<Desc/Clms Page number 1>
Hoefrequenz-Sendersystem.
EMI1.1
<Desc/Clms Page number 2>
Ein zweiter Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, Silbenfrequenzmodulation mit grosser
Wirksamkeit bei hoher Spannung zu erzeugen, mit besonderer Bezugnahme auf Silbenfrequenz- modulation durch Änderung der Anodenspannung in der Endstufe der Hochfrequenzverstärkung eines Senders.
Nach einem Merkmal der Erfindung werden in einem Sender, bei dem der Trägerstrom dem
Modulationsgrad angepasst ist und in welchem eine. Elektronenröhre durch Änderung der Anoden- spannung sowohl durch Sprech-als auch durch Silbenfrequenzspannungen moduliert wird, Sprechfrequenzspannungen durch einen thermionischen'Verstärker verstärkt, der so vorgespannt ist, dass er als Verstärker der Klasse B arbeitet und dessen Ausgangsstromkreis mit dem Anodenstromkreis der modulierten Elektronenröhre verbunden oder gekoppelt ist.
Dadurch wird eine unmittelbare Steuerung der Trägeramplitude entsprechend der Stärke der Sprachzeichen möglich, ohne einen besonderen Gleichrichterkreis. verwenden zu müssen. Gleichzeitig erreicht man aber auch als Vorteile die Sparsamkeit und den günstigen Wirkungsgrad der Klasse BVerstärkung.
Bezüglich der in Fig. 2 dargestellten Anordnung wirken in diesem Stromkreis die Röhren Fi und V2 als modulierte Hochfrequenzverstärker in Gegentaktschaltung. Die Röhren Vg und V4, die mit Sprechfrequenzspannung von einem Eingangstransformator Ti gespeist werden, sind so vorgespannt, dass sie als Sprechfrequenzverstärker der Klasse B wirken, der den Transformator 1'2 speist, dessen Ausgangsleistung den Röhren Vi und V2 zugeführt wird.
Die Röhren werden mit Anodenstrom von einer zwischen der Klemme H1'+ und Erde angeschlossenen Stromquelle gespeist, wobei der Stromkreis von den Anoden zu den Kathoden der Röhren Vi und V2 und über die Drossel LI, Primärwicklung des Transformators 1'2 und die Anoden-Kathodenstrecke der Röhren Tg und Y4 verläuft. Die Arbeitsweise der Anordnung ist kurz folgende.
Bei Verstärkern der Klasse B ist der Anodenstrom proportional der Amplitude des Ausganges.
Der Anodenstrom, der von den beiden Röhren V und V2 aufgenommen und in diesem Falle der Drosselspule Li entnommen wird, ist die Summe der Anodenströme von Va und V4 und hängt daher von der Amplitude der Sprechfrequenzzeichen ab. Je nach der Gittervorspannung, die auf diese Röhren angewandt wird, wird sich der gesamte Anodenstrom von einem kleinen Wert, wenn nicht gesendet wird, bis zum vollen Wert bei Belastung, d. i. bei Zeichen mit grosser Amplitude, ändern.
Bekanntlich ist es für das richtige Arbeiten eines modulierten Hochfrequenzverstärkers Bedingung, dass die wirksame Impedanz der Anodenstromkreise der modulierten Hochfrequenzkreise vom Standpunkte der Sprechfrequenzen einen reinen Ohmschen Widerstand darstellt. Die in dem modulierten Verstärker erzeugte Spannung ist daher direkt proportional zu dem von den Modulatorröhren abgenommenen Strom, da in der gezeigten Anordnung der gesamte Anodenstrom durch den modulierten Verstärker und die Röhren in Reihe fliesst.
Daraus folgt, dass, wenn der Stromkreis so eingestellt ist, dass die richtige Spannung für eine volle Leistung von den modulierten Verstärkerröhren dann erhalten wird, wenn die Modulatorröhren ihren vollen Belastungsstrom haben, dann wird, wenn der Modulator-Anodenstrom auf einen niedrigen Wert entsprechend einem kleinen Sprechfrequenzeingang fällt, auch der Anodenstrom und die Anodenspannung des modulierten Verstärkers auf einen niedrigen Wert sinken und somit der gesamte Stromverbrauch und die Ausgangsleistung verringert werden.
Durch geeignete Änderung des Verhältnisses vom Strom, wenn keine Modulation stattfindet, zum Strom, der bei voller Modulation in den Modulatorröhren fliesst, kann somit auch das Verhältnis des Stromverbrauches in diesen beiden Fällen in weiten Grenzen geändert werden.
Für Rundfunkzwecke ist erfahrungsgemäss ein Verhältnis 1 : 4 zufriedenstellend, doch kann auch ein anderes Verhältnis gewählt werden.
Da die Leistung und die Impedanz des modulierten Verstärkers konstant bleiben, ist eine Änderung des gesamten Anodenstromes im Verhältnis von 1 : 2 erforderlich, um obige Wirkung zu erreichen. Demzufolge ist es bei einer bestimmten Gesamt-Anodenspeisespannung und voller Belastung, bei der die gesamte Anodenspannung ungefähr gleichmässig zwischen dem Modulator und dem modulierten Verstärker aufgeteilt ist, notwendig, dass die Impedanz der Modulatoren bei keiner Modulation dreimal so gross ist wie bei voller Modulation. Ist der Modulator auf richtige Leistung bei voller Modulation eingestellt, dann kann dieses Verhältnis nicht mit einer festen Gittervorspannung erreicht werden, da dieses Verhältnis zum Teil von den Charakteristiken der verwendeten Röhren abhängen wird.
Es ist daher wünschenswert, dass das Gitterpotentiale des Modulators durch die Silbenfrequenz geändert wird, so dass die Gittervorspannung für einen mittleren Pegel der Zeichenamplitude auf jeden Fall geeignet ist.
Es ist auch möglich, das Leistungsverhältnis zwischen "keiner Modulation" und "voller Modulation" zu erhöhen, indem man die Modulator-Gittervorspannung durch die Silbenfrequenz in geeigneter Weise ändert.
Die Drossel L zusammen mit dem Kondensator O2 verhindert die unmittelbare Modulation des modulierten Verstärkers durch die Sprechfrequenzschwankungen des Gesamtanodenstromes der Modulatorröhren. Ci ist ein Durehgangskondensator, welcher einen Weg medriger Impedanz für
<Desc/Clms Page number 3>
Hochfrequenz zwischen den Klemmen der Stromversorgung herstellt, ( ; ist ein Sperrkondensator, um zu verhindern, dass die Röhrenimpedanz des modulierten Verstärkers durch die Sekundärwicklung des Transformators für Gleichstrom kurzgesehlossen wird.
Die Gittervorspannung der modulierten Verstärkerröhre kann man aus der negativen Gittervorspannungsquelle, z. B. aus einem Generator oder Gleichrichter erhalten oder mit Hilfe einer mit der eigenen Heizung verbundenen Gitterabzweigung.
Die Erfindung ist nicht auf die oben beschriebene Anordnung beschränkt und es können zahlreiche Abänderungen gemacht werden, die alle in den Rahmen dieser Erfindung fallen. Es kann z. B. der Anodenstrom eines Modulatorverstärkers der Klasse B, der bei Silbenfrequenz um den mittleren Pegel der Sprechfrequenzspannung schwankt, als Quelle für Silbenfrequenzspannung zur Betätigung des Gitters eines Qecksilberdampfgleichriehters verwendet werden, der den modulierten Verstärker
EMI3.1
weggelassen werden kann.
PATENT-ANSPRÜCHE :
EMI3.2
entsprechend dem mittleren Amplitudenpegel der Spreehfrequenzstrome durch Beeinflussung des Anodenstromes einer modulierten Elektronenröhrenvorrichtung sowohl durch Spreeh-als auch durch Silbenfrequenzspannungen geändert wird, dadurch gekennzeichnet, dass diese Sprechfrequenzspannungen durch einen thermionischen Verstärker der Klasse B verstärkt werden, dessen Ausgangsstromkreis mit diesem Anodenstromkreis verbunden oder gekoppelt ist.