AT207417B - Verfahren zur Herstellung halbleitender Elektrodensysteme - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren zur Herstellung halbleitender Elektrodensysteme 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 so dass der Bruch des einkristallinischen Streifens in weitaus den meisten Fällen dem nicht mit Lot be- deckten Teil des Kristalles folgt. 



   Die Anwendung des oben beschriebenen Kammes ist naturgemäss für die Erfindung nicht wesentlich. 



  Es ist auch möglich, mehrere lose Träger an dem Streifen 1 zu befestigen und diesen dann durchzubrechen. Auch ist die Erfindung nicht an die elektrischen Eigenschaften der Verbindung zwischen den Trägern und dem halbleitenden Körper gebunden ; diese Verbindung kann gegebenenfalls gleichrichtend sein. 



  Die Erfindung ist auch nicht an die Anzahl, Form und Eigenschaften weiterer auf diesem Körper angebrachter Elektroden oder Kontakte gebunden. Naturgemäss   müssen   diese die zwischen den mit Lot oder Bindemittel 4 überdeckten Teilen des halbleitenden Körpers liegenden Teile nicht soviel verstärken, dass die Brüche den zuerstgenannten Teilen nicht mehr folgen würden. 



   Auf ähnliche Weise ist es möglich, kleine halbleitende Körper auf die Enden stabförmiger Träger anzubringen. Zu diesem Zweck kann, wie in Fig. 4 dargestellt, ein Halter 20 verwendet werden, der aus einem Stapel flacher Halter 21 zusammengesetzt ist (s. Fig. 5), in dem eine Reihe von Trägern 22 festgeklemmt ist. Diese Träger haben ein flaches, verzinntes Oberende. Alle diese Oberenden befinden sich in einer einzigen Ebene, und auf diese Enden wird eine dünne Schnittscheibe 23 aus einkristallinischem Germanium aufgelötet. Dann werden die Halter 21 stückweise vom Stapel 20 abgenommen, wobei die Schnittscheibe 23 gemäss den strichpunktierten Linien 24 durchgebrochen wird. Nach dem Öffnen eines Halters 21 erzielt man dann einen Streifen aus halbleitendem Material mit mehreren Trägern, wie in Fig. 6 dargestellt.

   Dieser Streifen kann gemäss den Linien 25 durchgebrochen werden. Im allgemeinen ist es natürlich erwünscht, dass die unbedeckten Teile der Schnittscheibe 23 schmal und geradlinig sind, damit beim Brechen die Bruchspannung in solchen Teilen konzentriert wird. Es ist daher zweckmässig, die Träger 22 mit rechteckigen Köpfen zu versehen, die nur kleine Zwischenräume aufweisen (s. Fig. 7). 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Verfahren zur Herstellung halbleitender Elektrodensysteme, wie Transistoren und Kristalldioden, die aus einer dünnen, halbleitenden Scheibe bestehen, deren eine Oberfläche auf einem Träger befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer halbleitenden Scheibe mehrere Träger befestigt werden, worauf die Scheibe zwischen den Trägern durchgebrochen wird.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass eine Scheibe von der Form eines Streifens verwendet wird.

   3. Verfahren nach Anspruch 1 zur Herstellung halbleitender Elektrodensysteme, wobei sich je eine halbleitende Scheibe auf dem Ende eines stabförmigen Trägers befindet, dadurch gekennzeichnet, dass diese Träger in Reihen in Haltern verankert und die Halter zu einem Stapel vereinigt sind, worauf eine halbleitende Scheibe auf den Trägerenden befestigt wird und dann die Halter getrennt werden, wobei die Scheibe in Streifen gebrochen wird und schliesslich die Träger aus den Haltern herausgenommen und die Streifen in kleine Scheiben gebrochen werden.