DE1027724B - Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente - Google Patents

Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente

Info

Publication number
DE1027724B
DE1027724B DEN13039A DEN0013039A DE1027724B DE 1027724 B DE1027724 B DE 1027724B DE N13039 A DEN13039 A DE N13039A DE N0013039 A DEN0013039 A DE N0013039A DE 1027724 B DE1027724 B DE 1027724B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rectifier
base
transistor
pulse
charge content
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN13039A
Other languages
English (en)
Inventor
Heine Andries Rodrigue Miranda
Johannes Meyer Cluwen
Theodorus Johannes Tulp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1027724B publication Critical patent/DE1027724B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/33Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices exhibiting hole storage or enhancement effect
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/002Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse (Zeitimpulse) gesteuerter elektrischer Speicherelemente, bei der ein Gleichrichter von einem Steuerimpuls gesteuert wird, wodurch entsprechend dem Vorhandensein eines als Speichermerkmal fungierenden freien Ladungsinhaltes dieses Gleichrichters ein Stromimpuls erzeugt wird.
Diesen Einrichtungen haftet der Nachteil an, daß, obwohl von den Zeitimpulsen Energie geliefert wird für das Umkippen von dem einen in den anderen Speicherzustand, die Ableseimpulse immer eine kleinere Stromamplitüde als die sogenannten »Speicherimpulse« haben, mit denen die Speicherelemente in einen bestimmten Speicherzustand geführt werden können. Infolgedessen sind vielfach zusätzliche Verstärkerelemente bzw. Transformatoren erforderlich, z. B. wenn der erzeugte Ableseimpuls sofort als Speicherimpuls eines folgenden Speicherelementes verwendet werden soll, wie dies z. B. bei Verschiebungsregistern und Zählschaltungen elektrischer Rechenmaschinen der Fall ist.
Die Erfindung zielt auf eine Einrichtung ab, bei der beträchtliche Vorteile gegenüber bekannten Einrichtungen erhalten werden und die demgegenüber auf vollkommen verschiedenen Grundsätzen beruht. Sie weist das Merkmal auf, daß dieser Stromimpuls durch die Basis eines Transistors hindurchgeführt wird, und zwar in Reihe über einen diese Basis-Elektrode auf schwebendem Potential haltenden Gleichrichter gleicher Durchlaßrichtung wie die dieser Basis-Elektrode, wodurch ein ebenfalls als Speichermerkmal fungierender freier Ladungsinhalt in der entsprechenden Basis-Zone erzeugt wird, wobei der Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors von in anderen Zeitpunkten auftretenden Steuerimpulsen gespeist wird.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß eine beträchtliche Speicherung freier Ladungen in der Basis-Zone eines Transistors mit einem verhältnismäßig geringen Energie- und Stromaufwand erfolgen kann. Dieser Ladungsinhalt frei beweglicher Elektronen und Löcher wird eine verhältnismäßig lange Zeit, z. B. etwa 50 μ&βο, beibehalten, und zwar um so länger, je geringer die Rekombinationsgeschwindigkeit der Elektronen- und Löcherpaare in der Basis-Zone ist. Wird nun dem Kollektor eines Transistors mit einem solchen freien Ladungsinhalt in der Basis-Zone ein Steuerimpuls zugeführt, so wird der Transistor stromführend, aber nur zu einem sehr geringen Teil auf Kosten des freien Ladungsinhaltes in der Basis-Zone, weil der Emitter des Transistors während dieser Stromführung neue freie Ladungen in die Basis-Zone emittiert. Dieser Einrichtung mit einer Anzahl
mittels Steuerimpulse gesteuerter
elektrischer Speicherelemente
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 7. Dezember 1955
Heine Andries Rodrigues de Miranda,
Johannes Meyer Cluwen
und Theodorus Johannes TuIp,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
»Ablesestromimpuls« ist also beträchtlich größer als der »Speicherstromimpuls«, mit dessen Hilfe der freie Ladungsinhalt in der Basis-Zone erzeugt wurde, wobei der Zeitabstand zwischen diesen zwei Impulsen durch die Rekombinationszeit der Elektronen- und Löcherpaare in der Basis-Zone beschränkt ist, also z. B. 50 μββΰ, was in der Praxis oft reichlich genügt. Um diese Wirkungen auszunutzen, soll sich die Basis-Elektrode aber insbesondere beim Auftreten des Steuerimpulses auf schwebendem Potential befinden, was durch den genannten Basis-Reihengleichrichter bewirkt wird. Die Kombination des Transistors mit einem Gleichrichter, in dem ebenfalls ein freier Ladungsinhalt als Speichermerkmal erzeugt wird, schafft dabei eine sehr einfache Einrichtung für das verfolgte Ziel.
Die Erfindung wird an Hand der in einer Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung zur Verwendung in einem Verschiebungsregister,
Fig. 2 zeigt eine Variante der Schaltung von Fig. 1, und
Fig. 3 stellt einen Ringzähler gemäß dem Schaltungsprinzip nach Fig. 1 dar.
709 959/135
Das Verschiebungsregister nach Fig. 1 enthält als Speicherelemente eine Anzahl p-n-p Transistoren 1, 2, 3 usw. und eine Anzahl Gleichrichter 4, 5 usw. Die Kollektor-Elektroden der Transistoren I12,3 werden mit negativen Zeitimpulsen K1 gespeist; in anderen Zeitpunkten auftretende negative Zeitimpulse K2 werden den Gleichrichtern 4, 5 zugeleitet. Diese Zeitimpulse werden von Generatoren mit einem vernachlässigbaren inneren Widerstand geliefert.
Die Einrichtung eignet sich somit als Verschiebungsregister. Wird der Basis des Transistors 1 der Reihe nach entsprechend einer bestimmten Kodierung in Reihenfolge gegebenenfalls ein freier Ladungs-5 inhalt aufgedrückt, so wird dieses Signal infolge der Zeitimpulse zu den folgenden Speicherelementen weiterrücken. Auch kann gewünschtenfalls entsprechend einer bestimmten Kodierung z. B. den Basis-Elektroden einer Anzahl Transistoren zugleich ein
Eine Speisespannungsquelle, die gewöhnlich bei i0 freier Ladungsinhalt aufgedrückt werden, z. B.
Transistor-Schaltungsanordnungen zur Verwendung dadurch, daß den betreffenden Basis-Elektroden ein
negativer Impuls zugeführt wird. Das in dieser Weise in das Register eingegangene Signal rückt nach dem Auftreten eines jeden Zeitimpulses um ein Speicher
kommt, fehlt hierbei.
Die Emitter der Transistoren I12, 3 liegen über Widerstände 6, 7, 8 an Erde. Weiter sind sie über
Widerstände 9,10 mit dem einen Pol der Gleich- i5 element weiter auf.
richter 4, 5 verbunden, zu deren anderem Pol der Hierbei ist angenommen, daß der freie Ladungs-
Zeitimpuls K2 geführt wird. Der Verbindungspunkt inhalt eines jeden Transistors bzw. Gleichrichters des Widerstanides 9 mit dem' Gleichrichter 4 führt über bereits im Zeitabstand zwischen zwei einem Speichereinien Gleichrichter 11 zur Basis des Transistors 2; der element zugeführten Zeitimpulsen verschwunden ist. Verbiniduiijgspunikt des Widerstandes 10 mit dem Gleich- 20 Dies würde für die Transistoren bedeuten, daß richter 5 führt über einen, Gleichrichter 12 zur Basis dieser Zeitabstand annähernd der genannten Rekomdets Transistors 3. Die Durchlaßrichtung· der Gleich- binationszeit der Elektronen- und Löcherpaare in der richter 11 und 12 entspricht dabei derjenigen der Basis-Zone entsprechen sollte. Oft ist es aber Basis-Elektroden der Transistoren 2 bzw. 3. erwünscht, diesen freien Ladungsinhalt bereits früher
Die Wirkungsweise der Einrichtung ist folgende: 25 aufzuheben. Zu diesem Zweck können innerhalb der
Angenommen, daß in der Basis-Zone des Tran- genannten Zeitabstände positive Radier- oder Löschsistors 1 ein freier Ladungsinhalt erzeugt worden ist, impulse über Trenngleichrichter zu den Basis-Elekz. B. dadurch, daß die Basis kurzzeitig negativ in troden der Transistoren geführt werden. Um dies zu bezug auf den Emitter gemacht wird, so wird im bewirken, werden die Rückflanken der Zeitimpulse Augenblick, in dem der Zeitimpuls K1 auftritt, ein 30 K1 mittels eines differenzierenden Netzwerkes 15, 16 Strom von dem Emitter .zum Kollektor durchgelas- in positive Impulse umgewandelt, die über die sen. Dieser Strom erzeugt am Emitter-Widerstand 6 Gleichrichter 17, 18 und 19 diesen freien Ladungseinen Spannungsabfall, der über den Widerstand 9 inhalt in den Transistoren unterdrücken. In bezog einen Stromimpuls durch den Gleichrichter 4 bewirkt. auf den freien Ladungsinhalt der Gleichrichter 4 Dieser Gleichrichter 4 ist ein Kristallgleichrichter 35 und 5 besteht das Erfordernis seiner Löschung in aus solchem halbleitendem Material, in dem beim viel geringerem Maße, weil beim Auftreten des Zeit-Stromdurchgang ein freier Ladungsinhalt erzeugt impulses K2 dieser freie Ladungsinhalt sowieso bewird. Im Augenblick, in dem der Zeitimpuls K2 auf- reits im wesentlichen verbraucht wird.
tritt, dessen Richtung der Durchlaßrichtung des Die Schaltungsanordnung nach Fig. 2 enthält wieder
Gleichrichters 4 entgegengesetzt ist, wird dieser freie 40 als Speicherelemente eine Anzahl Transistoren 21,22 Ladungsinhalt trotzdem einen Stromdurchgang er- und eine Anzahl Gleichrichter 23, 24. Die Kollekmöglichen, so daß über den Gleichrichter 11 ein toren der Transistoren 21 und 22 liegen an Erde, trad Stromimpuls durch die Basis-Kollektor-Strecke des über Trennwiderstände 25, 26 wird den Emittern der Transistors 2 zur Erde geführt wird. Der Gleichrich- Transistoren 21, 22 ein Zeitimpuls K1 zugeführt. Die ter 11 ermöglicht es dabei, daß nach Ablauf des Zeit- 45 Gleichrichter 23 bzw. 24 liegen in Reihe mit Trennimpulses K2 die Basis des Transistors 2 ein weit- widerständen 27 bzw. 28 zwischen den Emittern der gehend beliebiges negatives Potential anzunehmen Transistoren 21 bzw. 22 und Erde; dem Verbinvermag, mit anderen Worten, sich auf schwebendem dungspunkt des Widerstandes 27 und des Gleichrich-Potential befindet. ters 23 bzw. 28 und 24 werden Zeitimpulse K2 über
Dieser Stromimpuls erzeugt in der Basis einen 50 Trennwiderstände 29 bzw. 30 zugeleitet. Dieser Verfreien Ladungsinhalt, der wieder im Augenblick, in bindungspunkt ist weiter über einen Trennwiderstand dem der Zeitimpuls K1 auftritt, infolge des dann 31 und einen Gleichrichter 32 mit der Basis des erzeugten Spannungsabfalles am Widerstand 7 einen Transistors 22 verbunden. Die Durchlaßrichtung des Strom durch den Gleichrichter 5 fließen läßt, in dem Gleichrichters 32 ist dabei die gleiche wie die der somit wieder ein freier Ladungsinhalt erzeugt wird, 55 Basis des Transistors 22. Die Widerstände 29 und 31 Dieser wird seinerseits beim Auftreten des Zeit- und der Zeitimpuls K2 sind zweckmäßig beträchtlich
impulses K2 wieder Strom durchlassen und also einen freien Ladungsinhalt in der Basis des Transistors 3 erzeugen usw. Der als positives Speichermerkmal fungierende freie Ladungsinhalt der Transistoren 60 1,2,3 bzw. Gleichrichter 4,5 wird somit nach jedem Zeitimpuls dem folgenden Speicherelement weitergegeben, d. h. von dem Transistor 1 zum Gleichrichter 4, von da an zum Transistor 2 usw. Hätte der
größer als die Widerstände 25 und 27 bzw. der Zeitimpuls K1.
Die Wirkungsweise der Einrichtung ist folgende:
Angenommen, daß in der Basis des Transistors 21
ein freier Ladungsinhalt erzeugt worden 'ist, z. B.
dadurch, daß diese Basis kurzzeitig negativ in bezug
auf seinen Kollektor (Erde) gemacht wird, so wird
beim Auftreten des Zeitimpulses K1 der Transistor 21
Transistor 1 keinen freien Ladungsinhalt, so würde 65 einen Strom durchlassen, so daß der Kreis mit dem
auch dieses negative Speichermerkmal nach jedem Widerstand 27 und dem Gleichrichter 23 praktisch
Zeitimpuls weitergegeben worden sein, d. h. daß dann kurzgeschlossen wird. Der Gleichrichter 23 erhält
auch kein freier Ladungsinhalt im Gleichrichter 4, in somit einen praktisch vernachlässigbaren freien
der Basis-Zone des Transistors 2 usw. erzeugt wor- Ladungsinhalt. Beim Auftreten des Zeitimpulses K2
den wäre. 70 wird nun der Gleichrichter 23 im wesentlichen keinen
Strom durchlassen, so daß ein beträchtlicher Teil des Stromes durch den Widerstand 31 und den Gleichrichter 32 zur Basis des Transistors 22 fließt. In dieser Weise wird in dieser Basis wieder ein freier Ladungsinhalt erzeugt, usw. Hätte dagegen der Transistor 21 anfänglich keinen freien Ladungsinhalt, so würde der Strom des Zeitimpulses K1 gezwungen, den Widerstand 27 und den Gleichrichter 23 zu durchfließen, wodurch in diesem Gleichrichter 23 ein freier Ladungsinhalt erzeugt wird. Infolgedessen wird beim Auftreten des Zeitimpulses Kt der Strotnweg über den Widerstand 31 und den Gleichrichter 32 durch den vom Gleichrichter 23 durchgelassenen Strom praktisch kurzgeschlossen, so daß auch in der Basis das Transistors 22 kein freier Ladiungsinhalt erzeugt wird.
Die Schaltungsanordnungen nach den Fig. 1 und 2 können durch Kopplung des Ausgangs mit dem Eingang in einen Ringzähler umgewandelt werden. Ein sehr einfaches Beispiel eines solchen Ringzählers oder eines Kippschaltelementes mit nur einem Transistor ist in Fig. 3 dargestellt. Es besitzt einen Transistor 31, dessen Emitter über einen Widerstand 32 an Erde liegt; dem Kollektor wird ein Zeitimpuls K1 zugeführt. Der Emitter des Transistors 31 ist weiter gewünschtenfalls über einen Trennwiderstand 33 mit der einen Elektrode eines Gleichrichters 34 einer Art verbunden, bei der ein freier Ladungsinhalt erzeugt werden kann. Dem anderen Pol des Gleichrichters 34 werden Zeitimpulse K2 zugeführt, deren Polarität der Durchlaßrichtung des Gleichrichters 34 entgegengesetzt ist. Der Verbindungspunkt des Widerstandes 33 und des Gleichrichters 34 ist über einen Gleichrichter 35 mit der Basis des Transistors 31 verbunden.
Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung ist folgende:
Angenommen, daß der Basis des Transistors 31 ein freier Ladungsinhalt aufgedrückt worden ist, so wird beim Auftreten des Zeitimpulses K1 ein Spannungsabfall am Emitter-Widerstand 32 erzeugt werden, der über den Widerstand 33 einen freien Ladungsinhalt im Gleichrichter 34 bewirkt. Beim Auftreten des Zeitimpulses K2 wird dann vom Gleichrichter 34 ein Strom durchgelassen, der über den Trenngleichrichter 35 einen freien Ladungsinhalt in der Basis des Transistors 31 erzeugt. Der Transistor 31 und der Gleichrichter 34 erhalten somit abwechselnd einen freien Ladungsinhalt. Hätten sie anfänglich keinen freien Ladungsinhalt, so würde beim Auftreten der Zeitimpulse auch kein Strom fließen, so daß die Schaltung gesperrt wäre.
Neben den geschilderten Schichttransistoren, die nach der Polaritätsänderung sämtlicher Gleichrichter und sämtlicher Spannungen auch durch Transistoren von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp ersetzt werden können, kommen auch Transistoren von der Stromverstärkungsart (Kollektor - Emitter - Verstärkungsgrad größer als 1) in Betracht. Die Bedenken gegen Spitzenkontakt - Transistoren sind dabei viel weniger schwerwiegend als bei üblichen Kippschaltungen, weil der sie durchfließende Strom nach einem jeden Zeitimpuls wieder zu Null wird. Der Vorteil stromverstärkender Transistoren besteht in der hohen Schaltungsempfindlichkeit, weil die schwebende Basis bekanntlich eine starke Mitkopplung bewirkt und den Transistor dabei sinngemäß in ein bistabiles Kippschaltelement umwandelt.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente, bei der ein Gleichrichter von einem Steuerimpuls gesteuert wird, wodurch entsprechend dem Vorhandensein eines als Speichermerkmal fungierenden freien Ladungsinhaltes dieses Gleichrichters ein Stromimpuls erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Stromimpuls durch die Basis eines Transistors hindurchgeführt wird, und zwar in Reihe über einen diese Basis-Elektrode auf schwebendem Potential haltenden Gleichrichter (z. B. 11) gleicher Durchlaßrichtung wie die dieser Basis-Elektrode, wodurch ein ebenfalls als Speichermerkmal füngierender freier Ladungsinhalt in der entsprechenden Basis-Zone erzeugt wird, und daß der Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors von in anderen Zeitpunkten auftretenden Steuerimpulsen gespeist wird.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Transistors über einen Widerstand an Erde liegt und sein Kollektor von einem Steuerimpuls gespeist wird.
3. Einrichtung nach Anspruch 2 mit einem den Speichereffekt aufweisenden Gleichrichter und einem Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Gleichrichter (34), dem der über den Emitter-Widerstand (32) erzeugte Impuls zugeleitet wird, mit der Basis des Transistors über einen Gleichrichter (35) entgegengesetzter Durchlaßrichtung verbunden ist (Fig. 3).
4. Einrichtung nach Anspruch 2 mit einer Anzahl den Speichereffekt aufweisender Gleichrichter und Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die über die Emitter-Widerstände (6, 7, 8) erzeugten Impulse diesen Gleichrichtern (4, 5) zugeleitet und die von diesen Gleichrichtern beim Auftreten des Steuerimpulses (K2) durchgelassenen Stromimpulse über die Basis-Reihengleichrichiter (11, 12) den Basiis-Elektradm dier Transistoren (2, 3) zugeführt werden (Fig. 1).
5. Einrichtung nach Anspruch 1 mit einer Anzahl den Speichereffekt aufweisender Gleichrichter und Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoren der Transistoren (21, 22) sowie der eine Pol dieser Gleichrichter (23, 24) an Erde liegen, daß der eine Steuerimpuls (K1) den Emittern zugeführt wird und nur beim Fehlen eines freien Ladungsinhaltes in den Basis-Zonen der Transistoren einen den freien Ladungsinhalt erzeugenden Strom durch die aufeinanderfolgenden Gleichrichter (23, 24) erzeugt, während der andere Steuerimpuls (K2) nur beim Fehlen eines freien Ladungsinhaltes in den Gleichrichtern (23, 24) einen den freien Ladungsinhalt erzeugenden Strom durch die Basis-Elektroden der aufeinanderfolgenden Transistoren erzeugt (Fig. 2).
6. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach Ablauf eines jeden Steuerimpulses bei einem Transistor zur Basis dieses Transistors ein den freien Ladungsinhalt vertreibender Löschimpuls zugeführt wird.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Löschimpuls mittels eines differenzierenden Netzwerkes aus dem Steuerimpuls abgeleitet wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
■@ 7W 959/138 4.58.
DEN13039A 1955-12-07 1956-12-04 Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente Pending DE1027724B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL352002X 1955-12-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1027724B true DE1027724B (de) 1958-04-10

Family

ID=19785077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN13039A Pending DE1027724B (de) 1955-12-07 1956-12-04 Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3038084A (de)
BE (1) BE553184A (de)
CH (1) CH352002A (de)
DE (1) DE1027724B (de)
FR (1) FR1166512A (de)
GB (1) GB827666A (de)
NL (1) NL202653A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1161310B (de) * 1959-03-30 1964-01-16 Thompson Ramo Wooldridge Inc Speicherschaltung zum Verzoegern und zur Bildung des Komplements von Informationsimpulsen

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB966600A (en) * 1961-12-07 1964-08-12 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in transistor logic circuitry for digital systems
US3242351A (en) * 1962-04-10 1966-03-22 Monroe Int Memory device utilizing a slow recovery diode to charge a capacitor
US3299294A (en) * 1964-04-28 1967-01-17 Bell Telephone Labor Inc High-speed pulse generator using charge-storage step-recovery diode
US3740576A (en) * 1970-08-04 1973-06-19 Licentia Gmbh Dynamic logic interconnection
US3898483A (en) * 1973-10-18 1975-08-05 Fairchild Camera Instr Co Bipolar memory circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2644893A (en) * 1952-06-02 1953-07-07 Rca Corp Semiconductor pulse memory circuits
US2848628A (en) * 1954-10-06 1958-08-19 Hazeltine Research Inc Transistor ring counter
US2866178A (en) * 1955-03-18 1958-12-23 Rca Corp Binary devices
BE547373A (de) * 1955-04-28
GB786056A (en) * 1955-05-25 1957-11-13 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to electrical circuits employing static electrical switches

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1161310B (de) * 1959-03-30 1964-01-16 Thompson Ramo Wooldridge Inc Speicherschaltung zum Verzoegern und zur Bildung des Komplements von Informationsimpulsen

Also Published As

Publication number Publication date
BE553184A (de)
NL202653A (de)
CH352002A (de) 1961-02-15
US3038084A (en) 1962-06-05
GB827666A (en) 1960-02-10
FR1166512A (fr) 1958-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2414917C2 (de) Leseverstärker
DE1023613B (de) Binaere Trigger- und Zaehlerkreise unter Verwendung magnetischer Speicher
DE1045450B (de) Verschiebespeicher mit Transistoren
DE1136371B (de) Elektronische Speicherschaltung
DE1028616B (de) Einrichtung mit einer Anzahl durch Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente
DE2302137B2 (de) Leseschaltung zum zerstörungsfreien Auslesen dynamischer Ladungs-Speicherzellen
DE1154832B (de) Binaere Kippschaltung zur Frequenzteilung
DE1027724B (de) Einrichtung mit einer Anzahl mittels Steuerimpulse gesteuerter elektrischer Speicherelemente
DE1814213C3 (de) J-K-Master-Slave-Flipflop
DE820016C (de) Elektrische Speicherschaltung
DE2314494A1 (de) Gasentladungs-bildwiedergabeanordnung
DE1272358B (de) Schaltung zur getriggerten Erzeugung von linearen Saegezahnspannungsimpulsen
DE1922761A1 (de) Kondensatorspeicher
DE2055487A1 (de) Statisches mehrstufiges Schiebe register
DE1774813B1 (de) Speicherelement mit transistoren und matrixspeicher mit diesen speicherelementen
CH402943A (de) Verfahren zum Betrieb einer Torschaltung zur Speisung einer induktiven Belastung und Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2363616A1 (de) Signal-verzoegerungsschaltung
DE1085915B (de) Impulsformende Halbleitertransistorverstaerkeranordnung
DE1086462B (de) Zaehlschaltung mit einem Kern aus einem ferromagnetischen Material
DE1053566B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator
AT205263B (de) Schaltungsanordnung zur Ermittlung der Polarität von Impulsen
DE1915700A1 (de) Schieberegister
AT225780B (de) Einrichtung zum laufenden Umformen einer statistisch unregelmäßigen, uncodierten Impulsreihe in eine Impulsreihe mit vorgegebenen Abständen
DE1058103B (de) Schaltung zur Umwandlung von einem Transistorkreis zugefuehrten Eingangsimpulsen in Ausgangsimpulse mit praktisch unveraenderlicher Breite und Amplitude
DE1025010B (de) Magnetische Kippschaltung