AT159917B - Verfahren zur Steuerung von elektrischen Aufladungen. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Steuerung von elektrischen Aufladungen. 



     Die Erfindung   betrifft ein Verfahren zur Steuerung der elektrischen Aufladungen von Kondensatoren, die zu Zwecken der elektrischen Ladungsspeieherung aufgeladen, bzw. entladen werden, indem jeweils eine Belegung dieser Kondensatoren als sekundäremissionsfähige Elektrode ausgebildet wird und durch   Elektrodenbeschiessung   im Potential gesteuert wird, während bei der Entladung, d. h. der Ladungsabnahme von den Speicherkondensatoren durch   E ! ektronenbesehiessung,   die aufgespeicherte Ladung der zweiten Belegung als Nutzstrom entnommen wird. 



   Bei dieser elektrischen Ladungsspeicherung bestehen die beiden   Möglichkeiten.   dass entweder die elektronenbeschossenen, sekundäremittierenden Kapazitätsbelegungen isoliert sind bzw. von aussen keine Spannungseinstellung erfahren, sondern ein freies Potential annehmen, das bestimmt wird durch ein Elektronengleiehgewieht zwischen aufgeschossenen Primärelektronen und ausgelösten bzw. abgesaugten Sekundärelektronen, oder dass den elektronenbeschossenen sekundäremittierenden Kapazitätsbelegungen über Halbleiter (z.

   B. ein halbleitendes Dielektrikum) oder hohe Widerstände ein Ruhepotential erteilt wird, wobei diese Halbleiter einen so grossen Widerstand besitzen, dass sich auf dem Ruhepotential zusätzlich noch ein freies Potential ausbilden kann, das wieder bestimmt wird durch ein   Elektronengleichgewicht zwischen aufgeschossenen   Primärelektronen und ausgelösten bzw. abgesaugten Sekundärelektronen. 



   Es ist bekannt, bei der Ladungsspeicherung auf Kondensatoren, deren eine Belegung zwecks Auf-oder Entladung im Potential durch   Elektronenbeschiessung   gesteuert wird und die kein Ruhepotential von aussen vorgegeben erhält, während die gespeicherte Ladung der zweiten Belegung als Nutzstrom entnommen wird, eine Steuerung des Potentials der elektronenbeschossenen Elektrode durch Beeinflussung der Menge der aufgeschossenen   Primärelektronen   vorzunehmen. 



     Eifindungsgemäss   erfolgt nun zur Erhöhung der   erzielbaren Potentialdiffeienzen   an den Speicherkondensatoren eine Steuerung der elektrischen Aufladung dieser Kondensatoren, deren elektronenbeschossen Belegung kein Ruhepotential erhält, durch Beeinflussung der Geschwindigkeit der auf- 
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 elektronen bzw. durch eine kombinierte Beeinflussung dieser Bestimmungsstücke des freien Potentials oder auch durch eine kombinierte Beeinflussung von aufgeschossener Primärelektronenmenge und der Geschwindigkeit dieser Elektronen und/oder dem Absaugfeld der Sekundärelektronen. 



   Bei der erfindungsgemässen   Ladnngsspeieherung   auf Kondensatoren, deren elektronenbeschossener Belegung zur Erhöhung der erzielbaren Potentialdifferenzen über Halbleiter od. dgl. ein Ruhepotential erteilt wird, während die gespeicherte Ladung der zweiten Belegung ebenfalls durch 
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 des Potentials der elektronenbeschossenen Belegung durch Beeinflussung der Geschwindigkeit der   aufgeschossenen   Elektronen oder durch Beeinflussung deren Menge oder durch Beeinflussung des Absaugfeldes der ausgelösten Sekundärelektronen bzw. durch kombinierte Beeinflussung dieser Bestimmungsstücke statt. 



   Die in ihrer Aufladung zu steuernden Speicherkondensatoren können dabei nach Art von Mosaikelektroden rasterförmig unterteilt sein, wobei die Auf- oder Entladung durch einen abtastenden Elektronenstrahl erfolgt.

Claims (1)

1. PATENT-ANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Steuerung von elektrischen Aufladungen in Kondensatoren, die aufgeladen oder entladen werden, wobei eine Belegung als sekundäremissionsfähige Elektrode ausgebildet ist und durch Elektronenbeschiessung im Potential gesteuert wird, während bei der Entladung der zweiten Belegung die aufgespeicherte Ladung als Nutzstrom entnommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Potential einer isolierten,

   elektronenbeschossenen Kondensatorbelegung gesteuert wird durch Beeinflussung der Geschwindigkeit der aufgesehossenen Elektronen oder durch Beeinflussung des Absaugfeldes der an der beschossenen Elektrode ausgelösten Sekundärelektronen oder durch kombinierte Beeinflussung der aufgeschossenen Elektronenmenge und der Geschwindigkeit dieser E ! ektronen EMI2.1 Kondensatorbelegung über ein halbleitendes Dielektrikum oder hohe Widerstände ein Ruhepotential erteilt wird und das Potential dieser E ! ektrode gesteuert wird duieh Beeinflussung der aufgeschossenen Elektronenmenge und/oder durch Beeinflussung der Elektronengeschwindigkeit der aufgeschossenen Elektronen und/oder durch Beeinflussung des Absaugfeldes der an der beschossenen Elektrode ausgelösten Sekundärelektronen oder durch kombinierte Beeinflussung

   dieser Bestimmungsstücke.

   2. Anordnung zur Ausübung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sekundäremissionsfähige,, in bekannter Weise rasterförmig unterteilte Elektroden die Belegungen von Speicherkondensatoren bilden, die zwecks Aufladung bzw. Entladung durch einen Elektronen- EMI2.2