AT202192B - Schaltungsanordnung zur Verzögerung und gleichzeitigen Verstärkung oder zur Verstärkung allein von einzelnen Impulsen oder Reihen von Impulsen. - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Verzögerung und gleichzeitigen Verstärkung oder zur Verstärkung allein von einzelnen Impulsen oder Reihen von Impulsen.

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AT202192B
AT202192B AT827857A AT827857A AT202192B AT 202192 B AT202192 B AT 202192B AT 827857 A AT827857 A AT 827857A AT 827857 A AT827857 A AT 827857A AT 202192 B AT202192 B AT 202192B
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AT
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transistor
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amplification
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Kurt Dipl Ing Walk
Heinz Dipl Ing Dr Tech Zemanek
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Heinz Dipl Ing Dr Tech Zemanek
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Description


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  Schaltungsanordnung zur Verzögerung und gleichzeitigen Verstärkung oder zur Verstär- kung allein von einzelnen Impulsen oder Reihen von Impulsen. 



    In der Impulstechnik, insbesondere in der Technik der elektronischen Rechenmaschinen ergibt sich häufig die Aufgabe, einzelne Impulse oder Reihen von Impulsen (bei denen die Impulse an Stellen, welche in gleichen Zeitabständen, nachfolgend Einheits-Zeitabstand genannt, einander folgen, auftreten können oder nicht) zu verzögern. 



  Die Aufgaben können in bekannter Weise durch rein passive Netzwerke, passive Netzwerke in Kombination mit linearen Verstärkern, Ultraschallstrecken oder durch mechanisch bewegte Magnetelemente gelöst werden. Ebenso sind bistabile Verstärkerschaltungen und Schaltungen mit Ferritmagneten bekannt geworden. 



  Der Transistor als aktives, nichtlineares Element mit besonderen Eigenschaften bietet neue Möglichkeiten. Unter seiner Verwendung sind Verzögerungsschaltungen bekannt, deren Stufen aus einem aktiven übersteuerten Element, dem Tran-   
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 und einemtragungsglied, bestehen, wobei die nachfolgende Stufe nach dem gleichen Prinzip wie bei einer Relaiskette mit Impulsende des vorhergehenden   Transistorgliedes über das Übertragungsglied   angesteuert wird. Für die Verzögerung um einen Einheits-Zeitabstand sind dabei mindestens zwei Verzögerungsstufen notwendig. Wenn man dafür sor- 
 EMI1.2 
 mehrerer Stufen, hervorgerufen zum-Beispiel durch die Toleranzen der Schaltelemente, ausgeglichen 
 EMI1.3 
 tur in einer logischen Schaltung vornehmen. 



   Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Verzögerung und gleichzeitigen 
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 zelnen Impulsen oder Reihen von Impulsen, wobei jede Verzögerungsstufe eine Transistorstufe und ein Übertragungsglied, welches vorzugsweise aus einem Übertrager und einem Spannungsteiler besteht, enthält und die   Einganssimpulse   an den   Eingang, vorzugsrweise   an die (Basis, des Transistors   geführt   sind.

   Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass an eine Elektrode, vorzugsweise an den Kollektor, des Transistors eine Diode ange- schlossen ist und über diese Diode Synchronisierungsimpulse, deren Grösse vorzugsweise gleich der   Grösse   der Speisespannung des Transistors ist, an die genannte Elektrode, vorzugsweise an den Kollektor, des Transistors geführt sind und hiedurch die   Ausgangssignalspannung unterdrückbar   ist. 



   Die weitere Ausbildung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass im Übertragungsglied ausser einem Übertrager und einem Spannungsteiler ein den Spannungsteiler ganz oder teilweise   überbrückender   Kondensator und eine zwischen dem Übertrager und der Parallelschaltung des Spannungsteilers oder eines Teiles desselben mit dem Kondensator im Längszweig liegende Diode angeordnet ist. 



   Nach der weiteren Erfindung ist vorgesehen, dass zur Erzielung einer auf eine bestimmte Zeitdauer erfolgende Unterdrückung der Wirksamkeit eines Eingangsimpulses der Synchronisierungsim- 
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Länge des Synchronisierungsimpulsesveränderbar ist. 



     Schliesslich   ist nach einer weiteren Ausführung der Erfindung vorgesehen, dass bei Hintereinander-   schaltung von Verzögerungsstufen   die Ausgangsklemmen einer Verzögerungsstufe mit den Ein, 
 EMI1.6 
 verbundenen Klemmen der Diodeneingänge zugeführt sind. 



   Beispiele der Erfindung werden nun an Hand der Figuren näher beschrieben, wobei die Fig. 1 die Schaltungsanordnung einer   erfindungsgemässen   Verzögerungsstufe, die Fig. 2 und 3 die dazuge- 
 EMI1.7 
 
Spannungsimpuls-Zeitdiagramme,Fig. 4 die Zusammenschaltung mehrerer   Verso-   gerungsglieder und die Fig. 5 eine bevorzugte Ausführungsform des Übertragungsgliedes zeigt. 



   Die Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der   erfindungsgemässen Verzögerungsstu. fe. Diese be-    steht aus einer Transistorstufe Ti und einem 

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 Übertragungsglied Ü. Der Transistor 1 ist in   Emittergrundschaltung ausgeführt.   Das Übertragungsglied Ü besteht aus einem Übertrager 2 und 
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Die Synehronisierungsimpulse werden an der   Klemme S ; über   eine Diode 4 an den Kollektorpunkt Ai des Transistors 1 und damit gleichzeitig an den Eingang des übertragers 2 gelegt. An die Klemme Ei werden die Eingangsimpulse angelegt und an der Klemme EH die Ausgansimpulse der   Verzögerungsstufe   abgenommen. 
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 se ist die Zeit t aufgetragen, während die Ordinaten die Spannungen kennzeichnen.

   Mit UEi sind die im Punkte Ei wirksamen Eingangsspannungen, mit U die Sychronisierungimpulse im Punkte   Si.   mit U Ai die im Punkte Ai auftretenden Spannungen und mit   UEi+,   die an der Ausgangs- 
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 Impulszug im Diagramm UEi verzögert ist und zwar genau um einen kleineren Betrag als dem Einheits-Zeitabstand entspricht. Die Impulse UEi+i treten in den Zeiträumen   t1-t2, t2-t" und   t4-t5 auf, während im Zeitraum t3-t4 kein Impuls auftreten kann, da auch kein entsprechender Impuls im Impulszug   Lfp,   vorhanden war. 
 EMI2.4 
 sistor 1 an der Basis in den stromführenden Zustand, wodurch die Kollektorspannung des Transistors 1 nahezu gleich dem Erdpotential wird.

   Die über die Diode 4 an den Kollektorpunkt Ai zugeführteSynchronisierungsimpulseUSibringen die Kollektorspannung wieder auf den   ursprüng-   
 EMI2.5 
 Speisespannung wird über einen unter dem Transformator 2 dargestellten Widerstand und über die Primärwicklung des Transformators 2 zugeführt. Die Ausgangsimpulse U   zo   werden an 
 EMI2.6 
 Sekundärseite während der Dauer der Impulse U Ai für den nächstfolgenden Transistor als Sperrspannung wirkt, so dass nur die abfallenden 
 EMI2.7 
 Stufe wirksame Impulse U   @   +l ergeben.

   Dadurch sind jetzt die Impulse   Lf, ;,+i   gegenüber den Impulsen UEi um die Breite der Impulse   U Ai   zeitverzögert. 
 EMI2.8 
 
 EMI2.9 
    Ugwerden, wodurch   die   Impulse U, i erst   nach Ende der Synchronisierimpulse beginnen und mit dem Anfang des nachfolgenden Synchronisierimpulses   Usi enden. Die Ausgangsimpulse   U Ei+1 beginnen wieder mit dem Ende der Impulse   Uj wo   durch sic in diesem Falle gegenüber den Ein- 
 EMI2.10 
 Zeitabstand verzögert sind.
In Fig. 4 ist die Zusammenschaltung mehrerer 
 EMI2.11 
 dargestellt.Eingangsklemmen des nachfolgenden Verzögerungsgliedes zusammengeschaltet.

   Für die Indi- 
 EMI2.12 
 gerung zwischen der am Anfang der Zusammenschaltung angespeisten Impulsfolge und der am Ende der Zusammenschaltung auftretenden Impulsfolge auftritt. 



   Die Fig. 5 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform des Übertragungsgliedes Ü, welches sich gegenüber dem in Fig. 1 dargestelltem   Übertra-   
 EMI2.13 
 punkt der Diode 5 mit dem Kondensator 6 der Spannungsteiler 3 angeschlossen ist. Die Wirkung dieser Parallelschaltung   Hegt in   der Veränderung der Zeitkonstante des Übertragungsgliedes und in 
 EMI2.14 
 



  Die Länge der Speicherwirkung des Kondensators kann durch die Bemessung der Schaltglieder eingestellt werden. 



   Zusammenfassend sei gesagt : 
 EMI2.15 
   genüber   den bekannten Anordnungen Synchroni-   siemngsimpulse,   welche die genauen Verzögerungszeiten in jeder Stufe zwangsweise hervorrufen. Dieses Ergebnis wird dadurch erzielt, dass 
 EMI2.16 
 dass das verzögerte Signal während einer gewünschten Zeitdauer   unterdrückt   wird und auf diese Weise am Ausgang zu einem gewünschten Zeitpunkt abgenommen werden kann. 



   Ein Beispiel der erfindungsgemässen Schaltung besteht, wie bereits beschrieben, aus einem Transistor, dessen Emitter geerdet ist und dessen Kollektor über einen Lastwiderstand an der Speisespannung liegt, ferner einem Übertragungsglied und einer an den Kollektor des Transistors angeschlossenen Diode. Das Übertragungsglied besteht beispielsweise aus einem übertrager und einem Spannungsteiler, welcher an die Basis des nächstfolgenden Transistors angeschlossen ist und die 

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 EMI3.1 
 
 EMI3.2 
 rung ist damit um die Breite der Synchronisierungsimpulse gegenüber dem vorigen Ausführungsbeispiel erhöht. Das Übertragungsglied besteht in diesem Falle aus einem Übertrager, einem Span- 
 EMI3.3 
 zwischen dem Übertrager und der Parallelschaltung des Spannungsteilers oder eines Teiles desselben mit dem Kondensator im Längszweig liegende Diode.

   Der Kondensator wird bei Ansteuerung durch Eingangsimpulse über die Diode aufgeladen und speichert das Signal während der Unter-   drückung   des Ausgangsimpulses durch den Syn- 
 EMI3.4 
 tenimpulse gleich der Länge der Synchronisie-   rungs, impulse   gleich einem halben Einheits-Zeitabstande gewählt, so erscheinen die Ausgangsimpulse gegenüber den Eingangsimpulsen um einen vollen   Ein'heits-Zeitabstand verzögert.   



   Alle beschriebenen Ausführungsbeispiele der Verzögerungsstufen lassen sich in beliebiger Anzahl in Kette schalten. Die Zusammenschaltung kann beispielsweise so erfolgen, dass die Primärseite der Übertrager in den Übertragungsgliedern in Serie zum Lastwiderstand der vorhergehenden 
 EMI3.5 
 Kettenschaltung sind sämtliche an die Kollektorpunkte der Transistoren führenden Dioden an die gleiche Synchronimpulsquelle angeschlossen, während die Übertragungsglieder zwischen den Transistoren so ausgebildet sind, dass die Transistoren bei Impulsende der vorhergehenden Stufen in den stromführenden Zustand gesteuert werden. Pro 
 EMI3.6 
 Zeitabstandes ein. 



   Solche Verzögerungsketten können als Speichelregister verwendet werden, indem in bekannter Weise das Ausgangssignal an den Eingang zurückgeführt wird, wobei zur Speicherung einer   binären 1   Ziffer eine einzige Stufe erforderlich ist. 

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Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Schaltungsanordnung zur Verzögerung und gleichzeitigen Verstärkung oder zur Verstärkung allein von einzelnen Impulsen oder Reihen von 1 Impulsen, wobei jede Verzögerungsstufe eine Tran- EMI3.7 pulse an den Eingang, vorzugsweise an die Basis 1 des Transistors geführt sind, dadurch gekennzeichnet, dass an eine Elektrode, vorzugsweise an den Kollektor, des Transistors eine Diode angeschlossen ist und über diese Diode Synchronisiemngs- impulse, deren Grösse vorzugsweise gleich der <Desc/Clms Page number 4> EMI4.1 die genannte Elektrode, vorzugsweise an den Kollektor, des Transistors geführt sind und hiedurch EMI4.2 le :
    ein den Spannungsteiler ganz oder teilweise überbrückender Kondensator und eine zwischen dem Übertrager und der Parallelschaltung des Spannungsteilers oder eines Teiles desselben mit dem Kondensator im Längszweig liegende Diode angeordnet ist.
    3. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzielung einer auf eine bestimmte Zeitdauer erfolgen- den Unterdrückung der Wirksamkeit eines Eingangsimpulses der Synchronisierungsimpuls im wesentlichen gleichzeitig mit dem Eingangsimpuls der Transistorstufe zugeführt wird und das Ende der Unterdrückung durch die Bemessung der EMI4.3 ist.
    4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen I, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass bei Hin- tereinanderscha1tung von Verzögerungsstufen die Ausgangsklemmen einer Verzögerungsstufe mit den Eingangsklemmen der folgenden Verzögerungsstufe verbunden sind und die Synchronisierungs-Span- nungsimpulse gleichzeitig an die untereinander verbundenen Klemmen der Diodeneingänge zugeführt sind.
AT827857A 1957-12-23 1957-12-23 Schaltungsanordnung zur Verzögerung und gleichzeitigen Verstärkung oder zur Verstärkung allein von einzelnen Impulsen oder Reihen von Impulsen. AT202192B (de)

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