DE1053566B - Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator

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Publication number
DE1053566B
DE1053566B DES52304A DES0052304A DE1053566B DE 1053566 B DE1053566 B DE 1053566B DE S52304 A DES52304 A DE S52304A DE S0052304 A DES0052304 A DE S0052304A DE 1053566 B DE1053566 B DE 1053566B
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DE
Germany
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transistor
collector
multivibrator
resistor
transistors
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Application number
DES52304A
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English (en)
Inventor
Dipl-Phys Wolfgang Heberle
Siegfried Guntersdorfer
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/282Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
    • H03K3/2823Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable using two active transistor of the same conductivity type

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Description

Die Form der von bekannten Multivibratorstufen erzeugten Impulse hängt im wesentlichen von den Eigenschaften der Bauelemente solcher Schaltungen ab. Diese Bauelemente bringen vielfach solche Zeitabhängigkeiten in die Schaltungen hinein, daß die Flanken der Impulse in unerwünschter Weise abgeflacht werden.
Fig. 1 zeiigt zwei Recbteckimpule/lund/2^ die in Abhängigkeit von der Zeit t aufgetragen sind, wobei die Rückflanke F1 des Impulses 11 abgeflacht dargestellt ist. Eine derart flach verlaufende Rückflanke Fl ergibt eine unerwünscht lange Abfallzeit ti. Eine solche lange Abfallzeit macht sich vielfach störend bemerkbar.
Um diesem Nachteil abzuhelfen, ist bereits eine Kippschaltung bekannt, die als Kippelemente zwei sich gegenseitig steuernde Schirmgitterröhren enthält. Die Steuerung erfolgt dabei derart, daß vom Schirmgitter jeweils einer Kippröhre aus das Steuergitter der jeweils anderen Kippröhre beeinflußt wird. Durch diese Art der gegenseitigen Steuerung soll erreicht werden, daß die den Anoden- und Gitterableitwiderständen parallel geschalteten Kondensatoren keine Parallelschaltung bilden, was eintreten würde, wenn man die übliche Steuerung von Anode zum Steuergitter vorsieht. Um nun die von den Schirmgittern den Steuergittern zuzuführenden Potentiale mit geringem Innenwiderstand zu liefern, sind zusätzlich noch Hilfsröhren vorgesehen, deren Hauptentladungsstrecke zwischen den positiven Pol der Betriebsspannungsquelle und das jeweilige Schirmgitter geschaltet ist.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, den eingangs beschriebenen Mangel bei einem Zwei-Transistor-Multivibrator zu beseitigen, bei welchem der vorstehend aufgezeigte Weg nicht anwendbar ist, da Transistoren nicht über die notwendige Anzahl von Elektroden verfügen. Die Erfindung bezieht sich also auf eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einer Transistorkippschaltung. Die Fig. 1 zeigt einen solchen steilflankigen Impuls 12, dessen Rückflanke mit F2 bezeichnet ist.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu einem im Hauptstromkreis eines der Multivibrator-Transistoren Kl, K2 liegenden Widerstand (Kollektorwiderstand RA1, RA2) die Kollektor-Emitter-Strecke eines zusätzlichen Transistors TR geschaltet ist und daß die Steuerelektrode dieses Transistors über einen Kondensator C 3 mit der Ausgangselektrode des anderen Transistors des Multivibrators derart verbunden ist, daß beim Umkippen in die andere Lage der im Nebenschluß liegende Transistor TR in den leitenden Zustand versetzt wird und damit der dem zusätzlichen Schaltungsanordnung
zur Erzeugung steilflankiger Impulse
mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dipl.-Phys. Wolfgang Heberle,
und Siegfried Guntersdorfer, München,
sind als Erfinder genannt worden
as Transistor TR zugehörige Transistor der Kippschaltung unabhängig von der durch die Bauelemente der Schaltung bedingten Zeitkonstante rasch gesperrt wird. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Fig. 2 dargestellt. Der Multivibrator ist mit Transistören Kl und K 2 vom p-n-p-Typ in bekannter Weise aufgebaut. Die Emitter beider Transistoren Kl,"K2 führen zum positiven Pol der Batteries. Der Kollektor des Transistors Kl ist über den Kondensator Cl mit der Basis des Transistors if 2 gekoppelt, während der Kollektor des Transistors K2 über den Kondensator C2 mit der Basis des Transistors Kl verbunden ist. Die im Kollektorkreis jedes Transistors Kl bzw. K2 liegenden Ausgangswiderstände RAl bzw. RA2 sind mit dem negativen Pol der Batterie B verbunden. An diesen Widerständen RAl, RA2 lassen sich die durch die Kippstufe erzeugten Impulse abnehmen. Die Basis jedes Transistors Kl, K2 liegt über einem Widerstand RBl bzw. RB 2 am negativen Pol der Batterie B.
+5 Um nun mit dieser an sich bekannten Kippschaltung Impulse mit steiler Rückflanke erzeugen zu können, ist erfindungsgemäß parallel zum Ausgangswiderstand RAl der Ausgangskreis, im vorliegenden Fall der Kollektor-Emitter-Stromkreis eines zu den Transistoren der Kippschaltung komplementären Transistors TR geschaltet. Die Steuerelektrode, im vorliegenden Fall die Basis des Transistors TR, ist über den Kondensator C 3 mit der Ausgangselektrode, d. h. in der Anordnung gemäß Fig. 2 dem Kollektor
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Claims (3)

des Transistors K 2, verbunden und über den Ableitwiderstand i?3 an den negativen Pol der Batterie B angeschlossen. Der Ableitwiderstand R 3 sorgt dafür, daß sich der Kondensator C 3, der einen in seiner Funktion anschließend erläuterten Steuerimpuls vom Kollektor des Transistors Kl zur Basis des Transistors TR überträgt, so rasch entladen kann, daß der Steuerimpuls den eigentlichen Kippvorgang nicht beeinflussen kann. In der Schaltung gemäß Fig. 2 bewirkt nun der erfindungsgemäß vorgesehene Transistor TR folgendes: Wenn der Transistor K1 schließt und der Transistor Ä"2 öffnet, gelangt der Kollektor des Transistors K 2 auf ein in bezug auf den Sperrzustand positiveres Potential. Dieser Potentialsprung wird über den KondensatorC3 zur Basis des Transistors Ti? übertragen. Damit wird der Transistor TR rasch geöffnet, und seine niederohmige Emitter-Kollektor-Strecke überbrückt den Widerstand RA1, so daß der Kollektor des Transistors K1 praktisch am negativen Pol der Batterie B liegt. Damit nimmt der betreffende Transistor der Kippschaltung unabhängig von der durch die Schaltelemente bedingten Zeitkonstante rasch sein Sperrpotential an. Im Bedarfsfalle läßt sich auch für den Transistor K 2 der Kippstufe ein erfindungsgemäß angeordneter Transistor vorsehen, der dann entsprechend vom Transistor Kl der Kippstufe gesteuert werden würde. Unter Umständen läßt sich einer Kippstufe ein gegenüber der beschriebenen Schaltung um 180° phasenverschobener Steuerimpuls abnehmen, so daß für die Flankenkorrektur auch Transistoren vom gleichen Typ wie die Transistoren der Kippstufe verwendet werden können. Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu einem im Hauptstromkreis eines der Multivibrator-Transistoren (Kl3 KZ) liegenden Widerstand (Kollektorwiderstand RAl, RA2) die Kollektor-Emitter-Strecke eines zusätzlichen Transistors (TR) geschaltet ist und daß die Steuerelektrode dieses Transistors über einen Kondensator (C 3) mit der Ausgangselektrode des anderen Transistors des Multivibrators derart verbunden ist, daß beim Umkippen in die andere Lage der im Nebenschluß liegende Transistor (TR) in den leitenden Zustand versetzt wird und damit der dem zusätzlichen Transistor (TR) zu gehörige Transistor der Kippschaltung unabhängig von der durch die Bauelemente der Schaltung bedingten Zeitkonstante rasch gesperrt wird.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Nebenschluß zu dem Kollektorwiderstand (RA2) des anderen Multivibrator-Transistors ein weiterer zusätzlicher Transistor angeoradnet ist, dessen Steuerelektrode über einen Kondensator mit dem Kollektor des anderen Transistors des Multivibrators verbunden ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzlichen Transistoren komplementär zu den Multivibrator-Transistoren sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschrift Nr. 251761.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809 787/381 3.59
DES52304A 1957-02-12 1957-02-12 Schaltungsanordnung zur Erzeugung steilflankiger Impulse mit einem Zwei-Transistor-Multivibrator Pending DE1053566B (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1119330B (de) * 1959-08-25 1961-12-14 Siemens Ag Monostabile Kippschaltung mit sehr grossem Arbeitslage-Ruhelage-Verhaeltnis
DE1190030B (de) * 1962-12-04 1965-04-01 Bayer Ag Multivibratorschaltung
DE1197923B (de) * 1963-09-07 1965-08-05 Tech Physikalische Werkstaette Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Rechteckimpulsen und Saegezahnspannungen

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH251761A (de) * 1943-10-28 1947-11-15 Telefunken Gmbh Multivibratoranordnung.

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