellen, daß sich der Transistor 7 (und Polarisierspannungsquelle 30 verbunden. Das der entsprechend auch die übrigen, nicht gezeigten Tran- Diode 24 abgelegene Ende der Wicklung 23 kann mit sistoren, die dem Kern 12 und den weiteren Kernen 35 einer Vorspannungsquelle 31 für den Transistor oder des Registers nachgeschaltet sind) beim Auftreten des mit Erde verbunden sein. Die Funktion der Diode 24 nächsten Vorrückimpulses wieder im gesperrten Zu- entspricht der Funktion der Diode 5 in Fig. 1. Der stand befinden, können der Basis der Transistoren Widerstand 32 ist ein Nebenwiderstand, über den die über eine Leitung 50 positive Abschaltimpulse züge- Vorspannung an die Basis des Transistors 25 angeleitet werden, die so mit den Vorrückimpulsen syn- 40 legt wird. Die Abschaltimpulse für den Transistor 25 chronisiert sind, daß jeweils ein Abschaltimpuls eine (und die weiteren, in dem Register enthaltenen Tranbestimmte Zeit t nach Beendigung des entsprechen- sistoren) werden — wiederum analog in Fig. 1 — den Vorrückimpulses beginnt und am Beginn des über die Leitung 50 zugeführt, folgenden Vorrückimpulses wieder endet. Das zeit- An sich sollte ein Kern, der sich im Zustand »0« liehe Zusammenwirken der Vorrückimpulse mit den 45 befindet und durch die Vorrückimpulse in den Zu-Abschaltimpulsen geht dabei im einzelnen aus dem stand »0« rückgesetzt wird, keinen Ausgang liefern. Diagramm der F i g. 2 hervor, das in Zeile (α) zwei in Tatsächlich tritt jedoch ein gewisser sehr kleiner Ausder Leitung 2 aufeinanderfolgende Vorrückimpulse A₁ gang auf. Die Anordnung kann jedoch ohne weiteres und A., und in Zeile (b) die beiden zugeordneten Ab- so getroffen werden, daß dieser Ausgang ausreichend schaltimpulse E₁ und E₂ zeigt. Die Zeile (c) der F i g. 2 50 klein ist im Vergleich zu dem beim Übergang vom gibt den Stromverlauf durch den Transistor 7 wieder. Zustand »1« in den Zustand »0« erscheinenden Aus-Es ist zu erkennen, daß der Transistor zunächst durch gangsimpuls, so daß Störungen vermieden werden, den ersten Vorrückimpuls A₁ in den leitenden Zu- Die Anordnung gemäß F i g. 2 kann durch Fortfall stand geschaltet wird und daß der Transistor auch der Diode 24 vereinfacht werden, wenn die Vorrichnach Beendigung des Impulses A₁ noch über die 55 tung als Schieberegister für eine Dualziffer benutzt Zeit t hinweg voll leitend bleibt. Sodann wird der werden soll. In diesem Fall können auch die Emitter Transistor jedoch durch den ersten Abschaltimpuls E₁ der einzelnen Stufen mit einem gemeinsamen Widersehr rasch gesperrt. Er bleibt gesperrt, bis der nächste stand verbunden werden, dessen anderes Ende ge-Vorrückimpuls A., auftritt. erdet ist. Weiterhin kann in diesem Fall der strom-Das Schieberegister gemäß F i g. 3 unterscheidet 60 begrenzende Widerstand 28 für eine größere Anzahl sich von dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 in von Stufen Verwendung finden, erster Linie darin, daß der zwischen der Ausgangs- F i g. 4, die im übrigen der F i g. 3 entspricht und wicklung 23 des Kernes 20 und der Eingangswicklung daher auch die gleichen Bezugszeichen enthält wie 27 des nächstfolgenden Kernes 26 liegende Transistor F i g. 3, läßt die Art der Erzeugung der Abschalt-25 nicht durch die Speicherwirkung eines Konden- 65 impulse erkennen. Die an die Basisleitung des Transators über die Zeit t hinweg im leitenden Zustand sistors 25 angeschlossene Leitung 50 ist über eine gehalten wird, sondern durch den Effekt der Minori- Diode 48 mit einer Impulsquelle 47 verbunden, die tätsträgerspeicherung. Wenn der Kern 20, (von dem eine positive Rechteckwelle liefert. Diese positive

Rechteckwelle überlagert sich in der bereits beschriebenen Weise der Transistorvorspannung.

Das Schieberegister gemäß F i g. 4 ist weiterhin gegenüber der Ausführungsform nach F i g. 3 dahingehend abgewandelt, daß der Widerstand 32 durch den Kondensator 46 ersetzt ist. Dadurch wird das Register gegen Geräusch unempfindlicher. Außerdem kann die Diode 48 durch einen Widerstand ersetzt werden. Die Diode wird jedoch bevorzugt, da sie die Verwendung eines kleineren Kondensators 46 ermöglicht, wodurch eine entsprechende Abkürzung des Intervalls zwischen dem Auftreten eines Vorrückimpulses und dem Abschalten des Transistors 25 möglich wird (wobei vorausgesetzt ist, daß der Transistor im Zustand »1« liegt, wenn der Vorrückimpuls auftritt).

F i g. 6 gibt eine Modifikation des Ausführungsbeispiels gemäß F i g. 1 wieder, wobei für äquivalente Teile in beiden Figuren die gleichen Bezugszeichen benutzt sind. Der Transistor 7 ist regenerativ geschaltet und nicht so angeordnet, daß er die Information vom Kern 1 zum Kern 12 durchläßt. Durch die regenerative Anordnung des Transistors wird die in dem Kern 1 gespeicherte Information nach Beendigung des Vorrückimpulses über die Wicklung 18 neu gesetzt. Über die Leitung 19 können positive Ausgangsimpulse abgenommen werden, die die in dem Kernl gespeicherte Information darstellen, so daß im Ergebnis eine zerstörungsfreie Ablesung dieser Information bewirkt wird.

F i g. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die Anordnungen von F i g. 1 und 4 miteinander kombiniert sind. Die Information wird hierbei sowohl im Kern 1 aufrechterhalten als auch zum Kern 12 übertragen. Die einzelnen Schaltkomponenten tragen jeweils das gleiche Bezugszeichen wie die entsprechenden Komponenten in F i g. 1 und 4.

Die Ausführungsformen nach F i g. 6 und 7 sind als Modifikationen zum Schieberegister nach F i g. 1 beschrieben worden. Selbstverständlich können die gleichen Modifikationen aber auch bei dem Schieberegister gemäß F i g. 3 durchgeführt werden.

Die Erfindung wurde vorangehend beschrieben in Hinsicht auf das Problem der Übertragung einer Information von einem Kern auf den nächsten Kern, oder von einem Kern auf diesen Kern zurück oder von einem Kern auf den nächsten Kern und auf den ersten Kern zurück. Diese Übertragung der Information kann jedoch auch so angeordnet sein, daß sie von der Existenz eines weiteren Eingangsimpulses bei dem Kern, auf den die Information übertragen werden soll, abhängt. In einem solchen Fall müssen kleinere Windungszahlen für die Kernwicklungen oder kleinere Ströme in den Ausgangskreisen der Transistoren verwendet werden.

Entsprechend läßt sich eine Hemmschaltung dadurch schaffen, daß die Ausgangswicklungen entgegengesetzt verbunden werden. Wenn auf diese Weise der Ausgang aus dem ersten Kern nach Verstärkung einen Impuls darstellt, der entgegengesetzt zu dem Impuls gerichtet ist, welcher den zweiten Kern in den Zustand »1« setzen würde, wird das Umschalten- des zweiten Kernes in den Zustand »1« verhindert. In diesem Fall ist es sehr wichtig, daß die Ausgangsimpulse trotz Ungleichmäßigkeiten der Kondensatoren oder Variationen in den Minoritätsträgerspeicherzeiten der Transistoren gleich lang sind. Dieser Forderung wird durch die über die Leitung 50 laufenden Abschaltimpulse, die stets eine gleichmäßige Impulslänge sicherstellt, voll genügt.

Das Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 8 zeigt ein mit einer Hemmschaltung ausgerüstetes Schieberegister. Der erste Magnetkern 51 empfängt über die Wicklung 52 einen Informationseingang aus einer davorliegenden Schaltanordnung, die in der Zeichnung nicht dargestellt ist, da sie keinen Teil der Erfindung bildet. Die Wicklung 53 wird mit Vorrückimpulsen aus der Quelle 54 gespeist, durch die die der Kernwicklung 55 einen Ausgangsimpuls erzeugt, wenn sich der Kern 57 im Zustand »1« befunden hat. Die Polarität dieses Ausgangsimpulses ist so gewählt, daß der Impuls praktisch ungehemmt durch die Diode 56 hindurchgehen kann und den Kondensator

57 auflädt. Dem Kondensator 57 ist ein Widerstand

58 parallel geschaltet. Auch der zweite Magnetkern

59 empfängt über die Wicklung 60 einen Eingang aus einer Vorrichtung, die in der Zeichnung nicht dargestellt ist. Dieser Eingang dient jedoch als Hemmeingang. Durch die Vorrückimpulse aus der Quelle 54, die auf die Kernwicklung 61 einwirken, werden in der Wicklung 62 Ausgangsimpulse erzeugt, wenn sich der Kern 59 im Zustand »1« befunden hat. Diese Ausgangsimpulse aus der Wicklung 62 besitzen solche Polarität, daß sie durch die Diode 63 ungehemmt hindurchgehen und den mit dem Widerstand 65 parallel geschalteten Kondensator 64 aufladen können.

Die Kondensatoren 57 und 64 sind in Serie zwischen eine Vorspannungsquelle 69 für den Transistor 68 und den Basiswiderstand 66 des Transistors geschaltet. Der Emitter des Transistors 68 ist über einen Widerstand 67 geerdet. Der Kollektor des Transistors 68 ist über die Wicklung 70 des dritten Magnetkernes 71 und den strombegrenzenden Widerstand 72 mit einer Polarisierspannungsquelle 73 verbunden. Dem Magnetkern 71 werden Vorrückimpulse aus der Quelle 54 über die Wicklung 74 zugeleitet, wobei Ausgangsimpulse in der Wicklung 75 induziert werden.

Zur Erläuterung der Wirkungsweise dieser Schaltanordnung sei zunächst angenommen, daß der Magnetkern 51 durch die Wicklung 52 in den Zustand »1« gesetzt wurde und durch einen Vorrückimpuls aus der Quelle 54 wieder in den Zustand »0« zurückgegangen ist. Der dabei auftretende Ausgangsimpuls hat den Kondensator 57 so aufgeladen, daß seine in der Zeichnung obenliegende Klemme negativer ist als die untere Klemme. Fernerhin sei angenommen, daß der Kern 59 keinen Ausgangsimpuls geliefert hat und daß demzufolge der Kondensator 64 nicht geladen ist. In diesem Fall wird die Basis des Transistors 68 gegenüber dem Emitter negativ angetrieben, so daß der Transistor leitend wird. Hierbei fließt ein Strom durch die Wicklung 70, der hauptsächlich durch den Widerstand 72 bestimmt ist. Dieser Strom setzt den Kern 71 in den Zustand »1«.

Wie auch in den vorangehend erläuterten Beispielen sind die Vorrückimpulse aus der Quelle 54 kurz im Vergleich zur Zeitkonstanten des durch den Kondensator 57 und den Widerstand 58 gebildeten RC-Netzes. Die Größe dieser Vorrückimpulse reicht aus, um in den Kern 71 über die Wicklung 74 entgegen dem Stromfluß in der Wicklung 70 in den »O«-Zustand zu schalten. Nach Beendigung eines Vorrückimpulses wird der Kern 71 jedoch wegen des noch weiter andauernden Stromflusses durch den Tran-

sistor 68 und die Wicklung 70 wieder in den Zustand »1« gesetzt. Wenn auch vor Ankunft des nächsten Vorrückimpulses — wie schon im Beispiel der F i g. 1 beschrieben — der Kondensator 57 über den Widerstand 58 praktisch entladen ist, werden zur Sicherheit der Basis des Transistors 68 über die Leitung 50 Abschaltimpulse zugeführt. Die Widerstände 66 und 67 begrenzen den Stromantrieb über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 68 und verhindern das Auftreten einer wesentlichen Minoritätsträgerspeicherung.

Falls sowohl Kern 59 als auch Kern 51 zu Beginn des Vorgangs im Zustand »1« liegen, bewirkt ein Vorrückimpuls aus der Quelle 54 bei beiden Kernen einen Zustandswechsel in den Zustand »0«. Hierdurch werden Spannungen sowohl in der Wicklung 55 als auch in der Wicklung 62 induziert. Die in der Wicklung 55 induzierten Spannungen laden in der oben beschriebenen Weise den Kondensator 57 auf. Die in der Wicklung 12 induzierten Spannungen laufen einen entsprechenden Weg und laden den Kondensator 64 so auf, daß die Verbindungsstelle der Kondensatoren 57 und 64 positiver ist als das Potential der Vorspannungsquelle 69. Mithin hebt die über dem Kondensator 64 liegende Spannung die Wirkung der über dem Kondensator 57 liegenden Spannung auf, so daß die Übertragung der Information vom Kern 51 zum Kern 71 gehemmt wird. Die Zeitkonstante des den Kondensator 64 und den Widerstand 65 enthaltenden RC-Netzes ist dabei gleich oder etwas größer als die Zeitkonstante des den Widerstand 58 und den Kondensator 57 enthaltenden ÄC-Netzes.

Durch die Dioden 56 und 63 wird eine Entladung der Kondensatoren 57 bzw. 64 über die Wicklungen 55 bzw. 62 verhindert. Durch diese Dioden werden ebenfalls noch die unerwünschten Impulse aus den Kernen 51 und 59, die beim Umschalten der Kerne in den Zustand »1« auftreten, unterdrückt, so daß diese Impulse nicht weiter stören können.

Natürlich lassen sich bei entsprechender Vervielfachung der Komponenten 51,52, 53, 55 und 56 eine größere Anzahl von Informationseingängen über den Kondensator 57 legen, wenn dies gewünscht wird. Diese Eingänge können dann sämtlich durch eine einzige Hemmschaltung gehemmt werden. Entsprechend kann aber auch, wenn die Komponenten 59, 60,61,62 und 63 entsprechend vervielfacht und sämtlich über den Kondensator 64 gelegt werden, ein einziger Informationseingang aus einem aus einer größeren Anzahl von Hemmschaltungen ausgewählten Hemmeingang gehemmt werden. Schließlich kann auch eine größere Anzahl von Informationseingängen durch einen aus einer größeren Anzahl von Hemmschaltungen ausgewählten Hemmeingang selektiv gehemmt werden, wobei lediglich die entsprechenden Schaltkomponenten in geeigneter Weise zu vervielfachen sind.

Anstatt die Abschaltimpulse in der beschriebenen Weise über die Leitung 50 an die Transistoren anzulegen, kann auch so vorgegangen werden, daß die Abschaltimpulse unmittelbar der jeweiligen Vorspannungsquelle zugeführt werden. Dies bewirkt in genau der gleichen Weise ein rasches Abschalten der Transistoren.

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Binäres Impulsschieberegister mit mindestens einer umschaltbaren Vorrichtung und dieser periodisch zugeführten Impulsen, die die Vorrichtung in dem Zustand »0« zu halten suchen, der ferner ein »1 «-Impuls über einen Transistorverstärker zugeführt wird, wobei der »1 «-Impuls länger als der Dauer der periodischen Impulse entsprechend gespeichert wird, dadurch gekennzeichnet, daß dem Transistorverstärker Abschaltimpulse zugeleitet werden, die seine Übertragung in dem Zwischenraum zwischen den periodischen Impulsen beenden.

2. Impulsschieberegister nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter-Basis-Übergang des Transistorverstärkers von dem »1 «-Signal so weit in die Sättigung getrieben wird, daß der durch das »1 «-Signal eingeleitete Kollektorstrom zufolge der Minoritätsträgerspeicherung in der Emitter-Basis-Strecke noch über das Ende des »!.«-Signals hinaus fließt.

3. Impulsschieberegister nach Anspruch 2 mit mehreren Kopplungsschaltungen zum gleichzeitigen Zuführen von »1 «-Signalen zu der gleichen umschaltbaren Vorrichtung in Abhängigkeit von den gleichen Impulsen, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschaltimpulse gleichzeitig allen Transistoren in dem Transistorverstärker zugeführt werden.

4. Impulsschieberegister nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (46) und eine Vorspannungsquelle (31) zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors (25) angeordnet sind und daß die Abschaltimpulse dem Verbindungspunkt des Kondensators (46) mit der Basis des Transistors (25) zugeleitet werden.

5. Impulsschieberegister nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung eines Gleichrichters (24) und der »!«-Signalquelle (20) parallel zu der Reihenschaltung des Kondensators (46) und der Vorspannungsquelle (31) angeordnet ist.

In Betracht gezogene Druckschriften: Proc. I. R. E., 1955, S. 291 bis 298 (März); 1952, S. 1597 bis 1602 (November); 1954, S. 1152 bis 1159 (Juli).

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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